CN110428863A - 一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法及其装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法及其装置;其中,方法,包括:S1,对闪存颗粒上电,识别坏块及标识非坏块;S2,对所述标识非坏块进行选取若干个Block;S3,判断所述Block是否为坏块;S4,对选取的Block进行老化处理,并标记成坏块;S5,对选取的Block进行连续擦写读;S6,判断连续擦写读后的Block是否终止老化;S7,判断老化轮数是否等于预设值的整数倍;S8,主机发送命令获取老化信息;S9,判断老化轮数是否等于设定值;S10,结束操作。本发明可有效提升闪存颗粒长期可靠性测试效率,节省成本。
Description
技术领域
本发明涉及闪存颗粒长期可靠性检测技术领域,更具体地说是指一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法及其装置。
背景技术
近几年NAND Flash(闪存颗粒)技术的发展与应用,大幅提高了SSD(Sol id StateDevice)的容量与性能;但对于SSD这种存储设备而言,使用寿命和数据安全才是用户关注的重中之重;其中,耐久性测试是对SSD使用寿命的终极考验;通常是正常工作的情况下,对SSD持续写入大量的数据直至完全老化,并测定它在这一过程的磨损量变化和读写表现,这就意味着,从开始测试到完全老化的时长越长,SSD的使用寿命越长;磨损量越小,其抗风险的能力就越强。
因为数据主要存储在闪存颗粒上,所以SSD的耐久性测试,实质上是检验闪存颗粒;根据NAND Flash的类型不同,擦除寿命P/E(Program/Erase)也不相同,目前存在的NANDFlash分为SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Trinary-Level Cell)三种类型,加上即将出现的QLC(Trinary-Level Cell)一共是四种;闪存P/E(Program/Erase)分别为SLC5000~10000次,MLC1000~3000次,TLC500~1000次。现有技术中通常使用“BurnIn Test”软件进行SSD耐久性测试,在一个周期内模拟用户读写量对SSD进行压力测试,直至全盘P/E达到极限值,整个测试需要持续数周甚至数月;而对于SSD厂商而言,从不同的渠道采购到不同批次的闪存颗粒,如果每批都需要耗费长时间的磨损测试,会影响项目开发周期与开发效率,无法满足需求。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法及其装置。
为实现上述目的,本发明采用于下技术方案:
一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法,包括以下步骤:
S1,对闪存颗粒上电,识别坏块及标识非坏块;
S2,对所述标识非坏块进行选取若干个Block;
S3,判断所述Block是否为坏块;若是,则结束操作;若否,则进入S4;
S4,对选取的Block进行老化处理,并标记成坏块;
S5,对选取的Block进行连续擦写读;
S6,判断连续擦写读后的Block是否终止老化;若是,则结束操作;若否,则进入S7;
S7,判断老化轮数是否等于预设值的整数倍;若是,进入S8;若否,则返回S4;
S8,获取老化信息;
S9,判断老化轮数是否等于设定值;若是,则结束操作;若否,则返回S4。
其进一步技术方案为:所述S1中,还包括:设备初始化,扫描出厂坏块和其他新增坏块。
其进一步技术方案为:所述S2中,所述Block的数量为6个。
其进一步技术方案为:所述S5中,对选取的Block进行连续擦写读,每两次擦写读之间间隔200毫秒。
其进一步技术方案为:所述S7中,所述预设值为500。
其进一步技术方案为:所述S9中,所述设定值为3000。
一种闪存颗粒长期可靠性的抽检装置,包括:识别标识单元,选取单元,第一判断单元,老化标记单元,擦写读单元,第二判断单元,第三判断单元,获取单元,及第四判断单元;
所述识别标识单元,用于对闪存颗粒上电,识别坏块及标识非坏块;
所述选取单元,用于对所述标识非坏块进行选取若干个Block;
所述第一判断单元,用于判断所述Block是否为坏块;
所述老化标记单元,用于对选取的Block进行老化处理,并标记成坏块;
所述擦写读单元,用于对选取的Block进行连续擦写读;
所述第二判断单元,用于判断连续擦写读后的Block是否终止老化;
所述第三判断单元,用于判断老化轮数是否等于预设值的整数倍;
所述获取单元,用于获取老化信息;
所述第四判断单元,用于判断老化轮数是否等于设定值。
其进一步技术方案为:所述识别标识单元中,还包括:设备初始化,扫描出厂坏块和其他新增坏块。
其进一步技术方案为:所述选取单元中,所述Block的数量为6个。
其进一步技术方案为:所述擦写读单元中,对选取的Block进行连续擦写读,每两次擦写读之间间隔200毫秒。
本发明与现有技术相比的有益效果是:通过在一个批次中抽测一定的数量,对闪存颗粒进行3000轮的擦写读,记录每个页的ECC、读延时、写延时等信息,从而得到闪存颗粒磨损量变化和读写表现,可有效提升闪存颗粒长期可靠性测试效率,节省成本,能够更好地满足需求。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
附图说明
图1为本发明一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法流程图;
图2为图1的应用示意图;
图3为本发明一种闪存颗粒长期可靠性的抽检装置方框图。
具体实施方式
为了更充分理解本发明的技术内容,下面结合具体实施例对本发明的技术方案进一步介绍和说明,但不局限于此。
如图1到图3所示的具体实施例,其中,本发明中的英文解释如下:DIE,可独立并发操作的单元;Block,擦除的单元;ECC(Error Collection Code),错误收集代码;P/E(Program/Erase),写/擦,Read,读;Device,设备;VU(Vendor Unique),供应商唯一。
其中,如图1至图2所示,本发明公开了一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法,包括以下步骤:
S1,对闪存颗粒上电,识别坏块及标识非坏块;
S2,对所述标识非坏块进行选取若干个Block;
S3,判断所述Block是否为坏块;若是,则结束操作;若否,则进入S4;
S4,对选取的Block进行老化处理,并标记成坏块;
S5,对选取的Block进行连续擦写读;
S6,判断连续擦写读后的Block是否终止老化;若是,则结束操作;若否,则进入S7;
S7,判断老化轮数是否等于预设值的整数倍;若是,进入S8;若否,则返回S4;
S8,获取老化信息;
S9,判断老化轮数是否等于设定值;若是,则结束操作;若否,则返回S4。
其中,所述S1中,还包括:设备初始化,扫描出厂坏块和其他新增坏块,因为坏块是不能作为擦写读的,擦写读必须要在正常工作的Block上进行。
其中,一个颗粒通常含有N(例如1048)个左右Block,如果采用传统的方式进行全盘老化,则这N个Block,每个都需要进行3000轮的擦写读测试,做完这些测试需要数周甚至数月的时间,时间取决于测试项目和测试强度,另外,做完这些测试后,这个颗粒就废了,不能作为正常颗粒使用。
进一步地,所述S2中,所述Block的数量为6个,在本实施例中,将整个颗粒从Block0-BlockN分为6个区间,在这6个区间内分别选取1个Block进行老化测试。
进一步地,在S4中,标记坏块,需要在颗粒上将对应的Block标记为坏块;挑选出的6个Block,在进行擦写读之后就要在Block上做个坏块标记,因为这些Block将不能作为正常的Block使用。
更进一步地,所述S5中,对选取的Block进行连续擦写读,每两次擦写读之间间隔200毫秒;在本实施例中,两个老化之间需要间隔一定的时间,因为连续不断地进行擦写读会对性能造成一定的影响,可能会使数据不准确。
其中,在S6中,发现坏块后,此坏块终止老化,一旦发现擦写读有一个环节失败,则表示该Block异常,需要标记为坏块,该坏块需要终止老化测试,同时记录在日志文件中。
其中,所述S7中,所述预设值为500,在本实施例中,主机发送VU命令从Device中收集一次数据,分别在老化轮数0/500/1000/1500/2000/2500/3000时,总共7次老化信息,并将其记录到日志文件中。
其中,所述S9中,所述设定值为3000。
本发明从一批颗粒中抽取一定比例进行测试,对这批颗粒的性能进行评估,在高温55°的环境中,对闪存颗粒进行擦写读,经过老化测试的颗粒中,只有6个Block的P/E可能达到3000次,这些Block将作为坏块标记在颗粒中,剩下的大部分Block还是好块,可以正常使用,所以这些颗粒还是可以作为其他用途使用,只是每个颗粒多了6个坏块而已,相对于原厂颗粒来说坏块比例有所增加,可以作为次等级颗粒使用,例如用于研发人员实验测试使用,节省了颗粒全盘老化测试导致颗粒废弃的成本。
如图3所示,本发明还公开了一种闪存颗粒长期可靠性的抽检装置,包括:识别标识单元10,选取单元20,第一判断单元30,老化标记单元40,擦写读单元50,第二判断单元60,第三判断单元70,获取单元80,及第四判断单元90;
所述识别标识单元10,用于对闪存颗粒上电,识别坏块及标识非坏块;
所述选取单元20,用于对所述标识非坏块进行选取若干个Block;
所述第一判断单元30,用于判断所述Block是否为坏块;
所述老化标记单元40,用于对选取的Block进行老化处理,并标记成坏块;
所述擦写读单元50,用于对选取的Block进行连续擦写读;
所述第二判断单元60,用于判断连续擦写读后的Block是否终止老化;
所述第三判断单元70,用于判断老化轮数是否等于预设值的整数倍;
所述获取单元80,用于获取老化信息;
所述第四判断单元90,用于判断老化轮数是否等于设定值。
其中,所述识别标识单元10中,还包括:设备初始化,扫描出厂坏块和其他新增坏块,因为坏块是不能作为擦写读的,擦写读必须要在正常工作的Block上进行。
其中,所述选取单元20中,所述Block的数量为6个,在进行擦写读之后就要在Block上做个坏块标记,因为这些Block将不能作为正常的Block使用。
其中,所述擦写读单元50中,对选取的Block进行连续擦写读,每两次擦写读之间间隔200毫秒;在本实施例中,两个老化之间需要间隔一定的时间,因为连续不断地进行擦写读会对性能造成一定的影响,可能会使数据不准确。
本发明通过从一个DIE中的Block中选取6个Block来进行3000次的擦写读测试,每500轮主机发送VU命令获取ECC,擦延时,写延时,读延时数据,并记录到日志文件,从这些日志文件中提取出这些Block的关键数据进行分析,从而得到闪存颗粒磨损量变化和读写表现,可有效提升闪存颗粒长期可靠性测试效率,节省成本,能够更好地满足需求。
上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容,以便于读者更容易理解,但不代表本发明的实施方式仅限于此,任何依本发明所做的技术延伸或再创造,均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。
Claims (10)
1.一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,对闪存颗粒上电,识别坏块及标识非坏块;
S2,对所述标识非坏块进行选取若干个Block;
S3,判断所述Block是否为坏块;若是,则结束操作;若否,则进入S4;
S4,对选取的Block进行老化处理,并标记成坏块;
S5,对选取的Block进行连续擦写读;
S6,判断连续擦写读后的Block是否终止老化;若是,则结束操作;若否,则进入S7;
S7,判断老化轮数是否等于预设值的整数倍;若是,进入S8;若否,则返回S4;
S8,获取老化信息;
S9,判断老化轮数是否等于设定值;若是,则结束操作;若否,则返回S4。
2.根据权利要求1所述的一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法,其特征在于,所述S1中,还包括:设备初始化,扫描出厂坏块和其他新增坏块。
3.根据权利要求1所述的一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法,其特征在于,所述S2中,所述Block的数量为6个。
4.根据权利要求1所述的一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法,其特征在于,所述S5中,对选取的Block进行连续擦写读,每两次擦写读之间间隔200毫秒。
5.根据权利要求1所述的一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法,其特征在于,所述S7中,所述预设值为500。
6.根据权利要求1所述的一种闪存颗粒长期可靠性的抽检方法,其特征在于,所述S9中,所述设定值为3000。
7.一种闪存颗粒长期可靠性的抽检装置,其特征在于,包括:识别标识单元,选取单元,第一判断单元,老化标记单元,擦写读单元,第二判断单元,第三判断单元,获取单元,及第四判断单元;
所述识别标识单元,用于对闪存颗粒上电,识别坏块及标识非坏块;
所述选取单元,用于对所述标识非坏块进行选取若干个Block;
所述第一判断单元,用于判断所述Block是否为坏块;
所述老化标记单元,用于对选取的Block进行老化处理,并标记成坏块;
所述擦写读单元,用于对选取的Block进行连续擦写读;
所述第二判断单元,用于判断连续擦写读后的Block是否终止老化;
所述第三判断单元,用于判断老化轮数是否等于预设值的整数倍;
所述获取单元,用于获取老化信息;
所述第四判断单元,用于判断老化轮数是否等于设定值。
8.根据权利要求7所述的一种闪存颗粒长期可靠性的抽检装置,其特征在于,所述识别标识单元中,还包括:设备初始化,扫描出厂坏块和其他新增坏块。
9.根据权利要求7所述的一种闪存颗粒长期可靠性的抽检装置,其特征在于,所述选取单元中,所述Block的数量为6个。
10.根据权利要求7所述的一种闪存颗粒长期可靠性的抽检装置,其特征在于,所述擦写读单元中,对选取的Block进行连续擦写读,每两次擦写读之间间隔200毫秒。
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