CN110364429A - 金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列 - Google Patents

金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列。其中，所述金属纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；以所述多孔阳极氧化铝模板为阴极，惰性电极为阳极，于含金属离子的电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，并采用模板去除剂去除氧化铝模板，得到金属纳米线；采用水和醇溶液对所述金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至成膜溶液中，得到膜液；将所述膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜。本发明的技术方案能够减小金属纳米线薄膜的雾度。

Description

金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列
技术领域
本发明涉及纳米线的制备技术领域，特别涉及一种金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列。
背景技术
金属纳米线是一种纳米尺度的线，是一种具有在横向上被限制在100纳米以下而纵向没有限制的一维结构，这种尺度上量子力学效应很重要，故也被称作“量子线”。其中银纳米线和铜纳米线除具有优良的导电性能外，由于纳米级别的尺寸效应，还具有优异的透光性和耐曲挠性，故被视为最有可能替代传统氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)透明电极的材料，为实现柔性、可弯折LED显示、触摸屏等电子器件提供了可能，其中柔性薄膜晶体管阵列已成为近几年的研究热点。
在众多柔性材料中，金属纳米线导电薄膜由于其导电性、透光性、弯曲性、稳定性等方面的优良性能，已是当前柔性触控向可折叠、卷曲屏发展的最优方案。但是，纳米银线导电薄膜因其导电层组合物纳米线的纳米尺度效应，随着银线用量的增加，其导电薄膜成品的雾度增大，并且无类似于ITO导电膜用于蚀刻纹的消影层材料而导致其蚀刻纹较明显，限制了其应用范围。目前，纳米银线的化学合成方法主要有四类：模板法、电化学法，湿化学法及多元醇法，其中采用电化学法和多元醇法制备的纳米银线通常直径为25nm-300nm长度为10μm-300μm，雾度问题较为严重。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列，旨在减小金属纳米线薄膜的雾度。
为实现上述目的，本发明提出的金属纳米线薄膜的制备方法，包括以下步骤：
以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；
以所述多孔阳极氧化铝模板为阴极，惰性电极为阳极，于含金属离子的电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，并采用模板去除剂去除氧化铝模板，得到金属纳米线；
采用水和醇溶液对所述金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至成膜溶液中，得到膜液；
将所述膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜。
可选地，所述含金属离子的电化学沉积液包括金属盐溶液、酸溶液、整平剂及络合剂。
可选地，所述金属盐溶液的浓度为80g/L-250g/L，所述酸溶液的浓度为30g/L-100g/L，所述整平剂的浓度为0.1mL/L-0.8mL/L，所述络合剂的浓度为0.1mL/L-1.5mL/L。
可选地，所述金属盐溶液选自硝酸银或银氨溶液；和/或，所述酸溶液选自硫酸、盐酸、草酸中的至少一种；和/或，所述整平剂选自聚苯乙烯、聚丙烯酸、聚乙烯醇中的至少一种；和/或，所述络合剂选自柠檬酸盐、硫代硫酸盐、亚硫酸盐中的至少一种。
可选地，所述电化学沉积时，电流密度为1mA/cm2-15mA/cm2，沉积时间为5s-60s，温度为20℃-50℃。
可选地，所述成膜溶液选自体积浓度为0.5％-5％的醇溶液；和/或，所述模板去除剂选自磷酸、硫酸、草酸中的至少一种。
可选地，所述以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板的步骤包括：
采用乙醇对铝基材进行洗涤，并经退火处理、冷却，得到洁净的铝基材；
将洁净的铝基材放入酸性电解液中，以铝基材为阳极进行阳极氧化，得到多孔阳极氧化铝模板。
可选地，所述将膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜的步骤包括：
采用旋涂法将膜液涂覆于玻璃基板的表面，于60℃-150℃温度下退火干燥，得到金属纳米线薄膜。
本发明还提出了一种金属纳米线薄膜，所述金属纳米线薄膜是由上述的金属纳米线薄膜的制备方法制备得到。
本发明还提出了一种薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括阵列基板和依次沉积在所述阵列基板表面的栅金属层、栅绝缘层、非晶硅有源层、欧姆接触层、源漏金属层、钝化层及金属纳米线薄膜层，且所述金属纳米线薄膜层至少部分贯穿所述钝化层并与所述源漏金属层连接，所述金属纳米线薄膜层为如上所述的金属纳米线薄膜。
本发明的技术方案，本发明的技术方案，以多孔阳极氧化铝模板为模板，采用模板法进行电化学沉积得到金属纳米线，并将金属纳米线分散至成膜液中得到膜液，之后将膜液涂覆于基板上经退火干燥后便可得到金属纳米线薄膜。相较于现有采用电化学法和多元醇法制备的金属纳米线，本发明采用模板法得到的金属纳米线，其导电性、透明度等性能较为优良，雾度相对减小，并且制备得到的金属纳米线尺寸易于控制，长径比较大。同时采用模板法制备效率更高，成本更低，更适合于工业化生产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明金属纳米线薄膜制备方法的步骤流程示意图；
图2为图1中步骤S10的细化步骤流程示意图；
图3为本发明金属纳米线薄膜制备方法中步骤S10得到的多孔阳极氧化铝模板的扫描电镜图；
图4为本发明薄膜晶体管的剖视结构示意图。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
100 薄膜晶体管阵列 50 欧姆接触层
10 阵列基板 60 源漏金属层
20 栅金属层 70 钝化层
30 栅绝缘层 80 金属纳米线薄膜层
40 非晶硅有源层
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提出一种金属纳米线薄膜的制备方法，请参阅图1，该制备方法包括以下步骤：
步骤S10，以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；
步骤S20，以多孔阳极氧化铝模板为阴极，惰性电极为阳极，于含金属离子的电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，并采用模板去除剂去除氧化铝模板，得到金属纳米线；
步骤S30，采用水和醇溶液对金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至成膜溶液中，得到膜液；
步骤S40，将膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜。
具体地，首先以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备得到多孔阳极氧化铝模板；然后以得到的多孔阳极氧化铝薄板为阴极，惰性电极为阳极，惰性电极可以为石墨电极、或铂电极、或钛电极，在含金属离子的电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，由于氧化铝模板为多孔结构，则金属纳米线沉积在氧化铝模板的孔内，如此，可以通过调节氧化铝模板的孔尺寸来控制金属纳米线的尺寸，也即由氧化铝模板的孔直径和长度来控制金属纳米线的长径比，这里采用模板法制备的金属纳米线直径较小至10nm，长度几十微米，长径比较大。接着采用模板去除剂除去氧化铝模板，便可得到金属纳米线。之后对得到的金属纳米线采用水和醇溶液进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至成膜溶液中，得到分散均匀的膜液。最后将膜液涂覆于基板的表面，经退火干燥后便可得到金属纳米线薄膜，这里基板一般采用玻璃基板。
因此，可以理解的，本发明的技术方案，以多孔阳极氧化铝模板为模板，采用模板法进行电化学沉积得到金属纳米线，并将金属纳米线分散至成膜液中得到膜液，之后将膜液涂覆于基板上经退火干燥后便可得到金属纳米线薄膜。相较于现有采用电化学法和多元醇法制备的金属纳米线，本发明采用模板法得到的金属纳米线，其导电性、透明度等性能较为优良，雾度相对减小，并且制备得到的金属纳米线尺寸易于控制，长径比较大。同时采用模板法制备效率更高，成本更低，更适合于工业化生产。
在以多孔阳极氧化铝为阳极进行电化学沉积制备金属纳米线时，要选择适宜的含金属离子的电化学沉积液，以使得最终制备得到的金属纳米线性能好。在本发明的一实施例中，步骤S20中含金属离子的电化学沉积液包括金属盐溶液、酸溶液、整平剂及络合剂。这里金属盐溶液主要是提供金属离子，金属离子在阴极还原成金属单质，沉积在氧化铝模板上，酸溶液主要为金属的沉积提供酸性环境，整平剂的加入可以使得制备的金属纳米线表面较为光亮且平整，络合剂的加入可以与其中的金属离子形成络合物，以保证电化学沉积过程的稳定性。
在本发明的一实施例中，金属盐溶液的浓度为80g/L-250g/L，酸溶液的浓度为30g/L-100g/L，整平剂的浓度为0.1mL/L-0.8mL/L，络合剂的浓度为0.1mL/L-1.5mL/L。
为了保证得到的金属纳米线性能好且电化学沉积过程较稳定的进行，要严格控制电化学沉积液中各组分的浓度，比如采用金属盐溶液的浓度为80g/L、或120g/L、或200g/L、或250g/L，酸溶液的浓度为30g/L、或50g/L、或100g/L，整平剂的浓度为0.1mL/L、或0.5mL/L、或0.8mL/L，络合剂的浓度为0.1mL/L、或1.0mL/L、或1.5mL/L。
在本发明的一实施例中，金属盐溶液选自硝酸银或银氨溶液，这里制备得到的金属纳米线为银纳米线。
在本发明的一实施例中，酸溶液选自硫酸、盐酸、草酸中的至少一种。硫酸、盐酸及草酸均为质子酸，均能提供H+，为金属的沉积提供酸性环境，在使用时可采用其中的一种或多种混合物。
在本发明的一实施例中，整平剂选自聚苯乙烯、聚丙烯酸、聚乙烯醇中的至少一种。聚苯乙烯、聚丙烯酸及聚乙烯醇均为整平剂，加入后均能够使得制备的金属纳米线表面较为光亮且平整，在使用时可以采用其中的一种或多种混合物。
在本发明的一实施例中，络合剂选自柠檬酸盐、硫代硫酸盐、亚硫酸盐中的至少一种。柠檬酸盐、硫代硫酸盐及亚硫酸盐均为络合剂，加入后均能与其中的金属离子形成络合物，以保证电化学沉积过程的稳定性，在使用过程中可以采用其中的一种或多种混合物。
在本发明的一实施例中，步骤S20中电化学沉积时，电流密度为1mA/cm2-15mA/cm2，沉积时间为5s-60s，温度为20℃-50℃。
在进行电化学沉积时，要严格控制好操作条件，以保证电化学沉积过程较为稳定的进行，且使得最终得到的金属纳米线性能好。例如，电化学沉积时，采用电流密度为1mA/cm2、或10mA/cm2、或15mA/cm2，沉积时间控制为5s、或30s、或60s，温度控制为20℃、或35℃、或50℃。
在本发明的一实施例中，步骤S30中成膜溶液选自体积浓度为0.5％-5％的醇溶液。醇溶液可以是乙醇溶液或异丙醇或其他醇溶液，在使用时也要选择合适的浓度，以使得最终得到的金属纳米线薄膜性能较好，例如选用醇溶液的体积浓度为0.5％、或3％、或50％。
在本发明的一实施例中，步骤S20中模板去除剂选自磷酸、硫酸、草酸中的至少一种。磷酸、硫酸及草酸均可以与氧化铝反应，从而有效地去除氧化铝模板，在使用时可选用其中的一种或多种混合物。
请参阅图2，在本发明的一实施例中，步骤S10“以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板”包括以下步骤：
步骤S11，采用乙醇对铝基材进行洗涤，并经退火处理、冷却，得到洁净的铝基材；
步骤S12，将洁净的铝基材放入酸性电解液中，以铝基材为阳极进行阳极氧化，得到多孔阳极氧化铝模板。
具体地，首先将铝基材放入乙醇中，超声震荡5min-10min，以去除铝基材表面的油污，之后放入烘箱中以300℃-800℃的温度退火处理2h-5h，除去铝基材表面的溶剂，之后经冷却便可得到洁净的铝基材。然后，将洁净的铝基材放入酸性电解液，以铝基材为阳极进行阳极氧化，便可得到多孔阳极氧化铝模板，这里酸性电解液可选用草酸溶液、硫酸溶液、磷酸溶液或其他的酸溶液。并且，也要严格控制好酸性电解液的浓度，以使得多孔阳极氧化铝模板的孔尺寸较为适宜，且性能好，一般地，采用酸性电解液的浓度为0.1mol/L-0.8mol/L。
需要说明的是，步骤S11中铝基材选用纯度不小于99.99％的铝材料，以有利于阳极氧化过程的顺利进行。步骤S12中采用酸性电解液的浓度为0.1mol/L-0.8mol/L，以使得多孔阳极氧化铝薄板性能好，比如采用酸性电解液的浓度为0.1mol/L、或0.5mol/L、或0.8mol/L。
请参阅图3，由多孔阳极氧化铝模板的扫描电镜图可以看出，氧化铝模板为多孔结构，由于金属纳米线是沉积在氧化铝模板的孔内，则可以通过调控氧化铝模板的孔直径和长度来控制金属纳米线的尺寸。
在本发明的一实施例中，步骤S40“将膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜”包括：采用旋涂法将膜液涂覆于玻璃基板的表面，于60℃-150℃温度下退火干燥，得到金属纳米线薄膜。
具体地，将玻璃基板放在旋涂机上，将膜液滴加在玻璃基板的表面，于是在旋涂机的高速旋转下，膜液较为均匀地涂覆于玻璃基板的表面，接着于60℃-150℃温度下退火干燥，以除去多余的溶剂，便可得到稳定透明的导电金属纳米线薄膜。采用旋涂法可以使得金属纳米线薄膜表面连续且均匀，性能好。
本发明还提出了一种金属纳米线薄膜，该金属纳米线薄膜是由如上所述的金属纳米线薄膜的制备方法制备得到。本发明制备得到的金属纳米线薄膜表面较为均匀，导电性和透明度性能好，雾度较小。
本发明还提出了一种薄膜晶体管阵列100，请参照图4，薄膜晶体管阵列100包括阵列基板10和依次沉积在阵列基板10表面的栅金属层20、栅绝缘层30、非晶硅有源层40、欧姆接触层50、源漏金属层60、钝化层70及金属纳米线薄膜层80，且金属纳米线薄膜层80至少部分贯穿钝化层70并与源漏金属层60连接，其中，金属纳米线薄膜层80为由如上所述的金属纳米线薄膜。将金属纳米薄膜应用于薄膜晶体管阵列中，由于金属纳米线导电薄膜具有优良的导电性、透光性、弯曲性、稳定性等方面的性能，则得到的薄膜晶体管阵列具有较好的柔性，并且，金属纳米线尺寸易于控制，金属纳米线薄膜的雾度较小，当应用于各种尺寸的显示面板时具有很好的前景。
以下通过具体实施例对本发明金属纳米线薄膜及其制备方法进行详细说明。
实施例1
本实施例中，金属纳米线薄膜由以下步骤制备得到：
(1)多孔阳极氧化铝模板的制备：首先将纯度为99.99％的铝基材放入乙醇中，超声震荡5min，之后放入烘箱中以300℃的温度退火处理5h，除去铝基材表面的溶剂，之后经冷却便可得到洁净的铝基材；然后，将洁净的铝基材放入浓度为0.1mol/L的草酸溶液中，以铝基材为阳极进行阳极氧化，便可得到多孔阳极氧化铝模板。
(2)金属纳米线的制备：以多孔阳极氧化铝模板为阴极，铂电极为阳极，于电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，在电化学沉积时控制电流密度为1mA/cm2，沉积时间为60s，温度为20℃，其中电化学沉积液包括：80g/L硝酸银、30g/L硫酸、0.1mL/L聚苯乙烯及0.1mL/L柠檬酸盐。之后采用磷酸去除氧化铝模板，得到金属纳米线。
(3)金属纳米线薄膜的制备：采用水和乙醇溶液对金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至体积浓度为0.5％的乙醇溶液，得到溶质浓度为1.0％的膜液，之后采用旋涂法将膜液涂覆在玻璃基板的表面，并于60℃下退火干燥，得到稳定透明的金属纳米线薄膜。
实施例2
本实施例中，金属纳米线薄膜由以下步骤制备得到：
(1)多孔阳极氧化铝模板的制备：首先将纯度为99.99％的铝基材放入乙醇中，超声震荡8min，之后放入烘箱中以500℃的温度退火处理3h，除去铝基材表面的溶剂，之后经冷却便可得到洁净的铝基材；然后，将洁净的铝基材放入浓度为0.5mol/L的硫酸溶液中，以铝基材为阳极进行阳极氧化，便可得到多孔阳极氧化铝模板。
(2)金属纳米线的制备：以多孔阳极氧化铝模板为阴极，铂电极为阳极，于电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，在电化学沉积时控制电流密度为10mA/cm2，沉积时间为30s，温度为30℃，其中电化学沉积液包括：200g/L银氨溶液、50g/L盐酸、0.5mL/L聚丙烯酸及1.2mL/L硫代硫酸盐。之后采用草酸去除氧化铝模板，得到金属纳米线。
(3)金属纳米线薄膜的制备：采用水和乙醇溶液对金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至体积浓度为2.5％的异丙醇溶液，得到溶质浓度为1.2％的膜液，之后采用旋涂法将膜液涂覆在玻璃基板的表面，并于120℃下退火干燥，得到稳定透明的金属纳米线薄膜。
实施例3
本实施例中，金属纳米线薄膜由以下步骤制备得到：
(1)多孔阳极氧化铝模板的制备：首先将纯度为99.99％的铝基材放入乙醇中，超声震荡5min，之后放入烘箱中以500℃的温度退火处理2h，除去铝基材表面的溶剂，之后经冷却便可得到洁净的铝基材；然后，将洁净的铝基材放入浓度为0.8mol/L的磷酸溶液中，以铝基材为阳极进行阳极氧化，便可得到多孔阳极氧化铝模板。
(2)金属纳米线的制备：以多孔阳极氧化铝模板为阴极，铂电极为阳极，于电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，在电化学沉积时控制电流密度为15mA/cm2，沉积时间为10s，温度为50℃，其中电化学沉积液包括：250g/L硝酸银、100g/L草酸、0.8mL/L聚乙烯醇及1.5mL/L亚硫酸盐。之后采用磷酸去除氧化铝模板，得到金属纳米线。
(3)金属纳米线薄膜的制备：采用水和乙醇溶液对金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至体积浓度为5％的异丙醇溶液，得到溶质浓度为1.5％的膜液，之后采用旋涂法将膜液涂覆在玻璃基板的表面，并于150℃下退火干燥，得到稳定透明的金属纳米线薄膜。
采用雾度仪对实施例1至实施例3制备得到的金属纳米线薄膜进行雾度测试，测试结果为金属纳米线薄膜的雾度均在0.5％-1.5％范围内，即本发明制备得到的金属纳米线薄膜雾度较小。同时对实施例1至实施例3制备得到的金属纳米线薄膜进行导电性能检测，结果显示其导电率均在6×106S/m-7×106S/m范围内，即本发明制备得到的金属纳米线薄膜具有优良的导电性，且透光性、弯曲性、稳定性等方面的性能好，当应用于薄膜晶体管阵列及显示面板时具有很好的前景。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种金属纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：
以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；
以所述多孔阳极氧化铝模板为阴极，惰性电极为阳极，于含金属离子的电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，并采用模板去除剂去除氧化铝模板，得到金属纳米线；
采用水和醇溶液对所述金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至成膜溶液中，得到膜液；
将所述膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜。
2.如权利要求1所述的金属纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述含金属离子的电化学沉积液包括金属盐溶液、酸溶液、整平剂及络合剂。
3.如权利要求2所述的金属纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属盐溶液的浓度为80g/L-250g/L，所述酸溶液的浓度为30g/L-100g/L，所述整平剂的浓度为0.1mL/L-0.8mL/L，所述络合剂的浓度为0.1mL/L-1.5mL/L。
4.如权利要求2所述的金属纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属盐溶液选自硝酸银或银氨溶液；
和/或，所述酸溶液选自硫酸、盐酸、草酸中的至少一种；
和/或，所述整平剂选自聚苯乙烯、聚丙烯酸、聚乙烯醇中的至少一种；
和/或，所述络合剂选自柠檬酸盐、硫代硫酸盐、亚硫酸盐中的至少一种。
5.如权利要求1所述的金属纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述电化学沉积时，电流密度为1mA/cm2-15mA/cm2，沉积时间为5s-60s，温度为20℃-50℃。
6.如权利要求1至5中任一项所述的金属纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述成膜溶液选自体积浓度为0.5％-5％的醇溶液；
和/或，所述模板去除剂选自磷酸、硫酸、草酸中的至少一种。
7.如权利要求1至5中任一项所述的金属纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板的步骤包括：
采用乙醇对铝基材进行洗涤，并经退火处理、冷却，得到洁净的铝基材；
将洁净的铝基材放入酸性电解液中，以铝基材为阳极进行阳极氧化，得到多孔阳极氧化铝模板。
8.如权利要求1至5中任一项所述的金属纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述将膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜的步骤包括：
采用旋涂法将膜液涂覆于玻璃基板的表面，于60℃-150℃温度下退火干燥，得到金属纳米线薄膜。
9.一种金属纳米线薄膜，其特征在于，所述金属纳米线薄膜是由权利要求1至8中任一项所述的金属纳米线薄膜的制备方法制备得到。
10.一种薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列包括阵列基板和依次沉积在所述阵列基板表面的栅金属层、栅绝缘层、非晶硅有源层、欧姆接触层、源漏金属层、钝化层及金属纳米线薄膜层，且所述金属纳米线薄膜层至少部分贯穿所述钝化层并与所述源漏金属层连接，所述金属纳米线薄膜层为权利要求9所述的金属纳米线薄膜。
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