CN110265427B - Stt-mram存储器及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种STT‑MRAM存储器及其制备方法。该STT‑MRAM存储器包括：字线，包括层叠设置的导电层和磁性屏蔽层，磁性屏蔽层的磁化方向为字线的延伸方向；多个MTJ单元，各MTJ单元均包括顺序层叠设置的固定层、第一隔离层、自由层、第二隔离层与极化层，各极化层均与磁性屏蔽层接触设置，且极化层的磁化方向与自由层的磁化方向垂直。由于字线中的磁性屏蔽层能够与各极化层接触设置，从而相比于极化层能够具有较大的尺寸，使极化层的杂散场受到约束，且极化层与磁性屏蔽层具有相同磁化方向，从而显著降低了由极化层在自由层处产生的磁场，进而在引入极化层自旋转移力矩降低写电流的同时，有效地避免了极化层磁场的不利影响。

Description

STT-MRAM存储器及其制备方法

技术领域

本发明涉及STT-MRAM存储器，具体而言，涉及一种STT-MRAM存储器及其制备方法。

背景技术

利用电流改变MTJ状态的存储器为磁性随机存储器(STT-MRAM)，这是一种极具潜力的新型存储器。该存储器除了具有电路设计简单，读写速度快，无限次擦写等优点外，相对于传统存储器如DRAM的最大优势为非易失性(断电数据不丢失)。自由层(磁记录层)的磁性方向可以由外场(H)或者写电流(I)操控。当自由层磁化方向和固定层平行或反平行时，可以分别对应数据0或者1。传统MRAM利用磁场写入信息，而磁场的产生依靠通过纳米线中的电荷电流，在尺寸持续微缩的情况下，MRAM需要的翻转磁场持续升高，所需的电流密度随之增大到不可容忍的程度，且相邻位元间存在严重干扰。该方法不适用于制备位元尺寸小于100nm的MRAM。STT-MRAM利用自旋极化电流的转移力矩写入信息，信息写入的电流密度一定，总能耗随着位元尺寸降低而降低。因此STT-MRAM相对传统已经商业化的MRAM具有巨大的能耗和微缩优势。

基于磁性隧道磁阻(TMR)效应的MTJ单元10＇由两层磁性层和介于磁性层中间的介质层组成，通常包括顺序层叠设置的下电极层110＇、固定层120＇、介质层130＇、自由层140＇、分隔层150＇、极化层160＇和上电极层170＇，如图1所示。第一磁性层磁化取向固定(固定层)，而第二磁性层磁化取向可通过磁场或电流改变(自由层)，进而使两层磁性层处于平行或反平行态，对应高电阻态和低电阻态，可以用来存储信息。当前MRAM为了提高写速度，尝试引入额外的自由极化层，其中极化层的磁化方向和自由层的磁化方向垂直，为自由层提供额外的自旋转移力矩，从而提高有效自旋极化率(p)。该方法能够加快室温下的翻转速度，降低写电压。

然而，由于上述极化层为磁性层，且磁化方向与自由层的磁化方向垂直，易在MTJ结构(<100nm)周围空间产生磁场，从而对临近自由层有磁干扰，依据相关尺寸的估算，该磁场大小为几百奥斯特(x100Oe)量级。这样大小的磁场会显著提高扰动，导致数据丢失。尤其会降低MTJ在温度高于室温情况下的数据保存时间(Data Retention)和增加读扰动(RDR)。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种STT-MRAM存储器及其制备方法，以解决现有技术中MTJ结构中的极化层在MTJ结构周围空间产生磁场而导致对临近自由层有磁干扰的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种STT-MRAM存储器，STT-MRAM存储器包括：字线，包括层叠设置的导电层和磁性屏蔽层，磁性屏蔽层的磁化方向为字线的延伸方向；多个MTJ单元，各MTJ单元均包括顺序层叠设置的固定层、第一隔离层、自由层、第二隔离层与极化层，各极化层均与磁性屏蔽层接触设置，且极化层的磁化方向与自由层的磁化方向垂直。

进一步地，磁性屏蔽层的远离导电层的一侧具有第一凹槽，极化层位于第一凹槽中，且磁性屏蔽层覆盖极化层。

进一步地，磁性屏蔽层的远离极化层的一侧具有第二凹槽，导电层填充设置在第二凹槽中。

进一步地，形成磁性屏蔽层的材料为软磁材料，优选软磁材料选自Ni、Fe和NiFe中的任一种或多种。

进一步地，形成导电层的材料为Cu。

进一步地，第一隔离层和第二隔离层为非磁性材料层，优选形成第一隔离层和第二隔离层的材料独立地选自MgO、Cu、Mg、CuN、Au、Ag、Cr、Al、Ru、Ta、TaN、Ir和Mo中的任一种或多种。

根据本发明的另一方面，提供了一种STT-MRAM存储器的制备方法，包括以下步骤：S1，形成多个MTJ单元，各MTJ单元包括层叠设置的固定层、第一隔离层、自由层、第二隔离层与极化层；S2，形成与各MTJ单元连接的字线，字线包括层叠设置的导电层和磁性屏蔽层，磁性屏蔽层与极化层接触设置。

进一步地，步骤S1包括以下过程：S11，在底电极上顺序沉积形成固定预备层、第一隔离预备层、自由预备层、第二隔离预备层、极化预备层与磁性预备层；S12，刻蚀磁性预备层以形成磁性层；S13，以磁性层作为掩膜层顺序刻蚀极化预备层、第二隔离预备层、自由预备层、第一隔离预备层和固定预备层，得到MTJ单元。

进一步地，步骤S2包括以下过程：S21，在底电极与磁性层上沉积形成层间介质层；S22，刻蚀层间介质层，以使磁性层与极化层的侧壁裸露；S23，在层间介质层与磁性层上沉积磁性材料，以得到包括磁性层的磁性屏蔽层，形成的磁性屏蔽层具有包裹极化层的第一凹槽以及与第一凹槽相对的第二凹槽；S24，在第二凹槽中形成导电层，以得到字线。

进一步地，形成磁性屏蔽层的材料为软磁材料，优选软磁材料选自Ni、Fe和NiFe中的任一种或多种。

应用本发明的技术方案，提供了一种STT-MRAM存储器，该STT-MRAM存储器包括字线以及与字线连接的多个MTJ单元，各所述MTJ单元包括顺序层叠设置的固定层、介质层、自由层、分隔层与极化层，上述字线包括层叠设置的导电层和磁性屏蔽层，磁性屏蔽层与各MTJ单元中的极化层接触设置，且磁性屏蔽层的磁化方向为字线的延伸方向，由于字线中的磁性屏蔽层能够与各极化层接触设置，从而相比于极化层能够具有较大的尺寸，使极化层的杂散场受到约束，且极化层的磁化方向与磁性屏蔽层的磁化方向相同，从而显著降低了由极化层在自由层处产生的磁场，进而在引入极化层自旋转移力矩降低写电流的同时，有效地避免了极化层磁场的不利影响。

附图说明

构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了现有技术所提供的一种MTJ器件的剖面结构示意图；

图2示出了本发明实施方式所提供的一种STT-MRAM存储器中各存储单元沿y方向的剖面结构示意图；

图3示出了本发明实施方式所提供的一种STT-MRAM存储器中各存储单元沿x方向的剖面结构示意图；

图4示出了本发明实施方式所提供的一种STT-MRAM存储器的剖面结构示意图；

图5示出了在本发明实施方式所提供的STT-MRAM存储器的制备方法中，在底电极上顺序沉积形成固定预备层、第一隔离预备层、自由预备层、第二隔离预备层、极化预备层与磁性预备层后基体的剖面结构示意图；

图6示出了刻蚀图5所示的磁性预备层以形成磁性层后基体的剖面结构示意图；

图7示出了以图6所示的磁性层作为掩膜层顺序刻蚀极化预备层、第二隔离预备层、自由预备层、第一隔离预备层和固定预备层后基体的剖面结构示意图；

图8示出了以图7所示的磁性层作为掩膜层顺序刻蚀极化预备层、第二隔离预备层、自由预备层、第一隔离预备层和固定预备层后基体的剖面结构示意图；

图9示出了在图8所示的层间介质层与磁性层上顺序形成磁性屏蔽层与导电层后基体的剖面结构示意图；以及

图10示出了对图9所示的磁性屏蔽层与导电层进行平坦化处理后基体的剖面结构示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10＇、MTJ单元；110＇、下电极层；120＇、固定层；130＇、介质层；140＇、自由层；150＇、分隔层；160＇、极化层；170＇、上电极层；10、MTJ单元；110、底电极；120、固定层；121、固定预备层；130、第一隔离层；131、第一隔离预备层；140、自由层；141、自由预备层；150、第二隔离层；151、第二隔离预备层；160、极化层；161、极化预备层；20、字线；210、磁性屏蔽层；211、磁性预备层；212、磁性层；220、导电层；30、层间介质层。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

正如背景技术中所介绍的，现有技术中MTJ结构中的极化层在MTJ结构周围空间产生磁场而导致对临近自由层有磁干扰。本申请的发明人针对上述问题进行研究，提出了一种STT-MRAM存储器，如图2至4所示，该STT-MRAM存储器包括：字线20，包括层叠设置的导电层220和磁性屏蔽层210，磁性屏蔽层210的磁化方向为字线20的延伸方向；多个MTJ单元10，各MTJ单元10均包括顺序层叠设置的固定层120、第一隔离层130、自由层140、第二隔离层150与极化层160，各极化层160均与磁性屏蔽层210接触设置，且极化层160的磁化方向与自由层140的磁化方向垂直。

在本发明的上述STT-MRAM存储器中由于字线中的磁性屏蔽层能够与各极化层接触设置，从而相比于极化层能够具有较大的尺寸，从而使极化层的杂散场受到约束，且极化层的磁化方向与磁性屏蔽层的磁化方向相同，从而显著降低了由极化层在自由层处产生的磁场，在引入极化层自旋转移力矩降低写电流的同时，有效地避免了极化层磁场的不利影响。

本发明的上述STT-MRAM存储器还包括与各MTJ单元10一一对应连接的晶体管，上述晶体管作为STT-MRAM存储器的开关器，可以是MOS、CMOS或者BJT。上述STT-MRAM存储器还包括位线，位线与晶体管的栅极连接，在字线20与位线分别接通后，通过晶体管310允许电流流经MTJ单元10，以建立磁场，磁场影响MTJ单元10中极化层160与自由层140的磁化方向，从而影响STT-MRAM存储器中单个存储单元的逻辑状态，既而实现数据在STT-MRAM存储器中的存储。

将本发明中的上述STT-MRAM存储器放入一个三维坐标系中，字线20的长度方向和宽度方向分别对应坐标系的x轴和y轴，如图2和图3所示，上述MTJ单元10的厚度方向对应坐标系的z轴。此时，磁性屏蔽层210的磁化方向为字线20的延伸方向，即为x轴方向，也可以理解为不同MTJ单元10的排列方向，如图4所示。并且，自由层140的磁化方向与极化层160的磁化方向始终垂直，当自由层140的磁矩垂直于薄膜平面时，极化层160磁矩的磁化方向平行于薄膜平面。

在本发明的上述STT-MRAM存储器中，各MTJ单元10包括层叠设置的固定层120、第一隔离层130、自由层140、第二隔离层150与极化层160，其中极化层160直接与字线20中的磁性屏蔽层210接触设置，上述各MTJ单元10还可以包括底电极110，底电极110与晶体管连接。

在本发明的上述STT-MRAM存储器中，优选地，磁性屏蔽层210的远离导电层220的一侧具有第一凹槽，极化层160位于第一凹槽中，且磁性屏蔽层210覆盖极化层160。此时，极化层160能够被包裹在磁性屏蔽层210中，从而更为有效地降低了由极化层160在自由层140处产生的磁场。

在上述优选的实施方式中，由于磁性屏蔽层210下表面形成有包裹极化层160的第一凹槽，从而使沉积得到的磁性屏蔽层210的上表面，即磁性屏蔽层210的远离极化层160的一侧还具有第二凹槽，此时可以通过平坦化处理将导电层220直接填充设置在第二凹槽中。

在本发明的上述STT-MRAM存储器中，优选地，形成磁性屏蔽层210的材料为软磁材料，由于软磁材料易于磁化，也易于退磁，从而使磁性屏蔽层210易于磁化以形成平行于字线20的延伸方向的磁化方向，进而有利于降低由极化层160在自由层140处产生的磁场。更为优选地，上述软磁材料选自Ni、Fe和NiFe中的任一种或多种。

在本发明的上述STT-MRAM存储器中，为了实现电流的快速导通，优选地，形成导电层220的材料为Cu。但并不局限于上述优选的材料种类，本领域技术人员可以根据现有技术对上述形成导电层220的材料进行合理选取。

在本发明的上述STT-MRAM存储器中，第一隔离层130与上述第二隔离层150为非磁性材料层，为了保证第一隔离层130和第二隔离层150能够具有较好的隔离效果以及达到最佳的器件性能，优选地，形成上述第一隔离层130和上述第二隔离层150的材料独立地选自MgO、Cu、Mg、CuN、Au、Ag、Cr、Al、Ru、Ta、TaN、Ir和Mo中的任一种或多种。

根据本发明的另一发明，还提供了一种STT-MRAM存储器的制备方法，如图5至10所示，该制备方法包括以下步骤：S1，形成多个MTJ单元10，各MTJ单元10包括层叠设置的固定层120、第一隔离层130、自由层140、第二隔离层150与极化层160；S2，形成与各MTJ单元10连接的字线20，字线20包括层叠设置的导电层220和磁性屏蔽层210，磁性屏蔽层210与极化层160接触设置。

在本发明的上述制备方法中由于形成的字线中的磁性屏蔽层能够与各极化层接触设置，从而相比于极化层能够具有较大的尺寸，从而使极化层的杂散场受到约束，且极化层的磁化方向与磁性屏蔽层的磁化方向相同，从而显著降低了由极化层在自由层处产生的磁场，进而在引入极化层自旋转移力矩降低写电流的同时，有效地避免了极化层磁场的不利影响。

下面将更详细地描述根据本发明提供的STT-MRAM存储器的制备方法的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员。

首先，执行步骤S1：形成多个MTJ单元10，各MTJ单元10包括层叠设置的固定层120、第一隔离层130、自由层140、第二隔离层150与极化层160，如图5和6所示。

在一种优选的实施方式中，上述步骤S1包括以下过程：S11，在底电极110上顺序沉积形成固定预备层121、第一隔离预备层131、自由预备层141、第二隔离预备层151、极化预备层161与磁性预备层211，如图5所示；S12，刻蚀磁性预备层211以形成磁性层212；S13，以磁性层212作为掩膜层顺序刻蚀极化预备层161、第二隔离预备层151、自由预备层141、第一隔离预备层131和固定预备层121，得到MTJ单元10，如图6所示。

在上述优选的实施方式中，由于采用磁性层212作为掩膜层，从而无需再单独引入掩膜层，并且在刻蚀形成MTJ单元10之后，也无需通过工艺将掩膜层去除，从而大大简化了工艺流程，提高了工艺效率。

在上述步骤S12中，形成磁性层212的过程具体可以包括：在磁性预备层211上覆盖光刻胶并通过光刻将光刻胶图形化，然后对覆盖有光刻胶的磁性预备层211进行刻蚀，得到与上述光刻胶对应的具有所需图案的磁性层212，然后将光刻胶去除，得到的磁性层212作为掩膜层用于后续刻蚀形成MTJ单元10的工艺中。

在上述步骤S1之后，执行步骤S2：形成与各MTJ单元10连接的字线20，字线20包括层叠设置的导电层220和磁性屏蔽层210，磁性屏蔽层210与极化层160接触设置，如图7至10所示。

在上述步骤S2中，优选地，形成上述磁性屏蔽层210的材料为软磁材料，由于软磁材料易于磁化，也易于退磁，从而使磁性屏蔽层210易于磁化并形成平行于字线20的延伸方向的磁化方向，进而有利于降低由极化层160在自由层140处产生的磁场。更为优选地，上述软磁材料选自Ni、Fe和NiFe中的任一种或多种。

在上述步骤S2中，为了实现电流的快速导通，优选地，形成导电层220的材料为Cu。但并不局限于上述优选的材料种类，本领域技术人员可以根据现有技术对上述形成导电层220的材料进行合理选取。

在一种优选的实施方式中，上述步骤S2包括以下过程：S21，在底电极110与磁性层212上沉积形成层间介质层30，如图7所示；S22，刻蚀层间介质层30，以使磁性层212与极化层160的侧壁裸露，如图8所示；S23，在层间介质层30与磁性层212上沉积磁性材料，以得到包括磁性层212的磁性屏蔽层210，形成的磁性屏蔽层210具有包裹极化层160的第一凹槽以及与第一凹槽相对的第二凹槽；S24，在第二凹槽中形成导电层220，以得到字线20，如图9所示。

在上述优选的实施方式中，先通过刻蚀使磁性层212与极化层160的侧壁裸露，然后再沉积形成磁性屏蔽层210，能够使磁性屏蔽层210的下表面包裹极化层160，以形成第一凹槽，且极化层160位于第一凹槽中，此时，由于极化层160能够被包裹在磁性屏蔽层210中，从而更为有效地降低了由极化层160在自由层140处产生的磁场。

在上述步骤S22中，可以直接采用磁性层212作为刻蚀停止层，以防止发生过刻蚀造成对MTJ单元10的影响，从而无需再单独引入刻蚀停止层，并且在刻蚀层间介质层30之后，也无需通过工艺将刻蚀停止层去除，而是通过在步骤S23中进一步沉积磁性材料以形成包括磁性层212的磁性屏蔽层210，使上述磁性层212作为磁性屏蔽层210的一部分，从而大大简化了工艺流程，提高了工艺效率。

本发明的上述步骤S24还可以包括对磁性屏蔽层210与导电层220进行平坦化处理的步骤，以得到表面平坦的字线20。通过平坦化处理的导电层220。由于磁性屏蔽层210下表面形成有包裹极化层160的第一凹槽，从而使沉积得到的磁性屏蔽层210的上表面，即磁性屏蔽层210的远离极化层160的一侧还具有第二凹槽，此时通过平坦化处理的导电层220能够填充设置在第二凹槽中，如图10所示。

从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：

1、显著降低了由极化层在自由层处产生的磁场，进而在引入极化层自旋转移力矩降低写电流的同时，有效地避免了极化层磁场的不利影响；

2、采用磁性层作为掩膜层，从而无需再单独引入掩膜层，并且在刻蚀形成MTJ单元之后，也无需通过工艺将掩膜层去除，从而大大简化了工艺流程，提高了工艺效率；

3、直接采用磁性层作为刻蚀停止层，以防止发生过刻蚀造成对MTJ单元的影响，从而无需再单独引入刻蚀停止层，并且在刻蚀层间介质层之后，也无需通过工艺将刻蚀停止层去除，而是通过进一步沉积磁性材料以形成包括磁性层的磁性屏蔽层，使上述磁性层作为磁性屏蔽层的一部分，从而大大简化了工艺流程，提高了工艺效率。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种STT-MRAM存储器，其特征在于，所述STT-MRAM存储器包括：

字线（20），包括层叠设置的导电层（220）和磁性屏蔽层（210），所述磁性屏蔽层（210）的磁化方向为所述字线（20）的延伸方向；

多个MTJ单元（10），各所述MTJ单元（10）均包括顺序层叠设置的固定层（120）、第一隔离层（130）、自由层（140）、第二隔离层（150）与极化层（160），各所述极化层（160）均与所述磁性屏蔽层（210）接触设置，且所述极化层（160）的磁化方向与所述自由层（140）的磁化方向垂直，

所述磁性屏蔽层（210）的远离所述导电层（220）的一侧具有第一凹槽，所述极化层（160）位于所述第一凹槽中，且所述磁性屏蔽层（210）包裹所述极化层（160）。

2.根据权利要求1所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述磁性屏蔽层（210）的远离所述极化层（160）的一侧具有第二凹槽，所述导电层（220）填充设置在所述第二凹槽中。

3.根据权利要求1所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，形成所述磁性屏蔽层（210）的材料为软磁材料。

4.根据权利要求3所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述软磁材料选自Ni、Fe和NiFe中的任一种或多种。

5.根据权利要求1所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，形成所述导电层（220）的材料为Cu。

6.根据权利要求1所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述第一隔离层（130）和所述第二隔离层（150）为非磁性材料层。

7.根据权利要求6所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，形成所述第一隔离层（130）和所述第二隔离层（150）的材料独立地选自MgO、Cu、Mg、CuN、Au、Ag、Cr、Al、Ru、Ta、TaN、Ir和Mo中的任一种或多种。

8.一种STT-MRAM存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，形成多个MTJ单元（10），各所述MTJ单元（10）包括层叠设置的固定层（120）、第一隔离层（130）、自由层（140）、第二隔离层（150）与极化层（160）；

S2，形成与各所述MTJ单元（10）连接的字线（20），所述字线（20）包括层叠设置的导电层（220）和磁性屏蔽层（210），所述磁性屏蔽层（210）与所述极化层（160）接触设置，

所述磁性屏蔽层（210）的远离所述导电层（220）的一侧具有第一凹槽，所述极化层（160）位于所述第一凹槽中，且所述磁性屏蔽层（210）包裹所述极化层（160）。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括以下过程：

S11，在底电极（110）上顺序沉积形成固定预备层（121）、第一隔离预备层（131）、自由预备层（141）、第二隔离预备层（151）、极化预备层（161）与磁性预备层（211）；

S12，刻蚀所述磁性预备层（211）以形成磁性层（212）；

S13，以所述磁性层（212）作为掩膜层顺序刻蚀所述极化预备层（161）、所述第二隔离预备层（151）、所述自由预备层（141）、所述第一隔离预备层（131）和所述固定预备层（121），得到所述MTJ单元（10）。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下过程：

S21，在所述底电极（110）与所述磁性层（212）上沉积形成层间介质层（30）；

S22，刻蚀所述层间介质层（30），以使所述磁性层（212）与所述极化层（160）的侧壁裸露；

S23，在所述层间介质层（30）与所述磁性层（212）上沉积磁性材料，以得到包括所述磁性层（212）的所述磁性屏蔽层（210），形成的所述磁性屏蔽层（210）具有包裹所述极化层（160）的第一凹槽以及与所述第一凹槽相对的第二凹槽；

S24，在所述第二凹槽中形成所述导电层（220），以得到所述字线（20）。

11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，形成所述磁性屏蔽层（210）的材料为软磁材料。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述软磁材料选自Ni、Fe和NiFe中的任一种或多种。

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