CN110350004A - 有机发光二极管显示面板及其制作方法 - Google Patents

有机发光二极管显示面板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110350004A
CN110350004A CN201910552660.3A CN201910552660A CN110350004A CN 110350004 A CN110350004 A CN 110350004A CN 201910552660 A CN201910552660 A CN 201910552660A CN 110350004 A CN110350004 A CN 110350004A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
hole
organic light
thin
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910552660.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110350004B (zh
Inventor
肖世艳
彭久红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910552660.3A priority Critical patent/CN110350004B/zh
Publication of CN110350004A publication Critical patent/CN110350004A/zh
Priority to US16/630,450 priority patent/US20200411776A1/en
Priority to PCT/CN2019/112166 priority patent/WO2020258607A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110350004B publication Critical patent/CN110350004B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种有机发光二极管显示面板及其制作方法。有机发光二极管显示面板包括层叠设置的基板、驱动电路层、有机发光二极管层和薄膜封装层。所述薄膜封装层延伸并穿过所述有机发光二极管层上设置的第三通孔且包覆所述有机发光二极管层。显示面板的制作方法包括步骤:提供一基板、制作驱动电路层、贴附一遮挡薄片、制作有机发光二极管层、采用激光切割、制作薄膜封装层,所述薄膜封装层包覆所述有机发光二极管层。本发明通过使用遮挡薄片遮挡电路驱动层后再制作有机发光二极管层,并使用激光切割开孔后再进行封装,能够确保所述薄膜封装层包覆所述有机发光二极管层起保护作用。

Description

有机发光二极管显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种有机发光二极管显示面板及其制作方法。
背景技术
目前诸如手机之类的移动电子设备已经广泛应用到人们的日常工作和生活,成为人们的随身携带的必需品。而且,为了满足人们的社交和娱乐,移动电子设备一般都具有摄像功能。摄像头被广泛应用于显示屏、平板类产品,但是传统技术的摄像头多是直接裸露在外,并且在移动电子设备的正面或背面预留专门用于安装摄像头的区域,并且摄像头需要外露,以能够通过摄像头中的感光元件采集到外部对象的图像信息。
随着显示技术的发展,屏下摄像头(Camera Under Panel,CUP)技术一经推出就得到广泛认可,但目前应用屏下摄像头的产品均采取液晶显示屏(liquid crystal display,LCD)技术实现。
而对于有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)显示设备来说,需要在显示设备的显示面板上开孔,才能保证能在显示设备的显示面板开孔区设置摄像头等功能器件。然而,在进行屏下摄像头开孔时,一般在显示面板制作完成发光层及封装膜层后利用激光在封装膜层一侧进行开孔操作。
由于有机发光二极管显示器件的发光层的有机材料对外界水氧相当敏感,需要对器件进行薄膜封装以阻挡外界水氧对发光材料的侵蚀,然而在形成的开孔处的发光层受不到封装膜层包覆,此时封装膜层起不到保护发光层的作用。
并且封装膜层采用无机材料制成,当使用激光在显示面板的封装膜层上开孔时,会使得封装膜层产生裂纹的风险,导致封装层的完整性受到破坏,严重影响器件的封装性能,大大降低了器件的使用寿命。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种有机发光二极管显示面板及其制作方法,解决了有机发光二极管显示面板的屏下摄像头开孔时造成封装膜层产生裂纹的问题,并实现了在开孔后确保发光区完整和封装区有效,从而提高了有机发光二极管显示面板的使用寿命。
为了解决上述问题,本发明提供一种有机发光二极管显示面板,包括层叠设置的基板、驱动电路层、有机发光二极管层和薄膜封装层。具体地讲,所述基板上设有第一通孔;所述驱动电路层设于所述基板上;所述驱动电路层对应所述基板的第一通孔的位置设有与第一通孔直径相等的第二通孔;所述有机发光二极管层设于所述驱动电路层上;所述有机发光二极管层对应所述第一通孔和第二通孔的位置设有第三通孔;所述第三通孔的直径大于所述第二通孔的直径;所述薄膜封装层设于所述有机发光二极管层上;所述薄膜封装层包覆所述有机发光二极管层。
进一步地,所述薄膜封装层延伸并穿过所述第三通孔且进一步延伸至所述驱动电路层上;所述薄膜封装层完全覆盖所述有机发光二极管层。
进一步地,所述薄膜封装层包括与所述第一通孔对应设置的第四通孔;所述第四通孔的直径与所述第一通孔的直径相等。
进一步地,所述有机发光二极管层包括层叠设置的缓冲层、空穴注入传输层、功能层、发光层、掺杂电子传输层、阴极层和覆盖层。具体地讲,所述空穴注入传输层设于所述缓冲层上;所述功能层设于所述空穴注入传输层上;所述发光层设于所述功能层上;所述掺杂电子传输层设于所述发光层上;所述阴极层设于所述掺杂电子传输层上;所述覆盖层设于所述阴极层上。
本发明还提供一种有机发光二极管显示面板的制作方法,包括以下步骤:
提供一基板;
在所述基板上制作驱动电路层;
在所述驱动电路层上贴附一遮挡薄片;
在所述驱动电路层上制作有机发光二极管层;所述有机发光二极管层对应所述遮挡薄片位置形成第三通孔;所述第三通孔与所述遮挡薄片的直径相等;
采用激光在对应于所述遮挡薄片位置切割,在所述驱动电路层上形成第二通孔,在所述基板上形成第一通孔并移除所述遮挡薄片;所述第二通孔的直径等于所述第一通孔的直径;所述第一通孔的直径小于所述遮挡薄片的直径;以及
在所述有机发光二极管层上制作薄膜封装层,所述薄膜封装层包覆所述有机发光二极管层。
进一步地,所述遮挡薄片在20℃的热膨胀系数为1.4×10-6/℃-1.8×10-6/℃。
进一步地,所述遮挡薄片的导热系数为0.026cal/cm·sec·℃-0.032cal/cm·sec·℃。
进一步地,所述遮挡薄片的材质包括因瓦合金,所述遮挡薄片的厚度为50um-100um。
进一步地,所述贴附一遮挡薄片的方式包括通过无机耐高温粘合剂实现所述遮挡薄片与所述基板的紧密贴合。
进一步地,所述在所述驱动电路层上制作有机发光二极管层的步骤具体包括:
在所述驱动电路层上制作缓冲层;
在所述缓冲层上制作空穴注入传输层;
在所述空穴注入传输层上制作功能层;
在所述功能层上制作发光层;
在所述发光层上制作掺杂电子传输层;
在所述掺杂电子传输层上制作阴极层;以及
在所述阴极层上制作覆盖层。
本发明的有益效果在于,提供一种有机发光二极管显示面板及其制作方法,通过使用遮挡薄片遮挡电路驱动层后再制作有机发光二极管层,并使用激光切割开孔后再进行封装,能够确保所述薄膜封装层包覆所述有机发光二极管层起保护作用,实现了发光区的完整性和封装区的有效性,从而提高了有机发光二极管显示面板的使用寿命。并且此方法无需二次蒸镀成膜,大大提高了产能和材料利用率;无需新增掩模板,大大降低了其设计和制作难度,从而有效节约成本;只需在蒸镀成膜工序段前后分别增加对位贴合机和激光切割机即可快速实现量产。
附图说明
图1为本发明实施例中一种有机发光二极管显示面板的结构示意图;
图2为本发明实施例中所述有机发光二极管层的结构示意图;
图3为本发明的实施例中一种有机发光二极管显示面板的制作方法的流程图;
图4为图3中完成制作所述有机发光二极管层步骤的结构示意图;
图5为图3中完成激光切割并完全去除所述遮挡薄片的俯视图;
图6为本发明的实施例中所述有机发光二极管层的制作方法的流程图。
图中部件标识如下:
1、基板,2、驱动电路层,3、有机发光二极管层,4、薄膜封装层,
10、遮挡薄片,11、第一通孔,12、第二通孔,13、第三通孔,
14、第四通孔,20、无机耐高温粘合剂,31、缓冲层,
32、空穴注入传输层,33、功能层,34、发光层,35、掺杂电子传输层,
36、阴极层,37、覆盖层,100、有机发光二极管显示面板。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
请参阅图1所示,本发明的第一实施例中提供一种有机发光二极管显示面板100,包括层叠设置的基板1、驱动电路层2、有机发光二极管层3和薄膜封装层4。在对应摄像头的位置开设用于安装摄像头的通孔,所述通孔具体包括第一通孔11、第二通孔12、第三通孔13及环绕所述第三通孔13的第四通孔14。所述第一通孔11、第二通孔12、第四通孔14的直径相同,构成对应的摄像头位置的开孔。所述第三通孔13的直径大于所述第四通孔14的直径,以便所述薄膜封装层4包覆所述有机发光二极管层3。
具体地讲,所述基板1上设有所述第一通孔11;所述驱动电路层2设于所述基板1上;所述驱动电路层2对应所述基板1的第一通孔11的位置设有与所述第一通孔11直径相等的所述第二通孔12;所述有机发光二极管层3设于所述驱动电路层2上;所述有机发光二极管层3对应所述第一通孔11和所述第二通孔12的位置设有所述第三通孔13,所述第三通孔13的直径大于所述第二通孔12的直径;所述薄膜封装层4设于所述有机发光二极管层3上;所述薄膜封装层4包覆所述有机发光二极管层3起到保护作用。所述薄膜封装层4包括与所述第一通孔11对应设置的第四通孔14,所述第四通孔14的直径与所述第一通孔11的直径相等。
其中,所述第三通孔13的直径比所述第二通孔12的直径大80um-120um,优选所述第三通孔13的直径比所述第二通孔12的直径大100um。所述驱动电路层2包括薄膜晶体管,为整个有机发光二极管显示面板100提供电路支持。所述薄膜封装层4减少了水氧入侵的可能性,提高了有机发光二极管显示面板100的性能。
在本实施例中,所述薄膜封装层4延伸并穿过所述第三通孔13且进一步延伸至所述驱动电路层2上;所述薄膜封装层4完全覆盖所述有机发光二极管层3。所述薄膜封装层4在环绕所述第三通孔13的位置即为所述第四通孔14。
请参阅图2所示,在本实施例中,所述有机发光二极管层3包括层叠设置的缓冲层31、空穴注入传输层32、功能层33、发光层34、掺杂电子传输层35、阴极层36和覆盖层37。具体地讲,所述空穴注入传输层32设于所述缓冲层31上;所述功能层33设于所述空穴注入传输层32上;所述发光层34设于所述功能层33上;所述掺杂电子传输层35设于所述发光层34上;所述阴极层36设于所述掺杂电子传输层35上;所述覆盖层37设于所述阴极层36上。
其中,所述缓冲层31的材质为聚酰亚胺(PI)或其他缓冲材质,起到缓冲保护的作用。所述发光层34获得电信号,用以发光。所述覆盖层37完全包覆于所述阴极层36的上表面,起到保护薄膜晶体管层的作用,减少水氧入侵的可能性,提高显示面板的性能。
请参阅图3所示,本发明还提供一种有机发光二极管显示面板100的制作方法,包括以下步骤:
S1、提供一基板1;
S2、在所述基板1上制作驱动电路层2;
S3、在所述驱动电路层2上利用无机耐高温粘合剂20将一遮挡薄片10贴附于所述驱动电路层2上,所述遮挡薄片10为圆形;
S4、在所述驱动电路层2上制作有机发光二极管层3;在所述有机发光二极管层3形成时,部分所述有机发光二极管层3形成在所述遮挡薄片10上,使得所述有机发光二极管层3对应所述遮挡薄片10位置形成第三通孔13;所述第三通孔13的直径等于所述遮挡薄片10的直径,完成制作所述有机发光二极管层3步骤的结构示意图参见图4;
S5、采用激光在对应于所述遮挡薄片10位置切割(图4中虚线位置),在所述驱动电路层2上形成第二通孔12,在所述基板1上形成第一通孔11并移除所述遮挡薄片10;由于在所述驱动电路层2上利用无机耐高温粘合剂20将一遮挡薄片10贴附于所述驱动电路层2上,所述无机耐高温粘合剂20的范围小于所述第二通孔12的直径或所述第一通孔11的直径的范围,可便于在采用激光对所述遮挡薄片10切割后能保证所述遮挡薄片10脱落,便于所述遮挡薄片10以及形成在所述遮挡薄片10背离所述驱动电路层2的一面的部分所述有机发光二极管层3全部去除;所述第二通孔12的直径等于所述第一通孔11的直径;所述第一通孔11的直径小于所述遮挡薄片10的直径,即所述第三通孔13的直径小于所述遮挡薄片10的直径,如图5所示为完成激光切割并完全去除所述遮挡薄片10的俯视图,在对应所述第三通孔13的位置裸露所述驱动电路层2;以及
S6、在所述有机发光二极管层3上制作薄膜封装层4,所述薄膜封装层4延伸并穿过所述第三通孔13且进一步延伸至所述驱动电路层2上,使得所述薄膜封装层4包覆所述有机发光二极管层3起到保护作用。其结构请参阅图1所示。
本实施例所述的显示面板的制备方法中通过使用所述遮挡薄片10遮挡制作所述有机发光二极管层3形成所述第三通孔13,然后再通过激光切割所述驱动电路层2和所述基板1从而在所述驱动电路层2上形成第二通孔12并在所述基板1上形成第一通孔11,因为所述第二通孔12的直径等于所述第一通孔11的直径且两者均小于所述第三通孔13的直径,因此使得在制作所述薄膜封装层4时能够使得所述薄膜封装层4完全覆盖所述有机发光二极管层3和所述驱动电路层2,用以增强显示面板阻隔水氧的性能,改善封装膜层的封装效果,延长显示面板的使用寿命。并且所述薄膜封装层4在与对应所述第一通孔11的位置形成第四通孔14,所述第四通孔14的直径等于所述第一通孔11的直径,即所述第一通孔11和所述第四通孔14共同构成能够确保发光区完整和封装区有效的开孔,用于安装摄像头实现有机发光二极管显示面板100的屏下摄像头(Camera Under Panel,CUP)技术。
在本实施例中,所述遮挡薄片10在20℃的热膨胀系数为1.4×10-6/℃-1.8×10-6/℃,优选1.6×10-6/℃。热膨胀系数的范围能够确保所述遮挡薄片能在高温高真空环境(80℃~100℃、<5E-4Pa)下使用。
在本实施例中,所述遮挡薄片10的导热系数为0.026cal/cm·sec·℃-0.032cal/cm·sec·℃。导热系数的范围能够确保所述遮挡薄片能在高温高真空环境(80℃~100℃、<5E-4Pa)下使用。
在本实施例中,所述遮挡薄片10的材质包括因瓦合金(Invar)。因瓦合金,是铁镍合金的一种。所述遮挡薄片10的厚度范围为50um-100um。
在本实施例中,所述贴附一遮挡薄片10的方式包括通过无机耐高温粘合剂20实现所述遮挡薄片10与所述基板1的紧密贴合。所述无机耐高温粘合剂20优选XZ-T002型号,以确保其能在高温高真空环境(80℃~100℃、<5E-4Pa)下使用。
另外,所述遮挡薄片10的贴合精度通过标识(Mark)对位实现。
如图5所示,本发明实施例中的所述遮挡薄片10、所述第一通孔11、所述第二通孔12、所述第三通孔13和所述第四通孔14均为圆形。激光切割的路径也是圆弧形。其中所述第一通孔11和所述第二通孔12的形状由激光切割的路径决定,所述第三通孔13和所述第四通孔14的形状由所述遮挡薄片10的形状决定。
值得说明的是,在其他实施例中所述遮挡薄片10、所述第一通孔11、所述第二通孔12、所述第三通孔13和所述第四通孔14可根据需要将其同时设为矩形、三角形、多边形等,此时只需将所述遮挡薄片10和激光切割的路径设置成相应的形状即可实现,这样设置有助于多元化发展。
请参阅图6所示,在本实施例中,步骤S6中所述在所述驱动电路层2上制作有机发光二极管层3的步骤具体包括:
S11、制作缓冲层31;
S12、在所述缓冲层31上制作空穴注入传输层32;
S13、在所述空穴注入传输层32上制作功能层33;
S14、在所述功能层33上制作发光层34;
S15、在所述发光层34上制作掺杂电子传输层35;
S16、在所述掺杂电子传输层35上制作阴极层36;以及
S17、在所述阴极层36上制作覆盖层37。
本发明的有益效果在于,提供一种有机发光二极管显示面板及其制作方法,通过使用遮挡薄片遮挡电路驱动层后再制作有机发光二极管层,并使用激光切割开孔后再进行封装,能够确保所述薄膜封装层包覆所述有机发光二极管层起保护作用,实现了发光区的完整性和封装区的有效性,从而提高了有机发光二极管显示面板的使用寿命。并且此方法无需二次蒸镀成膜,大大提高了产能和材料利用率;无需新增掩模板,大大降低了其设计和制作难度,从而有效节约成本;只需在蒸镀成膜工序段前后分别增加对位贴合机和激光切割机即可快速实现量产。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示面板,其特征在于,包括:
基板,设有第一通孔;
驱动电路层,设于所述基板上;所述驱动电路层对应所述基板的第一通孔的位置设有与第一通孔直径相等的第二通孔;
有机发光二极管层,设于所述驱动电路层上;所述有机发光二极管层对应所述第一通孔和第二通孔的位置设有第三通孔;所述第三通孔的直径大于所述第二通孔的直径;以及
薄膜封装层,设于所述有机发光二极管层上;其中,所述薄膜封装层包覆所述有机发光二极管层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述薄膜封装层延伸并穿过所述第三通孔且进一步延伸至所述驱动电路层上;所述薄膜封装层完全覆盖所述有机发光二极管层。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述薄膜封装层包括与所述第一通孔对应设置的第四通孔;所述第四通孔的直径与所述第一通孔的直径相等。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管层包括:
缓冲层;
空穴注入传输层,设于所述缓冲层上;
功能层,设于所述空穴注入传输层上;
发光层,设于所述功能层上;
掺杂电子传输层,设于所述发光层上;
阴极层,设于所述掺杂电子传输层上;以及
覆盖层,设于所述阴极层上。
5.一种有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
提供一基板;
在所述基板上制作驱动电路层;
在所述驱动电路层上贴附一遮挡薄片;
在所述驱动电路层上制作有机发光二极管层;所述有机发光二极管层对应所述遮挡薄片位置形成第三通孔;所述第三通孔与所述遮挡薄片的直径相等;
采用激光在对应于所述遮挡薄片位置切割,在所述驱动电路层上形成第二通孔,在所述基板上形成第一通孔并移除所述遮挡薄片;所述第二通孔的直径等于所述第一通孔的直径;所述第一通孔的直径小于所述遮挡薄片的直径;以及
在所述有机发光二极管层上制作薄膜封装层,所述薄膜封装层包覆所述有机发光二极管层。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述遮挡薄片在20℃的热膨胀系数为1.4×10-6/℃-1.8×10-6/℃。
7.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述遮挡薄片的导热系数为0.026cal/cm·sec·℃-0.032cal/cm·sec·℃。
8.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述遮挡薄片的材质包括因瓦合金,所述遮挡薄片的厚度为50um-100um。
9.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述贴附一遮挡薄片的方式包括通过无机耐高温粘合剂实现所述遮挡薄片与所述基板的紧密贴合。
10.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述驱动电路层上制作有机发光二极管层的步骤具体包括:
在所述驱动电路层上制作缓冲层;
在所述缓冲层上制作空穴注入传输层;
在所述空穴注入传输层上制作功能层;
在所述功能层上制作发光层;
在所述发光层上制作掺杂电子传输层;
在所述掺杂电子传输层上制作阴极层;以及
在所述阴极层上制作覆盖层。
CN201910552660.3A 2019-06-25 2019-06-25 有机发光二极管显示面板及其制作方法 Active CN110350004B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910552660.3A CN110350004B (zh) 2019-06-25 2019-06-25 有机发光二极管显示面板及其制作方法
US16/630,450 US20200411776A1 (en) 2019-06-25 2019-10-21 Organic light emitting diode display panel and method of manufacturing thereof
PCT/CN2019/112166 WO2020258607A1 (zh) 2019-06-25 2019-10-21 有机发光二极管显示面板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910552660.3A CN110350004B (zh) 2019-06-25 2019-06-25 有机发光二极管显示面板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110350004A true CN110350004A (zh) 2019-10-18
CN110350004B CN110350004B (zh) 2021-06-01

Family

ID=68182961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910552660.3A Active CN110350004B (zh) 2019-06-25 2019-06-25 有机发光二极管显示面板及其制作方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110350004B (zh)
WO (1) WO2020258607A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111028788A (zh) * 2019-12-19 2020-04-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素结构及显示装置
WO2020258607A1 (zh) * 2019-06-25 2020-12-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101595575A (zh) * 2007-01-30 2009-12-02 伊斯曼柯达公司 具有高效率和优异寿命的oled
CN108123051A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备、显示装置及照明装置
CN108428728A (zh) * 2018-05-14 2018-08-21 云谷(固安)科技有限公司 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示装置
KR20180115387A (ko) * 2017-04-12 2018-10-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109873015A (zh) * 2019-02-27 2019-06-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管面板及其制造方法
US20190189718A1 (en) * 2017-12-18 2019-06-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110350004B (zh) * 2019-06-25 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101595575A (zh) * 2007-01-30 2009-12-02 伊斯曼柯达公司 具有高效率和优异寿命的oled
CN108123051A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备、显示装置及照明装置
KR20180115387A (ko) * 2017-04-12 2018-10-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20190189718A1 (en) * 2017-12-18 2019-06-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN108428728A (zh) * 2018-05-14 2018-08-21 云谷(固安)科技有限公司 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法、显示装置
CN109873015A (zh) * 2019-02-27 2019-06-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管面板及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020258607A1 (zh) * 2019-06-25 2020-12-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制作方法
CN111028788A (zh) * 2019-12-19 2020-04-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素结构及显示装置
US11004908B1 (en) 2019-12-19 2021-05-11 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Pixel structure and display device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020258607A1 (zh) 2020-12-30
CN110350004B (zh) 2021-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109817684B (zh) 柔性oled模组堆叠结构及其制备方法
KR100685853B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US11282904B2 (en) Organic light emitting diode display device, method of manufacturing the OLED display device, and electronic device
CN110071156B (zh) Oled显示面板及其制备方法
US7554263B2 (en) Light emitting device having transparent film varying refractive index and manufacturing method thereof
US7495390B2 (en) Electro-luminescence device with improved thermal conductivity
JP2011216492A (ja) 平板表示装置の製造方法
EP1437777A2 (en) Manufacturing method of light emitting device and manufacturing device thereof
CN110364560A (zh) Oled显示面板
WO2015014036A1 (zh) 柔性有机发光二极管显示器及其制备方法
CN108847451A (zh) 一种柔性oled器件及其制备方法
CN108539051A (zh) 显示面板及其制作方法
US20210343990A1 (en) Display panel and manufacturing thereof
CN110350004A (zh) 有机发光二极管显示面板及其制作方法
JP2013118171A (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
CN109346622A (zh) Oled阵列基板及其制作方法
WO2020215421A1 (zh) 显示面板及其封装方法、显示装置
CN110212107A (zh) 一种显示屏及电子装置
CN109904344A (zh) 薄膜封装结构及其制备方法
CN205141030U (zh) 一种amoled封装结构
CN107359267B (zh) 一种amoled防水封装结构
CN108767127A (zh) 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
CN109360903A (zh) 有机发光二极管显示器及其制造方法
KR102094143B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법
JP2002050471A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant