CN110282627A - 多晶硅还原炉的冷却系统和方法 - Google Patents
多晶硅还原炉的冷却系统和方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110282627A CN110282627A CN201910669979.4A CN201910669979A CN110282627A CN 110282627 A CN110282627 A CN 110282627A CN 201910669979 A CN201910669979 A CN 201910669979A CN 110282627 A CN110282627 A CN 110282627A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cooling water
- bell jar
- chassis
- water
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了多晶硅还原炉的冷却系统和方法,该系统包括:还原炉,包括钟罩和底盘,所述钟罩具有冷却水第一入口和钟罩高温水出口,所述底盘具有冷却水第二入口和底盘高温水出口,所述底盘高温水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连;换热装置,具有钟罩高温水入口和换热后冷却水出口,所述钟罩高温水入口与所述钟罩高温水出口相连,所述换热后冷却水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连。采用该系统既显著简化了现有多晶硅还原炉冷却系统的管道,又实现了对钟罩高温水和底盘高温水热量的高效、分级回收利用,同时显著降低了多晶硅还原炉冷却水的远距离循环使用量并实现多晶硅还原炉的安全稳定运行。
Description
技术领域
本发明属于多晶硅生产领域,具体而言,本发明涉及多晶硅还原炉的冷却系统和方法。
背景技术
多晶硅是太阳能光伏及电子通讯产品类用原料,在光伏电池生产、电子通讯领域中起着举足轻重的作用,因此针对多晶硅生产过程中的各个系统在不断进行优化提升。通过节能降耗的手段来降低多晶硅生产成本是多晶硅生产工作者一直以来孜孜追求的目标。现有多晶硅生产系统中,还原系统是能耗最高、最具有挖潜空间的系统。
现有多晶硅生产80%以上采用改良西门子工艺,基本都是采用多晶硅沉积还原炉生产棒状多晶硅,由还原炉钟罩和还原炉底盘构成的空间内有1080℃的高温沉积载体在高纯三氯氢硅与氢气的混合气氛围下实现多晶硅的气相沉积,还原炉钟罩以及底盘在如此高温的环境氛围下需要采用外供冷却介质来降温,确保设备的安全稳定运行。还原炉钟罩的传统冷却介质有高温水、导热油等介质;底盘大都采用水作为降温介质,不同的还原炉炉型采用不同温度等级的水来实施降温。而对于降温介质的热量回收再利用上,各多晶硅生产企业采用的方法千差万别,甚至很多企业不注重这些热量的回收利用,导致多晶硅生产系统能耗整体偏高,成本难以下降,进而导致企业在激烈的市场竞争中处于下风。传统的多晶硅还原炉冷却系统中,还原炉钟罩用120-150℃的高温水或者导热油进行冷却,还原炉底盘则采用60~90℃的中温水进行冷却,这样的方式水源品种多,冷却系统复杂,使得还原车间配管繁杂,操作困难,热回收利用不全。
因此,现有多晶硅还原炉的冷却技术有待进一步改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种多晶硅还原炉的冷却系统和方法。采用该系统既显著简化了现有多晶硅还原炉冷却系统的管道,又实现了对钟罩高温水和底盘高温水热量的高效、分级回收利用,同时显著降低了多晶硅还原炉冷却水的使用量并实现多晶硅还原炉的安全稳定运行。
在本发明的一个方面,本发明提出了一种多晶硅还原炉的冷却系统,根据本发明的实施例,该系统包括:
还原炉,所述还原炉包括钟罩和底盘,所述钟罩设在所述底盘上方,所述底盘设于所述钟罩的底部,所述钟罩具有冷却水第一入口和钟罩高温水出口,所述底盘具有冷却水第二入口和底盘高温水出口,所述底盘高温水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连;
换热装置,所述换热装置具有钟罩高温水入口和换热后冷却水出口,所述钟罩高温水入口与所述钟罩高温水出口相连,所述换热后冷却水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连。
根据本发明实施例的多晶硅还原炉的冷却系统,通过往还原炉钟罩和底盘通同一热量范围内的冷却水作为冷却介质,可降低多晶硅还原炉冷却系统的水源品种,显著降低冷却系统的复杂度,简化还原车间的配管;进一步的,因钟罩是副产热量向外转移的关键换热部位,占到副产热量的80%以上,所得的钟罩高温水相对于冷却水的温升高,而底盘高温水相对于冷却水温升低,将两者分开处理,可避免底盘高温水降低钟罩高温水的品质,并提高钟罩高温水在后续换热过程中的品质;底盘高温水单独处理,直接返回作为钟罩和/或底盘的冷却水使用,回收底盘高温水的热量,且可降低多晶硅还原炉的冷却水水量;而所得的钟罩高温水直接送至换热装置进行换热处理,以回收钟罩高温水的热量,简化了传统先将热水转化成蒸汽再换热的复杂模式工艺,并降低了钟罩高温水的热损失,同时经换热后可降低钟罩高温水的温度,得到换热后冷却水,并将该换热后冷却水作为冷却水返回至钟罩和/或底盘使用,实现了对钟罩高温水热量的两级利用,并且进一步降低了多晶硅还原炉冷却系统的冷却水水量。由此,采用该系统既显著简化了现有多晶硅还原炉冷却系统的管道,又实现了对钟罩高温水和底盘高温水热量的高效、分级回收利用,同时显著降低了多晶硅还原炉冷却水的使用量并实现多晶硅还原炉的安全稳定运行。
另外,根据本发明上述实施例的多晶硅还原炉的冷却系统还可以具有如下附加的技术特征:
在本发明的一些实施例中,上述多晶硅还原炉的冷却系统进一步包括:第一加压泵,所述第一加压泵与所述换热后冷却水出口相连,所述第一加压泵与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连。由此,可进一步提高对换热后冷却水热量的利用率。
在本发明的一些实施例中,上述多晶硅还原炉的冷却系统进一步包括:缓冲罐,所述缓冲罐与所述底盘高温水出口相连;第二加压泵,所述第二加压泵与所述缓冲罐相连,所述第二加压泵与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连。由此,可进一步提高对底盘高温水热量的利用率。
在本发明的一些实施例中,所述换热装置为板式换热器。由此,可进一步提高对钟罩高温水热量的利用率。
在本发明的一些实施例中,在高度方向上,所述钟罩高温水出口位于所述冷却水第一入口的上方。由此,有利于实现对钟罩高温水温度的控制。
在本发明的一些实施例中,在高度方向上,所述钟罩高温水出口与所述冷却水第一入口的距离占所述钟罩高度的80-90%。由此,可进一步实现对钟罩高温水的控制。
在本发明的再一个方面,本发明提出了一种利用上述多晶硅还原炉的冷却系统进行多晶硅还原炉冷却的方法,根据本发明的实施例,该方法包括:
将冷却水分别从所述冷却水第一入口、冷却水第二入口供给至所述还原炉的所述钟罩和所述底盘,以分别对所述钟罩和所述底盘进行冷却,以便分别得到钟罩高温水和底盘高温水,并将所述底盘高温水作为所述冷却水返回至所述钟罩和/或所述底盘;
将所述钟罩高温水供给至所述换热装置进行热量回收,以便得到换热后冷却水,并将所述换热后冷却水作为所述冷却水返回至所述钟罩和/或所述底盘。
根据本发明实施例的多晶硅还原炉的冷却方法,通过往还原炉钟罩和底盘通同一热量范围内的冷却水作为冷却介质,可降低多晶硅还原炉冷却的水源品种,显著降低冷却的复杂度,简化还原车间的配管;进一步的,因钟罩是副产热量向外转移的关键换热部位,占到副产热量的80%以上,所得的钟罩高温水相对于冷却水的温升高,而底盘高温水相对于冷却水温升低,将两者分开处理,可避免底盘高温水降低钟罩高温水的品质,并提高钟罩高温水在后续换热过程中的品质;底盘高温水单独处理,直接返回作为钟罩和/或底盘的冷却水使用,回收底盘高温水的热量,且可降低多晶硅还原炉的冷却水水量;而所得的钟罩高温水直接送至换热装置进行换热处理,以回收钟罩高温水的热量,简化了传统先将热水转化成蒸汽再换热的复杂模式工艺,并降低了钟罩高温水的热损失,同时经换热后可降低钟罩高温水的温度,得到换热后冷却水,并将该换热后冷却水作为冷却水返回至钟罩和/或底盘使用,实现了对钟罩高温水热量的两级利用,并且进一步降低了多晶硅还原炉冷却的冷却水水量。由此,采用该方法既显著简化了现有多晶硅还原炉冷却的管道,又实现了对钟罩高温水和底盘高温水热量的高效、分级回收利用,同时显著降低了多晶硅还原炉冷却水的使用量并实现多晶硅还原炉的安全稳定运行。
另外,根据本发明上述实施例的多晶硅还原炉的冷却方法还可以具有如下附加的技术特征:
在本发明的一些实施例中,所述冷却水、所述底盘高温水、所述换热后冷却水的温度分别独立的为120-150摄氏度。由此,可进一步实现对底盘高温水、钟罩高温水热量的回收利用。
在本发明的一些实施例中,供给至所述钟罩的所述冷却水与供给至所述底盘的所述冷却水的流量比为3-5:1,由此,有利于实现对钟罩高温水和底盘高温水温度的控制。
在本发明的一些实施例中,所述钟罩高温水的温度为150-170摄氏度。由此,可进一步实现对钟罩高温水热量的一级回收利用。
在本发明的一些实施例中,所述换热后冷却水通过所述第一加压泵送至所述钟罩和/或所述底盘作为所述冷却水使用。由此,可进一步实现对钟罩高温水热量的二级回收利用。
在本发明的一些实施例中,所述底盘高温水经所述缓冲罐缓冲后,通过所述第二加压泵送至所述钟罩和/或所述底盘作为所述冷却水使用。由此,可进一步实现对底盘高温水热量回收利用。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是根据本发明一个实施例的多晶硅还原炉的冷却系统结构示意图;
图2是根据本发明再一个实施例的多晶硅还原炉的冷却系统结构示意图;
图3是根据本发明又一个实施例的多晶硅还原炉的冷却系统结构示意图;
图4是根据本发明一个实施例的多晶硅还原炉的冷却方法流程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本发明的一个方面,本发明提出了一种多晶硅还原炉的冷却系统,根据本发明的实施例,参考图1,该系统包括:还原炉100和换热装置200。
根据本发明的实施例,还原炉100包括钟罩110和底盘120,钟罩110设在底盘120上方,底盘120设于钟罩110的底部,钟罩110具有冷却水第一入口111和钟罩高温水出口112,底盘120具有冷却水第二入口121和底盘高温水出口122,底盘高温水出口122与冷却水第一入口111和/或冷却水第二入口121相连,且适于将冷却水分别从冷却水第一入口和冷却水第二入口供给至钟罩和底盘,以分别对钟罩和底盘进行冷却,以便分别得到钟罩高温水和底盘高温水,并将底盘高温水作为冷却水返回至钟罩和/或底盘。发明人发现,通过往还原炉钟罩和底盘通同一热量范围内的冷却水作为冷却介质,可降低多晶硅还原炉冷却的水源品种,显著降低冷却的复杂度,简化还原车间的配管;进一步的,因钟罩是副产热量向外转移的关键换热部位,占到副产热量的80%以上,所得的钟罩高温水相对于冷却水的温升高,而底盘高温水相对于冷却水温升低,将两者分开处理,可避免底盘高温水降低钟罩高温水的品质,并提高钟罩高温水在后续换热过程中的品质;底盘高温水单独处理,直接返回作为钟罩和/或底盘的冷却水使用,回收底盘高温水的热量,且可降低多晶硅还原炉的冷却水水量。具体的,多晶硅还原炉是现有多晶硅生产过程中的常用设备,气化的高纯三氯氢硅与氢气按一定比例混合引入多晶硅还原炉,在置于还原炉内的棒状硅芯两端加以电压,产生高温,在高温的硅芯表面,三氯氢硅被氢气还原成元素硅,并沉积在硅芯表面,逐渐生成所需规格的多晶硅棒。还原炉钟罩以及底盘在如此高温的环境氛围下需要采用同一热量范围的冷却水来降温,以确保设备的安全稳定运行。在整个冷却过程中,因底盘的副产热量较低,钟罩的副产热量较高,冷却水经底盘和钟罩冷却换热后可得到温度差异明显的底盘高温水和钟罩高温水。通过控制通入底盘和钟罩的冷却水的流量可控制从底盘和钟罩输出的底盘高温水与钟罩高温水的温度,进而控制整个还原炉副产热量的回收利用,提升对还原炉副产热量的利用率,同时实现系统的稳定运行。
进一步的,需要说明的是,将底盘高温水作为冷却水返回至底盘和/或钟罩的具体方式并不受特别限制,本领域技术人员根据实际需要进行选择,例如可以参考图2,上述多晶硅还原炉的冷却系统可进一步包括:缓冲罐300和第二加压泵400,即可通过缓冲罐和第二加压泵将底盘高温水返回至底盘和/或钟罩。具体的,缓冲罐300与底盘高温水出口122相连;第二加压泵400与缓冲罐300相连,第二加压泵400与冷却水第一入口111和/或冷却水第二入口121相连。发明人发现,因输入底盘和钟罩的冷却水量可根据底盘高温水和钟罩高温水的温度进行调节,通过在将底盘高温水输送回冷却水第一入口和/或冷却水第二入口之前设置缓冲罐,可进一步实现对输入至底盘和/或钟罩的冷却水水量的实时调节和控制,进而更好地实现对还原炉副产热量的回收利用,同时促进系统的稳定运行。
根据本发明的一个实施例,在高度方向上,钟罩高温水出口112位于冷却水第一入口111的上方。具体的,俯视来看,钟罩高温水出口的水流方向与冷却水第一入口的水流方向的夹角并不受特别限制,本领域技术人员可以根据实际需要进行选择,例如可以为0-360度,例如可以为0度、45度、90度、135度、180度、225度、270度、315度、360度,优选180度。进一步的,在高度方向上,钟罩高温水出口112与冷却水第一入口111的距离占钟罩高度的80-90%,例如可以为80%、82%、84%、86%、88%、90%。发明人发现,若该距离过小,钟罩得不到全面冷却保护;而若该距离过大,会出现钟罩流道难以布置的问题。
根据本发明的再一个实施例,冷却水、底盘高温水、换热后冷却水的温度可以分别独立的为130-150摄氏度,例如可以为130度、135度、140度、145度、150度。发明人发现,现有多晶硅还原炉钟罩所用的冷却介质的温度一般为130-150摄氏度,本发明依然采用该温度范围的冷却介质(包括冷却水、底盘高温水和换热后冷却水)冷却底盘和钟罩,一方面可实现对现有工艺设备的继续使用,无需因工艺的更改而更换现有管路,避免增加系统的设备成本;一方面,采用上述温度范围内的水作为冷却介质,有利于实现对底盘高温水的直接回收利用,同时也有利于促进后续对钟罩高温水热量的回收;再者,通过采用上述温度范围内的冷却介质冷却底盘和钟罩,可使得系统安全稳定运行。进一步的,钟罩高温水的温度也不受特别限制,本领域技术人员可以根据实际需要进行选择,例如可以为150-170摄氏度,例如可以为150摄氏度、155摄氏度、160摄氏度、165摄氏度、170摄氏度。发明人发现若钟罩高温水的温度过低,即热源品质降低,不利于后续对其热量的回收,;若钟罩高温水的温度过高,在后续换热装置确定的情况,所得的换热后冷却水的温度将过高,进而导致对还原炉还原生产过程中的备品备件要求更高,性价比大幅下降。
根据本发明的又一个实施例,供给至钟罩的冷却水与供给至底盘的冷却水的流量比并不受特别限制,本领域技术人员可以根据实际需要进行选择,例如可以根据底盘高温水和钟罩高温水的温度进行灵活调节。根据本发明的一个具体实施例,供给至钟罩的冷却水与供给至底盘的冷却水的流量比为3-5:1,例如可以为3/3.5/4.0/4.5/5:1。发明人发现,还原炉还原生产过程中,钟罩和底盘所携带的热量以及设备内部流道的布置决定了冷却水流量的关系,底盘以及钟罩内冷却水均需要保证最低流速,确保冷却水循环畅通。
根据本发明的实施例,换热装置200具有钟罩高温水入口201和换热后冷却水出口202,钟罩高温水入口201与钟罩高温水出口112相连,换热后冷却水出口202与冷却水第一入口111和/或冷却水第二入口121相连,且适于将钟罩高温水进行热量回收,以便得到换热后冷却水,并将换热后冷却水作为冷却水返回至钟罩和/或底盘。发明人发现,钟罩高温水直接送至换热装置进行换热处理,以回收钟罩高温水的热量,简化了传统先将热水转化成蒸汽再换热的复杂模式工艺,并降低了钟罩高温水的热损失,同时经换热后可降低钟罩高温水的温度,得到换热后冷却水,并将该换热后冷却水作为冷却水返回至钟罩和/或底盘使用,实现了对钟罩高温水热量的两级利用,并且进一步降低了多晶硅还原炉冷却的冷却水水量。需要说明的是,换热装置的具体类型并不受特别限制,本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择,例如可以为板式换热器。发明人发现该换热装置能够较好的转移还原副产热量,提高了多晶硅生产系统的能量利用效率,降低了系统外补能源的需求。
进一步的,需要说明的是,将换热后冷却水作为冷却水返回至底盘和/或钟罩的具体方式并不受特别限制,本领域技术人员根据实际需要进行选择,例如可以参考图3,上述多晶硅还原炉的冷却系统可进一步包括:第一加压泵500,即可通过第一加压泵将换热后冷却水返回至底盘和/或钟罩。具体的,第一加压泵500与换热后冷却水出口202相连,第一加压泵500与冷却水第一入口111和/或冷却水第二入口121相连。发明人发现,通过在将换热后冷却水送至底盘和/或钟罩的路径中设置第一加压泵,可以更好地实现对换热后冷却水热量的二级利用,进而提高整个系统的热量利用效率,同时促进系统的稳定运行。
根据本发明实施例的多晶硅还原炉的冷却系统,通过往还原炉钟罩和底盘通同一热量范围内的冷却水作为冷却介质,可降低多晶硅还原炉冷却系统的水源品种,显著降低冷却系统的复杂度,简化还原车间的配管;进一步的,因钟罩是副产热量向外转移的关键换热部位,占到副产热量的80%以上,所得的钟罩高温水相对于冷却水的温升高,而底盘高温水相对于冷却水温升低,将两者分开处理,可避免底盘高温水降低钟罩高温水的品质,并提高钟罩高温水在后续换热过程中的品质;底盘高温水单独处理,直接返回作为钟罩和/或底盘的冷却水使用,回收底盘高温水的热量,且可降低多晶硅还原炉的冷却水水量;而所得的钟罩高温水直接送至换热装置进行换热处理,以回收钟罩高温水的热量,简化了传统先将热水转化成蒸汽再换热的复杂模式工艺,并降低了钟罩高温水的热损失,同时经换热后可降低钟罩高温水的温度,得到换热后冷却水,并将该换热后冷却水作为冷却水返回至钟罩和/或底盘使用,实现了对钟罩高温水热量的两级利用,并且进一步降低了多晶硅还原炉冷却系统的冷却水水量。由此,采用该系统既显著简化了现有多晶硅还原炉冷却系统的管道,又实现了对钟罩高温水和底盘高温水热量的高效、分级回收利用,同时显著降低了多晶硅还原炉冷却水的使用量并实现多晶硅还原炉的安全稳定运行。
在本发明的再一个方面,本发明提出了一种利用上述多晶硅还原炉的冷却系统进行多晶硅还原炉冷却的方法,根据本发明的实施例,参考图4,该方法包括:
S100:将冷却水分别从冷却水第一入口、冷却水第二入口供给至还原炉的钟罩和底盘
该步骤中,将冷却水分别从冷却水第一入口、冷却水第二入口供给至还原炉的钟罩和底盘,以分别对钟罩和底盘进行冷却,以便分别得到钟罩高温水和底盘高温水,并将底盘高温水作为冷却水返回至钟罩和/或底盘。发明人发现,通过往还原炉钟罩和底盘通同一热量范围内的冷却水作为冷却介质,可降低多晶硅还原炉冷却的水源品种,显著降低冷却的复杂度,简化还原车间的配管;进一步的,因钟罩是副产热量向外转移的关键换热部位,占到副产热量的80%以上,所得的钟罩高温水相对于冷却水的温升高,而底盘高温水相对于冷却水温升低,将两者分开处理,可避免底盘高温水降低钟罩高温水的品质,并提高钟罩高温水在后续换热过程中的品质;底盘高温水单独处理,直接返回作为钟罩和/或底盘的冷却水使用,回收底盘高温水的热量,且可降低多晶硅还原炉的冷却水水量。具体的,多晶硅还原炉是现有多晶硅生产过程中的常用设备,气化的高纯三氯氢硅与氢气按一定比例混合引入多晶硅还原炉,在置于还原炉内的棒状硅芯两端加以电压,产生高温,在高温的硅芯表面,三氯氢硅被氢气还原成元素硅,并沉积在硅芯表面,逐渐生成所需规格的多晶硅棒。还原炉钟罩以及底盘在如此高温的环境氛围下需要采用同一热量范围的冷却水来降温,以确保设备的安全稳定运行。在整个冷却过程中,因底盘的副产热量较低,钟罩的副产热量较高,冷却水经底盘和钟罩冷却换热后可得到温度差异明显的底盘高温水和钟罩高温水。通过控制通入底盘和钟罩的冷却水的流量可控制从底盘和钟罩输出的底盘高温水与钟罩高温水的温度,进而控制整个还原炉副产热量的回收利用,提升对还原炉副产热量的利用率,同时实现系统的稳定运行。
进一步的,需要说明的是,将底盘高温水作为冷却水返回至底盘和/或钟罩的具体方式并不受特别限制,本领域技术人员根据实际需要进行选择,例如可以通过缓冲罐缓冲后,再通过第二加压泵将底盘高温水返回至底盘和/或钟罩。发明人发现,因输入底盘和钟罩的冷却水量可根据底盘高温水和钟罩高温水的温度进行调节,通过在将底盘高温水输送回冷却水第一入口和/或冷却水第二入口之前设置缓冲罐,可进一步实现对输入至底盘和/或钟罩的冷却水水量的实时调节和控制,进而更好地实现对还原炉副产热量的回收利用,同时促进系统的稳定运行。
根据本发明的一个实施例,冷却水、底盘高温水、换热后冷却水的温度可以分别独立的为130-150摄氏度,例如可以为130度、135度、140度、145度、150度。发明人发现,现有多晶硅还原炉钟罩所用的冷却介质的温度一般为130-150摄氏度,本发明依然采用该温度范围的冷却介质(包括冷却水、底盘高温水和换热后冷却水)冷却底盘和钟罩,一方面可实现对现有工艺设备的继续使用,无需因工艺的更改而更换现有管路,避免增加系统的设备成本;一方面,采用上述温度范围内的水作为冷却介质,有利于实现对底盘高温水的直接回收利用,同时也有利于促进后续对钟罩高温水热量的回收;再者,通过采用上述温度范围内的冷却介质冷却底盘和钟罩,可使得系统安全稳定运行。进一步的,钟罩高温水的温度也不受特别限制,本领域技术人员可以根据实际需要进行选择,例如可以为150-170摄氏度,例如可以为150摄氏度、155摄氏度、160摄氏度、165摄氏度、170摄氏度。发明人发现,若钟罩高温水的温度过低,即热源品质降低,不利于后续对其热量的回收,;若钟罩高温水的温度过高,在后续换热装置确定的情况,所得的换热后冷却水的温度将过高,进而导致对还原炉还原生产过程中的备品备件要求更高,性价比大幅下降。根据本发明的又一个实施例,供给至钟罩的冷却水与供给至底盘的冷却水的流量比并不受特别限制,本领域技术人员可以根据实际需要进行选择,例如可以根据底盘高温水和钟罩高温水的温度进行灵活调节。根据本发明的一个具体实施例,供给至钟罩的冷却水与供给至底盘的冷却水的流量比为3-5:1,例如可以为3/3.5/4.0/4.5/5:1。发明人发现,还原炉还原生产过程中,钟罩和底盘所携带的热量以及设备内部流道的布置决定了冷却水流量的关系,底盘以及钟罩内冷却水均需要保证最低流速,确保冷却水循环畅通。
S200:将钟罩高温水供给至换热装置进行热量回收
该步骤中,将钟罩高温水供给至换热装置进行热量回收,以便得到换热后冷却水,并将换热后冷却水作为冷却水返回至钟罩和/或底盘。发明人发现,钟罩高温水直接送至换热装置进行换热处理,以回收钟罩高温水的热量,简化了传统先将热水转化成蒸汽再换热的复杂模式工艺,并降低了钟罩高温水的热损失,同时经换热后可降低钟罩高温水的温度,得到换热后冷却水,并将该换热后冷却水作为冷却水返回至钟罩和/或底盘使用,实现了对钟罩高温水热量的两级利用,并且进一步降低了多晶硅还原炉冷却的冷却水水量。需要说明的是,换热的具体方式并不受特别限制,本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择,例如可以为板式换热。发明人发现,该换热形式能够较好的转移还原副产热量,提高多晶硅生产工艺的能量利用效率,降低工艺外补能源的需求。
进一步的,需要说明的是,将换热后冷却水作为冷却水返回至底盘和/或钟罩的具体方式并不受特别限制,本领域技术人员根据实际需要进行选择,例如可以通过第一加压泵将换热后冷却水返回至底盘和/或钟罩。发明人发现,通过在将换热后冷却水送至底盘和/或钟罩的路径中设置第一加压泵,可以更好地实现对换热后冷却水热量的二级利用,进而提高整个系统的热量利用效率,同时促进系统的稳定运行。
根据本发明实施例的多晶硅还原炉的冷却方法,通过往还原炉钟罩和底盘通同一热量范围内的冷却水作为冷却介质,可降低多晶硅还原炉冷却的水源品种,显著降低冷却的复杂度,简化还原车间的配管;进一步的,因钟罩是副产热量向外转移的关键换热部位,占到副产热量的80%以上,所得的钟罩高温水相对于冷却水的温升高,而底盘高温水相对于冷却水温升低,将两者分开处理,可避免底盘高温水降低钟罩高温水的品质,并提高钟罩高温水在后续换热过程中的品质;底盘高温水单独处理,直接返回作为钟罩和/或底盘的冷却水使用,回收底盘高温水的热量,且可降低多晶硅还原炉的冷却水水量;而所得的钟罩高温水直接送至换热装置进行换热处理,以回收钟罩高温水的热量,简化了传统先将热水转化成蒸汽再换热的复杂模式工艺,并降低了钟罩高温水的热损失,同时经换热后可降低钟罩高温水的温度,得到换热后冷却水,并将该换热后冷却水作为冷却水返回至钟罩和/或底盘使用,实现了对钟罩高温水热量的两级利用,并且进一步降低了多晶硅还原炉冷却的冷却水水量。由此,采用该方法既显著简化了现有多晶硅还原炉冷却的管道,又实现了对钟罩高温水和底盘高温水热量的高效、分级回收利用,同时显著降低了多晶硅还原炉冷却水的使用量并实现多晶硅还原炉的安全稳定运行。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种多晶硅还原炉的冷却系统,其特征在于,包括:
还原炉,所述还原炉包括钟罩和底盘,所述钟罩设在所述底盘上方,所述底盘设于所述钟罩的底部,所述钟罩具有冷却水第一入口和钟罩高温水出口,所述底盘具有冷却水第二入口和底盘高温水出口,所述底盘高温水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连;
换热装置,所述换热装置具有钟罩高温水入口和换热后冷却水出口,所述钟罩高温水入口与所述钟罩高温水出口相连,所述换热后冷却水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,进一步包括:
第一加压泵,所述第一加压泵与所述换热后冷却水出口相连,所述第一加压泵与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连。
3.根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,进一步包括:
缓冲罐,所述缓冲罐与所述底盘高温水出口相连;
第二加压泵,所述第二加压泵与所述缓冲罐相连,所述第二加压泵与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连。
4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述换热装置为板式换热器。
5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,在高度方向上,所述钟罩高温水出口位于所述冷却水第一入口的上方;
任选的,在高度方向上,所述钟罩高温水出口与所述冷却水第一入口的距离占所述钟罩高度的80-90%。
6.一种利用权利要求1-5中任一项所述的多晶硅还原炉的冷却系统进行多晶硅还原炉冷却的方法,其特征在于,包括:
将冷却水分别从所述冷却水第一入口、冷却水第二入口供给至所述还原炉的所述钟罩和所述底盘,以分别对所述钟罩和所述底盘进行冷却,以便分别得到钟罩高温水和底盘高温水,并将所述底盘高温水作为所述冷却水返回至所述钟罩和/或所述底盘;
将所述钟罩高温水供给至所述换热装置进行热量回收,以便得到换热后冷却水,并将所述换热后冷却水作为所述冷却水返回至所述钟罩和/或所述底盘。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述冷却水、所述底盘高温水、所述换热后冷却水的温度分别独立的为120-150摄氏度。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,供给至所述钟罩的所述冷却水与供给至所述底盘的所述冷却水的流量比为3-5:1。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述钟罩高温水的温度为150-170摄氏度。
10.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述换热后冷却水通过所述第一加压泵送至所述钟罩和/或所述底盘作为所述冷却水使用;
任选的,所述底盘高温水经所述缓冲罐缓冲后,通过所述第二加压泵送至所述钟罩和/或所述底盘作为所述冷却水使用。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910669979.4A CN110282627B (zh) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 多晶硅还原炉的冷却系统和方法 |
PCT/CN2020/103508 WO2021013177A1 (zh) | 2019-07-24 | 2020-07-22 | 多晶硅还原炉的冷却系统和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910669979.4A CN110282627B (zh) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 多晶硅还原炉的冷却系统和方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110282627A true CN110282627A (zh) | 2019-09-27 |
CN110282627B CN110282627B (zh) | 2023-09-19 |
Family
ID=68022319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910669979.4A Active CN110282627B (zh) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 多晶硅还原炉的冷却系统和方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110282627B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021013177A1 (zh) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 多晶硅还原炉的冷却系统和方法 |
CN114739169A (zh) * | 2022-05-17 | 2022-07-12 | 湖南华菱涟钢特种新材料有限公司 | 一种罩式炉冷却水余热利用方法及系统 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201125165Y (zh) * | 2007-12-19 | 2008-10-01 | 朱青松 | 有双重冷却系统的多晶硅还原炉 |
CN203319709U (zh) * | 2013-06-18 | 2013-12-04 | 浙江精功科技股份有限公司 | 多晶硅生产装置 |
CN103449443A (zh) * | 2013-09-06 | 2013-12-18 | 上海森松环境技术工程有限公司 | 一种多晶硅还原炉水系统热能回收系统及工艺 |
CN104016350A (zh) * | 2014-06-18 | 2014-09-03 | 四川永祥多晶硅有限公司 | 一种多晶硅还原炉底盘和尾气冷却系统及其方法 |
CN205687571U (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-16 | 上海韵申新能源科技有限公司 | 一种带内冷却系统的多晶硅还原炉 |
CN206051571U (zh) * | 2016-09-18 | 2017-03-29 | 新疆大全新能源股份有限公司 | 还原炉 |
CN206590906U (zh) * | 2017-03-01 | 2017-10-27 | 江苏金晖光伏有限公司 | 一种多晶硅还原炉冷却装置 |
-
2019
- 2019-07-24 CN CN201910669979.4A patent/CN110282627B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201125165Y (zh) * | 2007-12-19 | 2008-10-01 | 朱青松 | 有双重冷却系统的多晶硅还原炉 |
CN203319709U (zh) * | 2013-06-18 | 2013-12-04 | 浙江精功科技股份有限公司 | 多晶硅生产装置 |
CN103449443A (zh) * | 2013-09-06 | 2013-12-18 | 上海森松环境技术工程有限公司 | 一种多晶硅还原炉水系统热能回收系统及工艺 |
CN104016350A (zh) * | 2014-06-18 | 2014-09-03 | 四川永祥多晶硅有限公司 | 一种多晶硅还原炉底盘和尾气冷却系统及其方法 |
CN205687571U (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-16 | 上海韵申新能源科技有限公司 | 一种带内冷却系统的多晶硅还原炉 |
CN206051571U (zh) * | 2016-09-18 | 2017-03-29 | 新疆大全新能源股份有限公司 | 还原炉 |
CN206590906U (zh) * | 2017-03-01 | 2017-10-27 | 江苏金晖光伏有限公司 | 一种多晶硅还原炉冷却装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021013177A1 (zh) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 多晶硅还原炉的冷却系统和方法 |
CN114739169A (zh) * | 2022-05-17 | 2022-07-12 | 湖南华菱涟钢特种新材料有限公司 | 一种罩式炉冷却水余热利用方法及系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110282627B (zh) | 2023-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103016083B (zh) | 背压纯凝切换供热系统 | |
MY163918A (en) | A plant for regasification of lng | |
CN110282627A (zh) | 多晶硅还原炉的冷却系统和方法 | |
JP3230568U (ja) | ボイラ蒸気供給能力を向上させる給水連合冷再熱エネルギー利用システム | |
CN109665527A (zh) | 多晶硅生产设备的尾气热量回收系统及运行方法 | |
CN109441577A (zh) | 吸收式热泵热电联产机组循环冷却水零上塔运行方法 | |
CN111811288A (zh) | 节能的炭黑生产系统和方法 | |
CN210825444U (zh) | 多晶硅还原炉的冷却系统 | |
CN106592048B (zh) | 采用导热油加热的加弹机热箱换热系统 | |
CN206069388U (zh) | 一种四氯化硅汽化装置 | |
WO2022121486A1 (zh) | 一种基于天然气的制热系统 | |
WO2021013177A1 (zh) | 多晶硅还原炉的冷却系统和方法 | |
CN213924805U (zh) | 沼气工程与沼液热水解工程耦合高效热量循环利用系统 | |
CN110791307B (zh) | 一种甲醇制油的节能控温换热系统 | |
CN207958283U (zh) | 一种无循环甲烷化工艺中能量的优化利用系统 | |
CN206177105U (zh) | 一种相变式能源节能输送装置 | |
JP3230555U (ja) | ボイラ冷再熱蒸気供給能力を向上させる酸素除去器連合利用システム | |
CN102147121B (zh) | 一种梯次利用冷凝冷却热量的集中供热系统 | |
CN220083048U (zh) | 一种汽包副产蒸汽回收利用系统 | |
CN109956476A (zh) | 多晶硅还原炉控温系统及工艺 | |
JP3230554U (ja) | ボイラ蒸気供給能力を向上させる酸素除去器連合冷再熱循環システム | |
CN218645770U (zh) | 一种基于水源热泵机组的余热利用系统装置 | |
CN208075654U (zh) | 蒸汽余热回收系统 | |
CN219324190U (zh) | 一种流化床烷烃脱氢装置进料气化升温系统 | |
CN217274048U (zh) | 一种造气炉及旋风除尘装置用热交换结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20201021 Address after: 100038 Fuxing Road 12, Beijing, Haidian District Applicant after: China Enfi Engineering Corp. Applicant after: CHINA SILICON Corp.,Ltd. Address before: 100038 Fuxing Road 12, Beijing, Haidian District Applicant before: China Enfi Engineering Corp. |
|
TA01 | Transfer of patent application right | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |