CN110361644A - 一种led芯片电学性能的检测装置及方法 - Google Patents

一种led芯片电学性能的检测装置及方法 Download PDF

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Abstract

本申请提供一种LED芯片电学性能的检测装置及方法，包括：电子枪以及电流信号检测电路；电流信号检测电路的第一端与电子枪连接，电流信号检测电路的第二端与待测LED芯片的PN结的第一级连接；其中，电子枪发射的电子束轰击在待测LED芯片的PN结的第二级上时，待测LED芯片、电子枪以及电流信号检测电路形成电流回路，电流回路的电流表征待测LED芯片的电学性能。因此，利用电子束代替探针轰击在待测LED芯片上，从而接通待测LED芯片，以使LED芯片发出光，避免LED芯片磨损的问题。同时，待测LED芯片、电子枪发射的电子束与电流信号检测电路形成电流回路，可以通过检测电流回路的电流确定待测LED芯片的电学性能。

Description

一种LED芯片电学性能的检测装置及方法
技术领域
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种LED芯片电学性能的检测装置及方法。
背景技术
现有技术中，对LED芯片的电学性能进行检测一般采用探针接触式的检测。但是，在利用探针对LED芯片进行检测的过程中，探针与LED芯片接触时会对探针造成一定的磨损，从而需要经常更换用于检测的探针，使得检测过程中耗材的消耗量增多。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种LED芯片电学性能的检测装置及方法，用以解决检测过程中，耗材消耗量较多的问题。
为了实现上述目的，本申请实施例所提供的技术方案如下所示：
第一方面，本申请实施例提供一种LED芯片电学性能的检测装置，包括：电子枪以及电流信号检测电路；所述电流信号检测电路的第一端与所述电子枪连接，所述电流信号检测电路的第二端与待测LED芯片的PN结的第一级连接；其中，所述电子枪发射的电子束轰击在所述待测LED芯片的所述PN结的第二级上时，所述待测LED芯片、所述电子枪以及所述电流信号检测电路形成电流回路，所述电流回路的电流表征所述待测LED芯片的电学性能。因此，利用电子束代替探针轰击在待测LED芯片上，从而接通待测LED芯片，以使LED芯片发出光，避免探针磨损较快，需要经常更换探针，从而增大耗材消耗量的问题。同时，待测LED芯片、电子枪发射的电子束与电流信号检测电路形成电流回路，可以通过检测电流回路的电流确定待测LED芯片的电学性能。
在本申请的可选实施例中，所述待测LED芯片为包括多个LED颗粒的集成芯片，所述集成芯片中所有LED颗粒的PN结的第一级连接，并与所述第一端连接，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：偏转模块；所述偏转模块设置在所述电子枪与所述待测LED芯片之间，所述偏转模块用于控制所述电子束偏转，以改变电子束轰击的LED颗粒。因此，当待测LED芯片为包括多个LED颗粒的集成芯片时，可以通过偏转模块实现电子束的偏转，以使电子束依次轰击在LED颗粒上，快速的检测待测LED芯片中多个LED颗粒的电学性能。
在本申请的可选实施例中，所述待测LED芯片为包括多个LED颗粒的集成芯片，所述集成芯片中所有LED颗粒的PN结的第一级连接，并与所述第一端连接，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：可运动载台；所述可运动载台用于放置所述待测LED芯片，并能够在所述电子枪发射电子束时运动，以改变电子束轰击的LED颗粒。因此，当待测LED芯片为包括多个LED颗粒的集成芯片时，可以通过可运动载台实现待测LED芯片的移动，以使电子束依次轰击在LED颗粒上，快速的检测待测LED芯片中多个LED颗粒的电学性能。
在本申请的可选实施例中，所述电流信号检测电路还包括：第三端：所述第三端用于输出所述电流回路的电流。因此，电流信号检测电路中还可以包括第三端，从而可以通过检测第三端输出的电流回路的电流，确定待测LED芯片的电学性能。
在本申请的可选实施例中，所述电流信号检测电路还包括：电流计；所述电流计用于检测所述电流回路的电流。因此，可以通过电流信号检测电路中的电流计检测电流回路的电流，以根据该电流确定待测LED芯片的电学性能。
在本申请的可选实施例中，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：存储器；所述存储器与所述电流计连接，所述存储器用于存储所述电流计检测的电流值。因此，检测装置中的存储器可以用于存储电流计检测到的电流回路的电流，以使后续可以根据存储的电流确定待测LED芯片的电学性能等。
在本申请的可选实施例中，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：数据处理模块；所述数据处理模块用于根据输出的电流确定所述待测LED芯片的电学性能。因此，数据处理模块可以根据输出的电流回路的电流确定待测LED芯片的电学性能。
在本申请的可选实施例中，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：腔体；所述腔体用于容纳所述电子枪以及所述待测LED芯片，以提供真空环境。因此，腔体可以给待测LED芯片的电学性能的检测过程提供一个真空环境，从而保证监测结果的准确性。
在本申请的可选实施例中，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：真空机；所述真空机用于为所述腔体内部提供真空环境。因此，真空机可以给待测LED芯片的电学性能的检测过程提供一个真空环境，从而保证监测结果的准确性。
在本申请的可选实施例中，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：光探测器；所述光探测器用于检测所述待测LED芯片被所述电子束轰击时的辐射光线的光学参数。因此，可以通过LED芯片电学性能的检测装置中的光探测器检测待测LED芯片的光学参数，以根据该光学参数确定待测LED芯片的电学性能。
第二方面，本申请实施例提供一种LED芯片电学性能的检测方法，包括：通过电子枪发射的电子束轰击待测LED芯片的PN结的第二级；检测所述待测LED芯片、所述电子枪以及电流信号检测电路形成的电流回路中的电流，所述电流信号检测电路的第一端与所述电子枪连接，所述电流信号检测电路的第二端与所述待测LED芯片的所述PN结的第一级连接；根据检测的所述电流确定所述待测LED芯片的电学性能。因此，利用电子束代替探针轰击在待测LED芯片上，从而接通待测LED芯片，以使LED芯片发出光，避免探针磨损较快，需要经常更换探针，从而增大耗材消耗量的问题。同时，待测LED芯片、电子枪发射的电子束与电流信号检测电路形成电流回路，可以通过检测电流回路的电流确定待测LED芯片的电学性能。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举本申请实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的一种LED芯片电学性能的检测装置的结构框图；
图2为本申请实施例提供的一种电子枪的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种电流信号检测电路的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种LED芯片电学性能的检测方法的流程图。
图标：10-LED芯片电学性能的检测装置；100-电子枪；200-电流信号检测电路；20-待测LED芯片。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
随着LED的发展，其尺寸越来越小，其内部的LED芯片的尺寸也越来越小，因此，对LED芯片的性能的检测难度也越来越大。现有技术中，一般采用的是探针接触式的检测方法。但是，一方面，单片晶圆需要测试的芯片数量极大，依次用探针去接触PN两电极的方法速度太慢；另一方面，芯片变小也导致探针的直径越来越小，探针自身强度下降，随之而来的是探针测试的稳定性和寿命的问题。
为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种新型的LED芯片电学性能的检测装置，该LED芯片电学性能的检测装置包括电子枪以及电流信号检测电路。该LED芯片电学性能的检测装置基于电子枪发射出电子束轰击在待测LED芯片，电子束的作用相当于“软探针”，替代现有技术中探针的物理接触电极的方式。采用该方式，除了可以避免探针物理接触电极表面带来的一系列不利影响，在一部分实施例中，还可以通过控制电子束的偏转提高检测速度。下面将对本申请实施例提供的一种LED芯片电学性能的检测装置的结构进行详细的叙述。
请参照图1，图1为本申请实施例提供的一种LED芯片电学性能的检测装置的结构框图，该LED芯片电学性能的检测装置10包括：电子枪100以及电流信号检测电路200；电流信号检测电路200的第一端与电子枪100连接，电流信号检测电路200的第二端与待测LED芯片20的PN结的第一级连接；其中，电子枪100发射的电子束轰击在待测LED芯片20的PN结的第二级上时，以使待测LED芯片20被导通，进而使待测LED芯片20、电子枪100以及电流信号检测电路200形成电流回路，电流回路的电流表征待测LED芯片20的电学性能。
图2为本申请实施例提供的一种电子枪的结构示意图，该电子枪100包括旁热阴极、控制栅极以及加速阳极。旁热阴极经过电流加热发射电子，带负电荷的电子经过控制栅极高速飞向带高电位的加速阳极。电子枪100后还可以包括聚焦系统，聚焦系统可以将电子束聚焦成很小的束斑，以轰击在待测LED芯片20上，使待测LED芯片20发光。需要说明的是，图2所示电子枪100是示例性的，不能以此限定本申请的保护范围。
由于电子束在非高真空系统中会受到气体分子的干扰，影响电子束的飞行速度和轨迹，为了保证检测结果的准确性，可以为电子束的飞行过程提供一个真空环境。其中，提供真空环境的方式有多种，例如，将整个LED芯片电学性能的检测装置10放置在真空环境(真空房间、真空盒子等)中；或者，LED芯片电学性能的检测装置10还可以包括一个腔体，该腔体用于容纳电子枪100以及待测LED芯片20，通过对该腔体抽取空气，使腔体内达到要求的真空环境，保证监测结果的准确性。在后一种方案种，用于对腔体抽真空的真空机可以为LED芯片电学性能的检测装置10的组成部分。需要说明的是，本申请实施例对腔体的形状、大小均不作具体的限定，本领域技术人员可以根据实际情况进行合适的选择。
本申请实施例中的电流信号检测电路200将导通后的待测LED芯片20以及电子枪100连入电路中，以形成电流回路。作为一种实施方式，图3示出电流信号检测电路的一种可能结构，该电流信号检测电路200包括电阻RL以及电源UT。电源UT的负极即电流信号检测电路200的第一端接地且与电子枪100连接，电源UT的正极与电阻RL的一端连接，电阻RL的另一端即电流信号检测电路200的第二端与待测LED芯片20的PN结的第一级连接。电子枪100发射的电子束轰击在待测LED芯片20的PN结的第二极上，电子束、待测LED芯片20、电阻RL、电源UT以及电子枪100形成电流回路。需要说明的是，该种电流信号检测电路200的结构不应该限定本申请的保护范围，本领域技术人员可以根据本领域的惯用技术手段采用其他的电流信号检测电路200。
在对待测LED芯片20进行检测的过程中，待测LED芯片20可以为包括单一LED颗粒的芯片，也可以为包括多个LED颗粒的集成芯片。下面以待测LED芯片20可以为包括单一LED颗粒的芯片为例，说明本申请实施例提供的LED芯片电学性能的检测装置10的实现原理，待测LED芯片20为包括多个LED颗粒的集成芯片时的实施方式将在后续实施例中进行详细的叙述。
本申请实施例提供的LED芯片电学性能的检测装置10的实现原理如下：以待测LED芯片20的PN结的第一级为P级，第二级为N级为例，电子枪100发射电子束轰击在待测LED芯片20的N极上，部分电子被芯片吸收，电子积累在该电极上，电势为负，因此电子从负电势的N型GaN向P型GaN移动，在PN结处与空穴复合，宏观表现为该待测LED芯片20接入电路并导通，待测LED芯片20发出光，同时可获得电路中的电流信号。
在获得电路中的电路信号之后，可以通过采集该电流信号并对采集到的电流信号进行分析处理以获得该待测LED芯片20的相关性能。
举例来说，采集到的电流信号检测电路200的电流为1uA，此时，可以结合电子枪100中加速阳极的电压以及旁热阴极的功率值，来判断该待测LED芯片20的质量好坏。这是由于，一个质量较差的待测LED芯片20可能因为内阻较大而导致其在1uA回路电流下加速阳极电压偏高，热阴极功率偏大。因此，若此时该待测LED芯片20的加速阳极电压偏高、热阴极功率偏大，则可以判断该待测LED芯片20的性能较差。
此外，还可以通过改变LED芯片电学性能的检测装置10中电流信号检测电路200中电源电压的大小或者改变LED芯片电学性能的检测装置10中电子枪100发射的电子束的电子密度和电子飞行速度等参数的大小，实现对LED芯片电学性能的检测装置10中电流的大小进行调节，从而得到关于该待测LED芯片20更加详细的性能数据。
举例来说，可以增加电子束中的电子密度，使得单位时间内，N极积累的电荷更多、电势更低，因此相当于改变了该待测LED芯片20正负极的电压，从而得到不同电压条件下LED芯片电学性能的检测装置10中电流，从而可以获得不同电流情况下该待测LED芯片20的性能。再例如，可以提高电子束中电子的飞行速度，相当于提高了通过待测LED芯片20的电流大小，由于电流的定义是单位时间里通过导体任一横截面的电量，电子的飞行速度提高，则单位时间内通过的电量提高、电量增加，从而可以获得不同电流情况下该待测LED芯片20的性能。
由于可以通过采集电路的电流信号，并对采集到的电流信号进行分析处理，来获得待测LED芯片20的相关性能，因此，在利用电子束对待测LED芯片20进行轰击的过程中，需要获取电路中的电流信号。其中，获取电路中的电流信号的方式有多种，本申请实施例提供几种可行的方式，包括：
第一种，电流信号检测电路200中还可以包括：第三端，该第三端用于输出电流回路的电流，可以通过直接检测第三端的电流信号确定电流回路的电流。作为一种实施方式，请参照图3，电流信号检测电路200的第三端可以与一个电容C连接，电流回路的电流经过电容C流出，从而可以通过检测第三端输出的电流回路的电流，确定待测LED芯片20的电学性能。
需要说明的是，电流信号检测电路200中的电阻RL、电源UT以及电容C的大小本申请实施例不作具体的限定，本领域技术人员可以根据实际情况进行调整。
第二种，电流信号检测电路200中还可以包括：电流计，电流计用于检测电流回路的电流，以根据该电流确定待测LED芯片20的电学性能。作为一种实施方式，电流计可以直接检测电流信号检测电路200中各处的电流信号，例如：待测LED芯片20的P极处、电流信号检测电路200的第一端等；作为另一种实施方式，电流计也可以与电流信号检测电路200中的第三端连接，直接检测该第三端处的电流信号。
其中，在电流信号检测电路200包括电流计的实施例中，LED芯片电学性能的检测装置10还可以包括：存储器，该存储器可以与电流计连接，用于存储电流计检测的电流值，以使后续可以根据存储的电流确定待测LED芯片20的电学性能等。作为一种实施方式，存储器中存储的电流信号可以上传至云端，以供他人随时查阅；作为另一种实施方式，存储器中存储的电流信号可以发送给外部设备，例如：计算机、手机等，以对电流信号进行相应的处理。
在检测到电流信号检测电路200的电流信号之后，为了对电流信号进行处理以确定待测LED芯片20的相关性能，LED芯片电学性能的检测装置10还可以包括：数据处理模块，该数据处理模块用于根据输出的电流确定待测LED芯片20的电学性能。结合前述获取电路中的电流信号的第一种方式，数据处理模块可以连接在电流信号检测电路200的第三端，从第三端获取电流信号。结合前述获取电路中的电流信号的第二种方式，数据处理模块可以从该存储有电流信号的存储器中读取电流信号。
在本申请实施例中，利用电子束代替探针轰击在待测LED芯片20的N级上，从而接通待测LED芯片20，以使LED芯片发出光，避免探针磨损较快，需要经常更换探针，从而增大耗材消耗量的问题。同时，待测LED芯片20、电子枪100发射的电子束与电流信号检测电路200形成电流回路，可以通过检测电流回路的电流确定待测LED芯片20的电学性能。
在待测LED芯片20为包括多个LED颗粒的集成芯片时，针对集成芯片中每个LED颗粒的检测原理与前面介绍待测LED芯片20为包括单一LED颗粒的芯片时一致，此处不再赘述。为了对集成芯片进行检测，对待测LED芯片20进行如下设置：集成芯片中所有LED颗粒的PN结的第一级连接，并与电流信号检测电路200的第一端连接。下面介绍对集成芯片中不同LED颗粒进行检测的几种方式。
方式1，LED芯片电学性能的检测装置10还可以包括：偏转模块；偏转模块设置在电子枪100与待测LED芯片20之间，偏转模块可以通过施加电场，通过改变电场强度使得电子束偏转，其中，电场强度越大，电子束偏转越大。以待测LED芯片20为垂直薄膜式为例，待测LED芯片20上所有的LED颗粒的PN结的第一极都连接在一起并接在电源正极，电子束由偏转模块控制进行偏转扫描，依次轰击到待测LED芯片20中的多个LED颗粒的PN结的第二极。
举例来说，电子束可以先从待测LED芯片20的左上角开始扫描，从左向右扫，然后再一行挨着一行地从上向下扫，当扫到最右下角时，再返回到左上角，接着扫下一帧。需要说明的是，本申请实施例对电子束偏转扫描待测LED芯片20的顺序不作具体的限定，可以为上述实施例中的顺序，也采用可以随机顺序进行扫描等；电子束没进行一次对待测LED芯片20的扫描，不限于扫描的LED颗粒的数量，可以扫描一部分的LED颗粒，例如：一个或者多个，也可以扫描所有的LED颗粒，本领域技术人员可以根据实际情况进行合适的调整。
方式1通过偏转模块实现电子束的偏转，以使电子束依次轰击在LED颗粒上，实现快速地检测待测LED芯片20中多个LED颗粒的电学性能。
方式2，LED芯片电学性能的检测装置10还可以包括：可运动载台；可运动载台用于放置待测LED芯片20，并能够在电子枪100发射电子束时运动，位于可运动载台上的待测LED芯片20随之移动，使得电子束轰击的LED颗粒改变。
方式2通过可运动载台实现待测LED芯片20的移动，可以使电子束依次轰击在LED颗粒上，实现快速地检测待测LED芯片20中多个LED颗粒的电学性能。
除了上述两种方式之外，还可以控制电子枪100移动使电子束依次轰击在待测LED芯片20的LED颗粒。
另外，上述方式1与方式2还可以结合，在结合的一种方案中，可以既控制偏转模块改变电子束的方向，又控制可运动载台运动，改变电子束轰击的LED颗粒。在方式1与方式2结合的另一方案中，可运动载台用于实现待测LED芯片20与电子枪100的初步对准，初步对准后，再通过偏转模块改变电子束的方向，改变电子束轰击的LED颗粒。例如，可运动载台可以在需要放置待测LED芯片20时移动至LED芯片电学性能的检测装置10的边缘，以便于操作人员将待测LED芯片20放置在载台上，然后该载台带动该待测LED芯片20移动至合适的位置，以使电子枪100发射的电子束可以通过偏转模块的偏转准确的轰击待测LED芯片20上的各个LED颗粒。
进一步的，在根据电路的电流信号确定待测LED芯片20的相关性能的基础上，LED芯片电学性能的检测装置10还可以包括：光探测器，用于检测所述待测LED芯片20被所述电子束轰击时的辐射光线的光学参数，结合该光信号的参数确定该待测LED芯片20的相关性能。
举例来说，采集到的电流信号检测电路200的电流为1uA，此时，可以通过采集到的待测LED芯片20发出光的波长确定待测LED芯片20的发光强度，来判断该待测LED芯片20的质量好坏。这是由于，一个质量较差的待测LED芯片20可能因为内阻较大而导致其在1uA回路电流下发光强度较弱。因此，若此时该待测LED芯片20的发光强度较弱，则可以判断该待测LED芯片20的性能较差。
请参照图4，图4本申请实施例提供一种LED芯片电学性能的检测方法的流程图，该方法包括：
步骤S401：通过电子枪发射的电子束轰击待测LED芯片的PN结的第二级。
步骤S402：检测待测LED芯片、电子枪以及电流信号检测电路形成的电流回路中的电流。
步骤S403：根据检测的电流确定待测LED芯片的电学性能。
该LED芯片电学性能的检测方法可以由上述实施例中的LED芯片电学性能的检测装置执行，执行的方式以及原理已经在上述实施例中进行了叙述，此处不再赘述。
在本申请实施例中，利用电子束代替探针轰击在待测LED芯片上，从而接通待测LED芯片，以使LED芯片发出光，避免LED芯片磨损较快，寿命快速下降的问题。同时，待测LED芯片、电子枪发射的电子束与电流信号检测电路形成电流回路，可以通过检测电流回路的电流确定待测LED芯片的电学性能。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种LED芯片电学性能的检测装置，其特征在于，包括：电子枪以及电流信号检测电路；
所述电流信号检测电路的第一端与所述电子枪连接，所述电流信号检测电路的第二端与待测LED芯片的PN结的第一级连接；
其中，所述电子枪发射的电子束轰击在所述待测LED芯片的所述PN结的第二级上时，所述待测LED芯片、所述电子枪以及所述电流信号检测电路形成电流回路，所述电流回路的电流表征所述待测LED芯片的电学性能。
2.根据权利要求1所述的LED芯片电学性能的检测装置，其特征在于，所述待测LED芯片为包括多个LED颗粒的集成芯片，所述集成芯片中所有LED颗粒的PN结的第一级连接，并与所述第一端连接，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：偏转模块；
所述偏转模块设置在所述电子枪与所述待测LED芯片之间，所述偏转模块用于控制所述电子束偏转，以改变电子束轰击的LED颗粒。
3.根据权利要求1所述的LED芯片电学性能的检测装置，其特征在于，所述待测LED芯片为包括多个LED颗粒的集成芯片，所述集成芯片中所有LED颗粒的PN结的第一级连接，并与所述第一端连接，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：可运动载台；
所述可运动载台用于放置所述待测LED芯片，并能够在所述电子枪发射电子束时运动，以改变电子束轰击的LED颗粒。
4.根据权利要求1所述的LED芯片电学性能的检测装置，其特征在于，所述电流信号检测电路还包括：第三端：
所述第三端用于输出所述电流回路的电流。
5.根据权利要求4所述的LED芯片电学性能的检测装置，其特征在于，所述电流信号检测电路还包括：电流计；
所述电流计用于检测所述电流回路的电流。
6.根据权利要求5所述的LED芯片电学性能的检测装置，其特征在于，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：存储器；
所述存储器与所述电流计连接，所述存储器用于存储所述电流计检测的电流值。
7.根据权利要求4所述的LED芯片电学性能的检测装置，其特征在于，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：数据处理模块；
所述数据处理模块用于根据输出的电流确定所述待测LED芯片的电学性能。
8.根据权利要求1-7任一项所述的LED芯片电学性能的检测装置，其特征在于，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：腔体；
所述腔体用于容纳所述电子枪以及所述待测LED芯片，以提供真空环境。
9.根据权利要求1-7任一项所述的LED芯片电学性能的检测装置，其特征在于，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：光探测器；
所述光探测器用于检测所述待测LED芯片被所述电子束轰击时的辐射光线的光学参数。
10.一种LED芯片电学性能的检测方法，其特征在于，包括：
通过电子枪发射的电子束轰击待测LED芯片的PN结的第二级；
检测所述待测LED芯片、所述电子枪以及电流信号检测电路形成的电流回路中的电流，所述电流信号检测电路的第一端与所述电子枪连接，所述电流信号检测电路的第二端与所述待测LED芯片的所述PN结的第一级连接；
根据检测的所述电流确定所述待测LED芯片的电学性能。
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