CN110247292B - 一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置、方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，属于光纤激光器技术领域，包括光纤激光器、光源、控制模块和光纤模场适配器，所述光源和所述光纤激光器连接，所述光源输出的中心波长是532nm；所述控制模块和所述光纤激光器连接，所述控制模块和所述光源连接，所述光源设置在所述控制模块和所述光纤激光器之间；所述光纤模场适配器和所述光源连接，所述光纤模场适配器和所述光纤激光器连接，所述光纤模场适配器设置在所述光源和所述光纤激光器之间。本发明达到了能够降低掺镱光纤激光器输出功率的衰减，提高掺镱光纤激光器系统的寿命的技术效果。

Description

一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置、方法

技术领域

本发明属于光纤激光器技术领域，特别涉及一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置、方法。

背景技术

光纤激光器是指用掺稀土元素玻璃光纤作为增益介质的激光器，光纤激光器可在光纤放大器的基础上开发出来：在泵浦光的作用下光纤内极易形成高功率密度，造成激光工作物质的激光能级“粒子数反转”，当适当加入正反馈回路(构成谐振腔)便可形成激光振荡输出。掺镱光纤激光器具有高转换效率、高光束质量、散热性能优良以及结构紧凑等优点，因此得以广泛应用于工业加工、激光医疗、军事对抗、通信等领域。

对于应用于光纤激光器的技术而言，随着掺镱光纤激光器功率不断攀升，目前单纤输出功率可达万瓦量级。然而，由于掺镱光纤容易受到光子暗化效应的影响，其输出功率逐渐下降，这种功率衰减不仅损害激光器的稳定性，同时也严重影响系统寿命，限制了激光器功率的进一步攀升。光子暗化现象表现为从紫外波段到近红外波段的宽带吸收，产生不可恢复的光学损耗。此外，光子暗化现象也会在激光器中引入额外的热源，加剧热管理难度，并且引起模式不稳定现象。光子暗化现象可以从光纤制备的源头进行抑制。在光纤制备过程中，掺入铝、磷、铈等离子，可以有效抑制光子暗化。其次，对制备的光纤进行预处理，加载氢气或氧气，也能提高光纤的抗光子暗化性能，而由于加载气体的方法较为复杂，并未得到广泛应用。此外，对于已产生光子暗化的光纤，使用光漂白或热漂白的方法，能不同程度上消除光子暗化。一旦搭建激光器的光纤被选定，激光器暗化过程中的暗化现象就不可调控。这样使得掺镱光纤激光器的输出功率衰减较大，掺镱光纤激光器的系统寿命短。

综上所述，在现有的应用于光纤激光器的技术中，存在着掺镱光纤激光器的输出功率衰减较大，掺镱光纤激光器的系统寿命短的技术问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是存在着掺镱光纤激光器的输出功率衰减较大，掺镱光纤激光器的系统寿命短的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，所述装置包括：光纤激光器；光源，所述光源和所述光纤激光器连接，所述光源输出的中心波长是532nm；控制模块，所述控制模块和所述光纤激光器连接，所述控制模块和所述光源连接，所述光源设置在所述控制模块和所述光纤激光器之间；光纤模场适配器，所述光纤模场适配器和所述光源连接，所述光纤模场适配器和所述光纤激光器连接，所述光纤模场适配器设置在所述光源和所述光纤激光器之间。

进一步地，所述光纤激光器包括：合束器，所述光源和所述合束器连接；若干个第一半导体激光器，每一个所述第一半导体激光器分别与所述合束器连接；所述控制模块分别和每一个所述第一半导体激光器连接，每一个所述第一半导体激光器设置在所述控制模块和所述合束器之间，所述光源设置在所述控制模块和所述合束器之间。

进一步地，所述光纤激光器是掺镱光纤激光器。

进一步地，所述光纤激光器的输出功率是1毫瓦到1万瓦。

进一步地，所述光源是带有光纤输出的第二半导体激光器，所述光源的输出功率是1毫瓦到1千瓦，所述第二半导体激光器的输出波长的数值范围是500至550nm。

进一步地，所述第一半导体激光器的输出波长的数值范围是910nm至980nm。

进一步地，还包括：光源驱动电源，所述光源驱动电源和所述光源连接，所述光源设置在所述光源驱动电源和所述控制模块之间。

依据本发明的又一个方面，本发明还提供一种光子暗化漂白的方法，其特征在于，所述方法包括：在光纤激光器运行达到预定时间后，关闭光纤激光器的第一半导体激光器；其中，所述预定时间的时长范围是0.1小时至10000小时；通过开启光源驱动电源来调制光源的输出功率，使光源输出的中心波长是532nm，所述光源连续工作预设时间后，再关闭所述光源，以进行光子暗化漂白；其中，所述预设时间的时长范围是0.1小时至100小时。

依据本发明的又一个方面，本发明还提供一种抑制光子暗化的方法，其特征在于，所述方法包括：通过开启光源驱动电源来调制光源的输出功率，使光源输出的中心波长是532nm，所述光源连续工作预设时间后，再关闭所述光源，以抑制光子暗化；其中，所述预设时间的时长范围是0.1小时至100小时。

有益效果：

本发明提供一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，通过将光源和光纤激光器相互连接，光源输出的中心波长是532nm。同时，控制模块和所述光纤激光器相互连接，所述控制模块和所述光源相互连接，以及将所述光源设置在所述控制模块和所述光纤激光器之间。同时，光纤模场适配器和所述光源相互连接，所述光纤模场适配器和所述光纤激光器相互连接，将所述光纤模场适配器设置在所述光源和所述光纤激光器之间。这样光源输出的中心波长是532nm，在光纤激光器中使用532nm的波长来处理，继而在使用过程中对光子暗化进行优化处理，抑制光子暗化，提高光纤抗光子暗化性能，降低掺镱光纤激光器输出功率的衰减，提高掺镱光纤激光器系统的寿命。从而达到了能够降低掺镱光纤激光器输出功率的衰减，提高掺镱光纤激光器系统的寿命的技术效果。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置的结构框图；

图2为本发明实施例提供的一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置的整体结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置中532nm光源抑制掺镱光纤光子暗化和原始光纤对比中光子暗化诱导的附加损耗随时间变化的曲线示意图一；

图4为本发明实施例提供的一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置中532nm光源抑制掺镱光纤光子暗化和原始光纤对比中光子暗化诱导的附加损耗随时间变化的曲线示意图二；

图5为本发明实施例提供的一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置中532nm光源漂白掺镱光纤光子暗化中光子暗化诱导的附加损耗随时间变化的曲线示意图；

图6为本发明实施例提供的一种光子暗化漂白的方法的流程图。

具体实施方式

本发明公开了一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，通过将光源20和光纤激光器10相互连接，光源20输出的中心波长是532nm。同时，控制模块30和光纤激光器10相互连接，所述控制模块30和所述光源20相互连接，以及将所述光源20设置在所述控制模块30和所述光纤激光器10之间。同时，光纤模场适配器40和所述光源20相互连接，所述光纤模场适配器40和所述光纤激光器10相互连接，将所述光纤模场适配器40设置在所述光源20和所述光纤激光器10之间。这样光源20输出的中心波长是532nm，在光纤激光器10中使用532nm的波长来处理，继而在使用过程中对光子暗化进行优化处理，抑制光子暗化，提高光纤抗光子暗化性能，降低掺镱光纤激光器10输出功率的衰减，提高掺镱光纤激光器10系统的寿命。从而达到了能够降低掺镱光纤激光器10输出功率的衰减，提高掺镱光纤激光器10系统的寿命的技术效果。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围；其中本实施中所涉及的“和/或”关键词，表示和、或两种情况，换句话说，本发明实施例所提及的A和/或B，表示了A和B、A或B两种情况，描述了A与B所存在的三种状态，如A和/或B，表示：只包括A不包括B；只包括B不包括A；包括A与B。

同时，本发明实施例中，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。本发明实施例中所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明目的，并不是旨在限制本发明。

实施例一

请参见图1，本发明实施例提供一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，所述抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置包括光纤激光器10、光源20、若干个第一半导体激光器102、控制模块30和光纤模场适配器40，现分别对光纤激光器10、光源20、若干个第一半导体激光器102、控制模块30和光纤模场适配器40进行以下详细说明：

对于光纤激光器10而言：

光纤激光器10可以是掺镱光纤激光器10，其中，所述光纤激光器10的输出功率是1毫瓦到1万瓦。光纤激光器10包括：合束器101和若干个第一半导体激光器102，所述光源20和所述合束器101连接，每一个所述第一半导体激光器102分别和所述合束器101连接。所述第一半导体激光器102的输出波长的数值范围是910nm至980nm。

具体而言，光纤激光器10包括光纤合束器101和若干个第一半导体激光器102(即光纤激光器10的泵浦源)、工作物质和谐振腔，增益光纤为产生光子的增益介质；抽运光的作用是作为外部能量使增益介质达到粒子数反转，也就是泵浦源；光学谐振腔由两个反射镜组成，作用是使光子得到反馈并在工作介质中得到放大。抽运光进入增益光纤后被吸收，进而使增益介质中能级粒子数发生反转，当谐振腔内的增益高于损耗时在两个反射镜之间便会形成激光振荡，产生激光信号输出，使得激光信号的产生备粒子数反转、存在光反馈和达到激光阈值的基本条件。合束器101是指光纤合束器101，光纤合束器101是在熔融拉锥光纤束的基础上制备的光纤器件，光纤合束器101是将一束光纤剥去涂覆层，然后以一定方式排列在一起，在高温中加热使之熔化，同时向相反方向拉伸光纤束，光纤加热区域熔融成为熔锥光纤束。光纤激光器10的输出功率可以是1毫瓦到1万瓦，光纤激光器10中合束器101同时和每一个第一半导体激光器102相互连接，即假设有10个第一半导体激光器102，则10个第一半导体激光器102同时与合束器101相互连接。

请继续参见图1和图2，若干个第一半导体激光器102是指正整数个第一半导体激光器102，即若干个第一半导体激光器102是指1个第一半导体激光器102、2个第一半导体激光器102、3个第一半导体激光器102、4个第一半导体激光器102、5个第一半导体激光器102、6个第一半导体激光器102、7个第一半导体激光器102、8个第一半导体激光器102、9个第一半导体激光器102、10个第一半导体激光器102、11个第一半导体激光器102等。当若干个第一半导体激光器102是3个第一半导体激光器102时，则3个第一半导体激光器102分别和合束器101相互连接。

对于光源20而言：

光源20和所述光纤激光器10连接，所述光源20输出的中心波长是532nm。所述光源20的输出功率是1毫瓦到1千瓦，所述光源20是带有光纤输出的第二半导体激光器，所述第二半导体激光器的输出波长的数值范围是500至550nm。

请参见图2所示，图2是本发明实施例提供的一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置的整体结构示意图。图2中光源20的输出光纤与光纤激光器10的合束器101连接，输出光纤的类型与光纤激光器10的合束器101输出光纤类型匹配。第二半导体激光器是指半导体激光器，第二半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊，常用工作物质有砷化镓、硫化镉、磷化铟、硫化锌等，激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。第二半导体激光器输出的中心波长是532nm，即第二半导体激光器输出的光信号中心波长是532nm。由于光源20输出的中心波长是532nm，从而达到了可抑制光子暗化程度达到40％左右，也可漂白光子暗化程度达到95％以上的技术效果。

对于控制模块30而言：

控制模块30分别和每一个所述第一半导体激光器102连接，所述控制模块30和所述光源20连接，每一个所述第一半导体激光器102设置在所述控制模块30和所述合束器101之间，所述光源20设置在所述控制模块30和所述合束器101之间；

请继续参见图1和图2，控制模块30分别和上述每一个所述第一半导体激光器102相互连接，例如若有6个第一半导体激光器102，则控制模块30分别和6个第一半导体激光器102同时相互连接。并且控制模块30和上述光源20连相互连接，控制模块30的内部包括电子控制系统，控制模块30内部的电子控制系统能够对从光源20经过每一个所述第一半导体激光器102的光信号进行控制。

对于光纤模场适配器40和光源驱动电源而言：

光纤模场适配器40和所述光源20连接，所述光纤模场适配器40和所述光纤激光器10连接，所述光纤模场适配器40设置在所述光源20和所述光纤激光器10之间。所述光源驱动电源和所述光源20连接，所述光源20设置在所述光源驱动电源和所述控制模块30之间。

请继续参见图1和图2，光源驱动电源和光源20相互连接，光源驱动电源能够为光源20提供直流电流和正弦调制电流，使得光源20可以发出中心波长是532nm的光信号。光纤模场适配器40是用以降低与普通单模光纤熔接损耗的光纤器件。光纤模场适配器40同时和上述光源20、上述光纤激光器10相互连接，并且将光纤模场适配器40设置在所述光源20和所述光纤激光器10的合束器101之间，当有效模场面积失配超过1.5倍时，所述光纤模场适配器40可以用于减少不同模场直径和数值孔径的光纤相熔接时的损耗。

请参见图3和图4，图3为本发明实施例提供的一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置中532nm光源20抑制掺镱光纤光子暗化和原始光纤对比中光子暗化诱导的附加损耗随时间变化的曲线示意图一，图4为本发明实施例提供的一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置中532nm光源20抑制掺镱光纤光子暗化和原始光纤对比中光子暗化诱导的附加损耗随时间变化的曲线示意图二。图3和图4中使用所述波长是532nm的光源20对光纤进行预处理一段时间后，与未使用所述波长是532nm的光源20进行预处理的光纤进行对比，光子暗化诱导的附加损耗明显下降。

请参见图5，图5是本发明实施例提供的一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置中532nm光源20漂白掺镱光纤光子暗化中光子暗化诱导的附加损耗随时间变化的曲线示意图。图5中光纤激光器10使用915nm泵浦一段时间后，光子暗化诱导的附加损耗增加，而后使用所述532nm光源20对暗化后的光纤漂白，发现附加损耗大幅度降低，并且漂白过程可重复。

本发明提供一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，通过将光源20和光纤激光器10相互连接，光源20输出的中心波长是532nm；光纤激光器10和所述光纤激光器10相互连接。同时，控制模块30和光纤激光器10相互连接，所述控制模块30和所述光源20相互连接，以及将所述光源20设置在所述控制模块30和所述光纤激光器10之间。同时，光纤模场适配器40和所述光源20相互连接，所述光纤模场适配器40和所述光纤激光器10相互连接，将所述光纤模场适配器40设置在所述光源20和所述光纤激光器10之间。这样光源20输出的中心波长是532nm，在光纤激光器10中使用532nm的波长来处理，继而在使用过程中对光子暗化进行优化处理，抑制光子暗化，提高光纤抗光子暗化性能，降低掺镱光纤激光器10输出功率的衰减，提高掺镱光纤激光器10系统的寿命。从而达到了能够降低掺镱光纤激光器10输出功率的衰减，提高掺镱光纤激光器10系统的寿命的技术效果。

基于同一发明构思，本申请提供了与实施例一所对应的一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的方法，详见实施例二。

实施例二

如图6所示，图6为本发明实施例提供的一种光子暗化漂白的方法的流程图。本发明实施例二提供了一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的方法，所述光子暗化漂白的方法包括：

S100，在光纤激光器10运行达到预定时间后，关闭光纤激光器10的第一半导体激光器102；其中，所述预定时间的时长范围是0.1小时至10000小时。

其中，所述光纤激光器10的输出功率是300W，所述光纤激光器10的运行时间是150小时。

S200，通过开启光源驱动电源来调制光源20的输出功率，使光源20输出的中心波长是532nm，所述光源20连续工作预设时间后，再关闭所述光源20，以抑制光子暗化和进行光子暗化漂白。其中，所述预设时间的时长范围是0.1小时至100小时。所述光源20的输出功率是5W，所述预设时间是12h。

请继续参见图1、图2和图6，通过打开光源驱动电源，调制光源20输出功率，使中心波长为532nm的光源20连续工作多个小时，关闭光源20。532nm波长对掺镱光纤中光子暗化现象能够进行有效漂白作用，以及能够进行光子暗化抑制。通过开启光纤激光器10，在运行达到预定时间后，关闭泵第一半导体激光器102；再打开光源驱动电源，调制光源20输出功率，使中心波长为532nm的光源20连续工作多个小时，关闭光源20；并且进行重复后，在运行过程中能够漂白光子暗化现象，使激光器长期稳定性运行。

为了对抑制光子暗化和光子暗化漂白的过程进行解释，现提供以下两种实施方式对抑制光子暗化和光子暗化漂白的过程进行详细说明：

第一种实施方式，采用本发明实施例提供一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置抑制光子暗化的操作过程是：使用输出功率为5W的532nm光源20对原始光纤进行处理24小时后，关闭波长为532nm的光源20；再打开输出功率是100W的光纤激光器10，使光纤激光器10运行300h，功率下降到98.8W。需要注意的是，未使用波长为532nm的光源20处理的原始光纤，工作300小时后，光纤激光器10的输出功率从100W下降到98W。由此可得，可以达到能够抑制光子暗化可达40％。从而达到了能够降低掺镱光纤激光器10输出功率的衰减，提高掺镱光纤激光器10系统的寿命的技术效果。

第二种实施方式，采用本发明实施例提供一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置进行光子暗化漂白的操作过程是：打开输出功率为300W的光纤激光器10，使光纤激光器10运行达150小时。然后关闭第一半导体激光器102，打开输出功率为5W、波长是532nm的光源20，连续工作12小时后再关闭波长是532nm的光源20。在输出功率是300W的光纤激光器10运行150h后，输出功率下降为290W。经过波长是532nm的光源20漂白12小时后，再次打开光纤激光器10时，则输出功率恢复到300W。重复上述过程，光纤激光器10再次运行150小时后，经过波长是532nm的光源20漂白12小时后，光纤激光器10输出功率恢复到300W。重复上述步骤，最终能够实现减轻光纤激光器10光子暗化的技术效果。例如：第一，打开输出功率为300W的光纤激光器10，使光纤激光器10运行达150小时后，关闭第一半导体激光器102。第二，打开光源驱动电源，调制光源20输出功率，使得光源20的输出功率为5W、波长是532nm，连续工作12小时后再关闭532nm光源20。然后再次打开输出功率为300W的光纤激光器10，使光纤激光器10运行达150小时后，关闭第一半导体激光器102；打开光源驱动电源，调制光源20输出功率，使得光源20的输出功率为5W、波长是532nm，连续工作12小时后再关闭532nm光源20。继续再次打开输出功率为300W的光纤激光器10，使光纤激光器10运行达150小时后，关闭第一半导体激光器102；打开光源驱动电源，调制光源20输出功率，使得光源20的输出功率为5W、波长是532nm，连续工作12小时后再关闭532nm光源20。然后继续再次打开输出功率为300W的光纤激光器10，使光纤激光器10运行达150小时后，关闭第一半导体激光器102；打开光源驱动电源，调制光源20输出功率，使得光源20的输出功率为5W、波长是532nm，连续工作12小时后再关闭532nm光源20。以重复进行上述“第一，打开输出功率为300W的光纤激光器10，使光纤激光器10运行达150小时后，关闭第一半导体激光器102。第二，打开光源驱动电源，调制光源20输出功率，使得光源20的输出功率为5W、波长是532nm，连续工作12小时后再关闭532nm光源20。”这样在输出功率是300W的光纤激光器10运行150h后，输出功率下降为290W。经过波长是532nm的光源20漂白12小时后，再次打开光纤激光器10时，则输出功率恢复到300W。以实现进行光子暗化漂白，达到了能够降低掺镱光纤激光器10输出功率的衰减，提高掺镱光纤激光器10系统的寿命的技术效果。

上述第一种实施方式和第二种实施方式抑制暗化方法可实现在不影响光纤组分的情况下，对光子暗化性能进行优化。同时，装置具有高集成度，将抑制光子暗化装置与光子暗化漂白装置集成于一体，对原始光纤进行预处理能有效降低光子暗化程度；而周期性的开启可以漂白光子暗化现象，保证激光器的长期稳定性运行。并且可以使用在高功率光纤激光器10中，具有较高稳定性及较强适应性。

本发明提供一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的方法，通过在光纤激光器10运行达到预定时间后，关闭光纤激光器10的第一半导体激光器102；其中，所述预定时间的时长范围是0.1小时至10000小时。并且通过开启光源驱动电源来调制光源20的输出功率，使光源20输出的中心波长是532nm，所述光源20连续工作预设时间后，再关闭所述光源20，以抑制光子暗化和进行光子暗化漂白；其中，所述预设时间的时长范围是0.1小时至100小时。继而抑制光子暗化和进行光子暗化漂白，在使用过程中对光子暗化进行优化处理，抑制光子暗化，提高光纤抗光子暗化性能，降低掺镱光纤激光器10输出功率的衰减，提高掺镱光纤激光器10系统的寿命。从而达到了能够降低掺镱光纤激光器10输出功率的衰减，提高掺镱光纤激光器10系统的寿命的技术效果。

最后所应说明的是，以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照实例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (7)

1.一种抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，其特征在于，所述装置包括：

光纤激光器，所述光纤激光器是掺镱光纤激光器；

光源，所述光源和所述光纤激光器连接，所述光源输出的中心波长是532nm；

控制模块，所述控制模块和所述光纤激光器连接，所述控制模块和所述光源连接，所述光源设置在所述控制模块和所述光纤激光器之间；

光纤模场适配器，所述光纤模场适配器和所述光源连接，所述光纤模场适配器和所述光纤激光器连接，所述光纤模场适配器设置在所述光源和所述光纤激光器之间；

其中，所述控制模块用于先开启光源驱动电源来调制所述光源的输出功率，使所述光源输出的中心波长是532nm，所述光源连续工作预设时间后，再关闭所述光源，以抑制光子暗化；其中，所述预设时间的时长范围是0.1小时至100小时；再开启所述光纤激光器。

2.如权利要求1所述的抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，其特征在于，所述光纤激光器包括：

合束器，所述光源和所述合束器连接；

若干个第一半导体激光器，每一个所述第一半导体激光器分别与所述合束器连接；所述控制模块分别和每一个所述第一半导体激光器连接，每一个所述第一半导体激光器设置在所述控制模块和所述合束器之间，所述光源设置在所述控制模块和所述合束器之间。

3.如权利要求2所述的抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，其特征在于：

所述光纤激光器的输出功率是1毫瓦到1万瓦。

4.如权利要求3所述的抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，其特征在于：

所述光源是带有光纤输出的第二半导体激光器，所述光源的输出功率是1毫瓦到1千瓦，所述第二半导体激光器的输出波长的数值范围是500至550nm。

5.如权利要求4所述的抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，其特征在于：

所述第一半导体激光器的输出波长的数值范围是910nm至980nm。

6.如权利要求5所述的抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，其特征在于，所述装置还包括：

光源驱动电源，所述光源驱动电源和所述光源连接，所述光源设置在所述光源驱动电源和所述控制模块之间。

7.一种抑制光子暗化的方法，其特征在于，应用于权利要求1-6中任一项所述的抑制光子暗化和光子暗化漂白的装置，所述方法包括：

通过开启光源驱动电源来调制光源的输出功率，使光源输出的中心波长是532nm，所述光源连续工作预设时间后，再关闭所述光源，以抑制光子暗化；其中，所述预设时间的时长范围是0.1小时至100小时；

开启光纤激光器。

Images