CN110335933A - 一种显示面板及其制作方法和显示设备 - Google Patents

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Abstract

本文提供了一种显示面板及其制作方法和显示设备。显示面板包括：具有量子点单元的量子点结构层，量子点单元包括散射内核和量子点包覆层，量子点包覆层包覆散射内核，散射内核用于散光；用于汇聚光线成光束的棱镜层，位于量子点结构层的一侧，棱镜层汇聚成的光束照射至散射内核上；和发光单元，设置在棱镜层的背向量子点结构层的一侧，用于向棱镜层照射光线。该显示面板，发光单元发射的光线照射至棱镜层上，棱镜层将照射至其上的光线汇聚成光束、并将汇聚成的光束集中照射至散射内核上，散射内核对照射至其上的光束再进行散射，使其散射照射至量子点包覆层上，可以提升量子点包覆层对光的转化率。

Description

一种显示面板及其制作方法和显示设备
技术领域
本文涉及显示设备技术领域，尤指一种显示面板、一种显示面板的制作方法和一种显示设备。
背景技术
量子点用于显示面板，具有寿命长、色域广等优点，但是也存在光转化效率不高的问题。为了提高量子点的光转化效率，通常情况下，需要增加量子点结构层的厚度(厚度增加，量子点结构层内的量子点数量增加，光线照射至量子点上的数量增加，光的转化率提高)，然而在制程上受打印喷头容易堵塞的限制，量子点结构层很难做厚。
发明内容
为了解决上述技术问题中的至少之一，本文提供了一种显示面板，能够提升量子点对光的转化率。
本文还提供了一种显示面板的制作方法和一种显示设备。
本发明实施例提供的显示面板，包括：具有量子点单元的量子点结构层，所述量子点单元包括散射内核和量子点包覆层，所述量子点包覆层包覆所述散射内核，所述散射内核用于散光；用于汇聚光线成光束的棱镜层，位于所述量子点结构层的一侧，所述棱镜层汇聚成的光束照射至所述散射内核上；和发光单元，设置在所述棱镜层的背向所述量子点结构层的一侧，用于向所述棱镜层照射光线。
可选地，所述显示面板还包括：反射层，位于所述量子点结构层和所述棱镜层之间，所述反射层上设置有过光孔，所述过光孔正对所述散射内核，用于供所述棱镜层汇聚的光束通过。
可选地，所述量子点结构层包括：基底层，其上设置有呈阵列排布的容纳部；和设置于所述容纳部内的所述量子点单元。
可选地，所述散射内核为氧化钛或氧化锌，所述散射内核的直径为1微米，所述量子点包覆层的厚度为2～4微米。
可选地，所述发光单元为蓝光光源、OLED光源或micro LED光源，所述发光单元发射的光线为平行光线。
可选地，所述显示面板还包括：平坦层，位于所述棱镜层和所述发光单元之间。
本发明提供的显示设备，包括有上述任一实施例所述的显示面板。
本发明提供的显示面板的制作方法，包括：
在衬底上形成基底层；
在所述基底层上形成棱镜层，所述棱镜层用于汇聚光线成光束；和
在所述棱镜层上形成发光单元，所述发光单元用于向所述棱镜层照射光线；
去除所述衬底，所述基底层上具有容纳部，在所述容纳部内形成量子点单元，所述量子点单元包括散射内核和量子点包覆层，所述量子点包覆层包覆所述散射内核，所述棱镜层汇聚成的光束照射至散射内核上，所述散射内核用于散光。
可选地，在所述基底层上形成棱镜层之前，所述方法还包括：在所述基底层上形成反射层，所述棱镜层形成在所述反射层上；其中，所述反射层上具有过光孔，所述过光孔正对所述散射内核，所述棱镜层汇聚成的光束穿过所述过光孔照射至所述散射内核上。
可选地，在所述棱镜层上形成发光单元之前，所述方法还包括：在所述棱镜层上形成平坦层，所述发光单元形成在所述平坦层上。
与现有技术相比，本发明实施例提供的显示面板，发光单元发射的光线照射至棱镜层上，棱镜层将照射至其上的光线汇聚成光束、并将汇聚成的光束集中照射至散射内核上，散射内核对照射至其上的光束再进行散射，使其散射照射至量子点包覆层上，可以提升量子点包覆层对光的转化率。
本文的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本文而了解。本文的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本文技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本文的技术方案，并不构成对本文技术方案的限制。
图1至图8为本发明一个实施例所述的显示面板制作过程所对应的剖视结构示意图；
图9为图8中量子点单元的剖视结构示意图；
图10为光线经过棱镜层200照射至量子点单元上的光路图；
图11为散布量子点单元的散布头的结构示意图；
图12为本发明一个实施例所述的显示面板的显示效果彩图。
其中，图1至图11中附图标记与部件名称之间的对应关系为：
100量子点结构层，110量子点单元，111散射内核，112量子点包覆层，120基底层，121容纳部，200棱镜层，300发光单元，400反射层，401过光孔，500平坦层，600阻隔坝，700衬底，800封装层，900散布头。
具体实施方式
为使本文的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本文的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
实施例一
本发明实施例提供的显示面板，如图8至图10所示，包括：具有量子点单元110的量子点结构层100，量子点单元110包括散射内核111和量子点包覆层112，量子点包覆层112包覆散射内核111，散射内核111用于散光；用于汇聚光线成光束的棱镜层200，位于量子点结构层100的一侧，棱镜层200汇聚成的光束照射至散射内核111上；和发光单元300，设置在棱镜层200的背向量子点结构层100的一侧，用于向棱镜层200照射光线。
该显示面板，发光单元300发射的光线照射至棱镜层200上，如图10所示，棱镜层200将照射至其上的光线汇聚成光束、并将汇聚成的光束集中照向量子点单元110，由于光束内的光线密集，光束透过量子点包覆层112照射至散射内核111上，量子点包覆层112先仅将少部分光线进行转化，转化后的光线以及未转化的光线照射在散射内核111上，经过散射内核111散射使得光线以不同的角度分散反射出，光线分散后再次透过量子点包覆层112，单位量子点包覆层112上光线的量减小，此时未被转化的光线就能够更大程度的被量子点包覆层112转化，可以提升量子点包覆层112对光的转化率。如图12所示，光线分散后均匀点亮量子点，量子点包覆层112对光的转化率至少可以提高10％。
为了更好地提升显示面板的显示亮度，如图8所示，显示面板还包括：反射层400，位于量子点结构层100和棱镜层200之间，反射层400上设置有过光孔401，过光孔401正对散射内核111，用于供棱镜层200汇聚的光束通过。
光束经散射内核111散射后照射至量子点包覆层112，量子点包覆层112发射出设定颜色的光线，这些光线沿多个方向发射出，部分光线直接自量子点结构层100的正面射出，另一部分光线经过反射层400反射后，也自量子点结构层100的正面射出，显示面板的显示亮度更好。
具体地，如图8所示，量子点结构层100包括：基底层120，其上设置有呈阵列排布的容纳部121；和设置于容纳部121内的量子点单元110，容纳部121与显示面板的像素相对应，发光单元300可以包括呈阵列排布的多个发光子单元，多个发光子单元的两侧设置有挡光的阻隔坝600(一个发光子单元可以对应一个像素，一个像素可以包括三个或四个子像素)，使得发光子单元发射的光线全部照射至相应的棱镜层200上、并经棱镜层200汇聚全部照射至相对应的散射内核111上，容纳部121可以是容纳孔。
散射内核111可以为氧化钛或氧化锌，其直径可以配置为0.5～2微米，如为1微米，量子点包覆层112的厚度可以配置为2～4微米，如为3微米，制成的量子点结构层100的厚度较薄，棱镜层200的中心与散射内核111之间的距离可以设置为5微米左右。散射内核111通过化学团聚，量子点包覆层112通过溶胶凝胶法在散射内核111上生长形成。
具体地，发光单元300可以配置为整面的蓝光光源，或者可以配置为OLED光源或micro LED光源等，发光单元300发射的光线优选配置为平行光线，更利于棱镜层200汇聚光线。
具体地，如图8所示，显示面板还包括：平坦层500，位于棱镜层200和发光单元300之间，发光单元300能够更容易地制作在平坦层500上。
该显示面板，可以采用以下方法制作：
如图1所示，在衬底700上制作基底层120；
如图2所示，在基底层120上制作反射层400；
如图3所示，在反光层上制作棱镜层200，棱镜层200可以通过纳米压印等工艺制作；
如图4所示，在棱镜层200上制作平坦层500，如图5所示，然后在平坦层500上制作发光单元300和阻隔坝600，发光单元300位于阻隔坝600限定的区域内，发光单元300对应于像素，发光单元300可以为micro LED；
如图7所示，去除衬底700，在基底层120上制作容纳部121，在反光层上制作过光孔401，容纳部121和过光孔401可以通过一次构图工艺制作成；
如图8和图11所示，可以采用散布头900通过静电控制法向容纳部121内填入量子点单元110，量子点单元110包括散射内核111和量子点包覆层112，量子点包覆层112包覆散射内核111，散射内核111正对过光孔401，棱镜层200汇聚的光线穿过过光孔401照射至散射内核111上。
在去除衬底700之前(如图6所示)或之后，可以在发光单元300和阻隔坝600上制作封装层800。图11为散布头散布量子点单元的剖视结构图。
实施例二
本发明提供的显示设备(图中未示出)，包括上述任一实施例的显示面板。
本发明提供的显示设备，发光单元发射的光线照射至棱镜层上，棱镜层将照射至其上的光线汇聚成光束、并将汇聚成的光束集中照射至散射内核上，散射内核对照射至其上的光束再进行散射，使其散射照射至量子点包覆层上，可以提升量子点包覆层对光的转化率，显示设备的使用性能更好。
实施例三
本发明提供的显示面板的制作方法(图中未示出)，包括：
如图1所示，在衬底700上形成基底层120；
在基底层120上形成棱镜层200，棱镜层200用于汇聚光线成光束；和
在棱镜层200上形成发光单元300，发光单元300用于向棱镜层200照射光线；
如图8所示，去除衬底，基底层120上具有容纳部121，在容纳部121内形成量子点单元110，量子点单元110包括散射内核111和量子点包覆层112，量子点包覆层112包覆散射内核111，棱镜层200汇聚成的光束照射至散射内核111上，散射内核111用于散光。
该显示面板的制作方法，发光单元300发射的光线照射至棱镜层200上，棱镜层200将照射至其上的光线汇聚成光束、并将汇聚成的光束集中照射至散射内核111上，散射内核111对照射至其上的光束再进行散射，使其散射照射至量子点包覆层112上，可以提升量子点包覆层112对光的转化率。
发光单元300可以通过蒸镀的方式制作成，然后在发光单元300外侧形成阻隔坝600，发光单元300包括多个呈阵列排布发光子单元，阻隔坝600限定发光子单元。一个发光子单元可以对应一个像素，一个像素可以包括三个或四个子像素(如图8所示)，一个子像素对应一个量子点单元110。
较好地，如图2和图3所示，在基底层120上形成棱镜层200之前，该方法还包括：在基底层120上形成反射层400，棱镜层200形成在反射层400上；其中，反射层400上具有过光孔401，过光孔401正对散射内核111，棱镜层200汇聚成的光束穿过过光孔401照射至散射内核111上。
光束经散射内核111散射后照射至量子点包覆层112，量子点包覆层112发射出设定颜色的光线，这些光线沿多个方向发射出，部分光线直接自基底层120的正面射出，另一部分光线经过反射层400反射后，也自基底层120的正面射出，显示面板的显示亮度更好。
较好地，如图3至图5所示，在棱镜层200上形成发光单元300之前，该方法还包括：在棱镜层200上形成平坦层500，发光单元300形成在平坦层500上，发光单元300可以为OLED光源或micro LED光源，设置平坦层500更利于制作OLED光源或micro LED光源。当然，发光单元300也可以是整面的蓝光光源等，也可实现本申请的目的，其宗旨未脱离本发明的设计思想，在此不再赘述，均应属于本申请的保护范围内。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板，发光单元发射的光线照射至棱镜层上，棱镜层将照射至其上的光线汇聚成光束、并将汇聚成的光束集中照射至散射内核上，散射内核对照射至其上的光束再进行散射，使其散射照射至量子点包覆层上，可以提升量子点包覆层对光的转化率。
在本文的描述中，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本文中的具体含义。
在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本文的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
虽然本文所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本文而采用的实施方式，并非用以限定本文。任何本文所属领域内的技术人员，在不脱离本文所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本文的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
具有量子点单元的量子点结构层，所述量子点单元包括散射内核和量子点包覆层，所述量子点包覆层包覆所述散射内核，所述散射内核用于散光；
用于汇聚光线成光束的棱镜层，位于所述量子点结构层的一侧，所述棱镜层汇聚成的光束照射至所述散射内核上；和
发光单元，设置在所述棱镜层的背向所述量子点结构层的一侧，用于向所述棱镜层照射光线。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
反射层，位于所述量子点结构层和所述棱镜层之间，所述反射层上设置有过光孔，所述过光孔正对所述散射内核，用于供所述棱镜层汇聚的光束通过。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述量子点结构层包括：
基底层，其上设置有呈阵列排布的容纳部；和
设置于所述容纳部内的所述量子点单元。
4.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述散射内核为氧化钛或氧化锌，所述散射内核的直径为1微米，所述量子点包覆层的厚度为2～4微米。
5.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元为蓝光光源、OLED光源或micro LED光源，所述发光单元发射的光线为平行光线。
6.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，还包括：
平坦层，位于所述棱镜层和所述发光单元之间。
7.一种显示设备，其特征在于，包括有如权利要求1至6中任一项所述的显示面板。
8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成基底层；
在所述基底层上形成棱镜层，所述棱镜层用于汇聚光线成光束；和
在所述棱镜层上形成发光单元，所述发光单元用于向所述棱镜层照射光线；
去除所述衬底，所述基底层上具有容纳部，在所述容纳部内形成量子点单元，所述量子点单元包括散射内核和量子点包覆层，所述量子点包覆层包覆所述散射内核，所述棱镜层汇聚成的光束照射至散射内核上，所述散射内核用于散光。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述基底层上形成棱镜层之前，还包括：
在所述基底层上形成反射层，所述棱镜层形成在所述反射层上；
其中，所述反射层上具有过光孔，所述过光孔正对所述散射内核，所述棱镜层汇聚成的光束穿过所述过光孔照射至所述散射内核上。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述棱镜层上形成发光单元之前，还包括：
在所述棱镜层上形成平坦层，所述发光单元形成在所述平坦层上。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021227121A1 (zh) * 2020-05-11 2021-11-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106501994A (zh) * 2015-09-08 2017-03-15 青岛海信电器股份有限公司 一种量子点发光器件、背光模组及显示装置
JP2018055885A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 光源装置および表示装置
CN108107628A (zh) * 2017-12-14 2018-06-01 京东方科技集团股份有限公司 量子点显示组件及制作方法、显示装置及其控制方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106501994A (zh) * 2015-09-08 2017-03-15 青岛海信电器股份有限公司 一种量子点发光器件、背光模组及显示装置
JP2018055885A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 光源装置および表示装置
CN108107628A (zh) * 2017-12-14 2018-06-01 京东方科技集团股份有限公司 量子点显示组件及制作方法、显示装置及其控制方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021227121A1 (zh) * 2020-05-11 2021-11-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
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