CN110323939A - 电源电压跟随装置及计算设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种电源电压跟随装置及计算设备；其中，所述电源电压跟随装置包括：电阻Ra、电阻Rb、电阻Rc及第一比较器；其中，所述电阻Ra和电阻Rb串联连接，所述电阻Rc的第一端与所述第一比较器的输出端连接，所述电阻Rc的第二端与所述电阻Ra和电阻Rb的共同连接端连接。本发明电源电压跟随装置及计算设备降低了成本和实现难度，使用更加灵活。

Description

电源电压跟随装置及计算设备
技术领域
本发明属于计算技术领域，具体涉及一种电源电压跟随装置及计算设备。
背景技术
目前，在计算设备(如比特币矿机)应用中，计算设备的核(Core)输入电压需要随着计算设备的工作状态、工作频率及工作环境温度等不同而改变，而计算设备所需的一些其它电源要和计算设备的核输入电压保持一定的跟随关系，以防止核输入电压变化时，辅助电源电压和核输入电压的电压差过大或过小，从而保护电路，使计算设备持续稳定工作。
如图1所示，现有的电源电压跟随装置常采用两级跟随方案，将电源先升压到某个高于被跟随输出电压的电压值，此电压再经过以被跟随输出电压为参考地的低压差稳压器(LDO)，由LDO输出跟随电压。
可见，现有方案需要增加LDO这一级，以达到电压跟随的目的，成本会增加，而且输出电压能力受限于LDO的性能。此外，只能应用于升压电路，即跟随输出电压大于被跟随输出电压。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明提供了一种电源电压跟随装置及计算设备，以至少部分解决以上所提出的技术问题。
(二)技术方案
根据本发明的一个方面，提供了一种电源电压跟随装置，包括：电阻Ra、电阻Rb、电阻Rc及第一比较器；
其中，所述电阻Ra和电阻Rb串联连接，所述电阻Rc的第一端与所述第一比较器的输出端连接，所述电阻Rc的第二端与所述电阻Ra和电阻Rb的共同连接端连接。
在一些实施例中，所述第一比较器的同相输入端的电压为V跟随输出电压，所述第一比较器的反相输入端的电压为V被跟随电压+△V或V被跟随电压-△V；其中，△V表示V跟随输出电压与V被跟随电压之间的差值。
在一些实施例中，所述电阻Ra的第一端的电压为V跟随输出电压，所述电阻Ra的第二端与所述电阻Rb的第一端连接，所述电阻Rb的第二端接地。
在一些实施例中，所述的电源电压跟随装置还包括：电源芯片内部电路，所述电源芯片内部电路包括PWM控制器和第二比较器；其中，所述PWM控制器与所述第二比较器的输出端连接，所述第二比较器的同相输入端接参考电压Vref，所述第二比较器的反相输入端接电源芯片的电压监控管脚FB。
在一些实施例中，所述电阻Rc、电阻Ra及电阻Rb的共同连接端与所述电源芯片的电压监控管脚FB连接。
在一些实施例中，所述的电源电压跟随装置还包括电源芯片外部电路，所述电源芯片外部电路的第一端用于与所述电源芯片的PWM输出管脚SW连接，第二端用于接输入电压Vin，所述输入电压Vin＝V被跟随电压，第三端用于接输出电压Vout，所述输出电压Vout＝V跟随输出电压。
在一些实施例中，所述的电源电压跟随装置还包括串联连接的电阻Rd和稳压管；其中，所述电阻Rd连接在所述第一比较器的同相输入端和反相输入端之间，所述稳压管与所述第一比较器的反相输入端连接。
在一些实施例中，所述第一比较器的同相输入端的电压为V跟随输出电压，所述稳压管的正极的电压为V被跟随电压，所述稳压管的负极与所述第一比较器的反相输入端连接，所述第一比较器的反相输入端的电压为V被跟随电压-△V。
在一些实施例中，所述第一比较器的同相输入端的电压为V跟随输出电压，所述稳压管的负极的电压为V被跟随电压，所述稳压管的正极与所述第一比较器的反相输入端连接，所述第一比较器的反相输入端的电压为V被跟随电压+△V。
根据本发明的另一个方面，提供了一种计算设备，包括所述的电源电压跟随装置。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明电源电压跟随装置及计算设备至少具有以下有益效果其中之一：
(1)通过在FB管脚上增加一个包括比较器的负反馈控制回路来达到输出电压跟随的目的，降低了成本和实现难度，使用更加灵活。
(2)利用三极管的特性，将采样电阻和比较放大电路集成在一起实现电压跟随，降低了成本和实现难度，使用更加灵活。
附图说明
图1为现有电源电压跟随装置结构示意图。
图2为本发明电源芯片的管脚结构示意图。
图3为依据本发明第一实施例负反馈控制回路结构示意图。
图4为依据本发明第一实施例电源电压跟随装置结构示意图。
图5为依据本发明第二实施例负反馈控制回路结构示意图。
图6为依据本发明第二实施例电源电压跟随装置结构示意图。
图7为依据本发明第三实施例负反馈控制回路结构示意图。
图8为依据本发明第三实施例电源电压跟随装置结构示意图。
图9为依据本发明第四实施例负反馈控制回路结构示意图。
图10为依据本发明第四实施例电源电压跟随装置结构示意图。
图11为依据本发明第五实施例采样电阻和比较放大集成电路结构示意图。
图12为依据本发明第六实施例采样电阻和比较放大集成电路结构示意图。
图13为依据本发明第七实施例采样电阻和比较放大集成电路结构示意图。
图14为依据本发明第七实施例电源电压跟随装置结构示意图。
图15为依据本发明第八实施例采样电阻和比较放大集成电路结构示意图。
图16为依据本发明第八实施例电源电压跟随装置结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
为便于理解，此处先简单介绍电源芯片的管脚结构。
通常，如图2所示，所述电源芯片包括多个管脚，其中，VIN是输入电源，CTRL是芯片使能管脚，COMP是补偿管脚，SW是PWM输出管脚，FB是电压监控管脚。本发明技术方案就是利用电源芯片的FB管脚来实现电源输出电压与其它电压的跟随功能。
本发明提供了一种电源电压跟随装置，相较于现有电源电压跟随装置，本发明电源电压跟随装置降低了成本和实现难度，使用更加灵活，可实现跟随输出电压高于或低于被跟随电压的电源电压跟随，即V跟随输出电压-V被跟随电压＝定值或V被跟随电压-V跟随输出电压＝定值。
第一实施例
在第一实施例中，如图3-4所示，所述电源电压跟随装置包括负反馈控制回路，电源芯片内部电路及电源芯片外部电路。
其中，所述负反馈控制回路包括电阻Ra、电阻Rb、电阻Rc及第一比较器；所述电阻Ra和电阻Rb串联连接，所述电阻Rc的第一端与所述第一比较器的输出端连接，所述电阻Rc的第二端与所述电阻Ra和电阻Rb的共同连接端连接，所述电阻Ra的第一端的电压为V跟随输出电压，所述电阻Ra的第二端与所述电阻Rb的第一端连接，所述电阻Rb的第二端接地；所述第一比较器的同相输入端的电压为V跟随输出电压，所述第一比较器的反相输入端的电压为V被跟随电压+△V；其中，△V表示V跟随输出电压与V被跟随电压之间的差值。
所述电源芯片内部电路包括PWM控制器和第二比较器；所述PWM控制器与所述第二比较器的输出端连接，所述第二比较器的同相输入端接参考电压Vref，所述第二比较器的反相输入端接电源芯片的电压监控管脚FB。
所述电源芯片外部电路的第一端用于与所述电源芯片的PWM输出管脚SW连接，第二端用于接输入电压Vin，所述输入电压Vin＝V被跟随电压，第三端用于接输出电压Vout，所述输出电压Vout＝V跟随输出电压。
所述负反馈控制回路的电阻Rc、电阻Ra及电阻Rb的共同连接端与所述电源芯片的电压监控管脚FB连接。
下面详细介绍本实施例电压跟随原理，请继续参照图3-4所示：
V跟随输出电压＞V被跟随电压模式：在FB管脚前面增加一个比较器，即所述第一比较器，当V跟随输出电压＞V被跟随电压+△V时(△V表示跟随输出电压与被跟随输出电压之间的差值)，所述第一比较器输出为高电平，通过Rc(Rc为限流电阻，起分压作用)给FB供电，从而导致FB处电压VFB高于所述电源芯片内的电压Vref，强制使PWM控制器输出低电平，从而使V跟随输出电压输出电平降低，直到V跟随输出电压＝V被跟随电压+△V。当V跟随输出电压＜V被跟随电压+△V时，所述第一比较器输出为低电平，通过Rc(Rc为限流电阻，起分压作用)从FB吸电，从而导致FB处电压VFB低于所述电源芯片内的电压Vref，强制使PWM控制器输出高电平，从而使V跟随输出电压输出电平增加，直到V跟随输出电压＝V被跟随电压+△V。
第二实施例
在第二实施例中，如图5-6所示，所述电源电压跟随装置包括负反馈控制回路，电源芯片内部电路及电源芯片外部电路。
其中，所述负反馈控制回路包括电阻Ra、电阻Rb、电阻Rc及第一比较器；所述电阻Ra和电阻Rb串联连接，所述电阻Re的第一端与所述第一比较器的输出端连接，所述电阻Rc的第二端与所述电阻Ra和电阻Rb的共同连接端连接；所述电阻Ra的第一端的电压为V跟随输出电压，所述电阻Ra的第二端与所述电阻Rb的第一端连接，所述电阻Rb的第二端接地；所述第一比较器的同相输入端的电压为V跟随输出电压，所述第一比较器的反相输入端的电压为V被跟随电压-△V；其中，△V表示V跟随输出电压与V被跟随电压之间的差值。
所述电源芯片内部电路包括PWM控制器和第二比较器；所述PWM控制器与所述第二比较器的输出端连接，所述第二比较器的同相输入端接参考电压Vref，所述第二比较器的反相输入端接电源芯片的电压监控管脚FB；
所述电源芯片外部电路的第一端用于与所述电源芯片的PWM输出管脚SW连接，第二端用于接输入电压Vin，所述输入电压Vin＝V被跟随电压，第三端用于接输出电压Vout，所述输出电压Vout＝V跟随输出电压。
所述负反馈控制回路的电阻Rc、电阻Ra及电阻Rb的共同连接端与所述电源芯片的电压监控管脚FB连接。
下面详细介绍本实施例电压跟随原理，请继续参照图5-6所示：
V跟随输出电压＜V被跟随电压模式：在FB管脚前面增加一个比较器，当V跟随输出电压＞V被跟随电压-△V时(△V表示跟随输出电压与被跟随输出电压之间的差值)，所述第一比较器输出为高电平，通过Rc(Re为限流电阻，起分压作用)给FB供电，从而导致FB处电压VFB高于所述电源芯片内的电压Vref，强制使PWM控制器输出低电平，从而使V跟随输出电压输出电平降低，直到V跟随输出电压＝V被跟随电压-△V。当V跟随输出电压＜V被跟随电压-△V时，所述第一比较器输出为低电平，通过Re(Re为限流电阻，起分压作用)从FB吸电，从而导致FB处电压VFB低于所述电源芯片内的电压Vref，强制使PWM控制器输出高电平，从而使V跟随输出电压输出电平增加，直到V跟随输出电压＝V被跟随电压-△V。
第三实施例
如图7-8所示，在第一实施例的基础上，本实施例电源电压跟随装置进一步包括串联连接的电阻Rd和稳压管。其中，所述电阻Rd连接在所述第一比较器的同相输入端和反相输入端之间，所述稳压管与所述第一比较器的反相输入端连接。具体的，所述电阻Rd的第一端与所述第一比较器的同相输入端连接，所述Rd的第二端与所述稳压管的正极和所述第一比较器的反相输入端连接，所述稳压管的负极的电压为V被跟随电压，所述电阻Rd的第一端的电压及所述第一比较器的同相输入端的电压为V跟随输出电压，所述第一比较器的反相输入端的电压为V被跟随电压+△V。当V跟随输出电压＞V被跟随电压+△V时，流经Rd的电流才生电压，从而使比较放大器工作。
第四实施例
如图9-10所示，在第二实施例的基础上，本实施例电源电压跟随装置进一步包括串联连接的电阻Rd和稳压管；其中，所述电阻Rd连接在所述第一比较器的同相输入端和反相输入端之间，所述稳压管与所述第一比较器的反相输入端连接。具体的，所述电阻Rd的第一端与所述第一比较器的同相输入端连接，所述Rd的第二端与所述稳压管的负极和所述第一比较器的反相输入端连接，所述稳压管的正极的电压为V被跟随电压，所述电阻Rd的第一端的电压及所述第一比较器的同相输入端的电压均为V跟随输出电压，所述第一比较器的反相输入端的电压为V被跟随电压-△V。当V跟随输出电压＜V被跟随电压-△V时，流经Rd的电流才生电压，从而使比较放大器工作。
综上，前述第一至第四实施例采用在FB管脚上增加一个包括比较器的负反馈控制回路来达到输出电压跟随的目的。
第五实施例
在第五实施例中，如图11所示，所述电源电压跟随装置包括：采样电阻和比较放大集成电路，电源芯片内部电路及电源芯片外部电路。
其中，所述采样电阻和比较放大集成电路包括：电阻Ra、电阻Rb、电阻Rc、电阻Re、电阻Rf及PNP三极管；所述电阻Ra和电阻Rb串联连接，所述电阻Re和电阻Rf串联连接，所述电阻Rc的第一端与所述电阻Ra和电阻Rb的共同连接端连接，所述PNP三极管的基极与所述电阻Re和电阻Rf的共同连接端连接，所述PNP三极管的集电极与所述电阻Rc的第二端连接，所述PNP三极管的发射极与所述电阻Re的第一端连接，所述电阻Re的第二端与所述电阻Rf连接。
所述电源芯片内部电路包括PWM控制器和比较器；其中，所述PWM控制器与所述比较器的输出端连接，所述比较器的同相输入端接参考电压Vref，所述比较器的反相输入端接电源芯片的电压监控管脚FB。
所述电阻Rc、电阻Ra及电阻Rb的共同连接端与所述电源芯片的电压监控管脚FB连接。
所述电源芯片外部电路的第一端用于与所述电源芯片的PWM输出管脚SW连接，第二端用于接输入电压Vin，所述输入电压Vin＝V被跟随电压，第三端用于接输出电压Vout，所述输出电压Vout＝V跟随输出电压。
下面详细介绍本实施例电压跟随原理，请继续参照图11所示：
所述电阻Re并联在所述PNP三极管的基极和发射极，Vbe的导通电压一般为-0.7V，从而当电阻Re两端的电压VRe＜-0.7V时，所述三极管导通，V跟随输出电压会经过电阻Rc使VFB＞Vref，强制使PWM控制器输出低电平，从而使V跟随输出电压输出电平降低，直到Re两端的电压VRe大于-0.7V。因为三极管特性Ice＞＞Ibe，流经Rf的电流约等于流经Re的电流，VRf＝Rf/Re*VRe，所以当VRe＝-0.7V时，VRf的值由Re和Rf的阻值决定，V跟随输出电压＝V被跟随电压+VRe+VRf，所以△V＝0.7V(1+Rf/Re)。
第六实施例
在第六实施例中，如图12所示，所述电源电压跟随装置包括：采样电阻和比较放大集成电路，电源芯片内部电路及电源芯片外部电路。
其中，所述采样电阻和比较放大集成电路包括：电阻Ra、电阻Rb、电阻Rc、电阻Re、电阻Rd、电阻Rf、PNP三极管及NPN三极管；所述电阻Ra的第一端接V跟随输出电压，所述电阻Ra的第二端和电阻Rb的第一端连接，所述电阻Rb的第二端接地；所述电阻Re的第一端接V被跟随电压，所述电阻Re的第二端和电阻Rf的第一端连接，所述电阻Rf的第二端接V跟随输出电压；所述电阻Rc的第一端与所述电阻Ra及电阻Rb的共同连接端连接，所述NPN三极管的集电极与所述电阻Rc的第二端连接，所述NPN三极管的基极与所述电阻Rd的第一端连接，所述NPN三极管的发射极接地；所述PNP三极管的集电极与所述Rd的第二端连接，所述PNP三极管的发射极与电阻Re的第一端连接，所述PNP三极管的基极与所述电阻Re的第二端及电阻Rf的第一端连接。
所述电源芯片内部电路包括PWM控制器和比较器；其中，所述PWM控制器与所述比较器的输出端连接，所述比较器的同相输入端接参考电压Vref，所述比较器的反相输入端接电源芯片的电压监控管脚FB。
所述电阻Rc、电阻Ra及电阻Rb的共同连接端与所述电源芯片的电压监控管脚FB连接。
所述电源芯片外部电路的第一端用于与所述电源芯片的PWM输出管脚SW连接，第二端用于接输入电压Vin，所述输入电压Vin＝V被跟随电压，第三端用于接输出电压Vout，所述输出电压Vout＝V跟随输出电压。
下面详细介绍本实施例电压跟随原理，请继续参照图12所示：
所述电阻Re并联在PNP三极管的基极和发射极，Vbe的导通电压一般为-0.7V，从而当电阻Re两端的电压VRe＜-0.7V时，所述三极管导通，V被跟随电压会经过电阻Rd，打开NPN三极管，从而使FB通过Rc下拉到地，导致VFB＜Vref，强制使PWM控制器输出高电平，从而使V跟随输出电压输出电平增加，直到Re两端的电压VRe大于-0.7V。因为三极管特性Ice＞＞Ibe，流经Rf的电流约等于流经Re的电流，VRf＝Rf/Re*VRe，所以当VRe＝-0.7V时，VRf的值由Re和Rf的阻值决定，V跟随输出电压＝V被跟随电压-(VRe+VRf)，所以△V＝0.7V(1+Rf/Re)。
第七实施例
在第五实施例的基础上，所述采样电阻和比较放大集成电路中也可以增加二极管等导通电压固定的电路。如图13-14所示，所述二极管的正极与所述电阻Rf的第二端连接，所述二极管的负极接V被跟随电压。V跟随输出电压＝V被跟随电压+VRe+VRf+V二极管导通压降，所以△V＝0.7V(1+Rf/Re)+V二极管导通压降。
第八实施例
在第六实施例的基础上，所述采样电阻和比较放大集成电路中也可以增加二极管等导通电压固定的电路。如图15-16所示，所述二极管的正极与所述电阻Rf的第二端连接，所述二极管的负极接V跟随输出电压。V跟随输出电压＝V被跟随电压-(VRe+VRf+V二极管导通压降)；所以△V＝0.7V(1+Rf/Re)+V二极管导通压降。
综上，本发明实施例五至实施例八，利用三极管的特性，将采样电阻和比较放大电路集成在一起，降低成本和实现难度，使用更加灵活。
至此，已经结合附图对本发明进行了详细描述。依据以上描述，本领域技术人员应当对本发明有了清楚的认识。
需要说明的是，在附图或说明书正文中，未绘示或描述的实现方式，均为所属技术领域中普通技术人员所知的形式，并未进行详细说明。此外，上述对各元件的定义并不仅限于实施例中提到的各种具体结构、形状或方式，本领域普通技术人员可对其进行简单地更改或替换。
当然，根据实际需要，本发明电源电压跟随装置及计算设备还可以包含其他的部分，由于同本发明的创新之处无关，此处不再赘述。
类似地，应当理解，为了精简本发明并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该发明的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面发明的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中发明的所有特征以及如此发明的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中发明的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。
本发明的各个部件实施例可以以硬件实现，或者以在一个或者多个处理器上运行的软件模块实现，或者以它们的组合实现。本领域的技术人员应当理解，可以在实践中使用微处理器或者数字信号处理器(DSP)来实现根据本发明实施例的相关设备中的一些或者全部部件的一些或者全部功能。本发明还可以实现为用于执行这里所描述的方法的一部分或者全部的设备或者装置程序(例如，计算机程序和计算机程序产品)。这样的实现本发明的程序可以存储在计算机可读介质上，或者可以具有一个或者多个信号的形式。这样的信号可以从因特网网站上下载得到，或者在载体信号上提供，或者以任何其他形式提供。
再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词，以修饰相应的元件，其本身并不意含及代表该元件有任何的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电源电压跟随装置，其特征在于，包括：电阻Ra、电阻Rb、电阻Rc及第一比较器；
其中，所述电阻Ra和电阻Rb串联连接，所述电阻Rc的第一端与所述第一比较器的输出端连接，所述电阻Re的第二端与所述电阻Ra和电阻Rb的共同连接端连接。
2.根据权利要求1所述的电源电压跟随装置，其特征在于，所述第一比较器的同相输入端的电压为V跟随输出电压，所述第一比较器的反相输入端的电压为V被跟随电压+ΔV或V被跟随电压-ΔV；其中，ΔV表示V跟随输出申压与V被跟随电压之间的差值。
3.根据权利要求2所述的电源电压跟随装置，其特征在于，所述电阻Ra的第一端的电压为V跟随输出电压，所述电阻Ra的第二端与所述电阻Rb的第一端连接，所述电阻Rb的第二端接地。
4.根据权利要求1所述的电源电压跟随装置，其特征在于，还包括：电源芯片内部电路，所述电源芯片内部电路包括PWM控制器和第二比较器；其中，所述PWM控制器与所述第二比较器的输出端连接，所述第二比较器的同相输入端接参考电压Vref，所述第二比较器的反相输入端接电源芯片的电压监控管脚FB。
5.根据权利要求4所述的电源电压跟随装置，其特征在于，所述电阻Rc、电阻Ra及电阻Rb的共同连接端与所述电源芯片的电压监控管脚FB连接。
6.根据权利要求5所述的电源电压跟随装置，其特征在于，还包括电源芯片外部电路，所述电源芯片外部电路的第一端用于与所述电源芯片的PWM输出管脚SW连接，第二端用于接输入电压Vin，所述输入电压Vin＝V被跟随电压，第三端用于接输出电压Vout，所述输出电压Vout＝V跟随输出电压。
7.根据权利要求6所述的电源电压跟随装置，其特征在于，还包括串联连接的电阻Rd和稳压管；其中，所述电阻Rd连接在所述第一比较器的同相输入端和反相输入端之间，所述稳压管与所述第一比较器的反相输入端连接。
8.根据权利要求7所述的电源电压跟随装置，其特征在于，所述第一比较器的同相输入端的电压为V跟随输出电压，所述稳压管的正极的电压为V被跟随电压，所述稳压管的负极与所述第一比较器的反相输入端连接，所述第一比较器的反相输入端的电压为V被跟随电压-ΔV。
9.根据权利要求7所述的电源电压跟随装置，其特征在于，所述第一比较器的同相输入端的电压为V跟随输出电压，所述稳压管的负极的电压为V被跟随电压，所述稳压管的正极与所述第一比较器的反相输入端连接，所述第一比较器的反相输入端的电压为V被跟随电压+ΔV。
10.一种计算设备，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的电源电压跟随装置。
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