CN110416384A - 一种可提升led灯珠光效的封装方法 - Google Patents
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- 239000011324 bead Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 title description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种可提升LED灯珠光效的封装方法,包括如下步骤,采用点胶机在LED支架的相应位置点上绝缘胶,然后采用导热胶将LED芯片与内部具有液态散热金属的散热件贴合固定,并将LED芯片与散热件装配至LED支架的内侧,通过上述绝缘胶进行固定,且采用锡焊将电极穿过所述LED支架并与所述LED芯片相连接,完成产品内外引线的连接工作,在所述LED芯片顶部装设一层磷涂层,通过采用透明环氧树脂胶对封装;通过设计了位于LED芯片底部的散热件以及散热件内侧的液态散热金属等,利用液态散热金属的高热导率和散热鳍片较大的散热面积,可增加LED芯片的散热速率,通过增加散热速率,可降低LED芯片表面的温度,从而增加LED的光通量以及提升光效。
Description
技术领域
本发明属于LED封装技术领域,具体涉及一种可提升LED灯珠光效的封装方法。
背景技术
近几年来,LED照明突飞猛进,LED产品的种类和样式也基本定型。接下来,LED应用型企业要做的,就是如果提高LED产品的性能和品质。其中LED产品的光效,是影响LED产品性能和品质的重要参数。发光二极管简称为LED,当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化硅二极管发黄光,氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED,它是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光能。
LED发光效率,简称光效。它是电光源发出的光通量和它用电功率之比,单位是流明/瓦(lm/W),是评价电光源用电效率最主要的技术参数。光通量是指单位时间内光辐射量的大小,用流明来表示。光源单位用电功率发出的光通量越大、则电能转换光能的效率越高,即光效越高。
随着LED结温升高,LED的光通量会降低,而功率基本不变,从而光效会降低,所以,要获得较高的光效,保证LED的散热也是重要的因素,光的传输机理也与此相同,为此我们提出一种可提升LED灯珠光效的封装方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可提升LED灯珠光效的封装方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种可提升LED灯珠光效的封装方法,包括如下步骤:
A、采用点胶机在LED支架的相应位置点上绝缘胶;
B、采用导热胶将LED芯片与内部具有液态散热金属的散热件贴合固定,并将所述LED芯片与所述散热件装配至所述LED支架的内侧,通过上述绝缘胶进行固定;
C、采用锡焊将电极穿过所述LED支架并与所述LED芯片相连接;
D、在所述LED芯片顶部装设一层磷涂层;
E、采用透明环氧树脂胶对封装;
F、测试上述组装完成的LED灯珠的光电参数。
优选的,所述散热件的底部等距装设有多个散热鳍片,且多个所述散热鳍片的内侧均装设有液态散热金属。
优选的,所述LED支架的底部与散热件对应位置处开设有凹槽,且所述LED支架的内侧,以所述LED芯片为圆心环形等距开设有散热孔。
优选的,每个所述散热孔均与水平面之间保持10度的倾斜角。
优选的,所述步骤E中的磷涂层的顶面需保证平整光滑。
优选的,所述LED芯片封装过程需在无尘的环境下进行。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:通过设计了位于LED灯珠底部的散热件以及散热件内侧的液态散热金属等,利用液态散热金属的高热导率和散热鳍片较大的散热面积,可增加LED灯珠的散热速率,通过增加散热速率,可降低LED灯珠表面的温度,从而增加LED的光通量以及提升光效。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。
图1为本发明的剖视图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“竖直”、“上”、“下”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种可提升LED灯珠光效的封装方法,包括如下步骤:
A、采用点胶机在LED支架的相应位置点上绝缘胶;
B、采用导热胶将LED芯片与内部具有液态散热金属的散热件贴合固定,并将LED芯片与散热件装配至LED支架的内侧,且所述LED支架的底部与散热件对应位置处开设有凹槽,通过上述绝缘胶进行固定;
C、采用锡焊将电极穿过LED支架并与LED芯片相连接,以便于完成产品内外引线的连接工作;
D、在LED芯片顶部装设一层磷涂层,便于发光能量的更为集中;
E、采用透明环氧树脂胶对封装,磷涂层的顶面需保证平整光滑;
F、测试上述组装完成的LED灯珠的光电参数,且上述过程需在无尘的环境下进行。
本实施例中,优选的,散热件的底部等距装设有多个散热鳍片,且多个散热鳍片的内侧均装设有液态散热金属。
本实施例中,优选的,LED支架的内侧,以LED芯片为圆心环形等距开设有散热孔,且散热孔均与凹槽连接,每个散热孔均与水平面之间保持10度的倾斜角。
本发明的工作原理及使用流程:通过点胶机在LED支架的相应位置点上绝缘胶,然后采用导热胶将LED芯片与内部具有液态散热金属的散热件贴合固定,并将LED芯片与散热件装配至LED支架的内侧,通过上述绝缘胶进行固定,采用锡焊将电极穿过LED支架并与LED芯片相连接,完成产品内外引线的连接工作,在LED芯片顶部装设一层磷涂层,采用透明环氧树脂胶对封装,测试上述组装完成的LED灯珠的光电参数后并通过测试即可使用LED灯珠;
在使用LED灯珠时,利用LED芯片底部的散热件以及散热件内侧的液态散热金属等,利用液态散热金属的高热导率和散热鳍片较大的散热面积,可增加LED芯片的散热速率,同时通过设置了倾斜的散热孔,便于凹槽内热量的及时排出,进一步增加散热速率,可降低LED芯片表面的温度,从而增加LED的光通量以及光效。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种可提升LED灯珠光效的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:
A、采用点胶机在LED支架的相应位置点上绝缘胶;
B、采用导热胶将LED芯片与内部具有液态散热金属的散热件贴合固定,并将所述LED芯片与所述散热件装配至所述LED支架的内侧,通过上述绝缘胶进行固定;
C、采用锡焊将电极穿过所述LED支架并与所述LED芯片相连接;
D、在所述LED芯片顶部装设一层磷涂层;
E、采用透明环氧树脂胶对封装;
F、测试上述组装完成的LED灯珠的光电参数。
2.根据权利要求1所述的一种可提升LED灯珠光效的封装方法,其特征在于:所述散热件的底部等距装设有多个散热鳍片,且多个所述散热鳍片的内侧均装设有液态散热金属。
3.根据权利要求1所述的一种可提升LED灯珠光效的封装方法,其特征在于:所述LED支架的底部与散热件对应位置处开设有凹槽,且所述LED支架的内侧,以所述LED芯片为圆心环形等距开设有散热孔。
4.根据权利要求3所述的一种可提升LED灯珠光效的封装方法,其特征在于:每个所述散热孔均与水平面之间保持10度的倾斜角。
5.根据权利要求1所述的一种可提升LED灯珠光效的封装方法,其特征在于:所述步骤E中的磷涂层的顶面需保证平整光滑。
6.根据权利要求1所述的一种可提升LED灯珠光效的封装方法,其特征在于:所述LED芯片封装过程需在无尘的环境下进行。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910694694.6A CN110416384A (zh) | 2019-07-30 | 2019-07-30 | 一种可提升led灯珠光效的封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910694694.6A CN110416384A (zh) | 2019-07-30 | 2019-07-30 | 一种可提升led灯珠光效的封装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110416384A true CN110416384A (zh) | 2019-11-05 |
Family
ID=68364130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910694694.6A Pending CN110416384A (zh) | 2019-07-30 | 2019-07-30 | 一种可提升led灯珠光效的封装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110416384A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111370556A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-07-03 | 东莞市良友五金制品有限公司 | 一种led支架光源封装结构及其工艺 |
CN112271246A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-01-26 | 江西瑞晟光电科技有限公司 | 一种新型led灯珠封装方式方法 |
CN112635646A (zh) * | 2021-01-14 | 2021-04-09 | 深圳市科润光电股份有限公司 | 一种应用于低热阻的晶圆级led封装结构 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201623181U (zh) * | 2010-03-18 | 2010-11-03 | 王春 | 一种散热装置 |
CN102361060A (zh) * | 2011-10-22 | 2012-02-22 | 华南师范大学 | 大功率led散热基座封装结构 |
WO2014037625A1 (en) * | 2012-09-08 | 2014-03-13 | Lumichip Limited | Led chip-on-board component and lighting module |
CN206322688U (zh) * | 2016-12-05 | 2017-07-11 | 上海阿莱德实业股份有限公司 | 设有镓合金附属层的芯片导热金属片 |
CN208142173U (zh) * | 2018-04-24 | 2018-11-23 | 深圳市联胜和照明股份有限公司 | 一种集成式多芯片cob封装结构 |
-
2019
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201623181U (zh) * | 2010-03-18 | 2010-11-03 | 王春 | 一种散热装置 |
CN102361060A (zh) * | 2011-10-22 | 2012-02-22 | 华南师范大学 | 大功率led散热基座封装结构 |
WO2014037625A1 (en) * | 2012-09-08 | 2014-03-13 | Lumichip Limited | Led chip-on-board component and lighting module |
CN206322688U (zh) * | 2016-12-05 | 2017-07-11 | 上海阿莱德实业股份有限公司 | 设有镓合金附属层的芯片导热金属片 |
CN208142173U (zh) * | 2018-04-24 | 2018-11-23 | 深圳市联胜和照明股份有限公司 | 一种集成式多芯片cob封装结构 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111370556A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-07-03 | 东莞市良友五金制品有限公司 | 一种led支架光源封装结构及其工艺 |
CN111370556B (zh) * | 2020-04-08 | 2021-04-30 | 广东良友科技有限公司 | 一种led支架光源封装结构及其工艺 |
CN112271246A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-01-26 | 江西瑞晟光电科技有限公司 | 一种新型led灯珠封装方式方法 |
CN112635646A (zh) * | 2021-01-14 | 2021-04-09 | 深圳市科润光电股份有限公司 | 一种应用于低热阻的晶圆级led封装结构 |
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