CN110444674A - 有机发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光装置，包括第一电极、设置于第一电极之上的发光层、设置于发光层之上的电子注入层、以及设置于电子注入层之上的第二电极。电子注入层包括：(a)包括式(I)或式(II)的结构的一有机铵盐；或(b)包括式(III)的结构的一有机化合物，其中R1、R2、R3、R4、以及R5是烷基，X‑是一价阴离子，环A是杂芳基，n是3到12的整数，m是1到4的整数，*表示连接键。使用所述的电子注入层的材料，避免了传统上使用碱金属氟化物作为材料时，碱金属离子扩散至发光层内，进而产生不利反应而影响装置寿命的问题。
Description
技术领域
本发明是关于一种有机发光装置，以及关于一种制造有机发光装置的方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)装置具有高亮度、轻薄、以及无视角差等特性，因而为极具潜力的新一代显示器。一般而言，有机发光二极体装置包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、以及阴极。当有机发光二极体装置导通电压时，空穴将自阳极注入，并通过空穴注入层和空穴传输层后进入发光层。电子则自阴极注入，并通过电子注入层和电子传输层后进入发光层。因此，电子和空穴于发光层中复合(recombination)产生激子(exciton)。激子再通过发光机制松弛而发射光。
然而，电子和空穴在装置中传导时，容易受到各层间的能障差异及界面的影响，造成大量的载子堆积于各层之间的界面，进而产生耗损和复合率下降，降低了装置的寿命。解决此问题的方法之一是将电子与空穴传输材料导入发光层，以单层(发光层)取代传统的三层(空穴传输层/发光层/电子传输层)结构。如此，除了可以简化装置的制造制程外，还可避免因载子堆积而导致能量耗损的问题，进而提升装置的寿命。
传统上，碱金属氟化物(例如LiF、NaF或CsF等)经常被用作电子注入层的材料。然而，在前述的单层结构装置中，发光层与电子注入层之间不具有电子传输层。因此，碱金属氟化物中的碱金属离子容易扩散至发光层内，进而与发光层内的活性物质产生不利反应而影响装置的寿命。
由此可见，上述现有的方式，显然仍存在不便与缺陷，而有待改进。为了解决上述问题，相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来仍未发展出适当的解决方案。
发明内容
本发明的一个方面在于提供一种有机发光装置，包括一第一电极、一发光层、一电子注入层、以及一第二电极。发光层设置于第一电极之上。电子注入层设置于发光层之上，电子注入层包括(a)包括式(I)或式(II)的结构的一有机铵盐；或
(b)包括式(III)的结构的一有机化合物，
其中R1、R2、R3、R4、以及R5是烷基，X-是一价阴离子，环A是杂芳基，n是3到12的整数，m是1到4的整数，*表示连接键。第二电极设置于电子注入层之上。
在本发明某些实施方式中，X-是碘阴离子、溴阴离子或氯阴离子。
在本发明某些实施方式中，环A是吡咯基、咪唑基、吡啶基或嘧啶基。
在本发明某些实施方式中，有机铵盐或有机化合物的分子量为100至1000。
在本发明某些实施方式中，有机铵盐是选自由十二烷基三甲基溴化铵、(11-巯基十一烷基)三甲基溴化铵、(E)-1,1'-((2,2'-二氧代-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(吡啶-1-鎓)溴化物、(E)-1,1'-((2,2'-二氧代-6,6'-二苯基-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(吡啶-1-鎓)溴化物、以及(E)-1,1'-((2,2'-二氧代-6,6'-二(噻吩-2-基)-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(吡啶-1-鎓)溴化物所组成的群组。
在本发明某些实施方式中，有机化合物是选自由(E)-3,3'-((2,2'-二氧代-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(二甲基氨基二基))双(丙烷-1-磺酸酯)、(E)-(6,6'-二苯基-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)-双(己烷-6,1-二基))双(二甲基氨基二基))双(丙烷-1-磺酸酯)、(E)-3,3'-(((2,2'-二氧代-6,6'-二(噻吩-2-基)-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(二甲基铵二基))双(丙烷-1-磺酸酯)、3-(二甲基(3-磺丙基)氨基)丙烷-1-磺酸酯、以及4-(二甲基(4-磺丁基)氨基)丁烷-1-磺酸酯所组成的群组。
在本发明某些实施方式中，电子注入层的厚度为5至20纳米。
在本发明某些实施方式中，有机发光装置进一步包括一空穴注入层，其设置于第一电极与发光层之间。
本发明的另一方面在于提供一种制造有机发光装置的方法，包括(i)提供一第一电极；(ii)形成一发光层于第一电极之上；(iii)形成一电子注入层于发光层之上，其中电子注入层包括：
(a)包括式(I)或式(II)的结构的一有机铵盐；或
(b)包括式(III)的结构的一有机化合物，
其中R1、R2、R3、R4、以及R5是烷基，X-是一价阴离子，环A是杂芳基，n是3到12的整数，m是1到4的整数，*表示连接键；以及(iv)形成一第二电极于电子注入层之上。
在本发明某些实施方式中，在步骤(iii)中，是经由执行一旋转涂布制程、一刮刀涂布制程或一刮刀旋转涂布制程以形成电子注入层。
以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本发明的技术方案提供更进一步的解释。
附图说明
图1为传统的有机发光二极体装置的立体示意图；
图2为本发明一实施方式的有机发光二极体装置的立体示意图；
图3为实施例和比较例的有机发光二极体装置的电流-电压关系图；
其中，符号说明：
100有机发光二极体装置 110阳极
120空穴注入层 130空穴传输层
140发光层 150电子传输层
160电子注入层 170阴极。
具体实施方式
为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备，下文针对了本发明的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而，可在无此等特定细节的情况下实践本发明的实施例。
兹将本发明的实施方式详细说明如下，但本发明并非局限在实施例范围。
图1绘示传统的有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode，OLED)装置100的立体示意图。如图1所示，传统的有机发光二极体装置100包括一阳极110、设置于阳极110上的一空穴注入层120、设置于空穴注入层120上的一空穴传输层130、设置于空穴传输层130上的一发光层140、设置于发光层140上的一电子传输层150、设置于电子传输层150上的一电子注入层160、以及设置于电子注入层160上的一阴极170。然而，如前所述，电子和空穴在装置中传导时，容易受到各层间的能障差异及界面的影响，进而产生耗损、降低装置寿命等问题。因此，减少装置中的层数可以避免上述问题，进而提升装置的寿命。
图2为本发明一实施方式的有机发光二极体装置100的立体示意图。有机发光二极体装置100包括一阳极110、设置于阳极110上的一空穴注入层120、设置于空穴注入层120上的一空穴传输层130、设置于空穴传输层130上的一发光层140、设置于发光层140上的一电子注入层160、以及设置于电子注入层160上的一阴极170。
然而，如前所述，在装置不具有电子传输层的情况下，传统上常作为电子注入层160的碱金属氟化物中的碱金属离子容易扩散至发光层140内，进而与发光层140内的活性物质产生不利反应而影响装置的寿命。本发明人通过研究发现，将特定有机材料用作电子注入层160的材料，可解决上述的问题。具体而言，本揭示内容的电子注入层160包括(a)包括式(I)或式(II)的结构的一有机铵盐；或
(b)包括式(III)的结构的一有机化合物，
其中R1、R2、R3、R4、以及R5是烷基，X-是一价阴离子，环A是杂芳基，n是3到12的整数，m是1到4的整数，*表示连接键。在一些实施例中，R1、R2、R3、R4、以及R5是甲基、乙基或丙基。在一些实施例中，X-是碘阴离子、溴阴离子或氯阴离子。在一些实施例中，环A是吡咯基、咪唑基、吡啶基或嘧啶基。在一些实施例中，n是4、6、8或10。在一些实施例中，m是2或3。
在一些实施例中，有机铵盐或有机化合物的分子量为100至1000，例如为150、200、300、500、700、800或900。须说明的是，当有机铵盐或有机化合物的分子量小于100时，有机铵盐或有机化合物可能会扩散至阴极170，并与阴极170的材料产生不利反应而影响装置的寿命。但当有机铵盐或有机化合物的分子量大于1000时，则不易纯化，造成较高的成本。
值得注意的是，式(I)或式(II)的结构中的鎓阳离子(即)与一价阴离子(即X-)之间具有特定范围的偶极矩，使得包括有机铵盐的电子注入层160可降低阴极170与发光层140之间的能障，从而电子可顺利进入发光层140。类似地，式(III)的结构中的鎓阳离子基与磺酸阴离子基之间(即)亦具有特定范围的偶极矩，因此包括有机化合物的电子注入层160可达到相同的功效。
另外，传统上是利用热蒸镀制程来形成以碱金属氟化物作为材料的电子注入层160。然而，藉由热蒸镀制程所形成的电子注入层160的厚度需控制在0.3纳米至0.8纳米之间。因为当厚度小于0.3纳米时，会有岛状成膜的情况，使得装置在导通电压时，发光区域有不均匀的现象。而当厚度大于0.8纳米时，将导致发射光的波长转移。但本揭示内容的电子注入层160的材料所包括的式(I)、式(II)或式(III)的结构中，具有直碳链部分(即)，可让有机铵盐或有机化合物针对诸如甲醇的溶剂具有良好的溶解性。因此，可藉由诸如旋转涂布、刮刀涂布或刮刀旋转涂布等的液态制程来形成电子注入层160。据此，本揭示内容的电子注入层160的厚度范围可为5纳米至20纳米之间，例如为6纳米、8纳米、10纳米、12纳米、14纳米、16纳米或18纳米。当电子注入层160的厚度在此范围内时，电子注入层160具有良好的电子注入能力，且驱动电压无实质的增加。详细而言，当电子注入层160的厚度小于5纳米时，若进行大面积的涂布，容易产生膜厚不均匀的现象。当电子注入层160的厚度大于20纳米时，则会导致发射光的亮度降低。换言之，传统上以碱金属氟化物作为材料，并藉由热蒸镀制程所形成的电子注入层160的厚度范围较窄，而改以本揭示内容的有机铵盐或有机化合物为材料，并藉由液态制程所形成的电子注入层160的厚度范围则较宽。因此，在形成电子注入层160时，较容易地控制厚度于限定范围内，从而改善装置的制造良率。另外，传统上，利用热蒸镀制程来形成电子注入层160，常有蒸镀材料附着于蒸镀室内壁的情况，造成材料的浪费。藉由改以液态制程可避免材料的浪费，从而节省装置的制造成本。
在一些实施例中，有机铵盐是选自由十二烷基三甲基溴化铵(Dodecyltrimethylammonium bromide，DTAB)、(11-巯基十一烷基)三甲基溴化铵((11-mercaptoundecyl)trimethyl-ammonium bromide，MUTAB)、(E)-1,1'-((2,2'-二氧代-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(吡啶-1-鎓)溴化物((E)-1,1’-((2,2’-Dioxo-[3,3’-biindolinylidene]-1,1’-diyl)bis(hexane-6,1-diyl))bis(pyridin-1-ium)bromide，IID-PyBr)、(E)-1,1'-((2,2'-二氧代-6,6'-二苯基-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(吡啶-1-鎓)溴化物((E)-1,1’-((2,2’-Dioxo-6,6’-diphenyl-[3,3’-biindolinylidene]-1,1’-diyl)bis(hexane-6,1-diyl))bis(pyridin-1-ium)bromide，IIDPh-PyBr)、以及(E)-1,1'-((2,2'-二氧代-6,6'-二(噻吩-2-基)-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(吡啶-1-鎓)溴化物((E)-1,1’-((2,2’-Dioxo-6,6’-di(thiophen-2-yl)-[3,3’-biindolinylidene]-1,1’-diyl)bis(hexane-6,1-diyl))bis(pyridin-1-ium)bromide，IIDTH-PyBr)所组成的群组。
在一些实施例中，有机化合物是选自由(E)-3,3'-((2,2'-二氧代-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(二甲基氨基二基))双(丙烷-1-磺酸酯)((E)-3,3’-(((2,2’-Dioxo-[3,3’-biindolinylidene]-1,1’-diyl)bis(hexane-6,1-diyl))bis(dimethylammoniumdiyl))bis(propane-1-sulfonate)，IID-NSB)、(E)-(6,6'-二苯基-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)-双(己烷-6,1-二基))双(二甲基氨基二基))双(丙烷-1-磺酸酯)((E)-(6,6’-Diphenyl-[3,3’-biindolinylidene]-1,1’-diyl)-bis(hexane-6,1-diyl))bis(dimethylammoniumdiyl))bis(propane-1-sulfonate)，IIDPh-NSB)、(E)-3,3'-(((2,2'-二氧代-6,6'-二(噻吩-2-基)-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(二甲基氨基二基))双(丙烷-1-磺酸酯)((E)-3,3’-(((2,2’-Dioxo-6,6’-di(thiophen-2-yl)-[3,3’-biindolinylidene]-1,1’-diyl)bis(hexane-6,1-diyl))bis-(dimethylammoniumdiyl))bis(propane-1-sulfonate)，IIDTh-NSB)、3-(二甲基(3-磺丙基)氨基)丙烷-1-磺酸酯(3-(dimethyl(3-sulfopropyl)ammonio)propane-1-sulfonate，DSAPS)、以及4-(二甲基(4-磺丁基)氨基)丁烷-1-磺酸酯(4-(dimethyl(4-sulfobutyl)ammonio)butane-1-sulfonate，DSABS)所组成的群组。
一般而言，作为本揭示内容的阳极110是形成于一基板(未绘示)上，此基板可为任何习知的可用于有机发光二极体装置的基板，例如为玻璃基板或其他可挠性基板。作为本揭示内容的阳极110的形成方式，可藉由电子束蒸发、物理气相沉积或溅射沉积技术，沉积诸如氧化铟锡(ITO)的高功函数材料于基板上以形成阳极110。
作为本揭示内容的空穴注入层120的形成方式，可藉由刮刀涂布制程，涂布用于形成空穴注入层120的材料于阳极110上以形成空穴注入层120。刮刀涂布条件可根据用于形成空穴注入层120的材料和所欲形成的结构而变化。在一些实施例中，空穴注入层120的材料可为N,N'-二苯基-N,N'-双[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺(DNTPD)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)或聚(3,4-次乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)，但不以此为限。在一些实施例中，空穴注入层120的厚度为80纳米至100纳米，例如为85纳米、90纳米或95纳米。当空穴注入层120的厚度在此范围内时，空穴注入层120具有良好的空穴注入能力，且驱动电压无实质的增加。
作为本揭示内容的空穴传输层130的形成方式，可藉由刮刀涂布制程，涂布用于形成空穴传输层130的材料于空穴注入层120上以形成空穴传输层130。刮刀涂布条件可根据用于形成空穴传输层130的材料和所欲形成的结构而变化。应理解的是，藉由空穴传输层130的设置，可使有机发光二极体装置的启动电压下降，并且可大幅提高发光层140的成膜均匀性，从而增加发光效率。在一些实施例中，空穴传输层130的材料可为聚(9,9-二辛基茀-共-N-(4-丁基苯基)二苯基胺)(Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)，TFB)、三(4-咔唑基-9-基苯基)胺(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine，TCTA)、二-[4-(N,N-二-对-甲苯基氨基)苯基]环己烷(Di-[4-(N,N-di-p-tolyl-amino)-phenyl]cyclohexane，TAPC)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl，CBP)、双[3,5-二(9H-咔唑-9-基)苯基]二苯基硅烷(Bis[3,5-di(9H-carbazol-9-yl)phenyl]diphenylsilane，SimCP2)、9,9-二(4,4'-双(3,6-二-叔丁基咔唑)苯基-9H-芴(9,9-di(4,4'-bis(3,6-Di-tert-butylcarbazole)-phenyl)-9H-fluorene，TBCPF)、6,60-(4,40-(9H-芴-9,9-二基)双(4,1-次苯基))双(6H吲哚[2,3-b]喹呃啉(6,60-(4,40-(9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(6Hindolo[2,3-b]quinoxaline，BIQF)或3,6-双(3,6-二-叔丁基-9-咔唑基)-N-苯基咔唑(3,6-bis(3,6-di-tert-butyl-9-carbazolyl)-N-phenylcarbazole，BTCC-36)，但不以此为限。在一些实施例中，空穴传输层130的厚度为10纳米至15纳米。当空穴传输层130的厚度在此范围内时，空穴传输层130具有良好的空穴传输能力，且驱动电压无实质的增加。
作为本揭示内容的发光层140的形成方式，可藉由刮刀涂布制程，涂布用于形成发光层140的材料于空穴注入层120上以形成发光层140。刮刀涂布条件可根据用于形成发光层140的材料和所欲形成的结构而变化。在一些实施例中，发光层140可包括掺杂有客发光体的荧光主体材料或磷光主体材料。须说明的是，荧光主体材料或磷光主体材料具有良好的载子注入效率，而所掺杂的客发光体则具有相较于荧光主体材料或磷光主体材料小的能隙、高的发光效率、以及短的复合生命期等特性。从而，荧光主体材料或磷光主体材料的激子可藉由能量转移至客发光体。据此，除了可以提高发光效率外，还可藉由掺杂客发光体，发出特定波长的光。荧光主体材料或磷光主体材料可为本领域习知的任何荧光主体材料或磷光主体材料，例如为三(8-羟基喹啉)铝(Tri-8-quinolinolatoaluminum，Alq3)、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl，CBP)、聚(N-乙烯基咔唑)(Poly(N-vinylcarbazole)，PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-Di(2-naphthyl)anthracene，AND)、三(4-咔唑基-9-基苯基)胺(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine，TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-Tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene，TPBI)、3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽(2-(tert-Butyl)-9,10-di(2-naphthalenyl)anthracene，TBADN)或联苯乙烯(distyrylarylene，DSA)，但不以此为限。客发光体可为本领域习知的任何客发光体，例如为PtOEP、Ir(piq)3或Btp2Ir(acac)等红色掺杂剂，但不以此为限。
或者，客发光体可为Ir(ppy)3(ppy＝苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)或Ir(mpyp)3等绿色掺杂剂，但不以此为限。
又或者，客发光体可为F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三茀(ter-fluorene)、4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)或2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)等蓝色掺杂剂，但不以此为限。
应理解的是，为了使电子和空穴能顺利地传导至发光层140中，可将电子传输材料和空穴传输材料导入发光层140。本领域技术人员可依据情况，调整空穴传输材料和电子传输材料的比例以用于制备发光层140。在一些实施例中，空穴传输材料和电子传输材料的重量比值为0.25至4，例如为0.5、1、1.5、2、2.5、3或3.5。在一些实施例中，电子传输材料可为2,7-双(二苯基磷氧基)-9,9'-旋环双芴(2,7-Bis(diphenylphosphoryl)-9,9'-spirobifluorene，SPPO13)、二(9,9'-旋环双芴-2-基)-苯基-氧化膦(Di(9,9-spirobifluoren-2-yl)-phenyl-phosphineoxide，Dspiro-PO)、2,6-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基吡啶(2,6-Bis(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)pyridine，26DCzPPy)、1,3,5-三[(3-吡啶基)苯-3-基]苯(1,3,5-Tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene，TmPyPB)、ETM735(购自昱镭光电)、2-(联苯-4-基)-4,6-双(4'-(吡啶-2-基)联苯-4-基)-1,3,5-三氮杂苯(2-(biphenyl-4-yl)-4,6-bis(4'-(pyridin-2-yl)biphenyl-4-yl)-1,3,5-triazine，DPyBPTz)或2,8-双(联苯基磷氧基)二苯并[b,d]噻吩(2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]thiophene，PPT)，但不以此为限。空穴传输材料则可为前述用于形成空穴传输层130的材料，故在此不另加以赘述。在一些实施例中，发光层140的厚度为60纳米至100纳米，例如为70纳米、80纳米或90纳米。当发光层140的厚度在此范围内时，发光层140具有良好的发光效率，且驱动电压无实质的增加。
作为本揭示内容的阴极170的形成方式，可藉由热蒸镀制程，沉积诸如锂、镁或铝等低功函数材料于电子注入层160上以形成阴极170。在一些实施例中，阴极170的厚度为80纳米至150纳米，例如为90纳米、100纳米、110纳米、120纳米、130纳米或140纳米。
以下藉由实施例和比较例来详细说明本揭示内容，但各层所使用的材料、厚度以及浓度，并非用以限制本揭示内容的范围。
实施例：本揭示内容的有机发光装置的制备
将聚(3,4-次乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)和乙醇以1:2.5的比例混和后，以微量滴管(Pipette)滴在刮刀和氧化铟锡(ITO)阳极上。启动线性马达使刮刀移动而均匀地覆盖阳极。在基板温度、刮速、以及加速度分别为50至60℃、15至30mm/s、以及45至55mm/s2的条件下，形成厚度为80至100纳米的空穴注入层于氧化铟锡(ITO)阳极上。
接着，将聚(9,9-二辛基茀-共-N-(4-丁基苯基)二苯基胺)(TFB)以0.5至1.0wt％的浓度溶于三氯甲烷中。于手套箱中，在基板温度、刮速、以及加速度别为50至55℃、30至35mm/s、以及45至55mm/s2的条件下，进行刮刀涂布制程以形成厚度为10至15纳米的空穴传输层于空穴注入层上。
接着，将磷光主体材料、客发光体、电子传输材料、以及空穴传输材料以0.5至1.5wt％的浓度溶于三氯甲烷中。于手套箱中，在基板温度、刮速、以及加速度分别为50至55℃、400至800mm/s、以及200至400mm/s2的条件下，进行刮刀涂布制程以形成厚度为60至100纳米的发光层于空穴传输层上。随后，置于60至100℃的加热基板上，退火10分钟。
接着，将十二烷基三甲基溴化铵(DTAB)以0.1至1.0wt％的浓度溶于甲醇中。在基板温度、刮速、以及加速度分别为50至80℃、400至800mm/s、以及200至400mm/s2的条件下，进行刮刀涂布制程以形成厚度为10至15纳米的电子注入层于发光层上。
接着，藉由热蒸镀制程，以铝(Al)作为材料，形成厚度为80至150纳米的阴极于电子注入层上。
比较例：传统有机发光装置的制备
除了电子注入层之外，传统有机发光装置的其他各层的形成方式皆与前述实施例相同。传统有机发光装置的电子注入层是利用热蒸镀制程，以CsF作为材料，形成厚度为0.3至0.8纳米的电子注入层于发光层上。
接下来，进行实施例和比较例的有机发光装置的电流-电压特性测定。首先，使用电源供应器KEITHLEY-2400提供实施例和比较例的有机发光装置电压及电流。并以分光辉度计PR-655量测两装置所产生的亮度。接着，电源供应器和分光辉度计将两装置在不同电压及电流状态下所发出的光强度资讯汇入电脑分析软体中，并进行分析，结果绘示于图3。如图3所示，在电压为8V时，实施例的有机发光装置的电流效率为8.89cd/A，而比较例的有机发光装置的电流效率则为15cd/A。亦即，相较于比较例的有机发光装置，实施例的有机发光装置的电流效率有些许的下降。虽然如此，实施例的有机发光装置仍具有良好的电流效率。换言之，虽然改变了电子注入层的材料，但实施例的有机发光装置仍具有良好的发光效率。
由上述发明实施例可知，在此揭示的电子注入层的材料针对诸如甲醇的溶剂具有良好的溶解性。因此，可藉由液态制程来形成电子注入层。据此，增加了电子注入层的厚度范围，从而改善装置的制造良率。
另一方面，使用本揭示内容的电子注入层的材料，避免了传统上使用碱金属氟化物作为材料时，碱金属离子扩散至发光层内，进而产生不利反应而影响装置寿命的问题。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，但其他实施方式亦有可能。因此，所请请求项的精神与范围并不限定于此处实施方式所含的叙述。
任何熟习此技艺者可明了，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (10)
1.一种有机发光装置，其特征在于，包括：
第一电极；
发光层，设置于该第一电极之上；
电子注入层，设置于该发光层之上，该电子注入层包括：
(a)包括式(I)或式(II)的结构的有机铵盐；或
(b)包括式(III)的结构的有机化合物，
其中R1、R2、R3、R4、以及R5是烷基，X-是一价阴离子，环A是杂芳基，n是3到12的整数，m是1到4的整数，*表示连接键；以及
第二电极，设置于该电子注入层之上。
2.如权利要求1的有机发光装置，其中该X-是碘阴离子、溴阴离子或氯阴离子。
3.如权利要求1的有机发光装置，其中环A是吡咯基、咪唑基、吡啶基或嘧啶基。
4.如权利要求1的有机发光装置，其中该有机铵盐或该有机化合物的分子量为100至1000。
5.如权利要求1的有机发光装置，其中该有机铵盐是选自由十二烷基三甲基溴化铵、
(11-巯基十一烷基)三甲基溴化铵、
(E)-1,1'-((2,2'-二氧代-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(吡啶-1-鎓)溴化物、
(E)-1,1'-((2,2'-二氧代-6,6'-二苯基-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(吡啶-1-鎓)溴化物、以及
(E)-1,1'-((2,2'-二氧代-6,6'-二(噻吩-2-基)-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(吡啶-1-鎓)溴化物所组成的群组。
6.如权利要求1的有机发光装置，其中该有机化合物是选自由(E)-3,3'-((2,2'-二氧代-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(二甲基氨基二基))双(丙烷-1-磺酸酯)、
(E)-(6,6'-二苯基-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)-双(己烷-6,1-二基))双(二甲基氨基二基))双(丙烷-1-磺酸酯)、
(E)-3,3'-(((2,2'-二氧代-6,6'-二(噻吩-2-基)-[3,3'-双吲哚乙烯基]-1,1'-二基)双(己烷-6,1-二基))双(二甲基氨基二基))双(丙烷-1-磺酸酯)、
3-(二甲基(3-磺丙基)氨基)丙烷-1-磺酸酯、以及
4-(二甲基(4-磺丁基)氨基)丁烷-1-磺酸酯所组成的群组。
7.如权利要求1的有机发光装置，其中该电子注入层的厚度为5至20纳米。
8.如权利要求1的有机发光装置，进一步包括空穴注入层，其设置于该第一电极与该发光层之间。
9.一种制造有机发光装置的方法，其特征在于，包括：
(i)提供第一电极；
(ii)形成发光层于该第一电极之上；
(iii)形成电子注入层于该发光层之上，其中该电子注入层包括：
(a)包括式(I)或式(II)的结构的有机铵盐；或
(b)包括式(III)的结构的有机化合物，
其中R1、R2、R3、R4、以及R5是烷基，X-是一价阴离子，环A是杂芳基，n是3到12的整数，m是1到4的整数，*表示连接键；以及
(iv)形成第二电极于该电子注入层之上。
10.如权利要求9的制造有机发光装置的方法，其中在步骤(iii)中，是经由执行旋转涂布制程、刮刀涂布制程或刮刀旋转涂布制程以形成该电子注入层。
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