CN110324013A - 补偿长时记忆效应的方法、装置及设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种补偿长时记忆效应的方法，包括：获取基带信号的短时功率及长时功率；根据短时功率、长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；根据当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；在预设矩阵查找表中得到与索引地址对应的函数值；根据函数值补偿延迟后的基带信号，得到补偿后的基带信号。本发明同时还公开了一种补偿长时记忆效应的装置及设备。

Description

补偿长时记忆效应的方法、装置及设备
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种补偿长时记忆效应的方法、装置及设备。
背景技术
氮化镓(GaN)功率放大器由于其效率高、功率密度大以及带宽宽的优势，被广泛应用于通信领域的基站中；但GaN功率放大器由于器件材料缘故存在特有的电子捕获特性，GaN功率放大器在一个周期性脉冲信号的冲激下，静态电流呈现缓慢降低的现象，这就是GaN功率放大器的电子捕获特性，这种特性一般在数毫秒才能稳定下来，这种特性会使得功率放大器的非线性失真表现出一种长时记忆效应，GaN功率放大器的长时记忆效应会导致失真呈现出毫秒级特性，而传统的数字预失真技术只能校正功率放大器的纳秒级失真，无法校正毫秒级失真，进而降低了基站的无线射频指标。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例期望提供一种补偿长时记忆效应的方法、装置及设备，能够对放大器的电子捕获效应进行快速校正，即实现了对功率放大器的长时记忆效应进行实时补偿，能够校正毫秒级失真，克服了传统预失真技术无法补偿毫秒级失真问题，提升了基站的无线射频指标。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
本发明实施例提供了一种补偿长时记忆效应的方法，所述方法包括：
获取基带信号的短时功率及长时功率；
根据所述短时功率、所述长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；
根据所述当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；
在预设矩阵查找表中得到与所述索引地址对应的函数值；
根据所述函数值补偿延迟后的所述基带信号，得到补偿后的所述基带信号。
在上述方案中，在所述获取基带信号的短时功率及长时功率之前，所述方法还包括：
采用单音和/或多音信号在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数；所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数为多维函数；
根据所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成所述预设矩阵查找表。
在上述方案中，所述根据所述短时功率、所述长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号，包括：
将所述短时功率减去所述长时功率，得到差值；
在所述差值大于第一预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为充电状态指示信号；
在所述差值小于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为放电状态指示信号；
在所述差值小于或等于第一预设门限值、大于或等于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为保持状态指示信号；
其中，所述预设门限范围是由所述第一预设门限值与所述第二预设门限值构成，所述第一预设门限值大于所述第二预设门限值。
在上述方案中，所述根据所述函数值补偿延迟后的所述基带信号，得到补偿后的所述基带信号，包括：
将所述函数值与所述延迟后的所述基带信号相乘，得到所述补偿后的所述基带信号。
在上述方案中，所述获取基带信号的短时功率及长时功率，包括：
根据如下公式分别获取所述基带信号的短时功率及长时功率，
其中，所述PowS(n)为所述短时功率，所述PowL(n)为所述长时功率，所述n为所述基带信号的采样序号，所述x(i)为所述基带信号，所述N为短时窗长，所述M为长时窗长，所述λ为记忆因子。
在上述方案中，所述参数信息，包括：电压、温度、平均功率和瞬时功率。
本发明实施例提供了一种补偿长时记忆效应的装置，所述装置包括：
获取模块，用于获取基带信号的短时功率及长时功率；
第一处理模块，用于根据所述短时功率、所述长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；
第二处理模块，用于根据所述当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；
查找模块，用于在预设矩阵查找表中得到与所述索引地址对应的函数值；
补偿模块，用于根据所述函数值补偿延迟后的所述基带信号，得到补偿后的所述基带信号。
在上述装置中，所述装置还包括：
训练模块，用于采用单音和/或多音信号在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数；所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数为多维函数；根据所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成所述预设矩阵查找表。
在上述装置中，所述第一处理模块，具体用于将所述短时功率减去所述长时功率，得到差值；在所述差值大于第一预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为充电状态指示信号；在所述差值小于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为放电状态指示信号；在所述差值小于或等于第一预设门限值、大于或等于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为保持状态指示信号；其中，所述预设门限范围是由所述第一预设门限值与所述第二预设门限值构成，所述第一预设门限值大于所述第二预设门限值。
在上述装置中，所述补偿模块，具体用于将所述函数值与所述延迟后的所述基带信号相乘，得到所述补偿后的所述基带信号。
在上述装置中，所述获取模块，具体用于根据如下公式分别获取所述基带信号的短时功率及长时功率，
其中，所述PowS(n)为所述短时功率，所述PowL(n)为所述长时功率，所述n为所述基带信号的采样序号，所述x(i)为所述基带信号，所述N为短时窗长，所述M为长时窗长，所述λ为记忆因子。
在上述装置中，所述参数信息，包括：电压、温度、平均功率和瞬时功率。
本发明实施例提供了一种补偿长时记忆效应的设备，所述设备包括：接口，总线，存储器，与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：
获取基带信号的短时功率及长时功率；
根据所述短时功率、所述长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；
根据所述当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；
在预设矩阵查找表中得到与所述索引地址对应的函数值；
根据所述函数值补偿延迟后的所述基带信号，得到补偿后的所述基带信号。
在上述设备中，所述处理器还被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：
采用单音和/或多音信号在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数；所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数为多维函数；
根据所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成所述预设矩阵查找表。
在上述设备中，所述处理器被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：
将所述短时功率减去所述长时功率，得到差值；
在所述差值大于第一预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为充电状态指示信号；
在所述差值小于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为放电状态指示信号；
在所述差值小于或等于第一预设门限值、大于或等于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为保持状态指示信号；
其中，所述预设门限范围是由所述第一预设门限值与所述第二预设门限值构成，所述第一预设门限值大于所述第二预设门限值。
在上述设备中，所述处理器被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：
将所述函数值与所述延迟后的所述基带信号相乘，得到所述补偿后的所述基带信号。
在上述设备中，所述处理器被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：
根据如下公式分别获取所述基带信号的短时功率及长时功率，
其中，所述PowS(n)为所述短时功率，所述PowL(n)为所述长时功率，所述n为所述基带信号的采样序号，所述x(i)为所述基带信号，所述N为短时窗长，所述M为长时窗长，所述λ为记忆因子。
在上述设备中，所述参数信息，包括：电压、温度、平均功率和瞬时功率。
本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有程序，所述程序可被处理器执行，以实现所述的补偿长时记忆效应的方法的步骤。
本发明提供的补偿长时记忆效应的方法、装置及设备，通过获取基带信号的短时功率及长时功率；根据短时功率、长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；根据当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；在预设矩阵查找表中得到与索引地址对应的函数值；根据函数值补偿延迟后的基带信号，得到补偿后的基带信号；能够对放大器的电子捕获效应进行快速校正，即实现了对功率放大器的长时记忆效应进行实时补偿，能够校正毫秒级失真，克服了传统预失真技术无法补偿毫秒级失真问题，提升了基站的无线射频指标。
附图说明
图1为本发明补偿长时记忆效应的方法实施例一的流程图；
图2为本发明补偿长时记忆效应的方法实施例二的流程图；
图3为本发明补偿长时记忆效应的方法实施例二的确定当前的工作状态指示信号的示意图；
图4为本发明补偿长时记忆效应的方法实施例二的得到函数值的示意图；
图5为本发明补偿长时记忆效应的方法实施例二的输出补偿后的基带信号的示意图；
图6为本发明补偿长时记忆效应的方法应用在4G基站的功率放大器上的示意图；
图7为本发明补偿长时记忆效应的装置实施例的结构示意图；
图8为本发明补偿长时记忆效应的设备实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
图1为本发明补偿长时记忆效应的方法实施例一的流程图，如图1所示，本发明实施例提供的补偿长时记忆效应的方法可以应用在补偿长时记忆效应的装置(以下简称装置)上，该方法可以包括如下步骤：
步骤101、获取基带信号的短时功率及长时功率。
装置实时获取基带信号的短时功率及长时功率；其中，基带信号可以为移动通信(Mobile Communications，MC)技术中的基带信号，该MC技术包括但不限于第二代移动通信技术(2-Generation，2G)、第三代移动通信技术(3rd-Generation，3G)、第四代移动通信技术(4th-Generation，4G)、第五代移动通信技术(5th-Generation，5G)以及未来的移动通信技术。
步骤102、根据短时功率、长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号。
装置根据获取到的短时功率、长时功率及预先设置的预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；其中，预设门限范围可以根据实际需求进行设置，在此不加以限制。
步骤103、根据当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址。
装置根据当前的工作状态指示信号和参数信息，得到一个索引地址。
步骤104、在预设矩阵查找表中得到与索引地址对应的函数值。
装置在预先设置的预设矩阵查找表中得到与索引地址对应的一个函数值。
步骤105、根据函数值补偿延迟后的基带信号，得到补偿后的基带信号。
装置在根据步骤104中得到的函数值对经过延迟后的基带信号进行补偿，最终得到补偿后的基带信号。
本发明实施例提供的补偿长时记忆效应的方法，通过获取基带信号的短时功率及长时功率；根据短时功率、长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；根据当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；在预设矩阵查找表中得到与索引地址对应的函数值；根据函数值补偿延迟后的基带信号，得到补偿后的基带信号；能够对放大器的电子捕获效应进行快速校正，即实现了对功率放大器的长时记忆效应进行实时补偿，能够校正毫秒级失真，克服了传统预失真技术无法补偿毫秒级失真问题，提升了基站的无线射频指标。
为了更加体现出本发明的目的，在上述实施例的基础上，进一步的举例说明。
图2为本发明补偿长时记忆效应的方法实施例二的流程图，如图2所示，本发明实施例提供的补偿长时记忆效应的方法应用在针对GaN功率放大器的补偿长时记忆效应的装置(以下简称装置)上，该方法可以包括如下步骤：
步骤201、采用单音和/或多音信号在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数。
装置采用单音和/或多音信号针对GaN功率放大器在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数，该参数为多维函数。
其中，电压、温度及功率条件可以根据实际需求进行设置，在此不加以限制。
步骤202、根据在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成预设矩阵查找表。
装置将步骤201中得到的在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成一个预设矩阵查找表。
步骤203、对基带信号进行延迟，得到延迟后的基带信号。
装置将输入的基带信号进行延迟，得到延迟后的基带信号；其中，具体的延迟参数可以根据实际需求进行设置，在此不加以限制。
步骤204、获取基带信号的短时功率及长时功率。
装置获取基带信号的短时功率及长时功率；其中，可以采用但不限于如下方式对基带信号的短时功率及长时功率进行获取，根据公式
获取基带信号的短时功率及长时功率，其中，PowS(n)为短时功率，PowL(n)为长时功率，n为基带信号的采样序号，x(i)为基带信号，N为短时窗长，M为长时窗长，λ为记忆因子。
步骤205、根据短时功率、长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号。
具体的，装置先将短时功率减去长时功率，得到差值，再根据差值与预设门限范围的关系来确定得到当前的工作状态指示信号；其中，预设门限范围是由第一预设门限值与第二预设门限值构成，第一预设门限值大于第二预设门限值；具体的预设门限值可以根据实际需求设置，在此不加以赘述。
在差值大于第一预设门限值时，确定当前的工作状态指示信号为充电状态指示信号；
在差值小于第二预设门限值时，确定当前的工作状态指示信号为放电状态指示信号；
在差值小于或等于第一预设门限值、大于或等于第二预设门限值时，确定当前的工作状态指示信号为保持状态指示信号。
图3为本发明补偿长时记忆效应的方法实施例二的确定当前的工作状态指示信号的示意图，如图3所示，可以采用如下公式进行判断比较，得到当前的工作状态指示信号。
其中，Sta代表当前的工作状态指示信号，ChargeStatus代表充电状态指示信号，DisChargeStatus代表放电状态指示信号，HoldStatus代表保持状态指示信号，TH1代表第一预设门限值，TH0代表第二预设门限值。
步骤206、根据当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址。
装置根据步骤205中确定出的当前的工作状态指示信号和参数信息，得到一个高维函数索引地址；其中，参数信息包括了：电压、温度、平均功率和瞬时功率。
步骤207、在预设矩阵查找表中得到与索引地址对应的函数值。
装置在预设矩阵查找表中查到到与步骤206中的索引地址对应的函数值，该函数值为多维非线性函数值。
图4为本发明补偿长时记忆效应的方法实施例二的得到函数值的示意图，如图4所示，装置根据当前的工作状态指示信号、电压、温度、平均功率和瞬时功率，得到一个高维函数索引地址；之后，在预设矩阵查找表中查到与该多维非线性函数值对应的多维非线性函数值。
步骤208、将函数值与延迟后的基带信号相乘，得到补偿后的基带信号。
图5为本发明补偿长时记忆效应的方法实施例二的输出补偿后的基带信号的示意图，如图5所示，装置将多维非线性函数值与延迟后的基带信号相乘，得到补偿后的基带信号；例如，根据公式y(n)＝x(n)*f(n)计算得到补偿后的基带信号，其中，y(n)为补偿后的基带信号，x'(n)为延迟后的基带信号，f(n)为多维函数查找表的输出值。
本发明实施例提供的补偿长时记忆效应的方法，通过采用单音和/或多音信号在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数；根据在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成预设矩阵查找表；对基带信号进行延迟，得到延迟后的基带信号；获取基带信号的短时功率及长时功率；根据短时功率、长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；根据当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；在预设矩阵查找表中得到与索引地址对应的函数值；将函数值与延迟后的基带信号相乘，得到补偿后的基带信号；能够对放大器的电子捕获效应进行快速校正，即实现了对功率放大器的长时记忆效应进行实时补偿，能够校正毫秒级失真，克服了传统预失真技术无法补偿毫秒级失真问题，提升了基站的无线射频指标，特别是临道功率泄露比和矢量误差幅度。
为了更加体现出本发明的目的，在上述实施例的基础上，进一步以场景实施例来举例说明。
图6为本发明补偿长时记忆效应的方法应用在4G基站的功率放大器上的示意图，如图6所示，4G基站的功率放大器主要包括：长期演进(Long Term Evolution，LTE)基带信号输入模块、削峰(Crest Factor Reduction，CFR)/数字预失真(Digital Pre-Distortion，DPD)模块、补偿长时记忆效应模块、数字模拟转换(Digital to analogconverter，DAC)模块、射频通道及高效率功率放大模块；它们之间依次连接。
其中，LTE基带信号输入模块产生LTE基带信号；CFR/DPD模块用于进行功率放大器的短时非线性失真补偿；补偿长时记忆效应模块用于对LTE基带信号进行功率放大器的长时记忆效应补偿，具体的可以参见上述实施例的描述，在此不加以赘述；DAC模块用于将补偿后的LTE基带信号由数字化转变成模拟化；射频通道及高效率功率放大模块用于将模拟的补偿后的LTE基带信号进行功率放大后送到天线以电磁波形式发射出去；最终实现对LTE基带信号进行功率放大器的长时记忆效应补偿。
图7为本发明补偿长时记忆效应的装置实施例的结构示意图，如图7所示，本发明实施例提供的补偿长时记忆效应的装置07，包括：
获取模块71，用于获取基带信号的短时功率及长时功率；
第一处理模块72，用于根据所述短时功率、所述长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；
第二处理模块73，用于根据所述当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；
查找模块74，用于在预设矩阵查找表中得到与所述索引地址对应的函数值；
补偿模块75，用于根据所述函数值补偿延迟后的所述基带信号，得到补偿后的所述基带信号。
进一步的，所述装置还包括：
训练模块76，用于采用单音和/或多音信号在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数；所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数为多维函数；根据所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成所述预设矩阵查找表。
进一步的，所述第一处理模块72，具体用于将所述短时功率减去所述长时功率，得到差值；在所述差值大于第一预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为充电状态指示信号；在所述差值小于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为放电状态指示信号；在所述差值小于或等于第一预设门限值、大于或等于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为保持状态指示信号；其中，所述预设门限范围是由所述第一预设门限值与所述第二预设门限值构成，所述第一预设门限值大于所述第二预设门限值。
进一步的，所述补偿模块75，具体用于将所述函数值与所述延迟后的所述基带信号相乘，得到所述补偿后的所述基带信号。
进一步的，所述获取模块71，具体用于根据如下公式分别获取所述基带信号的短时功率及长时功率，
其中，所述PowS(n)为所述短时功率，所述PowL(n)为所述长时功率，所述n为所述基带信号的采样序号，所述x(i)为所述基带信号，所述N为短时窗长，所述M为长时窗长，所述λ为记忆因子。
进一步的，所述参数信息，包括：电压、温度、平均功率和瞬时功率。
本实施例的装置，可以用于执行上述所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
图8为本发明补偿长时记忆效应的设备实施例的结构示意图，如图8所示，本发明实施例提供的补偿长时记忆效应的设备08包括：接口81，总线82，存储器83，与处理器84，所述接口81、存储器83与处理器84通过所述总线82相连接，所述存储器83用于存储可执行程序，所述处理器84被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：
获取基带信号的短时功率及长时功率；
根据所述短时功率、所述长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；
根据所述当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；
在预设矩阵查找表中得到与所述索引地址对应的函数值；
根据所述函数值补偿延迟后的所述基带信号，得到补偿后的所述基带信号。
进一步的，所述处理器84还被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：
采用单音和/或多音信号在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数；所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数为多维函数；
根据所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成所述预设矩阵查找表。
进一步的，所述处理器84被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：
将所述短时功率减去所述长时功率，得到差值；
在所述差值大于第一预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为充电状态指示信号；
在所述差值小于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为放电状态指示信号；
在所述差值小于或等于第一预设门限值、大于或等于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为保持状态指示信号；
其中，所述预设门限范围是由所述第一预设门限值与所述第二预设门限值构成，所述第一预设门限值大于所述第二预设门限值。
进一步的，所述处理器84被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：
将所述函数值与所述延迟后的所述基带信号相乘，得到所述补偿后的所述基带信号。
进一步的，所述处理器84被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：
根据如下公式分别获取所述基带信号的短时功率及长时功率，
其中，所述PowS(n)为所述短时功率，所述PowL(n)为所述长时功率，所述n为所述基带信号的采样序号，所述x(i)为所述基带信号，所述N为短时窗长，所述M为长时窗长，所述λ为记忆因子。
进一步的，所述参数信息，包括：电压、温度、平均功率和瞬时功率。
如图8所示，补偿长时记忆效应的设备08中的各个组件通过总线82耦合在一起；可理解，总线82用于实现这些组件之间的连接通信，总线82除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线，但是为了清楚说明起见，在图8中将各种总线都标为总线82。
其中，接口81可以包括显示器、键盘、鼠标、轨迹球、点击轮、按键、按钮、触感板或者触摸屏等。
可以理解，存储器83可以是易失性存储器或非易失性存储器，也可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(ROM，Read Only Memory)、可编程只读存储器(PROM，Programmable Read-Only Memory)、可擦除可编程只读存储器(EPROM，Erasable Programmable Read-Only Memory)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM，Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)、磁性随机存取存储器(FRAM，ferromagnetic random access memory)、快闪存储器(Flash Memory)、磁表面存储器、光盘、或只读光盘(CD-ROM，Compact Disc Read-Only Memory)；磁表面存储器可以是磁盘存储器或磁带存储器。易失性存储器可以是随机存取存储器(RAM，Random AccessMemory)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(SRAM，Static Random Access Memory)、同步静态随机存取存储器(SSRAM，Synchronous Static Random Access Memory)、动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)、同步动态随机存取存储器(SDRAM，SynchronousDynamic Random Access Memory)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM，Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)、增强型同步动态随机存取存储器(ESDRAM，Enhanced Synchronous Dynamic Random Access Memory)、同步连接动态随机存取存储器(SLDRAM，SyncLink Dynamic Random Access Memory)、直接内存总线随机存取存储器(DRRAM，Direct Rambus Random Access Memory)；本发明实施例描述的存储器83旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
本发明实施例中的存储器83用于存储各种类型的数据以支持补偿长时记忆效应的设备08的操作，这些数据的示例包括：用于在补偿长时记忆效应的设备08上操作的任何计算机程序，如操作系统和应用程序等，其中，操作系统包含各种系统程序，例如框架层、核心库层、驱动层等，用于实现各种基础业务以及处理基于硬件的任务；应用程序可以包含各种应用程序，例如媒体播放器(Media Player)、浏览器(Browser)等，用于实现各种应用业务，实现本发明实施例方法的程序可以包含在应用程序中。
上述本发明实施例揭示的方法可以应用于处理器84中，或者由处理器84实现；处理器84可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力；在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器84中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成，上述的处理器84可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP，Digital Signal Processor)，或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等；处理器84可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图；通用处理器可以是微处理器或者任何常规的处理器等；结合本发明实施例所公开的方法的步骤，可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成；软件模块可以位于存储介质中，该存储介质位于存储器83，处理器84读取存储器83中的信息，结合其硬件完成前述方法的步骤。
在示例性实施例中，补偿长时记忆效应的设备08可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC，Application Specific Integrated Circuit)、DSP、可编程逻辑器件(PLD，Programmable Logic Device)、复杂可编程逻辑器件(CPLD，Complex Programmable LogicDevice)、现场可编程门阵列(FPGA，Field-Programmable Gate Array)、通用处理器、控制器、微控制器(MCU，Micro Controller Unit)、微处理器(Microprocessor)、或其他电子元件实现，用于执行前述方法。
本实施例的设备，可以用于执行上述所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质可以是FRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory、磁表面存储器、光盘、或CD-ROM等存储器，也可以是包括上述存储器之一或任意组合的各种设备；所述计算机可读存储介质存储有程序，所述程序可被处理器执行，以实现以下步骤：
获取基带信号的短时功率及长时功率；
根据所述短时功率、所述长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；
根据所述当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；
在预设矩阵查找表中得到与所述索引地址对应的函数值；
根据所述函数值补偿延迟后的所述基带信号，得到补偿后的所述基带信号。
进一步的，所述程序还可被所述处理器执行，以实现以下步骤：
采用单音和/或多音信号在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数；所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数为多维函数；
根据所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成所述预设矩阵查找表。
进一步的，所述程序可被所述处理器执行，以具体实现以下步骤：
将所述短时功率减去所述长时功率，得到差值；
在所述差值大于第一预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为充电状态指示信号；
在所述差值小于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为放电状态指示信号；
在所述差值小于或等于第一预设门限值、大于或等于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为保持状态指示信号；
其中，所述预设门限范围是由所述第一预设门限值与所述第二预设门限值构成，所述第一预设门限值大于所述第二预设门限值。
进一步的，所述程序可被所述处理器执行，以具体实现以下步骤：
将所述函数值与所述延迟后的所述基带信号相乘，得到所述补偿后的所述基带信号。
进一步的，所述程序可被所述处理器执行，以具体实现以下步骤：
根据如下公式分别获取所述基带信号的短时功率及长时功率，
其中，所述PowS(n)为所述短时功率，所述PowL(n)为所述长时功率，所述n为所述基带信号的采样序号，所述x(i)为所述基带信号，所述N为短时窗长，所述M为长时窗长，所述λ为记忆因子。
进一步的，所述参数信息，包括：电压、温度、平均功率和瞬时功率。
本实施例的计算机可读存储介质，可以用于执行上述所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用硬件实施例、软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。

Claims (19)

1.一种补偿长时记忆效应的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取基带信号的短时功率及长时功率；
根据所述短时功率、所述长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；
根据所述当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；
在预设矩阵查找表中得到与所述索引地址对应的函数值；
根据所述函数值补偿延迟后的所述基带信号，得到补偿后的所述基带信号。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述获取基带信号的短时功率及长时功率之前，所述方法还包括：
采用单音和/或多音信号在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数；所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数为多维函数；
根据所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成所述预设矩阵查找表。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述短时功率、所述长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号，包括：
将所述短时功率减去所述长时功率，得到差值；
在所述差值大于第一预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为充电状态指示信号；
在所述差值小于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为放电状态指示信号；
在所述差值小于或等于第一预设门限值、大于或等于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为保持状态指示信号；
其中，所述预设门限范围是由所述第一预设门限值与所述第二预设门限值构成，所述第一预设门限值大于所述第二预设门限值。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述函数值补偿延迟后的所述基带信号，得到补偿后的所述基带信号，包括：
将所述函数值与所述延迟后的所述基带信号相乘，得到所述补偿后的所述基带信号。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取基带信号的短时功率及长时功率，包括：
根据如下公式分别获取所述基带信号的短时功率及长时功率，
其中，所述PowS(n)为所述短时功率，所述PowL(n)为所述长时功率，所述n为所述基带信号的采样序号，所述x(i)为所述基带信号，所述N为短时窗长，所述M为长时窗长，所述λ为记忆因子。
6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述参数信息，包括：电压、温度、平均功率和瞬时功率。
7.一种补偿长时记忆效应的装置，其特征在于，所述装置包括：
获取模块，用于获取基带信号的短时功率及长时功率；
第一处理模块，用于根据所述短时功率、所述长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；
第二处理模块，用于根据所述当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；
查找模块，用于在预设矩阵查找表中得到与所述索引地址对应的函数值；
补偿模块，用于根据所述函数值补偿延迟后的所述基带信号，得到补偿后的所述基带信号。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
训练模块，用于采用单音和/或多音信号在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数；所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数为多维函数；根据所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成所述预设矩阵查找表。
9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一处理模块，具体用于将所述短时功率减去所述长时功率，得到差值；在所述差值大于第一预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为充电状态指示信号；在所述差值小于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为放电状态指示信号；在所述差值小于或等于第一预设门限值、大于或等于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为保持状态指示信号；其中，所述预设门限范围是由所述第一预设门限值与所述第二预设门限值构成，所述第一预设门限值大于所述第二预设门限值。
10.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述补偿模块，具体用于将所述函数值与所述延迟后的所述基带信号相乘，得到所述补偿后的所述基带信号。
11.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述获取模块，具体用于根据如下公式分别获取所述基带信号的短时功率及长时功率，
其中，所述PowS(n)为所述短时功率，所述PowL(n)为所述长时功率，所述n为所述基带信号的采样序号，所述x(i)为所述基带信号，所述N为短时窗长，所述M为长时窗长，所述λ为记忆因子。
12.根据权利要求7至11任一项所述的装置，其特征在于，所述参数信息，包括：电压、温度、平均功率和瞬时功率。
13.一种补偿长时记忆效应的设备，其特征在于，所述设备包括：接口，总线，存储器，与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：
获取基带信号的短时功率及长时功率；
根据所述短时功率、所述长时功率及预设门限范围，得到当前的工作状态指示信号；
根据所述当前的工作状态指示信号和参数信息，得到索引地址；
在预设矩阵查找表中得到与所述索引地址对应的函数值；
根据所述函数值补偿延迟后的所述基带信号，得到补偿后的所述基带信号。
14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述处理器还被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：
采用单音和/或多音信号在不同的电压、温度及功率条件下进行训练，得到在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数；所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数为多维函数；
根据所述在不同的电压、温度、功率条件下的长时记忆特性参数形成所述预设矩阵查找表。
15.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述处理器被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：
将所述短时功率减去所述长时功率，得到差值；
在所述差值大于第一预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为充电状态指示信号；
在所述差值小于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为放电状态指示信号；
在所述差值小于或等于第一预设门限值、大于或等于第二预设门限值时，确定所述当前的工作状态指示信号为保持状态指示信号；
其中，所述预设门限范围是由所述第一预设门限值与所述第二预设门限值构成，所述第一预设门限值大于所述第二预设门限值。
16.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述处理器被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：
将所述函数值与所述延迟后的所述基带信号相乘，得到所述补偿后的所述基带信号。
17.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述处理器被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：
根据如下公式分别获取所述基带信号的短时功率及长时功率，
其中，所述PowS(n)为所述短时功率，所述PowL(n)为所述长时功率，所述n为所述基带信号的采样序号，所述x(i)为所述基带信号，所述N为短时窗长，所述M为长时窗长，所述λ为记忆因子。
18.根据权利要求13至17任一项所述的设备，其特征在于，所述参数信息，包括：电压、温度、平均功率和瞬时功率。
19.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有程序，所述程序可被处理器执行，以实现如权利要求1至6任一项所述的补偿长时记忆效应的方法的步骤。
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