CN110224042A - 一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法 - Google Patents

一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110224042A
CN110224042A CN201910535061.0A CN201910535061A CN110224042A CN 110224042 A CN110224042 A CN 110224042A CN 201910535061 A CN201910535061 A CN 201910535061A CN 110224042 A CN110224042 A CN 110224042A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dimension
nanometer sheet
bendable
field
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910535061.0A
Other languages
English (en)
Inventor
李国强
郑昱林
王文樑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
South China University of Technology SCUT
Original Assignee
South China University of Technology SCUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by South China University of Technology SCUT filed Critical South China University of Technology SCUT
Priority to CN201910535061.0A priority Critical patent/CN110224042A/zh
Publication of CN110224042A publication Critical patent/CN110224042A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
    • H01L31/1896—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates for thin-film semiconductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法。所述可弯曲式场效应光电晶体管，自下至上依次包括柔性衬底、二维Ga2S3纳米片，且所述二维Ga2S3纳米片层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间。本发明提供了一种在SiO2/Si衬底上直接用CVD法直接外延生长大面积Ga2S3材料，再通过机械剥离转移实现了柔性化可弯曲式场效应光电晶体管的制备，制备方法具有工艺简单、省时高效以及能耗低的特点，有利于规模化生产。本发明的场效应光电晶体管可应用于智能穿戴、弯曲显示、工业自动控制、可见光通信等领域，经济效益可观。

Description

一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其 制备方法
技术领域
本发明属于微电子器件领域，涉及半导体器件及其制备工艺，具体涉及一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法。
背景技术
柔性、可弯曲、可折叠化半导体微电子器件以其轻质、灵活柔韧和智能高效等特点将对未来智能穿戴、弯曲显示、可植入器械等带来变革发展。在众多微电子器件中，场效应光电晶体管因其在逻辑电路、工业自动控制、可见光通信和红外成像等各个领域都具有巨大的应用潜力，在过去几十年来受到了全世界众多研究者的特别关注。实现柔性化场效应光电晶体管的关键技术难点在于材料的二维化。
近年来，具有层状结构的二维材料在柔性微电子器件应用上的潜在可能性使其受到越来越多的重视，此外，二维材料与目前的薄膜微制造技术更兼容，并更容易制造成复杂结构。硫化镓（Gallium(III) Sulfide，Ga2S3）属于III-VI类层状化合物，每一层晶体结构为六方纤锌矿型结构，空间群为P63mc，晶格参数a=b=3.685 Å，c=6.028 Å。层间相互作用以弱范德华力为主，而层间成键力本质上是共价的。Ga2S3被认为是一种很有前途的近蓝色发光器件和场发射器件的材料，它在300 K时间接带隙为2.95 eV，直接带隙为3.25 eV。采用机械解理法可以有效地获得二维晶体结构的单层或少层Ga2S3纳米片，再转移至其他柔性衬底上即可用于制做相关柔性微电子器件。
然而，类似的可弯曲柔性化的二维Ga2S3基场效应光电晶体管还未报道，技术难点在于Ga2S3纳米片的合成方法和二维Ga2S3的转移工艺，以往研究采用溶液热和水热法合成Ga2S3，但是通常得到一些形貌不可控的团聚晶体，难以被机械剥离制备大面积二维Ga2S3纳米片。化学气相沉积法（CVD）是使反应物在气体状态下发生物理变化或者化学反应，最后在冷却沉积在基板上凝聚长大形成纳米结构的方法。用该法可制备出纯度高、均匀性好、大尺寸的二维半导体，如石墨烯、二硫化钼等，因此，采用CVD法可以有效制备大面积Ga2S3纳米片。
发明内容
为了克服现有技术的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法。该制备方法工艺简单，能耗低，省时高效。
本发明的目的至少通过如下技术方案之一实现。
一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管，自下至上依次包括柔性衬底、二维Ga2S3纳米片；所述二维Ga2S3纳米片层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间。
所述柔性衬底的厚度为250~300 nm，且选自PET，PDMS或ITO。
进一步地，所述二维Ga2S3纳米片层数为1~3层，厚度为5~7 nm。
进一步地，所述源电极、漏电极的Ti金属层和Au金属层的厚度分别为20~30 nm和60~80 nm。
进一步地，所述栅电极的Ni金属层和Au金属层的厚度分别为40~50 nm和80~100nm。
进一步地，所述源电极、漏电极的长、宽、间距分别为80~100 nm、60~80 nm、300~360 nm。
进一步地，所述栅电极的长和宽分别为80~100 nm和60~80 nm。
制备上述任一项所述的基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管，包括如下步骤：
（1）将Si衬底进行清洗处理，除去表面残留物后置于等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备中，在Si衬底表面生长出SiO2层，形成SiO2/Si结构。
（2）在所述SiO2/Si结构上化学气相沉积生长得到Ga2S3层，形成Ga2S3/SiO2/Si结构。
（3）对Ga2S3/SiO2/Si结构进行机械剥离，得到二维Ga2S3纳米片，将二维Ga2S3纳米片转移至柔性衬底上，形成二维Ga2S3纳米片/柔性衬底结构。
（4）对二维Ga2S3纳米片/柔性衬底结构进行光刻处理，后在表面上蒸镀形成Ti金属层和Au金属层作为源、漏电极，去胶。
（5）将步骤（4）中去胶后结构再进行光刻处理，然后利用电子束蒸发镀膜在表面上蒸镀形成Ni金属层和Au金属层作为栅电极，去胶得到所述基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管。
进一步地，步骤（1）中，所述清洗为：依次用丙酮以及无水乙醇分别超声清洗4~6min 和3~5 min，去除表面的有机杂质，接着使用去离子水超声清洗3~5 min，最后用氮气枪吹走表面的水汽；所述SiO2层的形成是通过PECVD法生长。
进一步地，步骤（1）中，所述PECVD生长SiO2层工艺条件为：利用机械泵及分子泵抽真空至石英管内压力维持2~4×10-6 Torr，石英管加热至450~550 ℃，然后停下分子泵然后向腔体内通入SiH4和CO2，流量分别为40~80 sccm和120~180 sccm，生长过程中射频等离子体功率保持在200 ~250 W，沉积时间为10~20分钟，反应室内压力维持为60~160 mTorr下沉积SiO2层。
进一步地，步骤（2）中，通过CVD生长Ga2S3层，工艺条件为：将纯S粉放入石英管内靠近通气口的低温区，纯Ga球和衬底紧挨着放入石英管内高温区，高温区和低温区距离15~18cm；S粉与Ga球的摩尔比为4:3~3:2；接着利用机械泵及分子泵抽真空至石英管内压力维持2~4×10-6 Torr，石英管高温区加热至850~920 ℃，低温区加热至150~180 ℃，然后停下分子泵向腔体内通入Ar，流量为50~80 sccm，沉积时间为15~20分钟。
进一步地，步骤（3）中，所述胶带机械剥离获得二维Ga2S3纳米片层的工艺条件为：利用胶带贴敷于生长的Ga2S3上，沿一个方向刮并撕下Ga2S3层，再用胶带粘于上一次的胶带，沿一个方向刮并撕下，经反复粘撕7~8次后，把粘有Ga2S3的胶带贴于柔性衬底上，使用沿一个方向刮胶带并撕下，然后用热风枪对着柔性衬底吹 8~10秒，温度为80~100 ℃，这样能够加强Ga2S3与衬底的附着。
进一步地，步骤（4）和（5）中，所述光刻工艺为：先利用匀胶机旋涂负性光刻胶40~60 s，经前烘、曝光、显影，以及采用O2等离子体进行反应离子刻蚀处理2~4 min，清洗，最后热氮气烘干5~10 min。
更进一步地，所述前烘是在烘箱中进行65~70 ℃加热处理1~2 min。
更进一步地，所述曝光是将前烘处理后的样品和光刻掩膜版同时放置在光刻机上，然后紫外光源照射5~6 s。
更进一步地，所述显影是将曝光处理后的样品放入6~8 wt%的四丁基铵氢氧化物水溶液显影液中溶解50~60 s。
更进一步地，所述清洗是使用去离子水清洗3~5 min，去除表面的无机杂质，最后用氮气枪吹走表面的水汽。
进一步地，步骤（4）和（5）中，通过电子束蒸发镀电极，工艺为：将清洗好吹干的样品放入电子束蒸发镀膜系统中，机械泵和分子泵抽真空至5.0~6.0×10-4 Pa后，开始蒸镀金属电极，金属蒸发速率控制为2.0~3.0 Å/s，样品盘转速为10~20 rpm。
进一步地，步骤（4）和（5）中，所述去胶是在丙酮中浸泡20~25 min后超声处理1~3min，从而去掉了不需要的部分，留下了所需的电极图案。
与现有技术相比，具有如下优点和有益效果：
（1）本发明提供了一种在SiO2/Si衬底上用CVD法直接外延生长大面积Ga2S3材料，再通过机械剥离转移实现了柔性化可弯曲式场效应光电晶体管，制备方法具有工艺简单、省时高效以及能耗低的特点，有利于规模化生产。
（2）本发明的一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管利用了二维Ga2S3纳米片低维、比表面积大的特点，提高了场效应光电晶体管的光电响应性能。Ga2S3的带隙更贴近蓝紫光，可以很好的作为高开关场效应光电晶体管，对可见光通信等领域应用前景重大。
（3）本发明的一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管可应用于智能穿戴、弯曲显示、工业自动控制、可见光通信等领域，经济效益可观。
附图说明
图1为本发明的基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管的结构剖面示意图；
图2为实施例1中CVD法制备的Ga2S3的拉曼图谱；
图3为实施例1机械剥离后的二维Ga2S3纳米片的SEM电镜照片图；
图4为实施例1的场效应光电晶体管的电流IDS随外加偏压VDS变化的曲线图；
其中：1-柔性衬底；2-二维Ga2S3纳米片；3-源电极；4-栅电极；5-漏电极。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
具体实施例中，本发明的基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管的结构剖面示意图如图1所示；由图1可知，由下至上，依次包括1-柔性衬底、2-二维Ga2S3纳米片；3-源、漏电极；4-栅电极。
其中，所述柔性衬底包括PET，PDMS，ITO；二维Ga2S3纳米片层数为1~3层，厚度为5~7nm；源、漏电极为自下而上依次层叠的Ti金属层和Au金属层，厚度分别为20~30 nm和60~80nm；栅电极为自下而上依次层叠的金属层的Ni金属层和Au金属层，厚度分别为40~50 nm和80~100 nm；源、漏电极的长、宽、间距分别为80~100 nm、60~80 nm、300~360 nm；栅电极的长和宽分别为80~100 nm和60~80 nm。
实施例1
本实施例的基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管由下至上，依次包括PET衬底、二维Ga2S3纳米片、源电极、漏电极和栅电极。
所述二维Ga2S3纳米片层数为1层，厚度为5 nm；源、漏电极为自下而上依次层叠的Ti金属层和Au金属层，厚度分别为20 nm和60 nm；栅电极为自下而上依次层叠的金属层的Ni金属层和Au金属层，厚度分别为50 nm和100 nm；源、漏电极的长、宽、间距对应为80 nm、80 nm、300 nm；栅电极的长和宽分别为80 nm和80 nm。
其制备方法，包括如下步骤：
（1）将Si衬底进行清洗处理，除去表面残留物后置于PECVD设备中，在其表面生长出一层厚度为250 nm的SiO2层，形成SiO2/Si结构。
（2）将SiO2/Si结构置于CVD设备中直接在其上化学气相沉积生长得到Ga2S3层，形成Ga2S3/SiO2/Si结构。
（3）对Ga2S3/SiO2/Si结构进行胶带机械剥离的方法，得到二维Ga2S3纳米片，将二维Ga2S3纳米片转移至PET衬底上，形成二维Ga2S3纳米片/柔性衬底结构。
（4）对二维Ga2S3纳米片/PET衬底结构进行光刻处理，后利用电子束蒸发镀膜系统在样品表面上蒸镀自下而上依次层叠的Ti金属层和Au金属层作为源、漏电极，去胶。
（5）将上述结构再进行光刻处理，后利用电子束蒸发镀膜系统在样品表面上蒸镀自下而上依次层叠的Ni金属层和Au金属层作为栅电极，去胶。得到所述基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管。
进一步地，步骤（1）中，所述清洗为：依次用丙酮以及无水乙醇分别超声清洗4 min和3 min，去除表面的有机杂质，接着使用去离子水超声清洗3 min，最后用氮气枪吹走表面的水汽。
进一步地，步骤（1）中，所述PECVD生长SiO2层工艺条件为：利用机械泵及分子泵抽真空至石英管内压力维持2×10-6 Torr，石英管加热至450 ℃，然后停下分子泵然后向腔体内通入SiH4和CO2，流量分别为80 sccm和180 sccm，生长过程中射频等离子体功率保持在250 W，沉积时间为10分钟，反应室内压力维持为160 mTorr下沉积SiO2层。
进一步地，步骤（2）中，所述CVD生长Ga2S3层的工艺条件为：将纯S粉（99.99%）（0.3g）放入石英管内低温区（靠近通气口），纯Ga球（99.999%）（0.45g）和衬底紧挨着放入石英管内高温区，S粉与Ga球的摩尔比为1.46；高温区和低温区距离15 cm；接着利用机械泵及分子泵抽真空至石英管内压力维持2×10-6 Torr，石英管高温区加热至850 ℃，低温区加热至150 ℃，然后停下分子泵然后向腔体内通入Ar，流量为50 sccm，沉积时间为20分钟。
进一步地，步骤（3）中，所述胶带机械剥离获得二维Ga2S3纳米片层的工艺条件为：利用Scotch 胶带贴敷于生长的Ga2S3上，沿一个方向轻刮并撕下较厚的Ga2S3层，再用胶带粘于上一次的胶带，沿一个方向轻刮并撕下，经反复粘撕7次后，把粘有微量Ga2S3的胶带贴于柔性衬底上，使用适当的力沿一个方向轻胶带并撕下，然后用热风枪对着柔性衬底吹8秒，温度为80 ℃，这样能够加强Ga2S3与衬底的附着。
进一步地，步骤（4）和（5）中，所述光刻工艺为：先利用匀胶机旋涂负性光刻胶40s，经前烘、曝光、显影，以及采用O2等离子体进行反应离子刻蚀处理4 min，清洗，最后热氮气烘干5 min。
更进一步地，所述前烘是在烘箱中进行65 ℃加热处理2 min。
更进一步地，所述曝光是将前烘处理后的样品和光刻掩膜版同时放置在光刻机上，然后紫外光源照射6 s。
更进一步地，所述显影是将曝光处理后的样品放入6 wt%的四丁基铵氢氧化物水溶液显影液中溶解50 s。
更进一步地，所述清洗是使用去离子水清洗3 min，去除表面的无机杂质，最后用氮气枪吹走表面的水汽。
进一步地，步骤（4）和（5）中，所述电子束蒸发镀电极工艺为：将清洗好吹干的样品放入电子书蒸发镀膜系统中，机械泵和分子泵抽真空至5.0×10-4 Pa后，开始蒸镀金属电极，金属蒸发速率控制为3.0 Å/s，样品盘转速为10 rpm。
进一步地，步骤（4）和（5）中，所述去胶是在丙酮中浸泡20 min后超声处理3 min，从而去掉了不需要的部分，留下了所需的电极图案。
所生长的Ga2S3纳米片的拉曼图谱如图2所示，为典型的Ga2S3的拉曼特征峰。所剥离转移后的二维Ga2S3纳米片的电镜照片如图3所示，从图3中可以明显看到薄的二维Ga2S3纳米片形貌。
所制备的PET衬底上二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管的电流IDS随外加偏压VDS变化（当VG=0 V时）的曲线图如图4所示，电流随着外加偏压的增大而增大，基本呈现线性关系，说明形成了欧姆接触。在无光照下，1V偏下的暗电流为2.48μA，在380 nm光照射下，1V偏下的光电流为4.75μA，电流显著增大，表明光电响应性能良好。
实施例2
本实施例的基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管由下至上，依次包括PDMS衬底、二维Ga2S3纳米片、源电极、漏电极和栅电极。
所述二维Ga2S3纳米片层数为3层，厚度为7 nm；源、漏电极为自下而上依次层叠的Ti金属层和Au金属层，厚度分别为25 nm和70 nm；栅电极为自下而上依次层叠的金属层的Ni金属层和Au金属层，厚度分别为40 nm和80 nm；源、漏电极的长、宽、间距分别为90 nm、60nm、360 nm；栅电极的长和宽分别为100 nm和60 nm。
其制备方法，包括如下步骤：
（1）将Si衬底进行清洗处理，除去表面残留物后置于PECVD设备中，在其表面生长出一层厚度为300 nm的SiO2层，形成SiO2/Si结构。
（2）将SiO2/Si结构置于CVD设备中直接在其上化学气相沉积生长得到Ga2S3层，形成Ga2S3/SiO2/Si结构。
（3）对Ga2S3/SiO2/Si结构进行胶带机械剥离的方法，得到二维Ga2S3纳米片，将二维Ga2S3纳米片转移至PDMS衬底上，形成二维Ga2S3纳米片/柔性衬底结构。
（4）对二维Ga2S3纳米片/PDMS衬底结构进行光刻处理，后利用电子束蒸发镀膜系统在样品表面上蒸镀自下而上依次层叠的Ti金属层和Au金属层作为源、漏电极，去胶。
（5）将上述结构再进行光刻处理，后利用电子束蒸发镀膜系统在样品表面上蒸镀自下而上依次层叠的Ni金属层和Au金属层作为栅电极，去胶。得到所述基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管。
进一步地，步骤（1）中，所述清洗为：依次用丙酮以及无水乙醇分别超声清洗6 min和4 min，去除表面的有机杂质，接着使用去离子水超声清洗5 min，最后用氮气枪吹走表面的水汽。
进一步地，步骤（1）中，所述PECVD生长SiO2层工艺条件为：利用机械泵及分子泵抽真空至石英管内压力维持4×10-6 Torr，石英管加热至550 ℃，然后停下分子泵然后向腔体内通入SiH4和CO2，流量分别为40 sccm和120 sccm，生长过程中射频等离子体功率保持在230 W，沉积时间为20分钟，反应室内压力维持为60 mTorr下沉积SiO2层。
进一步地，步骤（2）中，所述CVD生长Ga2S3层的工艺条件为：将纯S粉（99.99%）（0.15g）放入石英管内低温区（靠近通气口），纯Ga球（99.999%）（0.24g）和衬底紧挨着放入石英管内高温区，S粉与Ga球的摩尔比为1.33；高温区和低温区距离16 cm；接着利用机械泵及分子泵抽真空至石英管内压力维持4×10-6 Torr，石英管高温区加热至920 ℃，低温区加热至180 ℃，然后停下分子泵然后向腔体内通入Ar，流量为60 sccm，沉积时间为15分钟。
进一步地，步骤（3）中，所述胶带机械剥离获得二维Ga2S3纳米片层的工艺条件为：利用Scotch 胶带贴敷于生长的Ga2S3上，沿一个方向轻刮并撕下较厚的Ga2S3层，再用胶带粘于上一次的胶带，沿一个方向轻刮并撕下，经反复粘撕8次后，把粘有微量Ga2S3的胶带贴于柔性衬底上，使用适当的力沿一个方向轻胶带并撕下，然后用热风枪对着柔性衬底吹 10秒，温度为100 ℃，这样能够加强Ga2S3与衬底的附着。
进一步地，步骤（4）和（5）中，所述光刻工艺为：先利用匀胶机旋涂负性光刻胶60s，经前烘、曝光、显影，以及采用O2等离子体进行反应离子刻蚀处理2 min，清洗，最后热氮气烘干8 min。
更进一步地，所述前烘是在烘箱中进行68 ℃加热处理1.5 min。
更进一步地，所述曝光是将前烘处理后的样品和光刻掩膜版同时放置在光刻机上，然后紫外光源照射5.5 s。
更进一步地，所述显影是将曝光处理后的样品放入8 wt%的四丁基铵氢氧化物水溶液显影液中溶解55 s。
更进一步地，所述清洗是使用去离子水清洗5 min，去除表面的无机杂质，最后用氮气枪吹走表面的水汽。
进一步地，步骤（4）和（5）中，所述电子束蒸发镀电极工艺为：将清洗好吹干的样品放入电子书蒸发镀膜系统中，机械泵和分子泵抽真空至6.0×10-4 Pa后，开始蒸镀金属电极，金属蒸发速率控制为2.5 Å/s，样品盘转速为15 rpm。
进一步地，步骤（4）和（5）中，所述去胶是在丙酮中浸泡25 min后超声处理1 min，从而去掉了不需要的部分，留下了所需的电极图案。
本实施例所述的机械剥离后的Ga2S3的SEM电镜照片参照图3。
实施例3
本实施例的基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管由下至上，依次包括ITO衬底、二维Ga2S3纳米片、源电极、漏电极和栅电极。
所述二维Ga2S3纳米片层数为2层，厚度为6 nm；源、漏电极为自下而上依次层叠的Ti金属层和Au金属层，厚度分别为30 nm和80 nm；栅电极为自下而上依次层叠的金属层的Ni金属层和Au金属层，厚度分别为45 nm和90 nm；源、漏电极的长、宽、间距分别为100 nm、70 nm、340 nm；栅电极的长和宽分别为90 nm和70 nm。
其制备方法，包括如下步骤：
（1）将Si衬底进行清洗处理，除去表面残留物后置于PECVD设备中，在其表面生长出一层厚度为280 nm的SiO2层，形成SiO2/Si结构。
（2）将SiO2/Si结构置于CVD设备中直接在其上化学气相沉积生长得到Ga2S3层，形成Ga2S3/SiO2/Si结构。
（3）对Ga2S3/SiO2/Si结构进行胶带机械剥离的方法，得到二维Ga2S3纳米片，将二维Ga2S3纳米片转移至ITO衬底上，形成二维Ga2S3纳米片/柔性衬底结构。
（4）对二维Ga2S3纳米片/ITO衬底结构进行光刻处理，后利用电子束蒸发镀膜系统在样品表面上蒸镀自下而上依次层叠的Ti金属层和Au金属层作为源、漏电极，去胶。
（5）将上述结构再进行光刻处理，后利用电子束蒸发镀膜系统在样品表面上蒸镀自下而上依次层叠的Ni金属层和Au金属层作为栅电极，去胶。得到所述基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管。
进一步地，步骤（1）中，所述清洗为：依次用丙酮以及无水乙醇分别超声清洗5 min和5 min，去除表面的有机杂质，接着使用去离子水超声清洗4 min，最后用氮气枪吹走表面的水汽。
进一步地，步骤（1）中，所述PECVD生长SiO2层工艺条件为：利用机械泵及分子泵抽真空至石英管内压力维持3×10-6 Torr，石英管加热至500 ℃，然后停下分子泵然后向腔体内通入SiH4和CO2，流量分别为60 sccm和150 sccm，生长过程中射频等离子体功率保持在200 W，沉积时间为15分钟，反应室内压力维持为110 mTorr下沉积SiO2层。
进一步地，步骤（2）中，所述CVD生长Ga2S3层的工艺条件为：将纯S粉（99.99%）（0.2g）放入石英管内低温区（靠近通气口），纯Ga球（99.999%）（0.29g）和衬底紧挨着放入石英管内高温区，S粉与Ga球的摩尔比为1.5；高温区和低温区距离18 cm；接着利用机械泵及分子泵抽真空至石英管内压力维持3×10-6 Torr，石英管高温区加热至900 ℃，低温区加热至160 ℃，然后停下分子泵然后向腔体内通入Ar，流量为80 sccm，沉积时间为18分钟。
进一步地，步骤（3）中，所述胶带机械剥离获得二维Ga2S3纳米片层的工艺条件为：利用Scotch 胶带贴敷于生长的Ga2S3上，沿一个方向轻刮并撕下较厚的Ga2S3层，再用胶带粘于上一次的胶带，沿一个方向轻刮并撕下，经反复粘撕8次后，把粘有微量Ga2S3的胶带贴于柔性衬底上，使用适当的力沿一个方向轻胶带并撕下，然后用热风枪对着柔性衬底吹9秒，温度为90 ℃，这样能够加强Ga2S3与衬底的附着。
进一步地，步骤（4）和（5）中，所述光刻工艺为：先利用匀胶机旋涂负性光刻胶50s，经前烘、曝光、显影，以及采用O2等离子体进行反应离子刻蚀处理3 min，清洗，最后热氮气烘干10 min。
更进一步地，所述前烘是在烘箱中进行70 ℃加热处理1 min。
更进一步地，所述曝光是将前烘处理后的样品和光刻掩膜版同时放置在光刻机上，然后紫外光源照射5 s。
更进一步地，所述显影是将曝光处理后的样品放入7 wt%的四丁基铵氢氧化物水溶液显影液中溶解60 s。
更进一步地，所述清洗是使用去离子水清洗4 min，去除表面的无机杂质，最后用氮气枪吹走表面的水汽。
进一步地，步骤（4）和（5）中，所述电子束蒸发镀电极工艺为：将清洗好吹干的样品放入电子书蒸发镀膜系统中，机械泵和分子泵抽真空至5.5×10-4 Pa后，开始蒸镀金属电极，金属蒸发速率控制为2.0 Å/s，样品盘转速为20 rpm。
进一步地，步骤（4）和（5）中，所述去胶是在丙酮中浸泡22 min后超声处理2 min，从而去掉了不需要的部分，留下了所需的电极图案。
本实施例所述的机械剥离后的Ga2S3的SEM电镜照片参照图3。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：自下至上依次包括柔性衬底（1）和二维Ga2S3纳米片（2），且所述二维Ga2S3纳米片层（2）的上方设有源电极（3）、漏电极（5）和栅电极（4），栅电极（4）设置在源电极（3）和漏电极（5）之间。
2.根据权利要求1所述的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：所述柔性衬底（1）的厚度为250~300 nm，且选自PET、PDMS或ITO；所述二维Ga2S3纳米片（2）的厚度为5~7 nm，层数为1~3层；所述源电极（3）和漏电极均（5）包括自下而上依次层叠的Ti金属层和Au金属层，且所述Ti金属层的厚度为20~30 nm，Au金属层的厚度为60~80 nm；所述源电极（3）、漏电极（5）的长为80~100 nm，宽为60~80 nm，间距为300~360 nm；所述栅电极（4）包括自下而上依次层叠的Ni金属层和Au金属层，Ni金属层的厚度为40~50 nm，Au金属层的厚度为80~100nm，且所述栅电极（4）的长为80~100 nm，宽为60~80 nm。
3.根据权利要求1~2任一项所述基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将Si衬底进行清洗处理，然后在Si衬底表面生长出SiO2层，形成SiO2/Si结构；
（2）在所述SiO2/Si结构上化学气相沉积生长得到Ga2S3层，形成Ga2S3/SiO2/Si结构；
（3）对所述Ga2S3/SiO2/Si结构进行机械剥离得到二维Ga2S3纳米片，将二维Ga2S3纳米片转移至柔性衬底上，形成二维Ga2S3纳米片/柔性衬底结构；
（4）对所述二维Ga2S3纳米片/柔性衬底结构进行光刻处理，然后在表面上蒸镀依次形成Ti金属层和Au金属层作为源和漏电极，最后去胶；
（5）将步骤（4）去胶后的结构再进行光刻处理，然后在表面上蒸镀依次形成Ni金属层和Au金属层作为栅电极，然后去胶得到所述基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管。
4.根据权利要求3所述的可弯曲式场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中清洗处理包括：首先用丙酮超声清洗4~6 min，接着无水乙醇超声清洗3~5 min，去除表面的有机杂质，然后使用去离子水超声清洗3~5 min，最后用氮气枪吹走Si衬底表面的水汽；所述SiO2层的形成是通过PECVD。
5.根据权利要求4所述的可弯曲式场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述PECVD生长SiO2层工艺条件为：利用机械泵及分子泵抽真空至石英管内压力维持2~4×10-6 Torr，石英管加热至450~550 ℃，然后停下分子泵向腔体内通入SiH4和CO2，SiH4的流量为40~80 sccm，CO2的流量120~180 sccm，生长过程中射频等离子体功率保持在200 ~250 W，沉积时间为10~20分钟，反应室内压力维持为60~160 mTorr下沉积SiO2层。
6.根据权利要求3所述的可弯曲式场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，通过CVD生长Ga2S3层，工艺条件为：将S粉放入石英管内靠近通气口的低温区，Ga球和衬底紧挨着放入石英管内高温区，高温区和低温区距离15~18 cm，S粉与Ga球的摩尔比为4:3~3:2；接着利用机械泵及分子泵抽真空至石英管内压力维持2~4×10-6 Torr，石英管高温区加热至850~920 ℃，低温区加热至150~180 ℃，然后停下分子泵向腔体内通入Ar，流量为50~80 sccm，沉积时间为15~20分钟。
7.根据权利要求3所述的可弯曲式场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中，机械剥离获得二维Ga2S3纳米片层的工艺条件为：利用胶带贴敷于生长的Ga2S3上，刮并撕下Ga2S3层，再用胶带粘于上一次的胶带，刮并撕下，经反复粘撕7~8次后，把粘有Ga2S3的胶带贴于柔性衬底上，刮胶带并撕下，然后用热风枪对着柔性衬底吹8~10秒，温度为80~100 ℃。
8.根据权利要求3所述的可弯曲式场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）和（5）中，光刻工艺为：先利用匀胶机旋涂负性光刻胶40~60 s，经前烘、曝光和显影，然后采用O2等离子体进行反应离子刻蚀处理2~4 min，清洗，最后热氮气烘干5~10 min；
所述前烘是在烘箱中进行65~70 ℃加热处理1~2 min；
所述曝光是将前烘处理后的样品和光刻掩膜版同时放置在光刻机上，然后紫外光源照射5~6 s；
所述显影是将曝光处理后的样品放入6~8 wt%的四丁基铵氢氧化物水溶液显影液中溶解50~60 s；
所述清洗是使用去离子水清洗3~5 min，去除表面的无机杂质，最后用氮气枪吹走表面的水汽。
9.根据权利要求3所述的可弯曲式场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）和（5）中，通过电子束蒸发镀电极，工艺为：光刻处理后放入电子束蒸发镀膜系统中，机械泵和分子泵抽真空至5.0~6.0×10-4 Pa后，开始蒸镀金属电极，金属蒸发速率控制为2.0~3.0 Å/s，样品盘转速为10~20 rpm。
10.根据权利要求3所述的可弯曲式场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）和（5）中，去胶是在丙酮中浸泡20~25 min后超声处理1~3 min。
CN201910535061.0A 2019-06-20 2019-06-20 一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法 Pending CN110224042A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910535061.0A CN110224042A (zh) 2019-06-20 2019-06-20 一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910535061.0A CN110224042A (zh) 2019-06-20 2019-06-20 一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110224042A true CN110224042A (zh) 2019-09-10

Family

ID=67814280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910535061.0A Pending CN110224042A (zh) 2019-06-20 2019-06-20 一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110224042A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111081541A (zh) * 2019-10-18 2020-04-28 桂林电子科技大学 一种基于深硅刻蚀的柔性硅片及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0212120A1 (en) * 1985-06-21 1987-03-04 Itt Industries, Inc. Field effect phototransistor
CN102664218A (zh) * 2012-05-29 2012-09-12 哈尔滨工业大学 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法
US20170104123A1 (en) * 2015-10-09 2017-04-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Metal-oxide-semiconductor field-effect phototransistors based on single-crystalline semiconductor thin films
KR20180028137A (ko) * 2016-09-08 2018-03-16 성균관대학교산학협력단 유연 기판 상으로 금속 칼코게나이드 박막을 전사하는 방법
CN210607295U (zh) * 2019-06-20 2020-05-22 华南理工大学 一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0212120A1 (en) * 1985-06-21 1987-03-04 Itt Industries, Inc. Field effect phototransistor
CN102664218A (zh) * 2012-05-29 2012-09-12 哈尔滨工业大学 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法
US20170104123A1 (en) * 2015-10-09 2017-04-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Metal-oxide-semiconductor field-effect phototransistors based on single-crystalline semiconductor thin films
KR20180028137A (ko) * 2016-09-08 2018-03-16 성균관대학교산학협력단 유연 기판 상으로 금속 칼코게나이드 박막을 전사하는 방법
CN210607295U (zh) * 2019-06-20 2020-05-22 华南理工大学 一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
XIAOCHEN WANG等: "Chemical Vapor Deposition Growth of Two-Dimensional Monolayer Gallium Sulfide Crystals Using Hydrogen Reduction of Ga2S3", ACS OMEGA, vol. 3, no. 7 *
蒋珺柯: "基于新型二维材料的微纳米传感器传感机理研究", 中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑(月刊), no. 01 *
陈磊;王雨?;俞金玲;: "Bi_2Se_3纳米片生长及晶体管制备", 福州大学学报(自然科学版), no. 05 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111081541A (zh) * 2019-10-18 2020-04-28 桂林电子科技大学 一种基于深硅刻蚀的柔性硅片及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103359720B (zh) 石墨烯纳米窄带的制备方法
CN108342716B (zh) 等离子体增强化学气相沉积制备二维材料的系统及方法
CN105731825B (zh) 一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法
CN102386329B (zh) 一种柔性电子器件的制作方法
CN112663021A (zh) 一种二维钼-钨-硫垂直异质结构的制备方法
Wang et al. Highly transparent and conductive γ-CuI films grown by simply dipping copper films into iodine solution
CN105668555A (zh) 一种制备三维石墨烯的方法
CN110690312A (zh) 生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的无损伤转移工艺获得柔性紫外探测器及方法
CN102915926A (zh) 一种基于AlN衬底的石墨烯转移退火方法及制造的器件
CN111987169A (zh) 基于二维氧化镓薄膜的晶体管及制备方法
CN110875170B (zh) 基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法
CN110224042A (zh) 一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法
CN210607295U (zh) 一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管
WO2024066206A1 (zh) 一种二维双层硫化钨同质结的制备方法与应用
CN210805800U (zh) 生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器
CN111293035B (zh) 一种碳纳米管薄膜的制备方法
CN111410191A (zh) 一种石墨烯半导体制备装置及方法
CN111430221A (zh) 锡自催化生长的锗锡合金硅基材料及定向异质外延方法
CN110993752A (zh) 一种以石墨烯为缓冲层的led外延生长方法
TWI762150B (zh) 石墨烯奈米帶複合結構及其製備方法
CN103915348B (zh) 一种制备石墨烯纳米线器件的方法
CN110473925A (zh) 一种二维硫化钼/硫化铟横向异质结及其制备方法和应用
CN110165028A (zh) 基于局域表面等离激元增强的mis结构紫外led及其制备方法
TWI823045B (zh) 場效應電晶體及其製備方法
CN103915319A (zh) 一种转移cvd石墨烯制备石墨烯器件的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination