CN110262135A - 一种光取向装置、显示基板的光取向方法及显示基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光取向装置、显示基板的光取向方法及显示基板，光取向装置，包括：紫外光源，位于所述紫外光源出光侧的偏振线栅和衰减片，放置架，以及固定部件；其中，所述衰减片通过所述固定部件可拆卸的固定于所述放置架上；所述偏振线栅，用于将所述紫外光源出射的光线转换为光取向工艺所需的偏振光；所述紫外光源出射的光线所覆盖的区域分为第一区域和第二区域；所述紫外光源射向所述第一区域的光强大于射向所述第二区域的光强；所述衰减片位于所述第一区域，用于减弱所述紫外光源出射的光线的光强。通过在第一区域中设置衰减片，提高了光取向的曝光均一性，固定部件将衰减片可拆卸的固定于放置支架上，便于取放衰减片和调整衰减片的数量。

Description

一种光取向装置、显示基板的光取向方法及显示基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种光取向装置、显示基板的光取向方法及显示基板。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有对比度高，画质好，良率高，运营方便等优点，因而受到众多企业的重视与开发应用，成为显示领域的主流产品。一般液晶显示器的基板生产工序包括：阵列基板/彩膜基板的制作、取向膜涂覆、摩擦取向或光取向、滴下式注入(One Drop Filling，ODF)液晶、切割(Cutting)、贴偏光片、绑定、组背光等。
随着制作工艺的发展，光取向工艺正逐步取代传统的摩擦工艺，以期得到更高的对比度，更好的均一性，更宽的视角。光取向是通过控制线性紫外偏振光的方向，以及曝光量来对光敏型取向膜进行配向，为了保证液晶取向均一，对比度均一，就需要控制一个重要的参数，即曝光均一性。
然而，在现有技术中很难调整光取向曝光均一性，具体地，光取向曝光均一性调整需要通过调节灯源的功率或者提升偏振线栅和滤光片的一致性，这将导致各灯源的寿命不一致，最终导致频繁更换灯源，使设备的稼动率降低，或者，由于偏振线栅和滤光片的很难调整，且价格昂贵，导致设备成本较高。
发明内容
本发明实施例提供一种光取向装置、显示基板的光取向方法及显示基板，用以解决现有技术中存在的光取向曝光均一性较难调整的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种光取向装置，包括：紫外光源，位于所述紫外光源出光侧的偏振线栅和衰减片，放置架，以及固定部件；其中，
所述衰减片通过所述固定部件可拆卸的固定于所述放置架上；
所述偏振线栅，用于将所述紫外光源出射的光线转换为光取向工艺所需的偏振光；
所述紫外光源出射的光线所覆盖的区域分为第一区域和第二区域；所述紫外光源射向所述第一区域的光强大于射向所述第二区域的光强；
所述衰减片位于所述第一区域，用于减弱所述紫外光源出射的光线的光强。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，所述衰减片，包括：具有光吸收作用的基材。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，所述衰减片，包括：基材，以及位于所述基材之上的光吸收膜。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，所述光吸收膜的材料为三氧化二镧或者三氧化二镓。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，所述光吸收膜的厚度在1nm～1000nm范围内。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，所述衰减片，包括：基材，以及位于所述基材内部的掺杂粒子。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，所述掺杂粒子的质量比在0～5％之间。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，所述掺杂粒子为硼粒子、铅粒子、镓粒子、镧粒子中的一种或多种。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，所述基材的厚度在0.1mm～5mm范围内。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，所述衰减片的光吸收率在0.5％～20％范围内。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，所述第一区域包括至少两个子区域；
各所述子区域对应的所述紫外光源出射的光线的强度不同；
对应的光线的强度越强的所述子区域中包含的所述衰减片的总光吸收率越高。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，至少存在一个所述子区域包括层叠设置的至少两个所述衰减片。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，层叠设置的各所述衰减片的光吸收率相同；
所述子区域中衰减片的数量与该子区域对应的所述紫外光源出射的光线的强度呈正比。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，层叠设置的各所述衰减片的光吸收率的差异在0～5％之间。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述光取向装置中，还包括：位于所述紫外光源的出光侧与所述偏振线栅之间的滤光片；
所述滤光片，用于使第一波长范围内的光线通过；
所述衰减片位于所述滤光片与所述偏振线栅之间。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示基板的光取向方法，采用上述光取向装置对显示基板进行光取向工艺。
第三方面，本发明实施例提供了一种显示基板，采用上述光取向方法制作而成。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的光取向装置、显示基板的光取向方法及显示基板，光取向装置，包括：紫外光源，位于紫外光源出光侧的偏振线栅和衰减片，放置架，以及固定部件；其中，衰减片通过固定部件可拆卸的固定于放置架上；偏振线栅，用于将紫外光源出射的光线转换为光取向工艺所需的偏振光；紫外光源出射的光线所覆盖的区域分为第一区域和第二区域；紫外光源射向第一区域的光强大于射向第二区域的光强；衰减片位于第一区域，用于减弱紫外光源出射的光线的光强。本发明实施例提供的光取向装置中，通过在紫外光源照射的光强较强的第一区域中设置衰减片，可以减弱光取向装置射向第一区域的光强，从而减弱第一区域和第二区域的光强差异，提高光取向的曝光均一性，并且，通过设置固定部件可以将衰减片可拆卸的固定于放置支架上，便于取放衰减片，以及调整衰减片的数量。
附图说明
图1为本发明实施例中短灯拼接式装置的结构示意图；
图2为本发明实施例中长灯式装置的结构示意图；
图3为未设置衰减片的光取向装置射向各区域的紫外光的光强分布示意图；
图4为本发明实施例中设置衰减片的光取向装置的结构示意图之一；
图5为设置衰减片后的光取向装置射向各区域的紫外光的光强分布示意图；
图6为本发明实施例中设置衰减片的光取向装置的结构示意图之二；
图7为本发明实施例中设置衰减片的光取向装置的结构示意图之三；
图8为本发明实施例中设置衰减片的光取向装置的结构示意图之四。
具体实施方式
光取向装置主要分为短灯拼接式装置和长灯式装置，其中，图1为一种短灯拼接式装置的结构示意图，如图1所示，一般每台短灯拼接式装置可包括30～100个短灯紫外光源，图1中以包含5个短灯紫外光源10a为例进行示意，为了调整光取向曝光均一性，主要通过调整短灯紫外光源10a的功率，单独增加或降低短灯紫外光源10a的亮度来调节面内曝光均一度。
然而，由于短灯拼接式装置中的短灯紫外光源的数量较多，需要调整的短灯紫外光源的数量多，调整难度较大，且调整周期频繁，此外，由于短灯紫外光源使用初始功率不一致，衰减程度不一致，各短灯紫外光源的使用寿命差异大，最终需要频繁换灯，使设备稼动率大大降低，影响生产效率。
图2为一种长灯式装置的结构示意图，如图2所示，一般长灯式装置中长灯紫外光源的数量较少，一般在1～5个，图中以一个长灯紫外光源10b为例进行示意，主要通过优化筛选滤光片50和偏振线栅20等关键光学器件，调整光线透过率以提高曝光均一性。
然而，调整滤光片和偏振线栅的一致性要求较高，更换滤光片和偏光线栅的价格昂贵，备件费用占用高，保养困难，保存环境苛刻，导致光学器件的成本大幅提升。并且，如果光学器件发生劣化，偏振线栅精度调整难，易损坏。此外，滤光片和偏振线栅属于非标准件，膜层多，个体差异大，良品率低，制作成本高，将会导致花费较高的费用成本和时间成本进行筛选更换。
图3为未设置衰减片的光取向装置射向各区域的紫外光的光强分布示意图，其中，X表示紫外光源照射的各区域，Y表示光照强度，Ymax表示光强最大值，Ymin表示光强最小值，如图3所示，从图中可以明显看出光强最大值Ymax和光强最小值Ymin的差异较大，则表示光取向装置的曝光均一性较差，最终将导致产品对比度差异大，曝光均一性越差，对比度的波动越大，残影一致性也越差，导致产品稳定性低，工艺管控较难。
基于此，针对光取向曝光均一性较难调整的问题，本发明实施例提供了一种光取向装置、显示基板的光取向方法及显示基板。
下面结合附图，对本发明实施例提供的光取向装置、显示基板的光取向方法及显示基板的具体实施方式进行详细地说明。附图中各部分的大小和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
第一方面，本发明实施例提供了一种光取向装置，如图4所示，包括：紫外光源10，位于紫外光源10出光侧的偏振线栅20和衰减片30，放置架(图中未示出)，以及固定部件(图中未示出)；其中，
衰减片30通过固定部件可拆卸的固定于放置架上；
偏振线栅20，用于将紫外光源10出射的光线转换为光取向工艺所需的偏振光；
紫外光源10出射的光线所覆盖的区域分为第一区域(如图中的区域A1和区域A2)和第二区域(如图中的区域B)；紫外光源10射向第一区域的光强大于射向第二区域的光强；
衰减片30位于第一区域，用于减弱紫外光源出射的光线的光强。
本发明实施例提供的光取向装置中，通过在紫外光源照射的光强较强的第一区域中设置衰减片，可以减弱光取向装置射向第一区域的光强，从而减弱第一区域和第二区域的光强差异，提高光取向的曝光均一性，并且，通过设置固定部件可以将衰减片可拆卸的固定于放置支架上，便于取放衰减片，以及调整衰减片的数量。
本发明实施例中，上述紫外光源10可以为长灯紫外光源，也可以是短灯紫外光源，此处不做限定。一般长灯紫外光源的长度会大于待取向的显示基板的长度，当上述光取向装置包括多个长灯紫外光源时，可以将各长灯紫外光源设置为按照垂直于延伸方向的方向上依次排列。在具体实施时，可以采用固定曝光的方式进行光取向工艺，也就是将显示基板固定于光取向装置的出光面上；或者，也可以采用走行曝光的方式进行光取向工艺，即将显示基板放置于可移动的机台上，在曝光的过程中控制机台带动显示基板移动，移动方向可以垂直于长灯紫外光源的延伸方向。
一般短灯紫外光源的长度小于显示基板的边长，当上述光取向装置包括多个短灯紫外光源时，可以将各短灯紫外光源设置为呈阵列排布，光取向装置中每一行中短灯紫外光源的个数，以及光取向装置中的行数可以根据待取向的显示基板的尺寸确定，一般待取向的显示基板的尺寸在10cm×10cm～4m×4m之间，另外，为了使光取向装置出射的紫外光更均匀，可以使相邻行短灯紫外光源之间错开设置，以减小相邻短灯紫外光源之间的缝隙对光强分布的影响。在具体实施时，可以采用固定曝光的方式进行光取向工艺，也就是将显示基板固定于光取向装置的出光面上；或者，也可以采用走行曝光的方式进行光取向工艺，即将显示基板放置于可移动的机台上，在曝光的过程中控制机台带动显示基板移动，移动方向可以垂直于长灯紫外光源的延伸方向。
上述紫外光源一般可以出射波长在1nm～300nm范围内的紫外光，衰减片能够降低局部区域的光强，从而提升有效光照面内的光强均一性。并且，衰减片能够吸收的紫外光波长范围，需要包含取向膜的敏感波长，具体地，可以将衰减片设置为对波长在230nm～290nm范围内的紫外光具有吸收作用。
在实际应用中，在光取向装置中设置衰减片之前，在各紫外光源能照射到的区域中分别选取多个检测点，然后驱动各紫外光源发光，采用检测器(例如照度计)检测光取向装置射向各检测点的光强值，根据各检测点的光强值确定光强较强的第一区域和光强较弱的第二区域，以图3所示的未设置衰减片的光取向装置射向各区域的紫外光的光强分布示意图为例，图中的曲线中两个峰值处的光强较强，因而两个峰值对应的区域为第一区域，其他区域可以为第二区域。在第一区域中设置衰减片，以减弱光取向装置照射到该区域的光强，如图4中在第一区域中的区域A1和区域A2中设置衰减片，图5为设置衰减片后的光取向装置射向各区域的紫外光的光强分布示意图，从图5可以看出，区域A1和区域A2中的紫外光强度明显降低，可以使区域A1、A2与区域B保持较高的曝光均一性。然后，可以再次驱动各紫外光源发光，检测设置衰减片之后的光取向装置射到各检测点的光强值，根据各检测点的光强值确定光取向装置的曝光均一性，若曝光均一性较差，则可以对各区域中的衰减片进行调整，例如可以再次在光强较强的区域设置衰减片，或者将之前设置的衰减片拆除再重新设置，此处不对调整方式进行限定。
在具体实施时，也可以对光取向装置照射中的衰减片进行多次调整，直至光取向装置的曝光均一性在设定范围内，各区域中的光强最大值Ymax与光强最小值Ymin的差异较小，则表示曝光均一性较好。具体地，例如曝光均一性的设定范围可以为小于10％，随着市场对产品的要求愈加严苛，该设定范围也可以设置为小于5％或小于3％等范围。
具体地，光取向装置的曝光均一性可以采用以下公式确定：
其中，Z表示曝光均一性，Ymax表示光强最大值，Ymin表示光强最小值。
在具体实施时，可以在光取向装置能够照射到的区域内设置多个固定部件，衰减片可以通过固定部件可拆卸的固定在放置架上，以便对各区域中的衰减片进行调整的过程中，可以很容易的取放衰减片。
具体地，本发明实施例提供的上述光取向装置中，上述衰减片具有多种实现方式，以下结合附图进行详细说明。
实现方式一：
如图4所示，上述衰减片30，包括：具有光吸收作用的基材301。
具体地，可以采用具有紫外光吸收作用的基材作为衰减片30，通过基材301对紫外光的吸收作用，来降低紫外光源10出射的紫外光的光强，上述基材301可以采用任何具有紫外光吸收作用的材料，例如，上述基材301可以由石英玻璃制作而成，可以通过改变石英玻璃的厚度来调节衰减片的光吸收率。
实现方式二：
如图6所示，上述衰减片30，包括：基材301，以及位于基材301之上的光吸收膜302。
在基材301上镀一层具有紫外光吸收作用的光吸收膜302，通过光吸收膜302对紫外光的吸收作用，可以降低紫外光源10出射的紫外光的光强，通过调整光吸收膜302的厚度可以调整衰减片30的光透过率，光吸收膜302的膜层厚度越大，对紫外光的吸收作用越强，紫外光的光透过率越低。
具体地，上述光吸收膜302的材料可以为三氧化二镧或者三氧化二镓等具有光吸收作用的材料，也可以采用其他材料，例如可以采用其他无机物材料，此处不做限定。
在具体实施时，上述光吸收膜的厚度可以设置在1nm～1000nm范围内。在具体实施时，可以根据光吸收膜的材料和需要设置的衰减片的光吸收率，来确定光吸收膜的厚度。
实现方式三：
如图7所示，上述衰减片30，包括：基材301，以及位于基材301内部的掺杂粒子302。
在基材301内部掺入掺杂粒子302，通过掺杂粒子302对紫外光的吸收作用，可以降低紫外光源10出射的紫外光的光强，通过调整基材301内部掺入的掺杂粒子302的浓度，可以调节衰减片30的光透过率，基材301内掺杂粒子302的浓度越高，对紫外光的吸收作用越强，紫外光的光透过率越低。
在具体实施时，上述掺杂粒子的质量比可以在0～5％之间。
具体地，上述掺杂粒子为硼粒子、铅粒子、镓粒子、镧粒子中的一种或多种，也可以采用其他具有紫外光吸收作用的材料，此处不做限定。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述光取向装置，上述基材的厚度可以在0.1mm～5mm范围内。在上述实现方式一中，通过调整基材的厚度来调整衰减片的光透过率，一般基材的光透过率比较高，为了使基材对紫外光的吸收作用较强，可以将基材的厚度设置的较厚。在上述实现方式二中，具有紫外光吸收作用的主要为光吸收膜，通过调整光吸收膜的厚度来改变衰减片的光透过率，因而实现方式二中的基材可以设置的较薄。同理，在上述实现方式三中，具有紫外光吸收作用的主要为基材内的掺杂粒子，通过调整掺杂粒子的浓度来改变衰减片的光透过率，因而实现方式三中的基材也可以设置的较薄。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述光取向装置中，在上述实现方式一至三中，上述衰减片的光吸收率在0.5％～20％范围内。在具体实施时，可以根据紫外光源射向各区域中的紫外光的光强分布，来确定需要向各区域中设置的衰减片的总光吸收率，并且，可以通过调整基材的厚度、光学膜层的厚度或者掺杂粒子的浓度，来调整衰减片的光吸收率。
具体地，本发明实施例提供的上述光取向装置中，如图4所示，第一区域包括至少两个子区域，例如第一区域包括区域A1和区域A2；
各子区域对应的紫外光源出射的光线的强度不同；可以参照图3所示的未设置衰减片光取向装置射向各区域的紫外光的光强分布示意图，图中区域A1对应的紫外光的强度高于区域A2对应的紫外光的强度；
对应的光线的强度越强的子区域中包含的衰减片的总光吸收率越高。
第一区域中的子区域对应的紫外光源出射的光强越强，则需要总光吸收率更高的衰减片才能将紫外光降低至与第二区域中的紫外光的强度大致相同，因而，需要将对应的光线的强度越强的子区域中包含的衰减片的总光吸收率设置的越高。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述光取向装置中，至少存在一个子区域包括层叠设置的至少两个衰减片，如图8所示，图中区域A1中具有两个衰减片30，该衰减片可以为上述实现方式一至三中的任一种衰减片，此处不对衰减片的具体实现方式进行限定。相应地，可以在光取向装置中的子区域设置至少两个固定部件，以便于将至少两个衰减片固定在对应于该子区域的放置架上。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述光取向装置中，层叠设置的各衰减片的光吸收率相同；
子区域中衰减片的数量与该子区域对应的紫外光源出射的光线的强度呈正比。
在具体实施时，可以制作多个光吸收率相同的衰减片，为了便于安装，可以将这些衰减片设置为相同的规格，通过将衰减片进行叠加，可以更容易的调整该子区域中的各衰减片中的总吸收率，从而便于进行局部区域的均一性调整，使调整过程的成本更低，并且便于后期管理和维护。
在具体实施时，可以将层叠设置的各衰减片的光吸收率设置的较低，例如，设置在0～5％之间，以使各衰减片叠加后得到更多不同数值的总光吸收率，从而能够更精确的调整光取向装置射向该子区域中的紫外光的光强。以图8所示的结构为例，若紫外光源10射向区域A1和区域A2的光强差异较小，例如射向区域A1的光强较大，则可以在区域A1中设置一层衰减片，可以理解的是，若衰减片的光吸收率较大，则很容易使光取向装置最终射向区域A1的光强低于区域A2的光强，因而，将衰减片的光吸收率设置的较小更容易进行区域光强调整，使调整后的曝光均一性更好。
此外，本发明实施例提供的上述光取向装置中，层叠设置的各衰减片的光吸收率的差异在0～5％之间。
为了使衰减片叠加后能够得到更多不同数值的总光吸收率，也可以制作多个标准衰减片，并且多个标准衰减片的光吸收率可以设置为等值递增，例如可以0.5％为等值递增，也可以选取0～5％之间的其他数值进行等值递增，此处不做限定，例如可以制作多个光吸收率分别为0.5％、1％、1.5％或2％的标准衰减片，在实际调整过程中，可以根据紫外光源的光强分布来确定在子区域设置的衰减片的总吸收率，然后通过组合标准衰减片来实现。
在实际应用中，可以根据紫外光源射向各区域的紫外光的光强分布，来确定在哪些区域设置衰减片，可以使用上述所有实施方式中的衰减片进行混合叠加，以取得较好的曝光均一性。
此外，本发明实施例提供的上述光取向装置中，如图4所示，还可以包括：位于紫外光源10的出光侧与偏振线栅20之间的滤光片50；
滤光片50，用于使第一波长范围内的光线通过；
衰减片30位于滤光片50与偏振线栅20之间。
上述紫外光源10出射的波长一般在1nm～300nm范围内，通过在紫外光源10的出光侧和偏振线栅20之间，可以滤除紫外光源10出射的部分紫外光，使第一波长范围内的光线通过，该第一波长范围可以为230nm～290nm，也就是滤波片对于波长在230nm～290nm范围内的光线保持低吸收或者不吸收，从而使经过滤光片后得到波长在230nm～290nm范围内紫外光，以便后续进行光取向工艺，此外，可以将衰减片设置为对波长在230nm～290nm范围内的紫外光具有吸收作用，例如可以将衰减片设置为对254nm的波段有吸收作用，以便调整各区域内紫外光的光强。
本发明实施例中，将衰减片30设置在滤光片50与偏振线栅20之间是本发明实施例的优选实施方式，在具体实施时，也可以将衰减片设置在其他位置，例如还可以设置在紫外光源10与滤光片50之间，或者设置在偏振线栅20与待取向的显示基板40之间，此处不对衰减片30的位置进行限定。
第二方面，基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示基板的光取向方法，采用上述光取向装置对显示基板进行光取向工艺。由于该光取向方法解决问题的原理与上述光取向装置相似，因此该光取向方法的实施可以参见上述光取向装置的实施，重复之处不再赘述。
第三方面，基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示基板，采用上述光取向方法制作而成。由于该显示基板解决问题的原理与上述光取向方法相似，因此该显示基板的实施可以参见上述光取向方法的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的光取向装置、显示基板的光取向方法及显示基板，通过在紫外光源照射的光强较强的第一区域中设置衰减片，可以减弱光取向装置射向第一区域的光强，从而减弱第一区域和第二区域的光强差异，提高光取向的曝光均一性，并且，通过设置固定部件可以将衰减片可拆卸的固定于放置支架上，便于取放衰减片，以及调整衰减片的数量，从而改善了液晶显示装置的对比度均一性，提高了液晶显示装置的稳定性，并且可以提高光取向中设备运营的便利性，降低设备运营成本和液晶显示装置的制作成本。
本发明实施例提供的上述光取向装置和取向方法可以适用于各种显示模式的液晶显示装置的制作，例如可以适用于等液晶显示装置，还可以适用于平面转换(In-PlaneSwitching，IPS)、边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)、高级超维场转换(AdvancedSuperDimensionSwitch，ADS)等液晶显示装置中，此处只是举例说明，不对本发明实施例中的取向装置和取向方法的应用范围进行限定。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (17)

1.一种光取向装置，其特征在于，包括：紫外光源，位于所述紫外光源出光侧的偏振线栅和衰减片，放置架，以及固定部件；其中，
所述衰减片通过所述固定部件可拆卸的固定于所述放置架上；
所述偏振线栅，用于将所述紫外光源出射的光线转换为光取向工艺所需的偏振光；
所述紫外光源出射的光线所覆盖的区域分为第一区域和第二区域；所述紫外光源射向所述第一区域的光强大于射向所述第二区域的光强；
所述衰减片位于所述第一区域，用于减弱所述紫外光源出射的光线的光强。
2.如权利要求1所述的光取向装置，其特征在于，所述衰减片，包括：具有光吸收作用的基材。
3.如权利要求1所述的光取向装置，其特征在于，所述衰减片，包括：基材，以及位于所述基材之上的光吸收膜。
4.如权利要求3所述的光取向装置，其特征在于，所述光吸收膜的材料为三氧化二镧或者三氧化二镓。
5.如权利要求4所述的光取向装置，其特征在于，所述光吸收膜的厚度在1nm～1000nm范围内。
6.如权利要求1所述的光取向装置，其特征在于，所述衰减片，包括：基材，以及位于所述基材内部的掺杂粒子。
7.如权利要求6所述的光取向装置，其特征在于，所述掺杂粒子的质量比在0～5％之间。
8.如权利要求6所述的光取向装置，其特征在于，所述掺杂粒子为硼粒子、铅粒子、镓粒子、镧粒子中的一种或多种。
9.如权利要求2～8任一项所述的光取向装置，其特征在于，所述基材的厚度在0.1mm～5mm范围内。
10.如权利要求1～8任一项所述的光取向装置，其特征在于，所述衰减片的光吸收率在0.5％～20％范围内。
11.如权利要求1～8任一项所述的光取向装置，其特征在于，所述第一区域包括至少两个子区域；
各所述子区域对应的所述紫外光源出射的光线的强度不同；
对应的光线的强度越强的所述子区域中包含的所述衰减片的总光吸收率越高。
12.如权利要求11所述的光取向装置，其特征在于，至少存在一个所述子区域包括层叠设置的至少两个所述衰减片。
13.如权利要求12所述的光取向装置，其特征在于，层叠设置的各所述衰减片的光吸收率相同；
所述子区域中衰减片的数量与该子区域对应的所述紫外光源出射的光线的强度呈正比。
14.如权利要求12所述的光取向装置，其特征在于，层叠设置的各所述衰减片的光吸收率的差异在0～5％之间。
15.如权利要求1～8任一项所述的光取向装置，其特征在于，还包括：位于所述紫外光源的出光侧与所述偏振线栅之间的滤光片；
所述滤光片，用于使第一波长范围内的光线通过；
所述衰减片位于所述滤光片与所述偏振线栅之间。
16.一种显示基板的光取向方法，其特征在于，采用如权利要求1～15任一项所述的光取向装置对显示基板进行光取向工艺。
17.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求16所述的光取向方法制作而成。
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