CN110199053A - 用氟退火膜涂布的制品 - Google Patents

用氟退火膜涂布的制品 Download PDF

Info

Publication number
CN110199053A
CN110199053A CN201880006748.9A CN201880006748A CN110199053A CN 110199053 A CN110199053 A CN 110199053A CN 201880006748 A CN201880006748 A CN 201880006748A CN 110199053 A CN110199053 A CN 110199053A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
fluorine
substrate
yttrium
micron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880006748.9A
Other languages
English (en)
Inventor
林奕宽
C·瓦尔德弗里德
J·侯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Entegris Inc
Original Assignee
Entegris Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Entegris Inc filed Critical Entegris Inc
Publication of CN110199053A publication Critical patent/CN110199053A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

与具有优良耐化学性和结构完整性的涂层相关的制品和方法可以在介于约150℃与低于300℃之间的低处理温度下通过原子层沉积和氟退火制备。所述膜包含含有钇的氟化金属氧化物。

Description

用氟退火膜涂布的制品
技术领域
本发明大体上涉及包括保护性氟化钇金属氧化物膜的半导体制造组件和在半导体制造组件的表面上形成保护性氟化钇金属氧化物膜的方法。
背景技术
半导体制造组件需要具有高纯度、耐化学性，并且具有良好的温度稳定性和结构完整性。涂层可以涂覆于各种组件以延长组件的寿命并且提高纯度和温度稳定性。然而，涂层自身需要高温处理来使其沉积。尽管具有耐化学性，但涂层可在使用或清洁和周期性维护期间经历降解。蚀刻剂气体、清洁溶液和热循环可缩短经涂布组件的寿命，并且还可在组件重新安装于制造工具中时引起污染。持续需要用于半导体制造组件的改进的涂层。
发明内容
本发明大体上涉及包括保护性氟化钇金属氧化物膜的半导体制造组件和在半导体制造组件的表面上形成保护性氟化钇金属氧化物膜的方法，所述方法通过首先经由原子层沉积(ALD)将含有钇的金属氧化物膜沉积在组件的表面上，随后在低处理温度下对含有钇的ALD金属氧化物膜进行氟退火以在半导体制造组件的表面上形成保护性氟化钇金属氧化物膜。
根据多个实施例，制品包括衬底和覆盖至少一部分衬底的保护膜。制品可为半导体制造系统中的组件，例如腔室、腔室组件、晶片基座、卡盘、喷淋头、衬垫、环、喷嘴、挡扳、紧固件或晶片传送组件，并且可由适用于半导体制造的石英、氧化铝、铝、钢、金属、金属合金、陶瓷或塑料形成。在一个实施例中，制品可为反应离子蚀刻腔室。
保护膜可为厚度介于0.01微米与小于1微米之间的氟化钇金属氧化物膜。保护膜可以被完全氟化或部分氟化。在一些实施例中，膜可为氟氧化钇或氟氧化钇铝。
在一些实施例中，膜可为梯度膜，其中膜的氟含量在膜的厚度上减小以使得保护膜的外部部分的氟含量比直接接触衬底的膜的内部部分高。举例来说，在一些实施例中，膜可具有为氟氧化钇的外部部分和为氧化钇的内部部分，氟含量从外部部分到内部部分逐渐减小。在其它实施例中，膜可具有为氟化的氧化钇铝(即，氟氧化钇铝)的外部部分和为(未氟化的)氧化钇铝的内部部分。
在另一实施例中，一种方法包括通过原子层沉积将含有钇的金属氧化物沉积到衬底的表面上以提供含有钇的ALD金属氧化物膜，并且对含有钇的ALD金属氧化物膜进行氟退火以形成含有钇的氟化金属氧化物膜。
氟退火可以在约150℃到低于约300℃的温度、并且更确切地说在约200℃到250℃的温度下进行。氟化过程可以是氟离子植入，随后退火、氟等离子体处理、氟聚合物燃烧、高温下氟气体反应、用氟气体进行UV处理或其任何组合。
提供前述概述是为了有助于理解本发明所特有的一些创新特征，而非打算作为完整的描述。通过将整个说明书、权利要求书、图式和摘要视为一个整体，可以获得对本发明的全面理解。
附图说明
可结合附图考虑各种说明性实施例的以下描述来更完整地理解本发明，其中：
图1为根据本发明的一实施例在经历氟退火之前原子层沉积(ALD)氧化钇膜的x射线衍射(XRD)图；并且
图2为根据本发明的一实施例在较低处理温度下氟退火之后原子层沉积(ALD)氧化钇膜的x射线衍射(XRD)图。
虽然本发明容许各种修改和替代形式，但是已经借助于实例在图式中示出其特殊性并且将进行详细描述。然而，应理解，不打算将本发明的方面限于所描述的特定说明性实施例。相反，打算涵盖属于本发明的精神和范围内的所有修改、等效物和替代方案。
具体实施方式
还必须注意，如本文中和所附权利要求书中所使用，除非上下文另外明确指示，否则单数形式“一(a/an)”和“所述”包括多个参考物。因此，举例来说，对“膜”的提及是对所属领域的技术人员已知的一或多个膜和其等效物的提及等等。除非另外定义，否则本文所用的所有技术和科学术语的含义与所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。类似于或等效于本文所述的方法和材料的方法和材料可用于实践或测试本发明的变化形式。本文中所提及的所有公开案都以全文引用的方式并入本文中。不应将本文中的任何内容理解为承认本发明无权先于先前发明的这类揭示内容。“任选的”或“任选地”意思指随后描述的事件或情形可能发生或可能不发生，并且所述描述包括所述事件发生的情况以及所述事件不发生的情况。不管是否明确指示，本文中所有数值都可由术语“约”修饰。术语“约”大体上是指所属领域的技术人员将视为等效于所叙述值(即，具有相同功能或结果)的数字范围。在一些变化形式中，术语“约”是指所陈述值的±10％，在其它变化形式中，术语“约”是指所陈述值的±2％。虽然组合物和方法以“包含”各种组分或步骤(解释为意指“包括但不限于”)的形式描述，但组合物和方法也可“基本上由各种组分和步骤组成”或“由各种组分和步骤组成”，这类术语应该被解释为定义基本上封闭的成员组。
根据各种实施例，例如半导体制造系统中的组件的制品包括具有覆盖至少一部分衬底的保护膜的衬底。衬底可为半导体制造系统中的组件，例如腔室、腔室组件、晶片基座、卡盘、喷淋头、衬垫、环、喷嘴、挡扳、紧固件或晶片传送组件，并且可由适用于半导体制造的石英、氧化铝、铝、钢、金属、金属合金、陶瓷或塑料形成。在一个实施例中，制品可为反应离子蚀刻(RIE)腔室。在其它实施例中，衬底可为真空相容衬底。在许多情况下，保护膜可为氟化的含有钇的金属氧化物膜，例如氟氧化钇膜、氟化的氧化钇铝膜或氟氧化铝膜。这些仅是一些实例。保护膜可以被完全氟化或部分氟化。
根据各种实施例，通过首先经由原子层沉积(ALD)将含有钇的金属氧化物膜沉积在组件的表面上，随后在低处理温度下对含有钇的ALD金属氧化物膜进行氟退火以在半导体组件(例如RIE组件)的表面上形成含有保护性氟化钇的金属氧化物膜，在组件的表面上形成保护膜。
氟退火的含有钇的金属氧化物膜提供几个优点并且具有几个合乎需要的特征，包括高的抗氟等离子体蚀刻性(例如，约0.1到约0.2微米/小时)、高的抗湿式化学蚀刻性(例如，约5到约120分钟，在5％HCl中)、对腔室组件的良好粘附性(例如，约5N到约15N的第二临界负荷(LC2)粘附性)以及保形涂布能力。另外，氟退火的含有钇的金属氧化物膜在材料、机械特性和微观结构方面是可调谐的。举例来说，氟化氧化钇的抗蚀刻性随着膜中的氟含量增大。氟退火的含有钇的金属氧化物膜还提供在高温下相对于非氟化氧化钇膜的优良抗裂性和改进的完整性的额外优点。
通过原子层沉积(ALD)形成的氟退火的含有钇的金属氧化物膜提供在高温下在热循环之后抗裂性的额外优点，以及与由PVD沉积的含有钇的金属氧化物膜制成的氟退火的膜相比，在较低处理温度下制备的能力。在低处理温度下处理含有钇的金属氧化物膜的能力通过减少在膜与衬底之间形成的热应力而防止开裂。较低处理温度增大衬底材料的范围，所述衬底材料上可以沉积含有钇的金属氧化物膜并且随后通过氟退火氟化，因为一些衬底材料在较高温度下可能不相容。此外，原子层沉积的氟退火的含有钇的金属氧化物膜可以是实质上不含针孔的极薄高度致密并且高度保形的膜。
根据本发明的各种实施例，首先将含有钇的金属氧化物(如氧化钇和氧化钇铝)的膜沉积到衬底上。金属氧化物膜的沉积可以通过原子层沉积(ALD)或等离子体辅助ALD进行。含有钇的金属氧化物涂层可以用保持在介于100℃与350℃之间的温度下并且在一些情况下保持在介于140℃与200℃之间的温度下的衬底制备，这对温度敏感性衬底有益。含有钇的金属氧化物(例如氧化钇涂层)的厚度可以在以下范围内：约0.001微米(1nm)到小于1微米；约0.01微米(10nm)到小于1微米；约0.01微米(10nm)到约0.7微米；约0.01微米(10nm)到约0.5微米；并且在一些情况下，约0.01微米(10nm)到0.25微米(250nm)。
在沉积之后，在含有氟的环境中在约150℃到低于约300℃范围内的温度下对含有钇的金属氧化物的膜进行氟退火。在一些情况下，含有钇的金属氧化物的膜在含有氟的环境中在以下范围内的温度下进行氟退火：约150℃到低于约300℃；约200℃到低于约300℃；约200℃到约275℃；并且更确切地说，约200℃到约250℃。氟退火过程的加热升温速率可以在每小时50℃到每小时200℃之间。在一些变化形式中，氟退火过程包括在含氟氛围中通过使膜在200℃到最多但低于300℃之间退火而将氟引入含有钇的金属氧化物膜中。氟化过程可以通过几种方法进行，包括例如氟离子植入随后退火、低于300℃的氟等离子体处理、氟聚合物燃烧方法、高温下的氟气体反应和用氟气体进行UV处理或前述的任何组合。
视所采用的氟退火方法而定，可使用各种氟源。对于氟聚合物燃烧方法，需要氟聚合物材料并且可为例如聚氟乙烯(polyvinylfluoride，PVF)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride，PVDF)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、聚氯三氟乙烯(polychlorotrifluoroethylene，PCTFE)、PFA、全氟烷氧基聚合物(perfluoroalkoxy polymer，MFA)、氟化乙烯-丙烯(fluorinated ethylene-propylene，FEP)、聚乙烯四氟乙烯(polyethylenetetrafluoroethylene，ETFE)、聚乙烯氯三氟乙烯(polyethylenechlorotrifluoroethylene，ECTFE)、全氟化弹性体[全氟弹性体](Perfluorinated Elastomer[Perfluoroelastomer]，FFPM/FFKM)、碳氟化合物[氯三氟乙烯偏二氟乙烯](Fluorocarbon[Chlorotrifluoroethylenevinylidene fluoride]，FPM/FKM)、全氟聚醚(Perfluoropolyether，PFPE)、全氟磺酸(Perfluorosulfonic acid，PFSA)和全氟聚氧杂环丁烷。
对于其它氟退火方法，包括氟离子植入随后退火、低于300℃的氟等离子体处理、高温下的氟气体反应和用氟气体进行UV处理，反应需要氟化气体和氧气。氟化气体可以是例如氢氟碳(HFC)、全氟化碳(PFC)、六氟化硫(SF6)、HF蒸气、NF3和来自氟聚合物燃烧的气体。
氧化钇或氧化钇铝膜的结构优选地为柱状，以使得所述结构允许氟在氟退火过程期间穿过晶界穿透膜。非晶形氧化钇结构(即，非柱状或较小柱状)不允许氟在氟退火过程期间如容易地穿透。
氟退火膜为可调谐的，其中氟退火工艺允许膜的氟化的深度和密度变化。在本发明的一个变化形式中，氟退火膜完全氟化(完全饱和)，其中氟遍及膜的深度定位。在本发明的另一变化形式中，氟退火膜部分氟化，其中氟沿着膜的外部部分而非遍及膜的整个深度定位。另外，膜可为梯度膜，其中氟含量在膜的深度上变化。举例来说，膜的顶部(最外)部分可包括最高氟含量，其中氟含量在膜朝向膜的最接近并且与衬底交接的底部(最内)部分的深度上逐渐减小。膜的最外部分为面向蚀刻环境的部分。
所述膜提供覆盖衬底的保护层，所述保护层为与半导体组件内部的环境(例如真空腔室内部的环境)接触的经涂布制品的最外层。
实例1
原子层沉积气相沉积氧化钇的氟化
在ALD沉积期间，在保持在介于140℃与200℃之间的温度下的铝衬底试片上制备ALD氧化钇膜。各种试片上氧化钇膜的厚度在0.01微米到小于1微米之间变化。图1展示在氟退火之前(ALD)氧化钇薄膜的x射线衍射(XRD)图案。
随后通过在含有氟源的锅炉中对试片进行氟退火来氟化具有ALD氧化钇膜的试片。样品在具有氟源的锅炉中在空气中循环五次。每次循环包括以100℃/小时下斜升、在250℃的温度下浸泡1小时、在100℃/小时的温度下斜降和在100℃的温度下浸泡10分钟，之后下一次斜升到250℃。
氟化ALD氧化钇膜具有优良抗裂性。在无氟化处理的情况下在铝上生长的氧化钇的对照试片的室温与250℃之间的热循环具有氧化钇膜开裂，而如上文所制备的氟化ALD氧化钇膜在相同热循环下不开裂。图2展示在氟退火之后原子层沉积(ALD)氧化钇膜的x射线衍射图案。氟退火的ALD膜的XRD膜展示，氧化钇膜变成具有为氟化的氧化钇铝(即，氟氧化钇铝)的外部部分和为(未氟化的)氧化钇铝的内部部分的梯度膜。
这一实例的结果展示，相比于用于CVD或PVD沉积的钇和含氧膜的如300℃到650℃的较高温度，通过ALD工艺形成的含有钇和氧的抗裂膜可在介于150℃与低于300℃之间的较低温度下氟化。较低ALD沉积温度和较低氟退火温度有利于涂布温度敏感性衬底，如具有与膜的大CTE(热膨胀系数)不匹配的聚合物和衬底。
已这样描述了本发明的几个说明性实施例，所属领域的技术人员将容易理解，仍可在所附权利要求书的范围内，制备和使用其它实施例。前述描述中已阐述本文献所涵盖的本发明的许多优点。然而，应理解，本发明在许多方面仅为说明性的。可在细节上进行改变，特别是在零件的形状、大小和排列上进行改变，而不超过本发明的范围。当然，本发明的范围是以表达所附权利要求书的语言来界定。

Claims (11)

1.一种制品，其包含：
衬底；
覆盖所述衬底的至少一部分的保护膜，所述膜具有介于0.01微米与小于1微米之间的厚度并且包含含有钇的氟化金属氧化物。
2.根据权利要求1所述的制品，其中所述保护膜被完全氟化或部分氟化。
3.根据权利要求1所述的制品，其中所述保护膜为氟氧化钇或氟氧化钇铝。
4.根据权利要求1所述的制品，其中所述膜为梯度膜，并且其中所述膜的氟含量在所述膜的厚度上从包含氟氧化钇的外部部分到包含氧化钇的内部部分减小。
5.根据权利要求1所述的制品，其中所述膜为梯度膜，并且其中所述膜的氟含量在所述膜的厚度上从包含氟氧化钇铝的外部部分到包含氧化钇铝的内部部分减小。
6.根据权利要求1所述的制品，其中所述膜的厚度介于0.01微米与0.7微米之间。
7.根据权利要求1所述的制品，其中所述保护膜的外部部分的氟含量比直接接触所述衬底的所述保护膜的内部部分高。
8.根据权利要求1所述的制品，其中所述保护膜为梯度膜，并且其中所述膜的氟含量在所述膜的厚度上从含有更多氟的所述膜的外部部分到直接接触所述衬底并且含有比所述膜的所述外部部分少的氟的所述膜的内部部分减小。
9.一种方法，其包含：
将含有钇的金属氧化物原子层沉积到衬底上，所述金属氧化物形成覆盖在所述衬底上的厚度介于0.01微米与小于1微米之间的膜；以及
对所述膜进行氟退火。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述氟退火在所述衬底上进行，所述衬底在含氟氛围中保持在介于约150℃到低于约300℃之间的温度下。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述氟退火在所述衬底上进行，所述衬底在含氟氛围中保持在介于约200℃到约250℃之间的温度下。
CN201880006748.9A 2017-01-16 2018-01-15 用氟退火膜涂布的制品 Pending CN110199053A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762446715P 2017-01-16 2017-01-16
US62/446,715 2017-01-16
PCT/US2018/013710 WO2018132789A1 (en) 2017-01-16 2018-01-15 Articles coated with a fluoro-annealed film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110199053A true CN110199053A (zh) 2019-09-03

Family

ID=61257094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880006748.9A Pending CN110199053A (zh) 2017-01-16 2018-01-15 用氟退火膜涂布的制品

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20180202047A1 (zh)
JP (2) JP7282678B2 (zh)
KR (2) KR20210146421A (zh)
CN (1) CN110199053A (zh)
TW (1) TWI680200B (zh)
WO (1) WO2018132789A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113913783A (zh) * 2020-07-09 2022-01-11 恩特格里斯公司 含有氟化氧化钇及金属氧化物的涂层以及制备及使用所述涂层的方法
CN115485411A (zh) * 2020-04-14 2022-12-16 恩特格里斯公司 氟化钇膜和制备和使用氟化钇膜的方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9828672B2 (en) 2015-03-26 2017-11-28 Lam Research Corporation Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma
US20190078200A1 (en) * 2017-09-08 2019-03-14 Applied Materials, Inc. Fluorinated rare earth oxide ald coating for chamber productivity enhancement
US20190078199A1 (en) * 2017-09-08 2019-03-14 Applied Materials, Inc. Rare-earth-based oxyfluoride ald coating for chamber productivity enhancement
WO2019113351A1 (en) 2017-12-07 2019-06-13 Lam Research Corporation Oxidation resistant protective layer in chamber conditioning
US10760158B2 (en) * 2017-12-15 2020-09-01 Lam Research Corporation Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing
US11180847B2 (en) * 2018-12-06 2021-11-23 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition coatings for high temperature ceramic components
US11390947B2 (en) * 2019-03-04 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Method of forming a fluorinated metal film
JP7460771B2 (ja) 2019-12-30 2024-04-02 インテグリス・インコーポレーテッド フッ化マグネシウム領域が形成させる金属体
US20220037126A1 (en) * 2020-08-03 2022-02-03 Applied Materials, Inc. Fluoride coating to improve chamber performance
WO2023055656A1 (en) * 2021-09-30 2023-04-06 Entegris, Inc. Additive manufactured articles having coated surfaces and related methods

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100035036A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Mccloy John S Durable antireflective multispectral infrared coatings
US20110244693A1 (en) * 2005-06-23 2011-10-06 Akitake Tamura Component for semiconductor processing apparatus and manufacturing method thereof
US20160273095A1 (en) * 2015-03-18 2016-09-22 Entegris, Inc. Articles Coated With Fluoro-Annealed Films

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5343849B2 (ja) * 2007-06-20 2013-11-13 旭硝子株式会社 酸化物ガラスの表面処理方法
US9053937B2 (en) * 2010-04-15 2015-06-09 Electronics And Telecommunications Research Institute Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW201334035A (zh) * 2011-10-06 2013-08-16 Greene Tweed Of Delaware 抗電漿蝕刻膜，承載抗電漿蝕刻膜之物品及相關的方法
JP6235471B2 (ja) * 2012-06-20 2017-11-22 東京エレクトロン株式会社 シーズニング方法、プラズマ処理装置及び製造方法
US20140099491A1 (en) 2012-10-09 2014-04-10 Mohammed Ameen Plasma Etch Resistant Films, Articles Bearing Plasma Etch Resistant Films and Related Methods
JP5911036B1 (ja) * 2014-11-21 2016-04-27 日本イットリウム株式会社 焼結体
SG11201706564UA (en) 2015-02-13 2017-09-28 Entegris Inc Coatings for enhancement of properties and performance of substrate articles and apparatus
US11326253B2 (en) * 2016-04-27 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110244693A1 (en) * 2005-06-23 2011-10-06 Akitake Tamura Component for semiconductor processing apparatus and manufacturing method thereof
US20100035036A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Mccloy John S Durable antireflective multispectral infrared coatings
US20160273095A1 (en) * 2015-03-18 2016-09-22 Entegris, Inc. Articles Coated With Fluoro-Annealed Films

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115485411A (zh) * 2020-04-14 2022-12-16 恩特格里斯公司 氟化钇膜和制备和使用氟化钇膜的方法
CN113913783A (zh) * 2020-07-09 2022-01-11 恩特格里斯公司 含有氟化氧化钇及金属氧化物的涂层以及制备及使用所述涂层的方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018132789A1 (en) 2018-07-19
KR20210146421A (ko) 2021-12-03
JP7449900B2 (ja) 2024-03-14
TW201833367A (zh) 2018-09-16
KR20190091542A (ko) 2019-08-06
JP7282678B2 (ja) 2023-05-29
TWI680200B (zh) 2019-12-21
JP2020505507A (ja) 2020-02-20
JP2021169664A (ja) 2021-10-28
US20180202047A1 (en) 2018-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110199053A (zh) 用氟退火膜涂布的制品
TWI683888B (zh) 塗佈有經氟退火膜之物品
US20190078206A1 (en) Fluorinated rare earth oxide ald coating for chamber productivity enhancement
CN219218125U (zh) 涂覆有抗裂氟退火膜的制品
US20210317572A1 (en) Yttrium fluoride films and methods of preparing and using yttrium fluoride films
US20220010426A1 (en) Coatings that contain fluorinated yttrium oxide and a metal oxide, and methods of preparing and using the coatings
WO2022120063A1 (en) Erosion resistant metal fluoride coated articles, methods of preparation and methods of use thereof
TW202132590A (zh) 具有自其形成之氟化鎂區域的金屬體
CN218596504U (zh) 具有氟化钇涂层的衬底
TWI835093B (zh) 具有氟化釔塗層之基板及製備及使用基板之方法
US20230100791A1 (en) Articles having removable coatings and related methods

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination