CN110350071A - 一种全彩化led封装器件和显示模组 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种全彩化LED封装器件，包括发光层、微孔阵列层和光处理层，光处理层设置在所述发光层上方，微孔阵列层设置在发光层和光处理层之间；发光层包括至少一个第一发光部、至少一个第二发光部和至少一个第三发光部；光处理层包括第一光处理部、第二光处理部和第三光处理部；第一光处理部、第二光处理部和第三光处理部之中的任意两个相邻的光处理部之间设置有挡墙；微孔阵列层具有若干个沿上下方向设置的透光部，所述透光部侧壁上设置有光吸收层。该全彩化LED封装器件的光处理部不易被误激发，具有显色准确，显示效果良好等优点。本发明还提供了使用该全彩化LED封装器件制成的显示模组。
Description
技术领域
本发明涉及LED器件领域，具体涉及到一种全彩化LED封装器件和显示模组。
背景技术
目前行业内有一种LED器件，该LED器件在单个LED器件内集成有三个以上的单色发光二极管，根据设计需求，发光二极管正上方设置有用于将单色光转换成三原色光的光处理部，常见的，光处理部可供入射光线直接透过或受激发产生特定颜色的光线，通过对单个LED器件内不同发光二极管的发光控制实现LED器件的全彩化显示。
针对于该LED封器件，一方面，发光二极管具有一定的发光角度，发光二极管的发出光线会在发光二极管上方呈扇形发射，发光二极管在一定角度范围内的光线会落于对应的光处理部上，同时，大于一定角度的发光光线容易对其余非对应的光处理部进行激发，使LED器件产生色彩失真；另一方面，长波荧光材料会对短波荧光材料所激发的光线产生吸收，当其中一个光处理部受到光线激发时，激发所产生的特定色彩光线有可能会被相邻的光处理部吸收并造成误激发，使LED器件产生的色彩失真。
发明内容
为了克服现有LED器件的不足，本发明提供了一种全彩化LED封装器件和显示模组，该全彩化LED封装器件中的光处理部不易被误激发，该全彩化LED封装器件具有显色准确，显示效果良好等优点，具有良好的实用性。
相应的，本发明提供了一种全彩化LED封装器件，所述全彩化LED封装器件包括发光层、微孔阵列层和光处理层，所述光处理层设置在所述发光层上方，所述微孔阵列层设置在所述发光层和所述光处理层之间；
所述发光层包括至少一个第一发光部、至少一个第二发光部和至少一个第三发光部；
所述光处理层包括第一光处理部、第二光处理部和第三光处理部，所述第一光处理部的出射光线为蓝光，所述第二光处理部的出射光线为绿光，所述第三光处理部的出射光线为红光；
所述第一光处理部设置位置与所述第一发光部相对应，所述第二光处理部设置位置与所述第二发光部相对应，所述第三光处理部设置位置与所述第三发光部相对应，且所述第一光处理部、第二光处理部和第三光处理部中的任意两个相邻的光处理部之间设置有挡墙；
所述微孔阵列层具有若干个沿上下方向设置的透光部，所述透光部侧壁上设置有光吸收层。
可选的实施方式，所述第一发光部包括至少一个以上的发光芯片；和/或所述第二发光部包括至少一个以上的发光芯片；和/或所述第三发光部包括至少一个以上的发光芯片；
所述发光层还包括基板，所述发光芯片设置在所述基板上。
可选的实施方式，所述发光层还包括衬底，所述衬底基于无色透明材料制成；所述发光芯片为倒装发光芯片，所述发光芯片设置在所述衬底下方。
可选的实施方式，所述发光芯片的发射峰值波长为[350nm，480nm]；
所述第三光处理部的组成材料包括红色光转换材料，所述红色光转换材料为发射峰值波长在[600nm,700nm]区间的荧光材料或量子点材料；
所述第二光处理部的组成材料包括绿色光转换材料，所述绿色光转换材料为发射峰值波长在[500nm,550nm]区间的荧光材料或量子点材料；
在所述发光芯片的发射峰值波长为[430nm,480nm]时，所述第一光处理部由无色透明材料组成；
或在所述发光芯片的发射峰值波长为[350nm,430nm]时，所述第一光处理部的组成材料包括蓝色光转换材料，所述蓝色光转换材料为发射峰值波长在[430nm,480nm]区间的荧光材料或量子点材料。
可选的实施方式，所述微孔阵列层设置在所述衬底上；
所述透光部为加工在所述衬底上的微孔，所述光吸收层设置在所述微孔孔壁上。
可选的实施方式，所述微孔阵列层设置在所述衬底上方；
所述透光部为若干根基于透明无色材料制成的微柱，所述微柱阵列设置在所述衬底上；
所述光吸收层覆盖设置在所述微柱的侧表面上。
可选的实施方式，所述透光部中充满无色气体或所述透光部中填充有无色透明材料。
可选的实施方式，所述微孔阵列层设置在所述光处理层下方；
所述光处理层中的挡墙朝所述发光层方向延伸形成所述光吸收层，相邻的两面挡墙的光吸收层之间形成所述透光部。
可选的实施方式，所述微孔阵列层为微孔阵列膜；
所述微孔阵列膜基于光吸收材料制成，所述微孔阵列膜上加工有出若干个透光孔，所述透光孔为所述透光部。
可选的实施方式，所述挡墙由光吸收材料和/或光反射材料制成；或所述挡墙的组成材料包括光吸收材料和/或光反射材料；或所述挡墙表面上设置有光吸收材料和/或光反射材料。
可选的实施方式，在所述发光层发射峰值波长为[350nm,430nm]时，所述光吸收层由紫外光吸收材料制成；
在所述发光层发射峰值波长为[430nm，480nm]时，所述光吸收层由蓝光吸收材料制成。
可选的实施方式，所述全彩化LED封装器件外周设置有包围所述发光层、微孔阵列层和光处理层的隔离层。
可选的实施方式，所述隔离层由光吸收材料或光反射材料制成；或所述隔离层的组成材料包括光吸收材料或光反射材料；或所述隔离层表面上设置有光吸收材料或光反射材料。
相应的，本发明还提供了一种显示模组，所述显示模组包括若干个以上任一项所述的全彩化LED封装器件。
本发明实施例提供了一种全彩化LED封装器件和显示模组，该全彩化LED封装器件通过设置微孔阵列层对进入光处理层的光线进行筛选，只有小于一定入射角度的光线可以通过微孔阵列层，可减少光处理层被误激发的概率，提高全彩化LED封装器件的显色效果；挡墙的设置，解决了相邻光处理部的串光问题；隔离层的设置，避免了相邻全彩化LED封装器件间的干扰，具有良好的实用性。使用该全彩化LED封装器件的显示模组具有显色准确，分辨率高等特点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1示出了本发明实施例一的全彩化LED封装器件结构示意图；
图2示出了本发明实施例二的发光层100结构示意图；
图3示出了本发明实施例三的微孔阵列层局部放大结构示意图；
图4示出了本发明实施例四的全彩化LED封装器件剖面结构示意图；
图5示出了本发明实施例四的全彩化LED封装器件微孔阵列层三维结构局部放大示意图；
图6示出了本发明实施例五的全彩化LED封装器件光路示意图；
图7示出了本发明实施例六的全彩化LED封装器件结构示意图；
图8示出了本发明实施例七的发光层结构示意图；
图9示出了本发明实施例八的全彩化LED封装器件剖面结构示意图；
图10示出了本发明实施例九的微孔阵列层结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
图1示出了本发明实施例的全彩化LED封装器件结构示意图，需要说明的是，本发明实施例仅用于说明本发明所提供的全彩化LED封装器件的基本结构及其工作原理，具体实施中，各部件的具体设置形式及设置方法可根据具体情况进行实施。
本发明实施例的全彩化LED封装器件包括发光层100、微孔阵列层200和光处理层300，所述光处理层300设置在所述发光层100上方，所述微孔阵列层200设置在所述发光层100和所述光处理层300之间。
具体实施中，发光层100包括有至少三个发光部，相应的，光处理层300包括有至少三个光处理部，三个发光部发出的光线分别通过对应的光处理部后，分别产生红光、绿光和蓝光，通过对发光层中不同发光部的发光控制，使从光处理层透出的光线在LED封装器件的发光面上进行混合，实现LED封装器件的全彩化。
具体的，本发明实施例以该全彩化LED封装器件的最简实施结构进行说明，即发光部数量为三个，分别为第一发光部101、第二发光部102和第三发光部103；光处理部数量为三个，分别为第一光处理部301、第二光处理部302和第三光处理部303。具体实施中，根据全彩化LED封装器件上的三原色光的分布设计，不同种类的发光部的数量和设置位置会具有一定的差异性；相应的，与发光部对应的光处理部数量和设置位置也会具有一定的差异性。
可选的，任一所述发光部包括一个以上的发光芯片，可选的，本实施例中发光芯片的发射峰值波长为[350nm，480nm]，具体的，所述发光芯片为蓝光芯片或紫外光芯片。
所述第三光处理部的组成材料包括红色光转换材料，所述红色光转换材料为发射峰值波长在[600nm，700nm]区间的荧光材料或量子点材料；
所述第二光处理部的组成材料包括绿色光转换材料，所述绿色光转换材料为发射峰值波长在[500nm，550nm]区间的荧光材料或量子点材料；
在所述发光芯片的发射峰值波长为[430nm，480nm]时，所述第一光处理部由无色透明材料组成；
在所述发光芯片的发射峰值波长为[350nm，430nm]时，所述第一光处理部的组成材料包括蓝色光转换材料，所述蓝色光转换材料为发射峰值波长在[430nm，480nm]区间的荧光材料或量子点材料。
需要说明的是，在附图图1中，第一发光部101、第二发光部102和第三发光部103仅用于示意发光部的设置位置，具体实施中，发光部的结构根据发光芯片的类型以及所采用的基本器件结构有关，后续实施例会针对不同的实施方式进行说明。
需要说明的是，具体实施中，为了提高光处理层的防水汽性能，具体实施中，可以在第一光处理部、第二光处理部和第三光处理部的上方设置透明保护材料进行保护，该透明保护材料可以对光处理部进行密封，提高光处理部的防水气性能，延长光转换材料的使用寿命。尤其当光处理部材料采用量子点材料时，由于量子点材料暴露在空气中容易失效，通过在光处理部上设置透明保护材料，可很好的对量子点材料进行保护，提高光处理部的使用寿命。
具体的，用于光处理部保护的透明保护材料的设置方式有多种。例如，如附图图1所示的全彩化LED封装器件结构示意图，挡墙304的高度高于光处理部的高度，所述透明保护材料可填充在相邻的挡墙304之间。如果挡墙304高度与光处理部的高度相同，可选的，所述透明保护材料可完全覆盖在光处理部以及挡墙304上，形成一层保护层。
所述微孔阵列层200具有若干个沿上下方向设置的透光部，所述微孔阵列层在所述透光部侧壁上设置有光吸收层。可选的，所述透光部中充满无色气体或所述透光部中填充有透明无色材料。发光层100所发出的光线通过微孔阵列层后再射向光处理层。其中，根据微孔阵列层200中透光部的设计尺寸，可允许通过的光线入射角度不同。基本的，入射角(光线与微孔阵列层法线夹角)较小的光线可通过透光部后射出，而入射角较大的光线会被设置于透光部侧壁上的光吸收层吸收或在微孔阵列层与发光层的交界面发生全反射。
在同一个全彩化LED封装器件内，发光芯片的大角度出射光线容易误激发非对应的光处理部；因此，本发明实施例设置有微孔阵列层200，通过透光部和光吸收层的设置，发光层的光线在射入光处理层前经过角度筛选，理想情况下，只有位于光处理部正下方的发光部所发出的光线才能入射至该光处理部中，大大减少了光处理部被误激发的概率，增强全彩化LED封装器件的显色效果。
在本发明实施例中，所述发光层100包括第一发光部101、第二发光部102和第三发光部103。
所述光处理层300包括第一光处理部301、第二光处理部302和第三光处理部303。
为了便于介绍，本发明实施例指定所述第一光处理部的出射光线为蓝光，指定所述第二光处理部的出射光线为绿光，指定所述第三光处理部的出射光线为红光；在本发明实施例中，第一、第二、第三仅用于进行部件名称上的区分，此处所述的第一光处理部的出射光线为蓝光、第二光处理部的出射光线为绿光、第三光处理部的出射光线为红光用于表明本发明实施例的全彩化LED封装器件具有红光、绿光和蓝光三原色光发光条件。
本发明实施例为了示意清楚，第一光处理部301、第二光处理部302和第三光处理部303采用直线并排排列的设置结构，因此，在正视示意图中能清楚示意出三个光处理部的结构；具体实施中，第一光处理部301、第二光处理部302和第三光处理部303的布置位置可不位于同一直线上。
所述第一光处理部301设置位置与所述第一发光部101相对应，所述第二光处理部302设置位置与所述第二发光部102相对应，所述第三光处理部303设置位置与所述第三发光部103相对应。
所述第一光处理部301、第二光处理部302和第三光处理部303之中的任意两个相邻的光处理部之间设置有挡墙304。可选的，所述挡墙304由光吸收材料和/或光反射材料制成；或所述挡墙304的组成材料包括光吸收材料和/或光反射材料，如掺杂有光吸收材料或光反射材料的；或所述挡墙304表面上设置有光吸收材料和/或光反射材料。具体的，所述挡墙304可以由黑色吸光材料制成；或所述挡墙由掺杂有黑色吸光材料的高分子材料制成；或所述挡墙由透明材料形成，所述透明材料外壁设置有光反射层或光吸收层。
挡墙304的设置，主要用于防止相邻两个不同发光颜色的光处理部之间的串光，因此，挡墙304可基于光吸收材料对光线进行吸收或基于光反射材料对光线进行反射，防止光线在相邻两个光处理部之间传递。
此外，为了实现挡墙304的功能，挡墙304的设置高度需要大于或等于位于挡墙304两侧的光处理部的高度，具体实施中可根据需求进行设计。
可选的，所述全彩化LED封装器件外周设置有包围所述发光层100、微孔阵列层200和光处理层300的隔离层400。可选的，所述隔离层400由光吸收材料或光反射材料制成；或所述隔离层400的组成材料包括光吸收材料或光反射材料；或所述隔离层400表面上设置有光吸收材料或光反射材料。具体的，所述隔离层由黑色吸光材料制成；或所述隔离层由掺杂有黑色吸光材料的高分子材料制成；或所述隔离层由透明材料形成，所述透明材料外壁设置有光反射层。
隔离层400的设置，用于防止相邻全彩化LED封装器件之间的串光，因此，隔离层400可基于光吸收材料对光线进行吸收或基于光反射材料对光线进行反射，防止光线在相邻两个全彩化LED封装器件之间传递。
具体的，发光层100、微孔阵列层200和光处理层300的具体结构在后续实施例进行说明。
实施例二：
具体实施中，微孔阵列层200的结构可根据发光层100的结构进行设计。因此，本发明实施例对其中一种发光层100结构进行说明。
图2示出了本发明实施例的发光层100结构示意图，本发明实施例的发光层100包括第一发光部101、第二发光部102和第三发光部103。所述第一发光部101包括至少一个发光芯片；和/或所述第二发光部102包括至少一个发光芯片；和/或所述第三发光部103包括至少一个发光芯片。
本发明实施例的发光层100还包括衬底104。所述第一发光部101、第二发光部102和第三发光部103分别设置在所述衬底104下方。衬底104基于无色透明材料制成，可供发光芯片的光线向上透出。可选的，衬底104材料可以为蓝宝石，玻璃、氮化镓等材料。可选的，发光部中所选用的发光芯片为倒装发光芯片。
实施例三：
在全彩化LED封装器件采用实施例二所述的发光层结构时，可选的，所述微孔阵列层设置在所述衬底上；所述透光部为加工在所述衬底上的微孔，所述光吸收层设置在所述微孔孔壁上。
图3示出了本发明实施例的微孔阵列层局部放大结构示意图。本发明实施例的微孔阵列层200设置在衬底104上。通过蚀刻等技术在衬底104顶面上加工出若干个微孔201，光吸收层202设置在微孔201的侧壁上。
实施例四：
图4示出了本发明实施例的全彩化LED封装器件剖面结构示意图，图5示出了本发明实施例的全彩化LED封装器件微孔阵列层三维结构局部放大示意图，在全彩化LED封装器件采用实施例二所述的发光层结构时，可选的，所述微孔阵列层200设置在所述衬底104上方；所述透光部为若干根基于透明无色材料制成的微柱203，所述微柱203阵列设置在所述衬底上；所述光吸收层202覆盖设置在所述微柱的侧表面上。
具体实施中，可选的，微柱203为圆柱型结构；如图5－A图所示，将若干根微柱203并排排列一起，相邻微柱203之间会形成间隙；如图5－B图所示，通过往所述间隙中填充光吸收材料，形成光吸收层202，可得到所需的微孔阵列层200。
本发明实施例三和实施例四所示的微孔阵列层虽然加工方式不一致，但其所实现的功能是相同的。
图6示出了本发明实施例三和实施例四的全彩化LED封装器件光路示意图，为了清楚的示意出该全彩化LED封装器件的实现原理，微孔阵列层的图示比例与具体实施时具有一定的差异性。由于实施例三和实施例四是基于实施例二所提供的发光层结构设计的，因此，图6所示的全彩化LED封装器件光路示意图适用于采用实施例二的发光层结构的全彩化LED封装器件。
参照附图图6，第一发光部101发出光线透过衬底104呈扇形进行发散，根据入射角度的不同，微孔阵列层200会对光线产生不同的处理效果。微孔阵列层200中的透光部201填充有无色气体或透光部201以无色透明材质制成，衬底104与透光部201的材质差异，会导致入射光线发生折射和反射，其中，光线的折射在附图图6中未示出。
具体的，为了便于说明，将光线的入射角度划分为三个区间，第一区间[0°，A°)，第二区间[A°，B°]，第三区间(B°，90°)。由区间的定义可知，A参数和B参数满足条件0＜A＜B＜90。
具体实施中，入射角度为第一区间的光线可通过微孔阵列层200的透光部201透出；入射角度为第二区间的光线会打在微孔阵列层200的光吸收层202上被吸收；当衬底104的折射率大于透光部201的折射率时，入射角度为第三区间的光线会在衬底104与微孔阵列层200的交界面上发生全反射，使大角度入射光线不会入射至微孔阵列层200中。
需要说明的是，本发明实施例的A参数和B参数是基于发光部光线发出角度、衬底的厚度、微孔阵列层的厚度、透光部的线径等参数进行确定的，当全彩化LED封装器件结构尺寸未确定的条件下，A参数和B参数并非恒定值。
实施例五：
在实施例二所提供的发光层结构中，发光部所采用的发光芯片为倒装发光芯片，在实施例二中，发光层中还设置有衬底，可选的，在本发明实施例中，发光芯片采用倒装发光芯片，发光层中不设置有衬底。
由于实施例三的微孔阵列层结构基于衬底制作，因此，实施例三所提供的微孔阵列层结构不适用于本实施例的全彩化LED封装器件；但基于与实施例三相似的实施方式，可以在发光层顶部上加工出所需的微孔阵列层。
图7示出了本发明实施例的全彩化LED封装器件结构示意图。发光层100中的第一发光部101、第二发光部102和第三发光部103基于发光层透明材料106进行封装，微孔阵列层200设置在发光层100的发光层透明材料顶面上，通过蚀刻等技术在发光层透明材料106顶面上加工出若干个微孔201，光吸收层202设置在微孔201的侧壁上。
此外，实施例四所提供的微孔阵列层结构，由于微孔阵列层具有独立的结构，微孔阵列层可独立于发光层进行制作，因此，实施例四所提供的微孔阵列层结构适用于本实施例的全彩化LED封装器件。
此外，微孔阵列层还具有较多不依赖发光层的实施方式，如微孔阵列层可采用膜片结构，通过在一张由光吸收材料制成的完整的膜片上加工出若干个透光孔，该膜片即为所需的微孔阵列层；或在一张由无色透明材料制成的完整的膜片上加工出若干个透光孔，并且在透光孔孔壁上设置光吸收材料；可选的，透光孔中还可以填充无色透明材料。
此外，还可以通过在一张由无色透明材料制成的完整的膜片上加工出若干个吸收孔，通过在吸收孔中填充光吸收材料，膜片上的剩余材料形成透光部。
实施例六：
图8示出了本发明实施例的发光层结构示意图。在实施例一的基础上，本发明实施例的发光层100包括基板105、第一发光部101、第二发光部102和第三发光部103，第一发光部101、第二发光部102和第三发光部103设置在基板105上。可选的，所述第一发光部101、第二发光部102和第三发光部103分别包括有若干个发光芯片，即第一发光部101、第二发光部102和第三发光部103中的发光芯片设置在所述基板上。
实施例七：
图9示出了本发明实施例的全彩化LED封装器件剖面结构示意图。在本发明实施例中，所述微孔阵列层为微孔阵列膜204；具体加工时，所述微孔阵列膜基于光吸收材料制成，所述微孔阵列膜上加工有出若干个透光孔，所述透光孔即为所述透光部。
由于所述微孔阵列膜基于光吸收材料制成，因此，未加工的区域即为所需的光吸收层。
可选的，透光孔中可填充有透明无色材料，通过透明无色材料封闭透光孔。在该基础上，光处理层300可采用光处理膜片结构进行加工。
具体的，光处理膜片采用光吸收材料或光反射材料制成，在一整张光处理膜片中加工出若干个与所需光处理部所对应的光处理孔305，所述光处理膜片的保留材料形成挡墙304。
将光处理膜片叠放在所述微孔阵列膜204上方，然后通过往光处理孔305内注入相应的光处理材料实现光处理层的成型。需要说明的是，光处理膜片也可以脱离微孔阵列膜204独立进行制作，在该情况下，透光孔可不需要填充无色透明材料。
实施例八：
图10示出了本发明实施例的微孔阵列层结构示意图。
具体的，在实施例一的基础上，针对于微孔阵列层和光处理层的自身结构而言，本发明实施例的微孔阵列层设置在所述光处理层下方；所述光处理层中的挡墙304朝所述发光层方向延伸形成所述光吸收层202，相邻的两面挡墙304的光吸收层202之间形成所述透光部。
需要说明的是，在本发明实施例中，设置于相邻光吸收层的若干个透光部以及光吸收层共同形成实施例一所述的微孔阵列层，通过光处理层的结构设计，将微孔阵列层整合至光处理层中。
可选的，具体实施时，在本发明实施例中，光处理层和微孔阵列层加工于同一膜片上。
需要说明的是，在本发明实施例中，由于光处理层的挡墙与微孔阵列层的光吸收层实质为同一部件结构，因此，为了兼顾光吸收层的功能，挡墙需基于光吸收材料制成。
具体加工中，与实施例六的加工方式相类似，本发明实施例的光处理膜片由光吸收材料制成，在一整张光处理膜片中加工出若干个与所需光处理部所对应的光处理孔后置于一临时基板上，然后通过往光处理孔内注入相应的光处理材料实现光处理层的成型。
需要注意的是，光处理材料不能完全填满所述光处理孔，在光处理部成型后，光处理孔中还包括有一个未填充空间。在使用时，将所述光处理膜倒置使用，所述未填充空间形成所述透光部。
需要说明的是，倒置使用的光处理膜片结构如附图图10所示，加工状态下的光处理膜片结构可通过附图图10所示的光处理膜片结构旋转180°得到。
实施例九：
本发明实施例对实施例一至实施例八所涉及的部件材质进行说明。
可选的，所述挡墙由光吸收材料或光反射材料制成；或所述挡墙的组成材料包括光吸收材料或光反射材料；或所述挡墙表面上设置有光吸收材料或光反射材料。
可选的，在所述发光层的发射峰值波长为[350nm，430nm]时，所述光吸收层由紫外光吸收材料制成；在所述发光层的发射峰值波长为[430nm，480nm]时，所述光吸收层由蓝光吸收材料制成。
可选的，所述隔离层由光吸收材料或光反射材料制成；或所述隔离层的组成材料包括光吸收材料或光反射材料；或所述隔离层表面上设置有光吸收材料或光反射材料。
相应的，本发明提供了一种显示模组，所述显示模组包括若干个以上所述的全彩化LED封装器件。
本发明实施例提供了一种全彩化LED封装器件，通过设置微孔阵列层对进入光处理层的光线进行筛选，只有小于一定入射角度的光线可以通过微孔阵列层，可减少光处理层被误激发的概率，提高全彩化LED封装器件的显色效果；挡墙的设置，解决了相邻光处理部的串光问题；隔离层的设置，避免了相邻全彩化LED封装器件间的干扰，具有良好的实用性。使用该全彩化LED封装器件的显示模组具有显色准确，分辨率高等特点。
以上对本发明实施例所提供的一种全彩化LED封装器件和显示模组进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (14)
1.一种全彩化LED封装器件，其特征在于，所述全彩化LED封装器件包括发光层、微孔阵列层和光处理层，所述光处理层设置在所述发光层上方，所述微孔阵列层设置在所述发光层和所述光处理层之间；
所述发光层包括至少一个第一发光部、至少一个第二发光部和至少一个第三发光部；
所述光处理层包括第一光处理部、第二光处理部和第三光处理部，所述第一光处理部的出射光线为蓝光，所述第二光处理部的出射光线为绿光，所述第三光处理部的出射光线为红光；
所述第一光处理部设置位置与所述第一发光部相对应，所述第二光处理部设置位置与所述第二发光部相对应，所述第三光处理部设置位置与所述第三发光部相对应，且所述第一光处理部、第二光处理部和第三光处理部中的任意两个相邻的光处理部之间设置有挡墙；
所述微孔阵列层具有若干个沿上下方向设置的透光部，所述透光部侧壁上设置有光吸收层。
2.如权利要求1所述的全彩化LED封装器件，其特征在于，所述第一发光部包括至少一个发光芯片；和/或所述第二发光部包括至少一个发光芯片；和/或所述第三发光部包括至少一个发光芯片；
所述发光层还包括基板，所述发光芯片设置在所述基板上。
3.如权利要求2所述的全彩化LED封装器件，其特征在于，所述发光层还包括衬底，所述衬底基于无色透明材料制成；所述发光芯片为倒装发光芯片，所述发光芯片设置在所述衬底下方。
4.如权利要求2所述的全彩化LED封装器件，其特征在于，所述发光芯片的发射峰值波长为[350nm，480nm]；
所述第三光处理部的组成材料包括红色光转换材料，所述红色光转换材料为发射峰值波长在[600nm，700nm]区间的荧光材料或量子点材料；
所述第二光处理部的组成材料包括绿色光转换材料，所述绿色光转换材料为发射峰值波长在[500nm，550nm]区间的荧光材料或量子点材料；
在所述发光芯片的发射峰值波长为[430nm，480nm]时，所述第一光处理部由无色透明材料组成；
或在所述发光芯片的发射峰值波长为[350nm，430nm]时，所述第一光处理部的组成材料包括蓝色光转换材料，所述蓝色光转换材料为发射峰值波长在[430nm，480nm]区间的荧光材料或量子点材料。
5.如权利要求3所述的全彩化LED封装器件，其特征在于，所述微孔阵列层设置在所述衬底上；
所述透光部为加工在所述衬底上的微孔，所述光吸收层设置在所述微孔孔壁上。
6.如权利要求3对所述的全彩化LED封装器件，其特征在于，所述微孔阵列层设置在所述衬底上方；
所述透光部为若干根基于透明无色材料制成的微柱，所述微柱阵列设置在所述衬底上；
所述光吸收层覆盖设置在所述微柱的侧表面上。
7.如权利要求1所述的全彩化LED封装器件，其特征在于，所述透光部中充满无色气体或所述透光部中填充有无色透明材料。
8.如权利要求1所述的全彩化LED封装器件，其特征在于，所述微孔阵列层设置在所述光处理层下方；
所述光处理层中的挡墙朝所述发光层方向延伸形成所述光吸收层，相邻的两面挡墙的光吸收层之间形成所述透光部。
9.如权利要求1所述的全彩化LED封装器件，其特征在于，所述微孔阵列层为微孔阵列膜；
所述微孔阵列膜基于光吸收材料制成，所述微孔阵列膜上加工有若干个透光孔，所述透光孔为所述透光部。
10.如权利要求1所述的全彩化LED器件，其特征在于，所述挡墙由光吸收材料或光反射材料制成；或所述挡墙的组成材料包括光吸收材料或光反射材料；或所述挡墙表面上设置有光吸收材料或光反射材料。
11.如权利要求1所述的全彩化LED器件，其特征在于，在所述发光层的发射峰值波长为[350nm，430nm]时，所述光吸收层由紫外光吸收材料制成；
在所述发光层的发射峰值波长为[430nm，480nm]时，所述光吸收层由蓝光吸收材料制成。
12.如权利要求1所述的全彩化LED封装器件，其特征在于，所述全彩化LED封装器件外周设置有包围所述发光层、微孔阵列层和光处理层的隔离层。
13.如权利要求12所述的全彩化LED封装器件，其特征在于，所述隔离层由光吸收材料或光反射材料制成；或所述隔离层的组成材料包括光吸收材料或光反射材料；或所述隔离层表面上设置有光吸收材料或光反射材料。
14.一种显示模组，其特征在于，所述显示模组包括若干个权利要求1至13任一项所述的全彩化LED封装器件。
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