CN110391322B - Led灯珠及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种LED灯珠及其制备方法，其中，在该LED灯珠中包括：陶瓷底板；固定在陶瓷底板上的紫外LED芯片和两颗红光LED芯片，其中，在紫外LED芯片表面包括一硅胶层和一荧光胶层，所述荧光胶层由预设比例的硅胶、蓝色荧光粉和绿色荧光粉调配而成；及压制在紫外LED芯片和两颗红光LED芯片表面的硅胶透镜，有效解决现有中LED灯珠显指不高的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光二极管领域，特别涉及一种LED灯珠及其制备方法。
背景技术
应用广泛的白光LED(发光二极管)通常采用“蓝光技术”与荧光粉配合形成白光，形成的光谱主要成分有波长在460nm(纳米)的蓝光和波长在560nm的黄光。但是，由于这种白光LED发出的光显色指数较低，很多市场不能进入，进而高显指产品成为了一种需求。
目前，大多数高显指产品中，采用蓝光芯片配合黄色荧光粉、绿色荧光粉及红色荧光粉得到，虽然其能一定程度上提高产品的显指参数，但是，基本上达不到Ra95以上，仍然达不到需求；另外，蓝光芯片发出的蓝光光谱峰值高，对人体人眼有伤害。
发明内容
针对上述问题，本发明旨在提供一种LED灯珠及其制备方法，有效解决现有中LED灯珠显指不高的技术问题。
为达到上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种LED灯珠，包括：
陶瓷底板；
固定在陶瓷底板上的紫外LED芯片和两颗红光LED芯片，其中，在紫外LED芯片表面包括一硅胶层和一荧光胶层，所述荧光胶层由预设比例的硅胶、蓝色荧光粉和绿色荧光粉调配而成；及
压制在紫外LED芯片和两颗红光LED芯片表面的硅胶透镜。
进一步优选的，在所述两颗红光LED芯片中，其中一颗的波长范围为600～630nm，另一颗的波长范围为630～660nm。
进一步优选的，在所述荧光胶层中，硅胶、蓝色荧光粉和绿色荧光粉按照质量比1:(1～3):(1～3)调配而成。
进一步优选的，所述硅胶层的厚度范围为1～7μm。
本发明还提供了一种LED灯珠的制备方法，包括：
S1按照预设比例调配硅胶、蓝色荧光粉和绿色荧光粉得到荧光胶层并固化；
S2在陶瓷底板上固定紫外LED芯片和两颗红光LED芯片；
S3在紫外LED芯片表面喷涂硅胶层；
S4将切割得到的与紫外LED芯片大小匹配的荧光胶层贴在所述硅胶层表面；
S5在紫外LED芯片和两颗红光LED芯片表面压制硅胶透镜，得到LED灯珠。
进一步优选的，在所述两颗红光LED芯片中，其中一颗的波长范围为600～630nm，另一颗的波长范围为630～660nm。
进一步优选的，在所述荧光胶层中，硅胶、蓝色荧光粉和绿色荧光粉按照质量比1:(1～3):(1～3)调配而成。
进一步优选的，所述硅胶层的厚度范围为1～7μm。
在本发明提供的LED灯珠及其制备方法中，采用紫外LED芯片激发蓝色荧光粉和绿色荧光粉得到白光，再配合红光LED芯片得到LED产品，大大提高了产品的显色指数光谱(光谱中增加了青光光谱和红光光谱)，同时避免现有技术中蓝光芯片对人眼带来的伤害。
附图说明
图1为本发明中LED灯珠制备方法流程示意图；
图2为本发明中一实例中LED灯珠的光谱图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
为使图面简洁，各图中的只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。
由现有的高显指产品，显指参数仍然达不到需求，且存在对人体人眼有伤害的风险，故本申请提出了一种全新的LED灯珠，具体，在该LED灯珠中包括：陶瓷底板；分别固定在陶瓷底板上的紫外LED芯片和两颗红光LED芯片，压制在紫外LED芯片和两颗红光LED芯片表面的硅胶透镜；其中，紫外LED芯片表面有一硅胶层和一荧光胶层，且荧光胶层由预设比例的硅胶、蓝色荧光粉和绿色荧光粉调配而成。
具体，在调配荧光胶层的过程中，首先将硅胶、蓝色荧光粉及绿色荧光粉按照一定的配比(1:(1～3):(1～3))混合，做成厚度在30～150μm荧光膜片；之后，放在烤箱中150℃的环境下烘烤1h～2h；接着，按照紫外LED芯片的结构使用激光或冲孔设备对荧光膜片进行切割，并将芯片电极处去除，得到上述荧光胶层(切割得到的荧光胶层的尺寸略大于紫外LED芯片的尺寸，范围在0～100μm)。硅胶层的厚度范围为1～7μm。
另外，在该LED灯珠中，两颗红光LED芯片的一颗的波长范围为600～630nm，另一颗的波长范围为630～660nm，对于红光LED芯片的尺寸根据需求光谱决定。
如图1所示，本发明还提供了一种LED灯珠的制备方法，从图中可以看出，在该制备方法中包括：
S1按照预设比例调配硅胶、蓝色荧光粉和绿色荧光粉得到荧光胶层并固化。在该过程中，首先将硅胶、蓝色荧光粉及绿色荧光粉按照一定的配比(1:(1～3):(1～3))混合，做成厚度在30～150μm荧光膜片；之后，放在烤箱中150℃的环境下烘烤1h～2h；接着，按照紫外LED芯片的结构使用激光或冲孔设备对荧光膜片进行切割，并将芯片电极处去除，得到上述荧光胶层(切割得到的荧光胶层的尺寸略大于紫外LED芯片的尺寸，范围在0～100μm)。
S2在陶瓷底板上固定紫外LED芯片和两颗红光LED芯片。具体，两颗红光LED芯片中，一颗的波长范围为600～630nm，另一颗的波长范围为630～660nm，尺寸根据需求光谱决定。
S3在紫外LED芯片表面喷涂硅胶层，厚度在1～7μm。
S4将切割得到的与紫外LED芯片大小匹配的荧光胶层贴在硅胶层表面；之后，放在烤箱中150℃的环境下烘烤1h～2h，并将芯片的电极焊好。
S5在紫外LED芯片和两颗红光LED芯片表面压制硅胶透镜，得到LED灯珠。之后，将灯珠测试、分选、贴带，入库。
在一实例中，硅胶、蓝色荧光粉及绿色荧光粉按照质量比1:1.8:2.6进行配比得到荧光膜片，将此荧光膜片贴在紫外LED芯片上，当紫外LED芯片点亮激发芯片上的荧光膜片，并在与红光LED芯片发出的红光一起混合得到白光，白光光谱如图2所示的，其中横纵坐标表示不同的波段从380～780nm，与传统的光谱图相比，其在蓝光445～460nm处没有出现尖波峰，同时补全了青光470～490nm的光谱。
Claims (4)
1.一种LED灯珠，其特征在于，所述LED灯珠包括：
陶瓷底板；
固定在陶瓷底板上的紫外LED芯片和两颗红光LED芯片，其中，在紫外LED芯片表面包括一硅胶层和一荧光胶层，所述荧光胶层由预设比例的硅胶、蓝色荧光粉和绿色荧光粉调配而成；及
压制在紫外LED芯片和两颗红光LED芯片表面的硅胶透镜；
在所述两颗红光LED芯片中，其中一颗的波长范围为600~630nm，另一颗的波长范围为630~660nm；
在所述荧光胶层中，硅胶、蓝色荧光粉和绿色荧光粉按照质量比1:(1~3):(1~3)调配而成。
2.如权利要求1所述的LED灯珠，其特征在于，所述硅胶层的厚度范围为1~7μm。
3.一种LED灯珠的制备方法，其特征在于，所述制备方法中包括：
S1 按照预设比例调配硅胶、蓝色荧光粉和绿色荧光粉得到荧光胶层并固化；
S2 在陶瓷底板上固定紫外LED芯片和两颗红光LED芯片；
S3 在紫外LED芯片表面喷涂硅胶层；
S4 将切割得到的与紫外LED芯片大小匹配的荧光胶层贴在所述硅胶层表面；
S5 在紫外LED芯片和两颗红光LED芯片表面压制硅胶透镜，得到LED灯珠；
在所述两颗红光LED芯片中，其中一颗的波长范围为600~630nm，另一颗的波长范围为630~660nm；
在所述荧光胶层中，硅胶、蓝色荧光粉和绿色荧光粉按照质量比1:(1~3):(1~3)调配而成。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述硅胶层的厚度范围为1~7μm。
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