CN110231120A - 一种测量真空度的装置与方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种测量真空度的装置与一种测量真空度的方法，所述装置包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；所述电极连接所述半导体薄膜材料；所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。本申请的装置通过电源提供的电压与电流计测量得到的电流可以获得半导体薄膜材料的电阻，本申请的测量真空度的装置中的半导体薄膜材料的电阻与该装置所处的真空度呈现准线性关系，从而可以通过测量半导体薄膜材料的电阻而测量较大范围的真空度，以解决现有技术中的同一种测量装置或同一种测量方法无法同时测量高真空度与低真空度的缺陷。
Description
技术领域
本申请涉及真空度检测领域，具体涉及一种测量真空度的装置，同时涉及一种测量真空度的方法。
背景技术
真空度是指处于真空状态下的气体稀薄程度，真空度大体分为超高真空(<1×10- 5Pa)、高真空(1×10-5～1×10-1Pa)以及低真空(1×10-1～1×105Pa)范围。超高真空主要用于：表面科学、正负电子对撞机、氘和氚的核聚变等。高真空主要用于：半导体工业；原子能工业；金属材料工业；电子电器工业；汽车工业；医用领域以及分子原子层蒸镀等。低真空主要用于：一般的减压干燥与蒸馏；食品工业中的真空冷冻干烧、真空浓缩、脱气、真空包装；为高真空提供前级真空等。不同真空度的应用领域与作用不同，并且不同的真空度是以上述数值范围划分的，在某些应用中，如半导体材料的制备领域，真空度高代表空间内的杂质气体少，制备出来的半导体材料的杂质含量就少，通过控制真空度从而实现半导体材料的可控掺杂，一般而言，杂质少半导体材料的性能就好。因此，检测真空度数值的方法也变得越来越重要。
现有的测量真空度方法，一般分为低真空度和高真空度测量，不同的真空度需要采用不同的真空规管来测量。受测量方法的限制，一般的低真空规管可以测量的真空度的气压范围大约为：1×10-1～2×102Pa。气压大于2×102Pa或低于1×10-1Pa，低真空规管都无法测量。同样地，检测高真空度的高真空规管无法测量低真空度。以检测高真空度的热阴极电离真空规管为例，真空度大于1×10-1Pa时该装置无法测量，主要是由于真空度低时气压较高，大气中的氧气含量较高，此时若开启热阴极电离真空规管，容易烧毁热阴极电离真空规管。因此，同一种测量装置及方法无法同时测量高真空度与低真空度。
发明内容
本申请提供一种测量真空度的装置，以解决现有技术中的同一种测量装置无法同时测量高真空度与低真空度的问题。本申请同时提供一种测量真空度的方法，以解决现有技术中的同一种测量方法无法同时测量高真空度与低真空度的问题。
本申请提供一种测量真空度的装置，包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；
所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；
所述电极连接所述半导体薄膜材料；
所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。
可选的，所述电极包括正极与负极；所述正极与所述负极均与所述半导体薄膜材料粘结。
可选的，所述电极采用弹性压针、锡焊、银浆焊接、超声波压焊中的至少一种方式与所述导线连接。
可选的，所述电极包括以下至少一种：铝，金，铜，银，铟。
可选的，所述衬底为绝缘材料，所述衬底包括以下至少一种：玻璃，陶瓷。
可选的，所述半导体薄膜材料通过等离子体增强化学气相法、磁控溅射法、真空热蒸发法、电子束蒸发法、旋涂法中的至少一种方式沉积在所述衬底上。
可选的，所述半导体薄膜材料包括：
掺杂氢的非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗中的至少一种；或者，
铜铟镓硒、碲化镉本征半导体薄膜材料中的至少一种；或者，
掺杂硼、磷、砷、氢、碳的n型或p型非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗半导体薄膜材料中的至少一种；或者，
掺杂铝、锑或氟的氧化铟锡、氧化锡、氧化锌透明导电氧化物薄膜材料中的至少一种。
本申请同时提供一种测量真空度的方法，包括：
在4～882Pa真空度范围内以及暗室条件下，随机取点获得用于测量真空度的半导体薄膜材料的电阻值；
获得所述不同电阻值所对应的真空度数值；
获得所述电阻值与所述真空度数值的准线性关系图；
将所述准线性关系图延长，得到10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图；
根据所述10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图，以及半导体薄膜材料的电阻值获得真空度。
可选的，还包括：判断10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值是否符合准线性关系；
所述判断包括：
通过所述10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图，在882～105Pa以及10-5～4Pa的真空度范围内，随机选取不同的电阻值，获得所述选取的电阻值对应的第一真空度数值；
在实际中测量所述选取的电阻值对应的第二真空度数值；
比较所述第二真空度数值与所述第一真空度数值，若所述第一真空度数值在所述第二真空度数值的阈值范围内，则在10-5～105Pa真空度范围内，所述测量真空度的装置的半导体薄膜材料的电阻值与所述测量真空度的装置所处的真空度符合准线性关系。
与现有技术相比，本申请具有以下优点：
本申请公开了一种测量真空度的装置，包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；所述电极连接所述半导体薄膜材料；所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。本申请的装置通过电源提供的电压与电流计测量得到的电流可以获得半导体薄膜材料的电阻，而本申请的测量真空度的装置的半导体薄膜材料的电阻与该装置所处的真空度呈现准线性关系，从而可以通过测量半导体薄膜材料的电阻而测量较大范围的真空度，以解决现有技术中的同一种测量装置无法同时测量高真空度与低真空度的缺陷的问题。
在本申请的进一步方案中，半导体薄膜材料采用：掺杂氢的非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗中的至少一种；或者，铜铟镓硒、碲化镉本征半导体薄膜材料中的至少一种；或者，掺杂硼、磷、砷、氢、碳的n型或p型非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗半导体薄膜材料中的至少一种；或者，掺杂铝、锑或氟的氧化铟锡、氧化锡、氧化锌透明导电氧化物薄膜材料中的至少一种。而采用上述半导体材料中的一种作为该申请测量装置的电阻材料，能够使得该装置测量的其所处的真空度(从低真空度到高真空度)与对应的电阻值呈现准线性关系。
附图说明
图1为本申请实施例一提供的测量真空度的装置结构示意图。
图2为本申请实施例一提供的本征非晶硅薄膜材料电阻随真空度的变化关系图。
图3为本申请实施例一提供的本征非晶硅薄膜材料电阻随真空度的变化关系图的延长图。
图4本申请实施例二提供的测量真空度的方法的流程图。
具体实施方式
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
本申请提供一种测量真空度的装置与一种测量真空度的方法，以下采用具体的实施例对本申请的测量真空度的装置的结构与工作原理以及测量真空度的方法进行描述。
本申请的实施例一提供一种测量真空度的装置，如图1所示，其为本实施例提供的测量真空度的装置结构示意图，所述测量真空度的装置包括：电源101，电流计102，电极103，半导体薄膜材料104，衬底105。采用本实施例的装置主要是利用半导体薄膜材料在不同的真空度条件下电阻值不同的原理，进而通过获得电阻值的方式以间接测量真空度。
如图1所示，所述电源101的正、负极分别通过导线连接所述电极103；上述的所述电极103包括正极与负极；电极103的正极与负极分别对应地连接在电源101的正、负极上。具体地，在实际的操作中，可采用弹性压针、锡焊、银浆焊接或超声波压焊的方式将所述电极103与所述导线连接并进行固定。此外，在所述电源101与所述电极103之间安装有所述电流计102，即将电流计102安装在所述电源101与所述电极103之间的导线上。
所述电极103的一端连接有上述的电源101，另外一端连接所述半导体薄膜材料104的一侧。具体地，所述电极103的正极与负极均采用特定的方式与所述半导体薄膜材料104的一侧粘结。例如，在连接所述电极103与所述半导体薄膜材料104时，可以采用磁控溅射镀膜法、真空热蒸发法、电子束蒸发法或者旋涂法的任意一种方式，在所述半导体薄膜材料104的一侧镀上电极薄膜层，从而形成半导体薄膜材料与电极的接触结构。
在上述描述中，已对所述装置的半导体薄膜材料104的一侧的连接方式进行了说明，在半导体薄膜材料104的另外一侧，所述半导体薄膜材料104沉积在所述衬底105上。具体地，所述半导体薄膜材料104可通过以下至少一种方式制备在所述衬底105上，例如可采用等离子体增强化学气相法，或者磁控溅射法，或者是真空热蒸发法或者电子束蒸发法或者旋涂法的方式将半导体薄膜材料104沉积在所述衬底105上。
上述已对所述测量真空度的装置的结构以及连接方式进行了阐述，在下述的描述中继续对所述装置的各部份的选材进行说明。
所述电极103可选以下至少一种材料作为本实施例的测量真空度装置的电极材料，例如可选择铝，金，铜，银或铟等材料作为电极103的材料。
而本实施例的所述衬底105为绝缘材料，所述衬底105可选以下至少一种材料作为本实施例的测量真空度装置的衬底材料，例如可选择玻璃，陶瓷等绝缘材料作为衬底105的材料。
本实施例的半导体薄膜材料104，作为本实施例检测装置最重要的部件，所述半导体薄膜材料104可选以下至少一种材料作为本实施例的测量真空度装置的半导体薄膜材料，例如掺杂氢的非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗中的至少一种；或者，铜铟镓硒、碲化镉本征半导体薄膜材料中的至少一种；或者，掺杂硼、磷、砷、氢、碳的n型或p型非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗半导体薄膜材料中的至少一种；或者，掺杂铝、锑或氟的氧化铟锡、氧化锡、氧化锌透明导电氧化物薄膜材料中的至少一种。此外，本实施例的半导体薄膜材料104，可采用等离子体增强化学气相法、磁控溅射法、真空热蒸发法、电子束蒸发法、旋涂法中的至少一种方式进行制备。
本实施例的半导体薄膜材料导电原理如下描述。
本实施例所说的薄膜材料，是指晶化程度不高，材料内部有缺陷，质量密度低于单晶或多晶材料的非晶或微晶半导体薄膜材料。从晶体结构来看，非晶或微晶半导体薄膜材料短程有序而长程无序；单晶材料长程有序；多晶材料介于二者之间。具体的非晶或微晶薄膜材料，如不掺杂硼、磷但是掺杂氢的非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗，以及不掺杂硼、磷和氢的铜铟镓硒、碲化镉等本征半导体薄膜材料，掺杂硼、磷、砷、氢或碳的n型或p型非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗等半导体薄膜材料，掺杂铝、锑或氟等的氧化铟锡、氧化锡、氧化锌透明导电氧化物薄膜材料等。获得这些薄膜材料的方法可以采用等离子体增强化学气相法(PECVD)、磁控溅射法、真空热蒸发法、电子束蒸发法和旋涂法等方法。之后，将这些薄膜沉积在衬底上，从而获得本实施例的检测真空度的装置的半导体薄膜材料104。
在具体制备过程中，这些非晶或微晶结构的半导体薄膜材料，因制备温度、工艺和方法等原因，材料内部有大量的缺陷。为了实现一些特定的使用目的，需要通过退火或掺杂等方法降低材料中的缺陷态密度。如铜铟镓硒材料通过退火来提高材料的结晶度；如本征非晶硅材料，通过掺杂氢来降低材料中的缺陷态密度。另外，通过掺杂硼、磷、砷、铝、碳、氮或锗等元素，可以改变半导体材料的光电性能。如非晶硅材料，掺入碳变为宽带隙材料，可以让更多的短波光透过材料；掺入锗变为窄带隙材料，短波光容易被该材料吸收而不容易通过该材料；掺入硼，变为p型非晶硅，材料中空穴为多数载流子，导电类型为空穴导电；掺入磷，变为n型非晶硅，材料中电子为多数载流子，导电类型为电子导电。掺杂硼或磷的p或n型半导体材料，其导电性能一般要比不掺杂硼或磷的本征半导体材料要高，也就是其电导率要大一些。
半导体薄膜材料的导电性能不仅受内部因素如：缺陷态密度、缺陷态类型(如悬挂键、界面态等)、带隙宽度、薄膜厚度、长度、表面结构等固有因素的影响，同时也受到外加的电场、磁场、温度、光、湿度和氧气等外界因素的影响。这些内部和外部因素对半导体薄膜材料导电性能的影响往往是相对的：例如，某些情况下是一些因素为主要因素，某些情况下另外的因素成为主要因素。如宽带隙的氧化锌透明导电薄膜材料，不掺杂时其光学带隙宽度在3.3eV左右，掺杂后，根据掺杂浓度的不同，其光学带隙宽度可以调控到2.2eV左右。因带隙宽度较大，电子从价带跃迁到导带所需的能量就比较高，所以掺杂后温度和光对材料的导电性影响比较小，掺杂浓度对材料的导电性影响比较大，但是掺杂率高，电导率降低，透过率也降低。如本征非晶硅材料，其光学带隙宽度在1.7eV左右，因带隙宽度比较小，电子从价带跃迁到导带所需的能量就比较低，所以温度和光对材料的导电性影响比较大。
在合适的带隙宽度，如1.0eV～2.0eV范围内，采用合适的半导体薄膜材料，如非晶硅、微晶硅等，采用如图1所示的共面电极结构方式来测量真空度。
在本申请的实施例中，图1中的半导体薄膜材料104为本征非晶硅薄膜材料，因本征非晶硅材料的光学带隙宽度在1.7eV左右，带隙宽度比较小，电子从价带跃迁到导带所需的能量就比较低，温度和光对材料的导电性影响比较大，所以当图1所示的装置的半导体薄膜材料104为本征非晶硅材料时需要在暗室内避光测试，同时保证温度变化应保持在±2℃内。采用暗室的条件使用该装置，用以保证光等因素不影响半导体薄膜材料104的导电性，即不影响半导体薄膜材料104的电阻，仅仅将真空度设定为影响半导体薄膜材料104电阻的唯一因素，即采用单一变量法来探究真空度与半导体薄膜材料104电阻的准线性关系。
使用该装置测量真空度的原理如下描述。如图1所示，两个电极间的距离为薄膜材料的长度L，在本实施例中L＝550μm，电极宽度为薄膜材料的宽度W，在本实施例中W＝16mm，材料厚度为d，在本例中d＝300nm。这些参数固定的情况下，根据欧姆定理公式，通过一个直流电压源在半导体薄膜材料104两端电极上施加一个固定电压V，通过电流计测量通过半导体薄膜材料104的电流I，则可得到材料的电阻R。在本实施例中，在半导体薄膜材料104两端电极上施加一个50V的固定电压，测量得到本征非晶硅薄膜材料的电阻随着真空度的增加而增加，得到的电阻随着真空度的关系如图2所示，图2为本征非晶硅薄膜材料电阻随真空度的变化关系图。
图2中的粗实线为实验测量值，从中可以看出，真空度P从4Pa变化到882Pa，真空度增加了878Pa，本征非晶硅薄膜材料的电阻R从6.66×1011Ω变化到4.99×1012Ω，电阻增加了4.32×1012Ω。简单地按照变化值计算，其平均斜率为4.92×109Ω/Pa。换言之，真空度每增加1Pa，本征非晶硅薄膜材料的电阻R增加了4.92×109Ω，灵敏度为2.03×10-10Pa/Ω，相对而言，这是非常高的灵敏度。图2中的细虚线为根据粗实线拟合的趋势线，比较实线测量值和虚线趋势线，可以看出实线中电阻值与真空度不是绝对的线性关系，但是与虚线趋势线偏差不大，基本上呈现准线性关系。
在背景技术中已提及，现有技术中的同一测量真空度的装置无法测量从低真空到高真空的较宽范围内的真空度。而相较于现有技术中的测量真空度的装置，该装置能够测量从低真空到高真空的较宽范围内的真空度。
上述中提及采用该装置测量了真空度从4Pa变化到882Pa对应的本征非晶硅薄膜材料的电阻R。在后续处理中，可以采用延长线的方式将得到的图2的准线性关系图在10-5～105Pa真空度范围内进行延长，从而得到10-5～105Pa真空度范围内的本征非晶硅薄膜材料的电阻R与真空度的准线性关系图，在实际中，由于图2中的实线图与虚线图偏差很小，在10-5～105Pa真空度范围延长图2的虚线，延长后的图如图3所示，将延长的虚线作为10-5～105Pa真空度范围内的本征非晶硅薄膜材料的电阻R与真空度的准线性关系图。为验证10-5～105Pa真空度范围内采用本装置测得的真空度与本征非晶硅薄膜材料的电阻呈现准线性关系，采用该装置对10-5～105Pa真空度范围内的数据选点进行验证。通过验证发现，经图3获得的真空度值与实际测量的真空度数值相符。需要说明的是，此处的验证相符是指，经图3获得的真空度值与实际测量的真空度数值在指定的阈值范围内。需要说明的是，指定的阈值范围可以是预先设定的一个数值范围，当然，二者数值越接近，说明越验证了10-5～105Pa真空度范围内采用本装置测得的真空度与本征非晶硅薄膜材料的电阻呈现准线性关系。
具体的验证过程可按照如下的描述进行。
首先，根据所述10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图，在882～105Pa以及10-5～4Pa的真空度范围内，随机选取不同的电阻值，获得所述选取的电阻值对应的第一真空度数值。
之后，在实际中通过现有技术中的测量真空度的装置测量所述选取的电阻值对应的第二真空度数值。
最后，比较所述第二真空度数值与所述第一真空度数值，若所述第一真空度数值在所述第二真空度数值的阈值范围内，则在10-5～105Pa真空度范围内，所述测量真空度的装置的半导体薄膜材料的电阻值与所述测量真空度的装置所处的真空度符合准线性关系。
经验证，在10-5～105Pa真空度范围内，真空度与本征非晶硅薄膜材料的电阻呈现准线性关系。由于在图2中，虚线图与粗实线偏差不大，因此可采用虚线部分的延长线，即图3所示的电阻值与真空度数值的关系图以及使用该装置测量的电阻值，估算10-5～105Pa真空度范围内的真空度值。
此外，本实施例的装置为真空压力传感器，在现有的真空度检测装置中，测量低真空度的方法主要涉及的测量参量为温度(测量仪器为热偶真空规管)、电阻(测量仪器为电阻真空规管)或电容(测量仪器为电容式薄膜真空规管)。但是采用上述装置测量的上述参量与真空度的关系均为非线性关系，从而无法获得某一参量与真空度的线性关系。虽然现有的U型管真空计测量仪器(测量参量为水银或酒精的高度)，测量的高度参量与真空度是线性关系，但是其测量范围仅是低真空，且需要的液体体积大，另外玻璃容器容易破损，测量范围小，准确度差。同时，水银有毒，酒精的蒸汽压比较高，限制了上述装置的使用范围。相较于现有技术的水银U型管真空计，本实施例的测量真空度的装置具有体积小，无毒性，安全性好，不容易损坏的优点。同时本实施例的装置可在一个标准大气压直到高真空范围内使用，即测量范围为10-5～105Pa，使用同一种测量装置便可测量一个标准大气压到高真空的真空度范围。并且不容易烧毁，可直接得到电信号。通过测量电信号与真空度发现二者呈较好的准线性关系。另外，在低真空度范围内测量时，该装置的测量精度要比目前的所有的低真空测量方法的精度要高，灵敏度高。
本申请的实施例一提供了一种测量真空度的装置，对应地，本申请的实施例二提供一种测量真空度的方法。如图4所示，其为本申请实施例二的测量真空度的方法的流程图，由于该方法与上述实施例中的测量真空度的装置的测量方法类似，相关部分请参见第一实施例中的相关描述部分，下述的测量方法仅仅是示意性的。
本实施例的测量真空度的方法包括：
步骤S401：在4～882Pa真空度范围内以及暗室条件下，随机取点获得用于测量真空度的半导体薄膜材料的电阻值。
步骤S402：获得所述不同电阻值所对应的真空度数值。
步骤S403：获得所述电阻值与所述真空度数值的准线性关系图。
步骤S404：将所述准线性关系图延长，得到10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图。
上述中提及采用该方法测量了真空度从4Pa变化到882Pa对应的本征非晶硅薄膜材料的电阻R。在后续处理中，可以采用延长线的方式将得到的真空度从4Pa变化到882Pa的电阻值与真空度数值的准线性关系图在10-5～105Pa真空度范围内进行延长，从而得到10-5～105Pa真空度范围内的本征非晶硅薄膜材料的电阻R与真空度的准线性关系图，在实际中，可以将真空度从4Pa变化到882Pa的电阻值与真空度数值的准线性关系图进行拟合，从而得到真空度从4Pa变化到882Pa的理想的电阻值与真空度数值的绝对线性关系图，如上述实施例一的图2的虚线所示，由于图2中的实线图与虚线图偏差很小，也可在10-5～105Pa真空度范围延长图2的虚线，并将延长的虚线作为10-5～105Pa真空度范围内的本征非晶硅薄膜材料的电阻R与真空度的准线性关系图。
步骤S405：根据所述10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图，以及半导体薄膜材料的电阻值获得真空度。
在本实施例提供的检测真空度方法的进一步方案中，还需验证10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值是否符合准线性关系。具体地，可按照如下的描述进行验证。
首先，通过所述10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图，在882～105Pa以及10-5～4Pa的真空度范围内，随机选取不同的电阻值，获得所述选取的电阻值对应的第一真空度数值。
之后，在实际中通过现有技术中的测量真空度的装置测量所述选取的电阻值对应的第二真空度数值。
最后，比较所述第二真空度数值与所述第一真空度数值，若所述第一真空度数值在所述第二真空度数值的阈值范围内，则在10-5～105Pa真空度范围内，所述测量真空度的装置的半导体薄膜材料的电阻值与所述测量真空度的装置所处的真空度符合准线性关系。
本申请虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本申请，任何本领域技术人员在不脱离本申请的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种测量真空度的装置，其特征在于，包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；
所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；
所述电极连接所述半导体薄膜材料；
所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。
2.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述电极包括正极与负极；所述正极与所述负极均与所述半导体薄膜材料粘结。
3.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述电极采用弹性压针、锡焊、银浆焊接、超声波压焊中的至少一种方式与所述导线连接。
4.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述电极包括以下至少一种：铝，金，铜，银，铟。
5.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述衬底为绝缘材料，所述衬底包括以下至少一种：玻璃，陶瓷。
6.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述半导体薄膜材料通过等离子体增强化学气相法、磁控溅射法、真空热蒸发法、电子束蒸发法、旋涂法中的至少一种方式沉积在所述衬底上。
7.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述半导体薄膜材料包括：
掺杂氢的非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗中的至少一种；或者，
铜铟镓硒、碲化镉本征半导体薄膜材料中的至少一种；或者，
掺杂硼、磷、砷、氢、碳的n型或p型非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗半导体薄膜材料中的至少一种；或者，
掺杂铝、锑或氟的氧化铟锡、氧化锡、氧化锌透明导电氧化物薄膜材料中的至少一种。
8.一种测量真空度的方法，其特征在于，包括：
在4～882Pa真空度范围内以及暗室条件下，随机取点获得用于测量真空度的半导体薄膜材料的电阻值；
获得所述不同电阻值所对应的真空度数值；
获得所述电阻值与所述真空度数值的准线性关系图；
将所述准线性关系图延长，得到10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图；
根据所述10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图，以及半导体薄膜材料的电阻值获得真空度。
9.根据权利要求8所述的测量真空度的方法，其特征在于，还包括：判断10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值是否符合准线性关系；
所述判断包括：
通过所述10-5～105Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图，在882～105Pa以及10-5～4Pa的真空度范围内，随机选取不同的电阻值，获得所述选取的电阻值对应的第一真空度数值；
在实际中测量所述选取的电阻值对应的第二真空度数值；
比较所述第二真空度数值与所述第一真空度数值，若所述第一真空度数值在所述第二真空度数值的阈值范围内，则在10-5～105Pa真空度范围内，所述测量真空度的装置的半导体薄膜材料的电阻值与所述测量真空度的装置所处的真空度符合准线性关系。
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