CN110413290A - 一种数据烧录方法、数据烧录设备及计算机存储介质 - Google Patents
一种数据烧录方法、数据烧录设备及计算机存储介质 Download PDFInfo
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Abstract
本申请公开了一种数据烧录方法、数据烧录设备及计算机存储介质。该数据烧录方法用于MCU,该MCU配置有内部存储器及至少一外部存储器,该MCU与外部存储器连接,该数据烧录方法包括:将待烧录数据及启动程序存储在外部存储器,其中启动程序设置有拷贝指令;在MCU处于烧录模式时,运行启动程序,以从外部存储器启动MCU;在MCU启动后,根据拷贝指令将外部存储器的待烧录数据拷贝到内部存储器。通过这种方式,能够提高MCU数据烧录的效率。
Description
技术领域
本申请涉及计算机技术领域,涉及一种数据烧录方法、数据烧录设备及计算机存储介质。
背景技术
本申请的发明人在长期的研发过程中发现,现有技术中,在对微控制单元(Microcontroller Unit,MCU)进行升级时,MCU需要从上位机下载待烧录文件,耗时比较长,例如,在闪存模式下通过SWD方式烧录,需要通过通信方式从上位机下载待烧录文件,耗时3s以上。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种数据烧录方法、数据烧录设备及计算机存储介质,以提高数据烧录的效率。
为解决上述技术问题,本申请提供一种数据烧录方法。该数据烧录方法用于MCU,MCU配置有内部存储器及至少一外部存储器,MCU与外部存储器连接,该数据烧录方法包括:将待烧录数据及启动程序存储在外部存储器,其中启动程序设置有拷贝指令;在MCU处于烧录模式时,运行启动程序,以从外部存储器启动MCU;在MCU启动后,根据拷贝指令将外部存储器的待烧录数据拷贝到内部存储器。
为解决上述技术问题,本申请还提供一种数据烧录设备。该数据烧录设备包括:MCU,内置有内部存储器;至少一外部存储器,与MCU连接;其中,MCU通过上述数据烧录方法将外部存储器的待烧录数据烧录到内部存储器。
为解决上述技术问题,本申请还提供一种计算机存储介质。该计算机存储介质存储有程序数据,程序数据能够被执行以实现上述数据烧录方法。
与现有技术相比,本申请实施例数据烧录方法用于MCU,该MCU配置有内部存储器及至少一外部存储器,该MCU与外部存储器连接,该数据烧录方法包括:将待烧录数据及启动程序存储在外部存储器,其中启动程序设置有拷贝指令;在MCU处于烧录模式时,运行启动程序,以从外部存储器启动MCU;在MCU启动后,根据拷贝指令将将外部存储器的待烧录数据拷贝到内部存储器。通过这种方式,MCU能够直接从其外部存储器获取待烧录数据,而无需通过通信下载方式从上位机、服务器或者其它终端设备获取待烧录数据,因此能够缩短数据烧录时间,提高数据烧录的效率。
附图说明
图1是本申请数据烧录设备第一实施例的结构示意图;
图2是本申请数据烧录方法第一实施例的流程示意图;
图3是图2实施例数据烧录方法中步骤S202的具体流程示意图;
图4是本申请数据烧录设备第二实施例的结构示意图;
图5是本申请数据烧录方法第二实施例的流程示意图;
图6是本申请数据烧录设备第三实施例的结构示意图;
图7是本申请数据烧录方法第三实施例的流程示意图;
图8是本申请数据烧录设备第四实施例的结构示意图;
图9是本申请计算机存储介质一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是,以下实施例仅用于说明本申请,但不对本申请的范围进行限定。同样的,以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本申请首先提出一种数据烧录设备,如图1所示,图1是本申请数据烧录设备第一实施例的结构示意图。本申请数据烧录设备101包括MCU102及外部存储器103,MCU102与外部存储器103连接,且外部存储器103中预存有待烧录数据;MCU102进一步配置有内部存储器104。
MCU又称单片微型计算机(Single Chip Microcomputer)或者单片机,是把中央处理器的频率与规格做适当缩减,并将内存、计数器、USB、A/D转换、UART、PLC、DMA等周边接口,甚至LCD驱动电路都整合在单一芯片上,形成芯片级的计算机。
为实现MCU102的数据烧录,本申请进一步提出一种数据烧录方法,如图2所示,图2是本申请数据烧录方法第一实施例的流程示意图。本实施例数据烧录方法具体包括以下步骤:
步骤S201:将待烧录数据存储在外部存储器103,其中启动程序设置有拷贝指令。
本实施例不限定将待烧录数据存储在外部存储器103的方式,例如,可以通过MCU102或者其它的工具将待烧录数据烧录或拷贝到外部存储器103。
在一个应用场景中,启动程序为引导加载程序Boot-loader,它是MCU102硬件启动的引导程序,是运行操作系统的前提。在操作系统内核或用户应用程序运行之前运行的一段小代码。对硬件进行相应的初始化和设定,最终为操作系统准备好环境。
本实施例的Boot-loader固化在外部存储器103中,且地址为0x60000000-0x6000FFFF;待烧录数据预存在外部存储器103中,且起始地址为0x60001000。Boot-loader的开头代码(起始地址为0x60000000)存放到MCU402的SRAM中。
其中,Boot-loader的代码设置有拷贝指令。
其中,启动程序及待拷贝数据均可以采用BIN文件格式。
步骤S202:在MCU102处于烧录模式时,运行启动程序,以从外部存储器103启动MCU102。
具体地,在上述应用场景中,MCU102启动流程如下:当MCU102上电后运行地址为0x00000000的代码,在该代码执行完成后自动跳转到Boot-loader处,执行Boot-loader的代码,即地址为0x60000000-0x6000FFFF的代码,进行MCU102和系统时钟的初始化等工作,以使MCU102从外部存储器103启动。
步骤S203:在MCU102启动后,根据拷贝指令将外部存储器103的待烧录数据拷贝到内部存储器104。
可选地,MCU102与外部存储器103通过队列串行外设接口(Queue SerialPeripheral Interface,QSPI)进行连接,即MCU102与外部存储器103通过QSPI接口进行数据传输,外部存储器103将存储的待烧录数据通过QSPI接口发送到内部存储器104。关于待烧录数据的拷贝控制及原理在下述实施例中进行叙述。
QSPI接口是串行外设接口(Serial Peripheral Interface,SPI)的扩展,QSPI接口在SPI接口的基础上增加了队列传输机制,比SPI接口应用更加广泛。
进一步地,待烧录数据设置有开始标识及结束标识,MCU102根据开始标识判断待烧录数据拷贝是否开始,并根据结束标识判断待烧录数据拷贝是否结束。
当然,在其它实施例中,MCU与外部存储器可以通过其它通信接口进行连接,例如通用输入/输出(General Purpose Input Output,GPIO)接口或通用异步收发传输器(Universal Asynchronous Receiver/Transmitter,UART)接口等。
进一步地,本实施例的内部存储器104包括缓存105及闪存106。其中,缓存105为内部存储器104与外界进行数据交换的缓存区。本实施例可以通过图3所示的方法实现上述步骤S203。本实施例的方法包括步骤S301及S302。
步骤S301:根据拷贝指令将外部存储器103的待烧录数据拷贝到缓存105。
步骤S302:将缓存105的待烧录数据拷贝到闪存106。
将外部存储器103中的待烧录数据拷贝到内部存储器104时,先将待烧录数据拷贝到缓存105,然后将缓存105中的待烧录数据拷贝到闪存106中,以实现将待烧录数据烧录到闪存106。
其中,本实施例的缓存105可以为静态随机存取存储器(Static Random-AccessMemory,SRAM),闪存106可以为嵌入式闪存Eflash。当然,在其它实施例中,缓存还可以采用动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)等,闪存还可以采用NORFlash或NAND Flash等。
区别于现有技术,本实施例的MCU102能够直接从其外部存储器103获取待烧录数据,而无需通过通信下载方式从上位机、服务器或者其它终端设备获取待烧录数据,因此能够缩短数据烧录时间,提高数据烧录的效率。
缓存105的存储空间比较小,为保证待烧录数据顺利烧录,避免缓存105数据溢出,造成数据损坏,在缓存105接收到预设大小的待烧录数据后,MCU102先将缓存105中已接收的待烧录数据拷贝到闪存106,并删除缓存105中已接收的待烧录数据,以使缓存105的存储空间能够继续存储外部存储器103后续发送的待烧录数据。
进一步地,MCU102还设置有控制模块(图未示),上述步骤均是在该控制模块的控制下进行。
本申请进一步提出第二实施例的数据烧录设备,如图4所示,本实施例数据烧录设备401包括MCU402及外部存储器403,MCU402配置有内部存储器404,外部存储器403中预存有待烧录数据,MCU402与外部存储器403通过QSPI接口连接;本实施例的MCU402在上述MCU102的基础上进一步设置有Boot接口、CTS接口及RTS接口,Boot接口、CTS接口及RTS接口用于接收控制指令,以控制MCU402进入烧写模式。
进一步地,本实施例的MCU402进一步设置有GPIO引脚,数据烧录设备401进一步设置有指示模块(图未示),例如LED灯等;GPIO引脚与指示模块连接,MCU402通过GPIO引脚控制指示模块指示待烧录数据烧录是否成功。
由上述分析可知,为提高数据烧录的效率,可以先将待烧录数据存储于外部存储器中,在MCU进入烧录模式时,直接从外部存储器中获取待烧录数据,而不需要通过通信下载方式从上位机、服务器或者其它终端设备获取待烧录数据。而数据的烧录工作通常是在MCU上电启动时完成,为实现在MCU上电启动时将外部存储器中的待烧录数据烧录到MCU的内部存储器中,本申请进一步提出第二实施例的数据烧录方法,可用于上述MCU402的数据烧录。其中,外部存储器403进一步存储有启动程序,启动程序设置有拷贝指令。如图5所示,本实施例的数据烧录方法具体包括以下步骤:
步骤S501:将待烧录数据及启动程序存储在外部存储器403,其中启动程序设置有拷贝指令。
步骤S501与上述步骤S201类似,这里不赘述。
步骤S502:在MCU402上电后,分别获取Boot接口的第一电平、CTS接口的第二电平及RTS接口的第三电平。
步骤S503:若第一电平为高电平、第二电平为低电平及第三电平为高电平,则MCU402进入烧录模式。
若MCU402检测到Boot接口的第一电平为高电平、CTS接口的第二电平为低电平及RTS接口的第三为高电平,则进入烧录模式。
在一应用场景中,Boot接口及RTS接口可以通过上拉电阻接地,CTS接口直接接地,以在MCU402上电后,Boot接口及RTS接口接收高电平、CTS接口接收低电平。
当然,在其它应用场景中,还可以通过其它电路实现上述Boot接口、CTS接口及RTS接口的电平模式;当然,还可以通过其它接口信号控制MCU402进入烧录模式。例如,MCU设置有Boot1接口及Boot2接口,通过Boot1接口及Boot2接口的输入信号控制MCU进入烧录模式。
步骤S504:在MCU402处于烧录模式时,运行启动程序,以从外部存储器403启动MCU402。
在一个应用场景中,启动程序为引导加载程序Boot-loader,它是MCU402硬件启动的引导程序,是运行操作系统的前提。在操作系统内核或用户应用程序运行之前运行的一段小代码。对硬件进行相应的初始化和设定,最终为操作系统准备好环境。
本实施例的Boot-loader固化在外部存储器403中,且地址为0x60000000-0x6000FFFF;待烧录数据预存在外部存储器403中,且起始地址为0x60001000。Boot-loader的开头代码(起始地址为0x60000000)存放到MCU402的SRAM中。
具体地,在该应用场景中,MCU402启动流程如下:当MCU102上电后运行地址为0x00000000的代码,在该代码执行完成后自动跳转到Boot-loader处,执行Boot-loader的代码,即地址为0x60000000-0x6000FFFF的代码,进行MCU和系统时钟的初始化等工作,以使MCU402从外部存储器403启动。
其中,启动程序及待拷贝数据均可以采用BIN文件格式。
步骤S505:在MCU402启动后,根据拷贝指令将待烧录数据拷贝到内部存储器404。
其中,Boot-loader的代码设置有拷贝指令。在MCU402启动后,根据拷贝指令将起始地址为0x60001000中待烧录数据拷贝到缓存405中。
MCU402将缓存405的待烧录数据拷贝到闪存406,以实现将待烧录数据烧录到闪存406。
进一步地,本实施例的数据烧录方法还可以包括步骤S506及步骤S507。
步骤S506:判断待烧录数据烧录是否成功。
具体地,MCU402将闪存406中烧录数据的大小与外部存储器403中待烧录数据的大小进行比较,若二者相同或二者之间差值小于或等于预设差值,则判断待烧录数据烧录成功,若二者不同或者二者之间的差值大于预设差值,则判断待烧录数据烧录失败。
步骤S507:若待烧录数据烧录成功,则控制GPIO引脚输出高电平。
若MCU402判断待烧录数据烧录成功,则控制GPIO引脚输出高电平,以点亮LED灯,指示烧录成功;若MCU402判断烧录失败,则控制GPIO引脚输出低电平,LED灯保持关闭状态,在预设时间后,工作人员根据LED灯的关闭状态重新对待烧录数据进行烧录。
区别于现有技术,本实施例能够从外部存储器启动,启动后直接将外部存储器的待烧录数据烧录到MCU的内存中,而无需通过通信下载方式从上位机、服务器或者其它终端设备获取待烧录数据,因此能够缩短数据烧录时间,提高数据烧录的效率。
进一步地,MCU402还设置有控制模块(图未示),上述步骤均是在该控制模块的控制下进行。
进一步地,本实施例外部存储器为Nor-flash,Nor-flash的特点是芯片内执行,程序可以直接在Nor-flash内运行,不必把代码读到系统RAM。通过这种方式,能够进一步提高数据烧录的效率。
当然,在其它实施例中,外部存储器还可以是NAND-flash或者SD卡等存储器件。
本申请进一步提出第三实施例的数据烧录设备,如图6所示,本实施例数据烧录设备601包括MCU602及外部存储器603,MCU602配置有内部存储器604,外部存储器603中预存有待烧录数据,MCU602与外部存储器603通过QSPI接口连接,MCU602通过Boot接口、CTS接口及RTS接口接收控制指令,以控制MCU602进入烧写模式;本实施例的MCU602在上述MCU402的基础上进一步包括下载器605,MCU602与下载器605连接,MCU602通过下载器605获取待烧录数据,并将待烧录数据烧录到外部存储器603中。
其中,本实施例的下载器605为JTAG下载器,MCU602设置有JTAG接口,MCU602通过JTAG接口与JTAG下载器连接。
当然,在其它实施例中,MCU602还可以通过其它下载器将待烧录数据烧录到外部存储器中,例如,SWD下载器,或者通过通用异步收发传输器(Universal AsynchronousReceiver/Transmitter,UART)引脚或者通用串行总线(Universal Serial Bus,USB)引脚,并通过这些引脚获取待烧录数据。
本申请进一步提出第三实施例的数据烧录方法,如图7所示,本实施例数据烧录方法具体包括以下步骤:
步骤S701:通过JTAG接口获取启动程序及待烧录数据。
MCU602控制JTAG接口通过JTAG下载器从上位机、服务器或者其它终端设备获取启动程序及待烧录数据。关于启动程序及待烧录数据这里不赘述。
启动程序及待烧录数据暂存于缓存606中。
步骤S702:将启动程序及待烧录数据拷贝到外部存储器603中,其中启动程序设置有拷贝指令。
MCU602通过QSPI接口将缓存606中的启动程序及待烧录数据拷贝到外部存储器603中,以将启动程序及待烧录数据烧录到外部存储器603中。
步骤S701及S702在MCU602上电之前执行。
当然,在其它实施例中,还可以采用其它方式将启动程序及待烧录数据拷贝到外部存储器,而无需通过MCU602。
步骤S703:在MCU602上电后,分别获取Boot接口的第一电平、CTS接口的第二电平及RTS接口的第三电平。
步骤S704:若第一电平为高电平、第二电平为低电平及第三电平为高电平,则MCU602进入烧录模式。
步骤S705:在MCU602处于烧录模式时,运行启动程序,以从外部存储器603启动MCU602。
步骤S706:在MCU602启动后,根据拷贝指令将待烧录数据拷贝到内部存储器604。
步骤S707:判断待烧录数据烧录成功。
步骤S708:若待烧录数据烧录成功,则控制GPIO引脚输出高电平。
本实施例的步骤S703-S708与上述步骤S502-S507相同,这里不赘述。
本实施例可以先通过下载器605将启动程序及待烧录数据烧录到外部存储器603中,以在MCU602处于烧录模式时,MCU602能够直接从其外部存储器603获取待烧录数据,而无需通过通信下载方式从上位机、服务器或者其它终端设备获取待烧录数据,因此能够缩短数据烧录时间,提高数据烧录的效率。
可选地,在步骤S702之前,MCU602还可以进一步以预设数据格式合成的上述启动程序及上述待烧录数据,以形成整体的BIN文件。通过这种方式,能够通过一次烧录就能将上述启动程序及上述待烧录数据存储到外部存储器603中,能够提高外部存储器603数据烧录的效率。
进一步地,MCU602还设置有控制模块(图未示),上述步骤均是在该控制模块的控制下进行。
本申请进一步提出第四实施例的数据烧录设备,如图8所示,本实施例数据烧录设备801与上述数据烧录设备的不同之处在于:本实施例数据烧录设备801至少包括MCU802、第一外部存储器803、第二外部存储器804,MCU802与第一外部存储器803、第二外部存储器804连接,MCU802进一步配置有内部存储器807;MCU802设置有第一JTAG接口及第二JTAG接口,MCU802通过第一JTAG接口获取第一待烧录数据,并将第一待烧录数据拷贝到第一外部存储器803中,MCU802通过第二JTAG接口获取第二待烧录数据,并将第二待烧录数据拷贝到第二外部存储器804中,在MCU802处于烧录模式时,将第一外部存储器803的第一待烧录数据及第二外部存储器804的第二待烧录数据拷贝到内部存储器807中。
进一步地,本实施例数据烧录设备801进一步包括第一下载器805及第二下载器806,MCU802通过第一JTAG接口与第一下载器805连接,并通过第一下载器805获取第一待烧录数据及通过第二下载器806获取第二待烧录数据。
外部存储器的数量与下载器的数量相同。当然,在其它实施例中,外部存储器与下载器可以是多对一或者一对多的情况,即通过一个下载器对多个外部存储器进行待烧录数据的烧录,或者多个下载器对一个外部存储器的不同存储区域进行数据烧录。
其中,MCU802可以从第一外部存储器803启动,并将第一待烧录数据烧录到内存中,MCU802还可以从第二外部存储器804启动,并将第二待烧录数据烧录到内存中。
本实施例能够实现多个待烧录数据的烧录,且多个烧录工序之间相互独立。
本实施例MCU802进一步设置有Boot接口、CTS接口及RTS接口,MCU802在Boot接口的第一电平为高电平、CTS接口的第二电平为低电平及RTS接口的第三电平为高电平时,进入烧录模式。
本实施例数据烧录设备801还用于实现上述数据烧录方法,这里不赘述。
本申请进一步提出一种计算机存储介质,如图9所示,本实施例计算机存储介质90用于存储上述实施例的相关数据92及程序数据91,其中,相关数据92至少包括上述待烧录数据、启动程序等,程序数据91能够被执行以上述方法实施例的方法。相关数据92及程序数据91已在上述方法实施例中进行了详细的叙述,这里不赘述。
本实施例计算机存储介质90可以是但不局限于U盘、SD卡、PD光驱、移动硬盘、大容量软驱、闪存、多媒体记忆卡、服务器等。
区别于现有技术,本申请实施例数据烧录方法用于MCU,该MCU配置有内部存储器及至少一外部存储器,该MCU与外部存储器连接,该数据烧录方法包括:将待烧录数据及启动程序存储在外部存储器,其中启动程序设置有拷贝指令;在MCU处于烧录模式时,运行启动程序,以从外部存储器启动MCU;在MCU启动后,根据拷贝指令将外部存储器的待烧录数据拷贝到内部存储器。通过这种方式,MCU能够直接从其外部存储器获取待烧录数据,而无需通过通信下载方式从上位机、服务器或者其它终端设备获取待烧录数据,因此能够缩短数据烧录时间,提高数据烧录的效率。
本申请实施例启动程序以及待烧录数据全部存储在外部存储器中,数据烧录属于软件的“自拷贝”,速度非常快,单颗芯片烧录耗时在0.5s内;此外,MCU与外部存储器组成了烧录单元,所以利于扩展,相互之间也不存在串扰,理论上可以支持无数个MCU同时烧录,便于芯片大规模烧录;此外,本申请外部存储器采用Nor-flash,掉电不丢失,能够满足客户产线离线烧录需求。
另外,上述功能如果以软件功能的形式实现并作为独立产品销售或使用时,可存储在一个移动终端可读取存储介质中,即,本申请还提供一种存储有程序数据的存储装置,所述程序数据能够被执行以实现上述实施例的方法,该存储装置可以为如U盘、光盘、服务器等。也就是说,本申请可以以软件产品的形式体现出来,其包括若干指令用以使得一台智能终端执行各个实施例所述方法的全部或部分步骤。
在本申请的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为,表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分,并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现,其中可以不按所示出或讨论的顺序,包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序,来执行功能,这应被本申请的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤,例如,可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表,可以具体实现在任何计算机可读介质中,以供指令执行系统、装置或设备(可以是个人计算机,服务器,网络设备或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用,或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言,"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下:具有一个或多个布线的电连接部(电子装置),便携式计算机盘盒(磁装置),随机存取存储器(RAM),只读存储器(ROM),可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器),光纤装置,以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外,计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质,因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描,接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序,然后将其存储在计算机存储器中。以上所述仅为本申请的实施方式,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种数据烧录方法,其特征在于,用于MCU,所述MCU配置有内部存储器及至少一外部存储器,所述MCU与所述外部存储器连接,所述数据烧录方法包括:
将待烧录数据及启动程序存储在所述外部存储器,其中所述启动程序设置有拷贝指令;
在所述MCU处于烧录模式时,运行所述启动程序,以从所述外部存储器启动所述MCU;
在所述MCU启动后,根据所述拷贝指令将所述外部存储器的待烧录数据拷贝到所述内部存储器。
2.根据权利要求1所述的数据烧录方法,其特征在于,所述MCU设置有Boot接口、CTS接口及RTS接口,所述数据烧录方法进一步包括:
在所述MCU上电后,分别获取所述Boot接口的第一电平、所述CTS接口的第二电平及所述RTS接口的第三电平;
若所述第一电平为高电平、所述第二电平为低电平及所述第三电平为高电平,则所述MCU进入所述烧录模式。
3.根据权利要求1所述的数据烧录方法,其特征在于,所述内部存储器包括缓存及闪存,所述根据所述拷贝指令将所述外部存储器的待烧录数据拷贝到所述内部存储器的步骤包括:
根据所述拷贝指令将所述外部存储器的待烧录数据拷贝到所述缓存;
将所述缓存的待烧录数据拷贝到所述闪存。
4.根据权利要求1所述的数据烧录方法,其特征在于,所述MCU设置有JTAG接口,在所述将待烧录数据存储在所述外部存储器及所述将启动程序存储在所述外部存储器的步骤之前,所述数据烧录方法进一步包括:
通过所述JTAG接口获取所述启动程序及所述待烧录数据。
5.根据权利要求4所述的数据烧录方法,其特征在于,在所述通过所述JTAG接口获取所述启动程序及所述待烧录数据的步骤之前,所述数据烧录方法进一步包括:
以预设数据格式合成所述启动程序及所述待烧录数据,以形成BIN文件;
所述通过所述JTAG接口获取所述启动程序及所述待烧录数据的步骤包括:
通过所述JTAG接口获取所述BIN文件。
6.根据权利要求1所述的数据烧录方法,其特征在于,所述MCU进一步设置有QSPI接口,所述MCU通过所述QSPI接口与所述外部存储器连接。
7.一种数据烧录设备,其特征在于,所述数据烧录设备包括:
MCU,内置有内部存储器;
至少一外部存储器,与所述MCU连接;
其中,所述MCU通过权利要求1-6任一项所述的数据烧录方法将所述外部存储器的待烧录数据烧录到所述内部存储器。
8.根据权利要求7所述的数据烧录设备,其特征在于,所述MCU设置有第一JTAG接口及第二JTAG接口,所述至少一外部存储器包括第一外部存储器及第二外部存储器,所述MCU通过所述第一JTAG接口获取第一待烧录数据,并将所述第一待烧录数据拷贝到所述第一外部存储器中,所述MCU通过所述第二JTAG接口获取第二待烧录数据,并将所述第二待烧录数据拷贝到所述第二外部存储器中,在所述MCU处于烧录模式时,将所述第一外部存储器的第一待烧录数据及所述第二外部存储器的第二待烧录数据拷贝到所述内部存储器。
9.根据权利要求7所述的数据烧录设备,其特征在于,所述MCU设置有Boot接口、CTS接口及RTS接口,所述MCU在所述Boot接口的第一电平为高电平、所述CTS接口的第二电平为低电平及所述RTS接口的第三电平为高电平时,进入所述烧录模式。
10.一种计算机存储介质,其特征在于,所述计算机存储介质存储有程序数据,所述程序数据能够被执行以实现权利要求1-6任一项所述的数据烧录方法。
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