CN110379142A - 一种校准报警信息的方法、装置、计算机存储介质及终端 - Google Patents

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CN110379142A CN201910588617.2A CN201910588617A CN110379142A CN 110379142 A CN110379142 A CN 110379142A CN 201910588617 A CN201910588617 A CN 201910588617A CN 110379142 A CN110379142 A CN 110379142A
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alarm
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郝晓东
韩晓晶
李琳
周清
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Abstract

一种校准报警信息的方法、装置、计算机存储介质及终端，包括：对各待校准芯片：按照预设配置策略，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一；根据配置拟定报警温度后待校准芯片在预设标准报警温度中的报警状态，确定待校准芯片的实际报警温度。本发明实施例通过遍历处理确定了各芯片的实际报警温度，解决了芯片报警温度的离散性问题，提升了芯片的质量。

Description

一种校准报警信息的方法、装置、计算机存储介质及终端
技术领域
本文涉及但不限于电子电路技术，尤指一种校准报警信息的方法、装置、计算机存储介质及终端。
背景技术
一些芯片的安全组件中包括高低温检测(TD)、高低压检测(VD)、光检测(LD)等模块；其中，高低温检测模块一般由模拟电路实现，高低温检测模块包含相应的高温报警温度(相关技术中，报警温度也称为报警点)和低温报警温度(例如、高温报警温度为+85℃，低温报警温度为-40℃)。
当前芯片的报警温度主要是结合理论报警值和样本测试值确定的固定值。固定值可以通过以下步骤确定：选出预设数量的样本芯片后，为各样本芯片设置相同的理论报警值；将所有样本芯片放置于测试报警温度的高温箱(或低温箱)内；高温检测时，控制温度检测箱的温度从当前实际温度逐渐升温至最高的理论报警温度；低温检测时，控制温度检测箱从当前实际温度逐渐降温至最低的理论报警温度；分别统计高温检测和低温检测时，各温度对应的报警芯片个数；将高温检测过程中，报警芯片个数最多时的温度确定为高温报警的固定值，将低温检测过程中，报警芯片个数最多时的温度确定为低温报警的固定值。由于参考电压、制造工艺等影响，芯片的报警温度容易出现离散性问题，即设置报警温度后芯片可以发生以下现象：在低于高温报警温度时就发生报警；在高于高温报警温度时不报警；在高于低温报警温度时就发生报警；在低于低温报警温度时不报警。芯片报警温度的离散性温度会造成芯片运行错误或发生安全事故。
针对上述问题，相关技术中主要通过修改掩模版和优化TD模块设计的方式缩小报警温度的误差范围；但修改掩模版和优化TD模块设计耗费周期长、费用高，设计风险大，还可能出现无法解决报警温度离散性的问题。因此，如何克服芯片报警温度的离散性问题，成为包含TD模块的芯片的一个设计问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本发明实施例提供一种校准报警信息的方法、装置、计算机存储介质及终端，能够解决芯片报警温度的离散性问题。
本发明实施例提供了一种校准报警信息的方法，包括：
按照预设配置策略，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一；
根据配置拟定报警温度后待校准芯片在预设标准报警温度中的报警状态，确定待校准芯片的实际报警温度。
在一种示例性实施例中，所述实际报警温度包括实际高温报警温度，所述标准报警温度包括标准高温报警温度，所述确定待校准芯片的实际报警温度包括：
逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一后，所述待校准芯片在标准高温报警温度中发生一次或一次以上报警时，确定最低的未报警的拟定报警温度为所述实际高温报警温度。
在一种示例性实施例中，所述实际报警温度包括实际低温报警温度，所述标准报警温度包括标准低温报警温度，所述确定待校准芯片的实际报警温度包括：
逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一后，所述待校准芯片在标准低温报警温度中发生一次或一次以上报警时，确定最高的未报警的拟定报警温度为所述实际低温报警温度。
在一种示例性实施例中，确定待校准芯片的所述实际高温报警温度时，所述方法还包括：
待校准芯片的拟定报警温度为最低的所述理论报警温度时，如果所述待校准芯片在所述标准高温报警温度中不发生报警，确定所述实际高温报警温度确定失败。
在一种示例性实施例中，确定待校准芯片的实际低温报警温度时，所述方法还包括：
待校准芯片的拟定报警温度为最高的所述理论报警温度时，如果所述待校准芯片在所述标准低温报警温度中不发生报警，确定所述实际低温报警温度确定失败。
在一种示例性实施例中，所述逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一包括：
按照校准(TRIM)值的数值排序，每一次选定一个TRIM值，将该TRIM值对应的理论报警温度配置为所述待校准芯片的所述拟定报警温度。
在一种示例性实施例中，所述逐次配置待校准芯片的报警温度为理论报警温度之一包括：
每一次配置待校准芯片的拟定报警温度时，关闭所述待校准芯片的温度检测使能后，将当前选定的理论报警温度写入所述待校准芯片；
在所述待校准芯片写入理论报警温度后，打开所述待校准芯片的温度检测使能并进行预设时长的延时，以完成所述拟定报警温度的配置。
在一种示例性实施例中，所述确定待校准芯片的实际报警温度后，所述方法还包括：
反馈所述实际报警温度确定完成的指示信息。
另一方面，本发明实施例还提供一种校准报警信息的装置，包括：配置单元和确定单元；其中，
配置单元配置为：对各待校准芯片，按照预设配置策略，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一；
确定单元配置为：根据配置拟定报警温度后待校准芯片在预设标准报警温度中的报警状态，确定待校准芯片的实际报警温度。
再一方面，本发明实施例还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质中存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行上述确定报警信息的方法。
还一方面，本发明实施例还提供一种终端，包括：存储器和处理器；其中，
处理器被配置为执行存储器中的程序指令；
程序指令在处理器读取执行上述确定报警信息的方法。
与相关技术相比，本申请技术方案包括：对各待校准芯片：按照预设配置策略，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一；根据配置拟定报警温度后待校准芯片在预设标准报警温度中的报警状态，确定待校准芯片的实际报警温度。本发明实施例通过遍历处理确定了各芯片的实际报警温度，解决了芯片报警温度的离散性问题，提升了芯片的质量。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明实施例校准报警信息的方法的流程图；
图2为本发明实施例校准报警信息的装置的结构框图；
图3为本发明应用示例机台的针卡与芯片的连接示意图；
图4为本发明应用示例确定实际高温报警温度的流程图；
图5为本发明应用示例确定实际低温报警温度的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
图1为本发明实施例校准报警信息的方法的流程图，如图1所示，对各待校准芯片：包括：
步骤101、按照预设配置策略，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一；
需要说明的是，理论报警温度可以包括预设的理论报警温度，也可以包括：生产过程中标准的所有理论报警温度；另外，参照相关技术原理，在待校准芯片中进行拟定报警温度设置时，可以通过TRIM值表示；因此，设置拟定报警温度可以包括：在待校准芯片的预设存储区域(例如寄存器)写入标识当前选择的理论报警温度的TRIM值。标准报警温度可以包括标准高温报警温度和标准低温报警温度，可以分别通过用于高温检测的高温箱和用于低温检测的低温箱生成。即将待校准芯片设置在高温箱内进行高温报警温度检测，在低温箱内进行低温报警温度检测。
在一种示例性实施例中，所述逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一包括：
按照校准(TRIM)值的数值排序，每一次选定一个TRIM值，将该TRIM值对应的理论报警温度配置为所述待校准芯片的所述拟定报警温度。
这里，TRIM值的数值排序包括：由大到小的排序，由小到大的排序；还可以包括，从拟定的中间值开始，向两端按照预设规律进行的排序。
需要说明的是，TRIM值及对应的理论报警温度可以通过相关技术中已有的TDTrimming映射信息确定。
在一种示例性实施例中，所述逐次配置待校准芯片的报警温度为理论报警温度之一包括：
每一次配置待校准芯片的拟定报警温度时，关闭所述待校准芯片的温度检测使能后，将当前选定的理论报警温度写入所述待校准芯片(写入预设存储区域)；
在所述待校准芯片写入理论报警温度后，打开所述待校准芯片的温度检测使能并进行预设时长的延时，以完成所述拟定报警温度的配置。
需要说明的是，预设时长可以根据遍历理论报警温度过程中，确定当前拟定报警温度是否是实际报警温度的处理时长进行分析设置，一般可以设置为300个系统时钟。
步骤102、根据配置拟定报警温度后待校准芯片在预设标准报警温度中的报警状态，确定待校准芯片的实际报警温度。
需要说明的是，本发明实施例可以在晶圆测试(CP)阶段、芯片的测试阶段、将芯片制成产品的阶段实施上述校准报警信息的方法。校准报警信息的方法可以以固件方式烧写在待校准芯片的程序存储区内。以固件方式将上述方法烧写至程序存储区内时，烧写的内容还可以包括芯片初始化部分、启动校准温度信息的检测部分、执行校准报警信息的校准功能部分、校准结果的输出部分；其中，
芯片初始化部分包括：初始化栈、配置系统时钟、初始化相关模块；
启动校准温度信息的检测部分包括：固件循环采集启动校准功能的激励条件，即采集到启动信号时执行芯片的校准报警信息的校准功能。
执行校准报警信息的校准功能部分执行校准报警信息的校准功能部分包括：对各在测芯片，按照预设配置策略，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一；
校准结果的输出部分包括：输出校准成功或失败的信息。
在不同阶段执行校准报警信息的方法时，执行校准报警信息的主体不同：
在芯片的CP阶段：执行校准报警信息的主体可以包括：PC机、机械手、针卡等，PC机通过控制针卡和机械手，控制待校准芯片执行高低温报警温度的校准。
在芯片的测试阶段：执行校准报警信息的主体可以包括：PC机、机械手、控制板等，PC机通过控制机械手和控制板，控制待校准芯片执行高低温报警温度的校准。
在芯片制成产品阶段：执行校准报警信息的主体可以包括：控制板；通过控制板的固件，控制待校准芯片执行高低温报警温度的校准。
在一种示例性实施例中，所述实际报警温度包括实际高温报警温度，所述标准报警温度包括标准高温报警温度，所述确定待校准芯片的实际报警温度包括：
逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一后，所述待校准芯片在标准高温报警温度中发生一次或一次以上报警时，确定最低的未报警的拟定报警温度为所述实际高温报警温度；
需要说明的是，确定实际高温报警温度过程中，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一时，如果按照TRIM值由大到小的排序，将TRIM值对应的理论报警温度配置为拟定报警温度，则最低的未报警的拟定报警温度为第一个未报警的拟定报警温度；如果按照TRIM值由小到大的排序，将TRIM值对应的理论报警温度配置为拟定报警温度，则最低的未报警的拟定报警温度为遍历过程中最后一个未报警的拟定报警温度。只要确定实际高温报警温度，配置拟定报警温度的操作即可停止。
在一种示例性实施例中所述实际报警温度包括实际低温报警温度，所述标准报警温度包括标准低温报警温度，所述确定待校准芯片的实际报警温度包括：
逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一后，所述待校准芯片在标准低温报警温度中发生一次或一次以上报警时，确定最高的未报警的拟定报警温度为所述实际低温报警温度。
需要说明的是，确定实际低温报警温度过程中，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一时，如果按照TRIM值由大到小的排序，将TRIM值对应的理论报警温度配置为拟定报警温度，则最高的未报警的拟定报警温度为第一个未报警的拟定报警温度；如果按照TRIM值由小到大的排序，将TRIM值对应的理论报警温度配置为拟定报警温度，则最高的未报警的拟定报警温度为遍历过程中最后一个未报警的拟定报警温度。
在一种示例性实施例中，确定实际报警温度后，本发明实施例参照相关技术将确定的实际报警温度写入芯片默认设置的用于存储报警温度的信息区中；如果芯片以TRIM值作为设置实际报警温度的参数，则将确定的实际报警温度对应的TRIM写入芯片的信息区。
在一种示例性实施例中，确定待校准芯片的所述实际高温报警温度时，本发明实施例方法还包括：
待校准芯片的拟定报警温度为最低的所述理论报警温度时(对应的TRIM值为最大值)，如果所述待校准芯片在所述标准高温报警温度中不发生报警，确定所述实际高温报警温度确定失败。
在一种示例性实施例中，确定待校准芯片的实际低温报警温度时，本发明实施例方法还包括：
待校准芯片的拟定报警温度为最高的所述理论报警温度时(对应的TRIM值为最大值)，如果所述待校准芯片在所述标准低温报警温度中不发生报警，确定所述实际低温报警温度确定失败。
在一种示例性实施例中，所述确定待校准芯片的实际报警温度后，所述方法还包括：
反馈所述实际报警温度确定完成的指示信息。这里，指示信息可以包括预先设定的电平信号。例如、高电平信号。
需要说明的是，上述指示信息可以在配置默认报警温度时生成，包括但不限于：将确定的实际报警温度写入待校准芯片的信息区中作为默认报警温度时生成的信号。
在一种示例性实施例中，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一之前，本发明实施例方法还包括：
对所述待校准芯片进行初始化设置。
需要说明的是，对待校准芯片进行初始化设置的方法可以参照电子电路相关理论设计实现，在此不做赘述。
与相关技术相比，本申请技术方案包括：对各待校准芯片：按照预设配置策略，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一；根据配置拟定报警温度后待校准芯片在预设标准报警温度中的报警状态，确定待校准芯片的实际报警温度。本发明实施例通过遍历处理确定了各芯片的实际报警温度，解决了芯片报警温度的离散性问题，提升了芯片的质量。
图2为本发明实施例校准报警信息的装置的结构框图，如图2所示，包括：配置单元和确定单元；其中，
配置单元配置为：对各待校准芯片，按照预设配置策略，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一；
在一种示例性实施例中，所述配置单元是配置为：
按照TRIM值的数值排序，每一次选定一个TRIM值，将该TRIM值对应的理论报警温度配置为所述待校准芯片的所述拟定报警温度。
这里，TRIM值的数值排序包括：由大到小的排序，由小到大的排序；还可以包括，从拟定的中间值开始，向两端进行的预设规律的排序。
需要说明的是，TRIM值及对应的理论报警温度可以通过相关技术中已有的TDTrimming映射信息确定。
在一种示例性实施例中，所述配置单元是配置为：
每一次配置待校准芯片的拟定报警温度时，关闭所述待校准芯片的温度检测使能后，将当前选定的理论报警温度写入所述待校准芯片(写入预设的存储区域)；在所述待校准芯片写入理论报警温度后，打开所述待校准芯片的温度检测使能并进行预设时长的延时，以完成所述拟定报警温度的配置。
需要说明的是，预设时长可以根据遍历理论报警温度过程中，确定当前拟定报警温度是否是实际报警温度的处理时长进行分析设置，一般可以设置为300个系统时钟。
确定单元配置为：根据配置拟定报警温度后待校准芯片在预设标准报警温度中的报警状态，确定待校准芯片的实际报警温度。
需要说明的是，参照相关技术原理，在待校准芯片中进行拟定报警温度设置时，可以通过TRIM值表示；因此，设置拟定报警温度可以包括：在待校准芯片的预设存储区域写入标识当前选择的理论报警温度的TRIM值。标准报警温度可以包括标准高温报警温度和标准低温报警温度，可以分别通过用于高温检测的高温箱和用于低温检测的低温箱生成。即将待校准芯片设置在高温箱内进行高温报警温度检测，在低温箱内进行低温报警温度检测。
在一种示例性实施例中，所述实际报警温度包括实际高温报警温度，所述标准报警温度包括标准高温报警温度，所述确定单元是配置为：
逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一后，所述待校准芯片在标准高温报警温度中发生一次或一次以上报警时，确定最低的未报警的拟定报警温度为所述实际高温报警温度；
需要说明的是，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一时，如果按照TRIM值由大到小的排序，将TRIM值对应的理论报警温度配置为拟定报警温度，则最低的未报警的拟定报警温度为第一个未报警的拟定报警温度；如果按照TRIM值由小到大的排序，将TRIM值对应的理论报警温度配置为拟定报警温度，则最低的未报警的拟定报警温度为遍历过程中最后一个未报警的拟定报警温度。只要确定实际高温报警温度，配置拟定报警温度的操作即可停止。
在一种示例性实施例中，所述实际报警温度包括实际低温报警温度，所述标准报警温度包括标准低温报警温度，所述确定单元是配置为：
逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一后，所述待校准芯片在标准低温报警温度中发生一次或一次以上报警时，确定最高的未报警的拟定报警温度为所述实际低温报警温度。
需要说明的是，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一时，如果按照TRIM值由大到小的排序，将TRIM值对应的理论报警温度配置为拟定报警温度，则最高的未报警的拟定报警温度为第一个未报警的拟定报警温度；如果按照TRIM值由小到大的排序，将TRIM值对应的理论报警温度配置为拟定报警温度，则最高的未报警的拟定报警温度为遍历过程中最后一个未报警的拟定报警温度。
在一种示例性实施例中，确定实际报警温度后，本发明实施例参照相关技术将确定的实际报警温度写入芯片的信息区中，如果芯片以TRIM值作为设置实际报警温度的参数，则将确定的实际报警温度对应的TRIM写入芯片的信息区中。
在一种示例性实施例中，确定单元还设置为：
确定待校准芯片的实际低温报警温度时，待校准芯片的拟定报警温度为最高的所述理论报警温度时(对应的TRIM值为最大值)，如果所述待校准芯片在所述标准低温报警温度中不发生报警，确定所述实际低温报警温度确定失败。
在一种示例性实施例中，确定单元还设置为：
确定待校准芯片的所述实际高温报警温度时，待校准芯片的拟定报警温度为最低的所述理论报警温度时(对应的TRIM值为最大值)，如果所述待校准芯片在所述标准高温报警温度中不发生报警，确定所述实际高温报警温度确定失败。
在一种示例性实施例中，所述确定单元还设置为：
确定待校准芯片的实际报警温度后，反馈所述实际报警温度确定完成的指示信息。这里，指示信息可以包括预先设定的电平信号。例如、高电平信号。
需要说明的是，上述指示信息可以在配置默认报警温度时生成，包括但不限于：将确定的实际报警温度写入待校准芯片的信息区作为默认报警温度时生成的信号。
在一种示例性实施例中，本发明实施例装置还包括初始化单元，设置为：
对所述待校准芯片进行初始化设置。
与相关技术相比，本申请技术方案包括：对各待校准芯片：按照预设配置策略，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一；根据配置拟定报警温度后待校准芯片在预设标准报警温度中的报警状态，确定待校准芯片的实际报警温度。本发明实施例通过遍历处理确定了各芯片的实际报警温度，解决了芯片报警温度的离散性问题，提升了芯片的质量。
本发明实施例还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质中存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行上述校准报警信息的方法。
本发明实施例还提供一种终端，包括：存储器和处理器；其中，
处理器被配置为执行存储器中的程序指令；
程序指令在处理器读取执行上述校准报警信息的方法。
以下通过应用示例对本发明实施例方法进行示例说明，应用示例仅用于陈述本发明，并不用于限定本发明的保护范围。
本应用示例假设理想情况下，高温报警温度为85摄氏度，低温报警温度为-40摄氏度，基于理想情况下的高温报警温度和低温报警温度可以设置CP阶段高温箱和低温箱的工作温度；本应用示例默认理论报警温度通过TRIM值表示，表1为相关技术中TRIM值及对应的理论报警温度的映射关系示意，如表1，针对高温检测和低温检测，各TRIM值均设置有相应的理论报警温度；本发明应用示例无论确定实际高温报警温度还是实际低温报警温度，均按照TRIM值由大到小的顺序进行遍历。
本应用示例根据确定实际报警温度的目的，在晶圆测试(CP)阶段，连接机台和芯片；图3为本发明应用示例机台的针卡与芯片的连接示意图，如图3所示，基于机台针卡与芯片的线路连接，机台的针卡通过芯片复位(CHIP_RESET)信号对芯片进行复位控制，本应用示例设置CHIP_RESET信号低电平有效；通过电源线(VCC)和接地线(GND)为芯片提供工作电源；机台针卡与芯片还通过通用输入输出接口1(GPIO1)和通用输入输出接口0(GPIO0)建立通信连接，芯片上电GPIO1和GPIO0都默认为输入态，且电平信号都为低；GPIO1/GPIO0等于1/0是启动低温Trimming(启动确定实际低温报警温度的流程)；GPIO1/GPIO0等于1/1是启动高温Trimming(启动确定实际高温报警温度的流程)；
本应用示例设置启动高温Trimming或低温Trimming后，GPIO1为输出态，输出高电平信号(1)表示确定实际报警温度成功；输出低电平信号(0)表示确定实际报警温度失败。
表1
在CP阶段，设置高温箱温度为+85℃后，控制机台给待校准芯片(本应用示例后续芯片均指待校准芯片)供电后，对芯片进行初始化的设置；初始化设置包括：控制芯片的CHIP_RST、GPIO1、GPIO0输入的初始信号为低电平，并延时2毫秒(ms)(保证芯片上电稳定)；控制芯片的GPIO1、GPIO0输入信号为高电平，保持其他管脚电平不变；将CHIP_RST输入转换为高电平后，完成芯片复位，其他输入信号状态不变，机台延时5ms等待结果输出。上电后待校准芯片先进行芯片的硬件自检等初始化，初始化完毕后，芯片内置固件取指执行，进行栈、芯片系统时钟、GPIO等初始化，然后循环读取GPIO0\GPIO1的输入值，检测到启动芯片温度校准的电平信号后，退出循环。
在完成上述初始化设置后，芯片内置的固件检测到启动芯片校准温度的信号后，本发明应用示例启动校准实际高温报警温度的流程，参见图4，包括：
步骤401、按照TRIM值由大到小的顺序，每一次配置一个TRIM值对应的理论报警温度为芯片的拟定报警温度；
在设定以TRIM值标识理论报警温度的前提下，本发明应用示例每一次在芯片的预设存储区域(例如寄存器)，按照TRIM值由大到小的顺序，每一次写入一个TRIM值，实现拟定报警温度的设置。
在一种示例性实施例中，配置芯片的拟定报警温度包括：每一次配置待校准芯片的拟定报警温度时，关闭芯片的温度检测使能后，将当前选定的理论报警温度写入芯片的预设存储区域；在芯片写入理论报警温度后，打开芯片的温度检测使能并进行预设时长的延时，至此将选定的理论报警温度设置为拟定报警温度。
步骤402、确定芯片当前配置的TRIM值是否为最大TRIM值(即0X0F)；芯片当前配置的TRIM值为最大TRIM值时，执行步骤4031；芯片当前配置的TRIM值不是最大TRIM值时，执行步骤4032；
步骤4031、确定处于高温箱中的芯片是否发生报警；芯片未发生报警时，执行步骤40311；芯片发生报警时，返回步骤401，配置芯片的下一个拟定报警温度；
步骤40311、反馈确定实际报警温度测试失败；这里，确定实际报警温度测试失败可以通过预先设定的电平信号进行反馈，例如、通过GPIO1输出低电平信号进行反馈；鉴于芯片处于85度高温环境，拟定报警温度为最小的理论报警温度时芯片仍未发生告警，本发明应用示例可以根据反馈确定当前芯片为坏片。需要说明的是，最高的理论报警温度和最低的理论报警温度为本领域技术人员根据芯片工作设定的临界值，当芯片在该区间范围内无法正常工作时，芯片应该为坏片，无法进行应用生产。
步骤4032、确定处于高温箱中的芯片是否发生报警；芯片未发生报警时，执行步骤40321；芯片发生报警时，执行步骤40322；
步骤40321、确定当前拟定报警温度为实际报警温度；
步骤403211、将确定的实际报警温度写入芯片的信息区，并反馈完成实际报警温度确定的指示信息；反馈完成实际报警温度确定的指示信息可以通过GPIO1输出高电平进行指示。
步骤40322；确定当前TRIM值是否为最小TRIM值；当前TRIM值为最小TRIM值时，执行步骤403221；当前TRIM值不是最小TRIM值时，返回步骤401，配置芯片的下一个拟定报警温度；
步骤403221、反馈确定实际报警温度测试失败；这里，确定实际报警温度测试失败可以通过预先设定的电平信号进行反馈，即通过GPIO1输出低电平，鉴于芯片在所有理论报警温度均发生报警，本发明应用示例确定当前芯片为坏片。
本发明实施例机台可以根据是否将实际报警温度写入信息区，确定芯片为合格芯片，还是无效芯片，以此实现芯片的自动分拣。
在CP阶段，设置低温箱温度为-40℃，并完成芯片的初始化设置后，本发明应用示例也可以启动校准实际低温报警温度的流程，参见图5，包括：
步骤501、按照TRIM值由大到小的顺序，每一次配置一个TRIM值对应的理论报警温度为芯片的拟定报警温度；
步骤502、确定芯片当前配置的TRIM值是否为最大TRIM值(即0X0F)；芯片当前配置的TRIM值为最大TRIM值时，执行步骤5031；芯片当前配置的TRIM值不是最大TRIM值时，执行步骤5032；
步骤5031、确定处于低温箱中的芯片是否发生报警；芯片未发生报警时，执行步骤50311；芯片发生报警时，返回步骤501，配置芯片的下一个拟定报警温度；
步骤50311、反馈确定实际报警温度测试失败；这里，确定实际报警温度测试失败可以通过预先设定的电平信号进行反馈，即通过GPIO1输出低电平，鉴于芯片处于-40度低温环境，拟定报警温度为最大的理论报警温度时芯片仍未发生告警，本发明应用示例可以根据反馈确定当前芯片为坏片。
步骤5032、确定处于低温箱中的芯片是否发生报警；芯片未发生报警时，执行步骤50321；芯片发生报警时，执行步骤50322；
步骤50321、确定当前拟定报警温度为实际报警温度；
步骤503211、将确定的实际报警温度写入芯片的信息区，并反馈完成实际报警温度确定的指示信息；反馈完成实际报警温度确定的指示信息可以通过GPIO1输出高电平进行指示。
步骤50322；确定当前TRIM值是否为最小TRIM值；当前TRIM值为最小TRIM值时，执行步骤503221；当前TRIM值不是最小TRIM值时，返回步骤4501，配置芯片的下一个拟定报警温度；
步骤503221、反馈确定实际报警温度测试失败；这里，确定实际报警温度测试失败可以通过预先设定的电平信号进行反馈，即通过GPIO1输出低电平，鉴于芯片在所有理论报警温度均发生报警，本发明应用示例确定当前芯片为坏片。
本发明实施例机台可以根据是否将实际报警温度写入信息区，确定芯片为合格芯片，还是无效芯片，以此实现芯片的自动分拣。
在一种示例性实施例中，执行图4和图5的步骤之前，本发明应用示例可以通过GPIO0的电平高低，确定进行实际高温报警温度的确定，还是进行实际低温报警温度的确定。例如、GPIO1/GPIO0等于1/0时启动低温Trimming(启动确定实际低温报警温度的流程)；GPIO1/GPIO0等于1/1时启动高温Trimming(启动确定实际高温报警温度的流程)。
“本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中，在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分；例如，一个物理组件可以具有多个功能，或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些组件或所有组件可以被实施为由处理器，如数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。”

Claims (11)

1.一种校准报警信息的方法，包括：对各待校准芯片：
按照预设配置策略，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一；
根据配置拟定报警温度后待校准芯片在预设标准报警温度中的报警状态，确定待校准芯片的实际报警温度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实际报警温度包括实际高温报警温度，所述标准报警温度包括标准高温报警温度，所述确定待校准芯片的实际报警温度包括：
逐次配置所述待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一后，所述待校准芯片在标准高温报警温度中发生一次或一次以上报警时，确定最低的未报警的所述拟定报警温度为所述实际高温报警温度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实际报警温度包括实际低温报警温度，所述标准报警温度包括标准低温报警温度，所述确定待校准芯片的实际报警温度包括：
逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一后，所述待校准芯片在标准低温报警温度中发生一次或一次以上报警时，确定最高的未报警的拟定报警温度为所述实际低温报警温度。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，确定待校准芯片的所述实际高温报警温度时，所述方法还包括：
所述待校准芯片的拟定报警温度为最低的所述理论报警温度时，如果所述待校准芯片在所述标准高温报警温度中不发生报警，确定所述实际高温报警温度确定失败。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，确定待校准芯片的实际低温报警温度时，所述方法还包括：
所述待校准芯片的拟定报警温度为最高的所述理论报警温度时，如果所述待校准芯片在所述标准低温报警温度中不发生报警，确定所述实际低温报警温度确定失败。
6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一包括：
按照校准TRIM值的数值排序，每一次选定一个TRIM值，将该TRIM值对应的理论报警温度配置为所述待校准芯片的所述拟定报警温度。
7.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述逐次配置待校准芯片的报警温度为理论报警温度之一包括：
每一次配置待校准芯片的拟定报警温度时，关闭所述待校准芯片的温度检测使能后，将当前选定的理论报警温度写入所述待校准芯片；
在所述待校准芯片写入理论报警温度后，打开所述待校准芯片的温度检测使能并进行预设时长的延时，以完成所述拟定报警温度的配置。
8.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述确定待校准芯片的实际报警温度后，所述方法还包括：
反馈所述实际报警温度确定完成的指示信息。
9.一种校准报警信息的装置，包括：配置单元和确定单元；其中，
配置单元配置为：对各待校准芯片，按照预设配置策略，逐次配置待校准芯片的拟定报警温度为理论报警温度之一；
确定单元配置为：根据配置拟定报警温度后待校准芯片在预设标准报警温度中的报警状态，确定待校准芯片的实际报警温度。
10.一种计算机存储介质，所述计算机存储介质中存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行权利要求1～8中任一项所述的校准报警信息的方法。
11.一种终端，包括：存储器和处理器；其中，
处理器被配置为执行存储器中的程序指令；
程序指令在处理器读取执行权利要求1～8中任一项所述的校准报警信息的方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113031687A (zh) * 2021-03-13 2021-06-25 苏州灵天微半导体科技有限公司 一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路及校准方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES8308119A1 (es) * 1981-09-22 1983-08-16 Cerberus Ag "procedimiento y dispositivo para la reduccion de falsas alarmas, producidas por gases perturbadores, en instalaciones detectoras-avisadoras de gases".
CN1813175A (zh) * 2003-06-27 2006-08-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于温度校准的方法和装置
CN102360047A (zh) * 2011-08-31 2012-02-22 深圳市江波龙电子有限公司 一种高温老化测试仪及其恒温控制方法
CN102738027A (zh) * 2011-04-13 2012-10-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 热处理设备及其温度校准方法和装置
CN203224305U (zh) * 2013-03-27 2013-10-02 徐州工业职业技术学院 温度测试报警装置
CN103792971A (zh) * 2014-02-20 2014-05-14 北京七星华创电子股份有限公司 一种用于半导体热处理设备的温度控制等效方法
DE102014114576A1 (de) * 2013-10-08 2015-04-09 Christoph Burghardt Verfahren und Anordnung zur Identifizierung von Gaskonzentrationen als Gefahrenmelder in der Luft
CN105824349A (zh) * 2016-05-26 2016-08-03 上海巨微集成电路有限公司 自校准带隙基准电路、带隙基准电压自校准系统和方法
CN106209220A (zh) * 2016-07-05 2016-12-07 厦门优迅高速芯片有限公司 一种基于fpga的ux3328sfp光模块自动参数设置与测试方法
CN106293633A (zh) * 2016-08-15 2017-01-04 深圳市博巨兴实业发展有限公司 一种用于mcu soc的取指令控制模块
CN106339011A (zh) * 2015-07-10 2017-01-18 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种芯片温度检测和控制方法与装置
CN106374923A (zh) * 2016-08-18 2017-02-01 芯海科技（深圳）股份有限公司 一种高精度adc基准电压校准系统及校准方法
CN207183216U (zh) * 2017-09-12 2018-04-03 北京同方微电子有限公司 一种适用于晶圆测试阶段的温度校准系统
CN108562379A (zh) * 2018-06-13 2018-09-21 佛山市澄澜点寸科技有限公司 一种温度传感器的校准系统
CN109613420A (zh) * 2019-01-30 2019-04-12 上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片的测试方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES8308119A1 (es) * 1981-09-22 1983-08-16 Cerberus Ag "procedimiento y dispositivo para la reduccion de falsas alarmas, producidas por gases perturbadores, en instalaciones detectoras-avisadoras de gases".
CN1813175A (zh) * 2003-06-27 2006-08-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于温度校准的方法和装置
CN102738027A (zh) * 2011-04-13 2012-10-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 热处理设备及其温度校准方法和装置
CN102360047A (zh) * 2011-08-31 2012-02-22 深圳市江波龙电子有限公司 一种高温老化测试仪及其恒温控制方法
CN203224305U (zh) * 2013-03-27 2013-10-02 徐州工业职业技术学院 温度测试报警装置
DE102014114576A1 (de) * 2013-10-08 2015-04-09 Christoph Burghardt Verfahren und Anordnung zur Identifizierung von Gaskonzentrationen als Gefahrenmelder in der Luft
CN103792971A (zh) * 2014-02-20 2014-05-14 北京七星华创电子股份有限公司 一种用于半导体热处理设备的温度控制等效方法
CN106339011A (zh) * 2015-07-10 2017-01-18 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种芯片温度检测和控制方法与装置
CN105824349A (zh) * 2016-05-26 2016-08-03 上海巨微集成电路有限公司 自校准带隙基准电路、带隙基准电压自校准系统和方法
CN106209220A (zh) * 2016-07-05 2016-12-07 厦门优迅高速芯片有限公司 一种基于fpga的ux3328sfp光模块自动参数设置与测试方法
CN106293633A (zh) * 2016-08-15 2017-01-04 深圳市博巨兴实业发展有限公司 一种用于mcu soc的取指令控制模块
CN106374923A (zh) * 2016-08-18 2017-02-01 芯海科技（深圳）股份有限公司 一种高精度adc基准电压校准系统及校准方法
CN207183216U (zh) * 2017-09-12 2018-04-03 北京同方微电子有限公司 一种适用于晶圆测试阶段的温度校准系统
CN108562379A (zh) * 2018-06-13 2018-09-21 佛山市澄澜点寸科技有限公司 一种温度传感器的校准系统
CN109613420A (zh) * 2019-01-30 2019-04-12 上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片的测试方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孟博等: "时钟模块自动修调电路设计", 《电子技术应用》 *
应建华等: "基于ADC的温度自适应修调电路的设计 ", 《微电子学》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113031687A (zh) * 2021-03-13 2021-06-25 苏州灵天微半导体科技有限公司 一种内嵌校准算法的高精度高低温监测电路及校准方法

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