CN110162219A

CN110162219A - 触控装置

Info

Publication number: CN110162219A
Application number: CN201910443225.7A
Authority: CN
Inventors: 李家圻; 陈政德; 郭文瑞
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2018-10-15
Filing date: 2019-05-24
Publication date: 2019-08-23
Anticipated expiration: 2039-05-24
Also published as: TWI673698B; CN110162219B; TW202016914A

Abstract

一种触控装置，包括多个触控电极、多工器电路与感测驱动电路。根据这些触控电极的位置，这些触控电极被分为第一触控电极组与第二触控电极组。多工器电路电性连接于这些触控电极与感测驱动电路之间，且包括电性连接第一触控电极组的多个第一晶体管与电性连接第二触控电极组的多个第二晶体管，其中，对应于第一触控电极组与第二触控电极组的位置，这些第一晶体管的尺寸不同于这些第二晶体管的尺寸。

Description

触控装置

技术领域

本发明是有关于一种触控技术，且特别是有关于一种触控装置。

背景技术

近年来，触控装置结合显示面板作为电子装置的输入接口已经开始取代传统的实体按键，其中电容式触控装置是通过反应触控物体(例如手指、触控笔)对面板造成的电容量变化的感测信号来判断触控点的位置。但随着触控装置的面板尺寸增加，会因为远近端的触控电极的位置使得所提供触控感测信号的差异变大，进而影响触控的精确度。如何避免大尺寸触控装置的触控产生误判则成为一个重要的课题。

发明内容

本发明提供一种触控装置，能够改善远近端的触控电极的信号差异问题，对远端的触控电极的信号进行补偿，进而提升触控判断的精确度。

本发明的实施例提供一种触控装置，包括多个触控电极、多工器电路与感测驱动电路。根据这些触控电极的位置，这些触控电极被分为第一触控电极组与第二触控电极组。多工器电路电性连接于这些触控电极与感测驱动电路之间，且包括电性连接第一触控电极组的多个第一晶体管与电性连接第二触控电极组的多个第二晶体管，其中，对应于第一触控电极组与第二触控电极组的位置，这些第一晶体管的尺寸不同于这些第二晶体管的尺寸。

本发明的实施例提供一种触控装置，包括多个触控电极、多工器电路与感测驱动电路。根据这些触控电极的位置，这些触控电极被分为第一触控电极组与第二触控电极组。多工器电路电性连接于这些触控电极与感测驱动电路之间。多工器电路包括多个第一晶体管、多个第二晶体管、多个第三晶体管与多个第四晶体管。每一个第三晶体管与每一个第一晶体管共用感测线以电性连接第一触控电极组，且每一个第四晶体管与各每一个第二晶体管共用另一感测线以电性连接第二触控电极组。各第一晶体管的阻抗与在同一条感测线上的第三晶体管的阻抗不同，且第二晶体管的阻抗与同样在另一条感测线上的第四晶体管的阻抗不同。

基于上述，本发明的触控装置通过适应性的调整多工器电路中的晶体管尺寸，让用以做为开关的晶体管能够提供触控感测信号的补偿电阻，多工器电路里的晶体管的尺寸会对应于电性连接的感触电极的位置而不同。藉此，能够增加对于远距离的触控电极的精准度，提升触控装置的表现。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种触控装置的示意图。

图2是依照本发明的一实施例的一种触控装置的部分示意图。

图3A是依照本发明的一实施例的一种晶体管的沟道尺寸示意图。

图3B是依照本发明的另一实施例的一种晶体管的沟道尺寸示意图。

图3C是依照本发明的另一实施例的一种晶体管的沟道尺寸示意图。

图4是依照本发明的另一实施例的一种触控装置的部分示意图。

图5是依照本发明的另一实施例的一种触控装置的部分示意图。

图6是依照本发明的一实施例的一种多工器电路的示意图。

图7A与图7B分别是依照本发明的一实施例的一种驱动信号的波形示意图。

图8是依照本发明的另一实施例的一种触控装置的部分示意图。

其中，附图标记：

100：触控装置

110：触控感测区域

120、520：多工器电路

130：感测驱动电路

DS、DS1～DS6：驱动信号

G1：第一触控电极组

G2：第二触控电极组

G3：第三触控电极组

L、L1、L2、L3：沟道长度

LA：布局区域

NA、NB、NC：输出节点

PX、PX1～PX9：触控电极

Ra、Rb、Rc：额外阻抗

SL：感测线

T1～T9、Ta～Ti：晶体管

TG1～TG6：第一开关组到第六开关组

W1、W11、W12、W2、W3：沟道宽度

X、Y、Z：方向

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

请参照图1，图1是依照本发明的一实施例的一种触控装置的示意图。触控装置100包括触控感应区域110、多工器电路120以及感测驱动电路130。触控感应区域110包括多个触控电极PX。这些触控电极PX分别延第一方向(以Y方向为例)与第二方向(以X方向为例)成阵列排列。这些触控电极PX分别通过感测线SL与多工器电路120电性连接感测驱动电路130。感测驱动电路130会对触控感应区域110进行触控扫描。当使用者使用例如手指、触控笔、触控手套、或其它合适的媒介对触控电极PX进行触控运作时会产生触控感测信号。触控感测信号从触控电极PX传送到感测驱动电路130以进一步判断触控点的位置。本发明不限制触控电极PX或感测线SL的数量。

多工器电路120电性连接于这些触控电极PX与感测驱动电路130之间且包括多个作为开关的晶体管(图1未显示)，其中多工器电路120的每个晶体管电性连接一个触控电极PX，用以控制每个触控电极PX的信号传输。多工器电路120根据由感测驱动电路130提供的驱动信号DS来控制这些晶体管的开或关。

在本实施例中，这些触控电极PX会根据自己的位置而至少被分为第一触控电极组与第二触控电极组，其中电性连接第一触控电极组的多个晶体管被称为第一晶体管，电性连接第二触控电极组的多个晶体管被称为第二晶体管，其中，对应于第一触控电极组与第二电极组的位置，这些第一晶体管的尺寸不同于这些第二晶体管的尺寸。

一般来说，依照触控电极PX的所在位置，触控电极PX到多工器电路120或感测驱动电路130的信号传送距离愈大，触控感测信号因为路径上的电容或电阻，所经历的阻抗也会愈大，而造成接收到的触控感测信号强度下降。如此一来，会使得远端与近端的触控电极PX的触控感测信号差异过大，增加判断触控事件的难度。为了对触控感测信号的进行补偿，本实施例的多工器电路120的这些晶体管的尺寸会不完全相同，晶体管的尺寸会随着所耦接的触控电极PX的远近而调整。当晶体管的沟道(channel)宽度增加时，晶体管的阻抗会降低，而当晶体管的沟道长度增加时，晶体管的阻抗也会随着增加。通过适当的晶体管尺寸设计，使得耦接远端的触控电极PX的晶体管能提供较小的阻抗，耦接近端的触控电极PX的晶体管能提供较大的阻抗，藉此达到阻抗匹配的功效。以下将以实施例详细说明之。

请参照图2，图2是依照本发明的一实施例的一种触控装置的部分示意图。图2的实施例可视为触控装置100的部分触控电极的示意图。在此，为说明方便，仅显示沿Y方向排列的触控电极PX1～PX9与连接的晶体管T1～T9，且触控电极PX1～PX9的形状不代表实际形状。每个触控电极会耦接一个晶体管，触控电极PX1耦接晶体管T1，触控电极PX2耦接晶体管T2，触控电极PX3耦接晶体管T3，以此类推。

在本实施例中，根据这些触控电极PX1～PX9的位置将它们分成多个触控电极组，例如第一触控电极组TG1、第二触控电极组TG3与第三触控电极组G3。具体来说，可以沿Y方向将多个触控电极PX1～PX9分组，或者，依照触控电极PX1～PX9至多工器电路120或感测驱动电路130的距离将这些触控电极PX1～PX9分成多个触控电极组，或者，依照触控电极PX1～PX9到多工器电路120的走线距离或是到感测驱动电路130的走线距离来进行分组。在本实施例中，触控电极PX1～PX3被分为第一触控电极组G1，触控电极PX4～PX6被分为第二触控电极组G2，触控电极PX7～PX9被分为第三触控电极组G3。第一触控电极组G1无论离多工器电路120或感测驱动电路130都是比较远的位置，第三触控电极组G3则是最近的，第二触控电极组G2居中。

本实施例的触控电极组的数目要求为至少二个，但不限制每一触控电极组的触控电极数目。

在此，可对应触控电极的分组方式将晶体管分组以简化多工器电路120到感测驱动电路130的走线数量，但本发明不限制触控电极的分组需与晶体管的分组一致。

相应地，耦接到第一触控电极组TG1的晶体管T1～T3(亦称为第一晶体管)被分为第一开关组TG1，耦接到第二触控电极组TG2的晶体管T4～T6(亦称为第二晶体管)被分为第二开关组TG2，耦接到第三触控电极组TG3的晶体管T7～T9(亦称为第三晶体管)被分为第三开关组TG3。

须注意的是，分别对应于远(第一触控电极组G1)、中(第二触控电极组G2)、近(第三触控电极组G3)的触控电极的第一晶体管、第二晶体管与第三晶体管尺寸不相同。距离多工器电路120或感测驱动电路130愈远的触控电极PX所耦接的晶体管的沟道宽度会愈大或沟道长度会愈小。

举例具体说明，当第一触控电极组G1到多工器电路120的走线距离大于第二触控电极组G2到多工器电路120的走线距离时，或者，当第一触控电极组G1到感测驱动电路130的走线距离大于第二触控电极组G2到感测驱动电路130的走线距离时，这些第一晶体管的尺寸不同于这些第二晶体管的尺寸以使这些第一晶体管的阻抗小于这些第二晶体管的阻抗。

特别说明的是，由于较远的第一触控电极组的触控感测信号在触控感测区域110会比第一触控电极组提供的触控感测信号遭遇比较大的阻抗，但由于第一晶体管的阻抗小于第二晶体管的阻抗，因此触控感测信号能够被补偿，限缩来自远近两端触控电极的信号大小差异。

另外，耦接同一触控电极组的晶体管彼此之间的尺寸可以相同也可以不同，即晶体管的阻抗可以相同也可以不同，本发明不限制。例如，晶体管T1～T3的尺寸可以相同或不同，如果尺寸相同，表示晶体管T1～T3的阻抗相同。

请参照图3A，图3A是依照本发明的一实施例的一种晶体管的沟道尺寸示意图。在图2的实施例中，第一晶体管的晶体管T1～T3的阻抗相等，第二晶体管的晶体管T4～T6的阻抗相等，第三晶体管的晶体管T6～T9的阻抗相同，以下以晶体管T1、T4、T7分别代表第一至第三晶体管中所有的晶体管来进行说明。

在图3A显示第一晶体管至第三晶体管并排的状况，第一晶体管至第三晶体管的尺寸都不相同。由于第一触控电极组G1远于第二触控电极组G2，第二触控电极组G2远于第三触控电极组G3，在晶体管T1～T9的栅极(Gate)的沟道长度L相同的条件下，晶体管T1的沟道宽度W1被设计为大于晶体管T4的沟道宽度W2以使晶体管T1的阻抗小于晶体管T4的阻抗，而晶体管T4的沟道宽度W2被设计为大于晶体管T7的沟道宽度W3以使晶体管T4的阻抗小于晶体管T7的阻抗。

对第一到第三开关组TG1～TG3来说，由于晶体管的尺寸相等，因此在某些实施例中，每一个开关组的晶体管在基板上能够紧密排列，例如沟道宽度为W1的晶体管T1～T3在基板上能够并排在一起，沟道宽度为W2的晶体管T4～T6或沟道宽度为W3的晶体管T7～T9也能够整齐地并排。

由于每个开关组的晶体管的尺寸不同，因此可以将同尺寸的晶体管紧密并排，但对于其它不同尺寸的晶体管，本发明不要求并排成同一列。在一实施例中，如果有多个不同沟道宽度(长度)但相同沟道长度(宽度)的晶体管，可以将同尺寸的晶体管整齐地并排成一列，而沟道宽度不同的晶体管可以依照沟道长度(宽度)对齐，沿沟道宽度的延伸方向排列，形成其它的列，以避免因为长短不齐所造成的空间浪费。

本发明不限制晶体管的配置结构，但在不同的实施例中，为了追求良好的基板面积使用效率，面积较小的晶体管所让出的区域面积可以由面积最大的晶体管占据以使晶体管的布局区域面积最小化。

在本实施例中，扫描方式是在一个时段中同时导通不同开关组的至少其中一个晶体管。晶体管T1、T4与T7受控于驱动信号DS1，晶体管T2、T5与T8受控于驱动信号DS2，晶体管T3、T6与T9受控于驱动信号DS3。关于驱动信号DS1～DS3的波形可以参考图7A或图7B。当驱动信号DS处于高电位状态，晶体管被导通，当驱动信号DS处于低电位状态，晶体管不导通，但不限制。

在第一时段T1中，驱动信号DS1导通晶体管T1、T4与T7，其他的晶体管被关闭，此时触控电极PX1、PX4、PX7可以与感测驱动电路130沟通。晶体管T1、T4与T7在其它时段被关闭。在第二时段T2中，晶体管T2、T5与T8被导通，触控电极PX2、PX5、PX8可以与感测驱动电路130沟通。晶体管T2、T5与T8在其它时段中被关闭；在第三时段T3中，晶体管T3、T6与T9被导通，触控电极PX3、PX6、PX9可以与感测驱动电路130沟通，但晶体管T3、T6与T9在其它时段被关闭。

也就是说，在本实施例中，多工器电路120至少包括第一开关组与第二开关组，例如第一开关组TGI与第二开关组TG2。第一开关组TG1包括多个第一晶体管，例如晶体管T1～T3，第二开关组TG2包括多个第二晶体管，例如晶体管T4～T6。这些第一晶体管与这些第二晶体管中的每一个分别在多个时段被导通，且在每个时段中，这些第一晶体管与这些第二晶体管中的至少一个同时被导通。在每个时段中，第一触控电极组G1、第二触控电极组G2与第三触控电极组G3各有一个触控电极可以与感测驱动电路130沟通。

请参照图4，图4是依照本发明的另一实施例的一种触控装置的部分示意图。图4的实施例也可视为触控装置100的部分触控电极的示意图。图4的实施例与图2的实施例相似，但多工器电路120的晶体管T1～T9耦接感触电极PX1～PX9的方式不同。

不同于图2的实施例，在本实施例中，第一开关组TG1、第二开关组TG2与第三开关组TG3的分组方式一样与触控电极的分组方式有关，但耦接到同一触控电极组的晶体管没有被分成同一开关组。

详言之，在本实施例中，第一开关组TG1包括晶体管T1～T3，第二开关组TG2包括晶体管T4～T6，第三开关组TG3包括晶体管T7～T9，但耦接第一触控电极组G1被称为第一晶体管的是晶体管T1、T4与T7；耦接第二触控电极组G2被称为第二晶体管的是晶体管T2、T5与T8；耦接第三触控电极组G3被称为第三晶体管的是晶体管T3、T6与T9。第一开关组TG1、第二开关组TG2与第三开关组TG3各自包括这些第一晶体管的至少其中之一、这些第二晶体管的至少其中之一与这些第三晶体管的至少其中之一。每一个开关组会耦接所有触控电极组中的至少一个触控电极。

须注意的是，在本实施例中，同一开关组的晶体管的尺寸要不相同，即同一开关组的晶体管的阻抗不相同，例如第一开关组TG1的晶体管T1～T3的尺寸都不同，但第一开关组TG1、第二开关组TG2与第三开关组TG3的部分晶体管尺寸可以相同，也可以不同。

请再搭配图4参照图3A，图4的晶体管T1～T9的栅极的沟道长度L设定为相同，而同一开关组的晶体管的沟道宽度不同。第一晶体管的沟道宽度W1大于第二晶体管的沟道宽度W2，而第二晶体管的沟道宽度W2大于第三晶体管的沟道宽度W3。在第一开关组TG1中，晶体管T1的沟道宽度W1最大，晶体管T2的沟道宽度W2居中，晶体管T3的沟道宽度W3最小。在第二开关组TG2中，晶体管T4的沟道宽度W1最大，晶体管T5的沟道宽度W2居中，晶体管T6的沟道宽度W3最小。在第三开关组TG3中，晶体管T7的沟道宽度W1最大，晶体管T8的沟道宽度W2居中，晶体管T9的沟道宽度W3最小。

请搭配图4参照图3B，图3B是依照本发明的另一实施例的一种晶体管的沟道尺寸示意图。在图3B的实施例中，同一开关组的晶体管的栅极的沟道宽度可以相同但沟道长度不同。以第一开关组TG1为例，晶体管T1～T3的沟道宽度W设定为相同，但晶体管T1沟道长度L1小于晶体管T2的沟道长度L2以使晶体管T1的阻抗小于晶体管T2的阻抗，而晶体管T2的沟道长度L2小于晶体管T3的沟道长度L3以使晶体管T2的阻抗小于晶体管T3的阻抗。

请搭配图4参照图3C，图3C是依照本发明的另一实施例的一种晶体管的沟道尺寸示意图。在图3C的实施例中，晶体管T1～T9的沟道长度L设定为相同，而同一开关组的晶体管的沟道宽度不同。在同一开关组中第一晶体管的沟道宽度W1大于第二晶体管的沟道宽度W2，而第二晶体管的沟道宽度W2大于第三晶体管的沟道宽度W3。

特别说明的是，在图3C的实施例与图3A相似，但为了提升多工器电路120的面积使用效率，在第一开关组TG1、第二开关组TG2与第三开关组TG3其中之一的布局区域LA内，可以将面积最小的晶体管所让出的区域由面积最大的晶体管占据以使布局区域LA的面积最小化。以第一开关组TG1为例，晶体管T1的沟道宽度W1最大，晶体管T2的沟道宽度W2居中，晶体管T3的沟道宽度W3最小。可以将最大的晶体管T1分为沟道宽度W11的部分以及沟道宽度W12的部分，但两个部分耦接。较小的沟道宽度W12的部分可以配置在最小晶体管T3的旁边，有效利用晶体管T3所让出的空间以节省布局区域LA的面积。

图4的实施例的晶体管T1～T9受控于驱动信号DS1～DS3。在第一时段T1中，驱动信号DS1导通晶体管T1、T4与T7，第一感触电极组G1可以与感测驱动电路130沟通；在第二时段T2中，晶体管T2、T5与T8被导通，第二感触电极组G2可以与感测驱动电路130沟通；在第三时段T3中，晶体管T3、T6与T9被导通，第三感触电极组G3可以与感测驱动电路130沟通。在每个时段中，第一触控电极组G1、第二触控电极组G2与第三触控电极组G3的其中一组可以与感测驱动电路130沟通。

也就是说，在本实施例中，多工器电路120至少包括第一开关组与第二开关组，例如第一开关组TG1与第二开关组TG2。第一开关组TG1包括这些第一晶体管的至少一(例如晶体管T1)与这些第二晶体管的至少一(例如晶体管T2)，第二开关组TG2包括这些第一晶体管的至少另一(例如晶体管T4)与这些第二晶体管的至少另一(例如晶体管T5)。这些第一晶体管在第一时段中全部被导通，且这些第二晶体管在第二时段中全部被导通。

请参照图5，图5是依照本发明的另一实施例的一种触控装置的部分示意图。图5的实施例也可视为触控装置100的部分触控电极的示意图。图5的实施例与图2或图4的实施例相似，同样将触控感应区域110中的感触电极分为第一触控电极组G1、第二触控电极组G2与第三触控电极组G3。但多工器电路120在图5的实施例中被多工器电路520取代。多工器电路520比多工器电路120包括更多开关组，而触控感测区域110中的每个感触电极会耦接多工器电路520的至少两个晶体管。也就是说每一条感测线SL可以耦接至少两个以上的晶体管，且数目不限制。

请参照图6，图6是依照本发明的一实施例的一种多工器电路的示意图。多工器电路520除了第一开关组TG1、第二开关组TG2与第三开关组TG3外，还包括第四开关组TG4、第五开关组TG5与第六开关组TG6，每条感测线SL会耦接第一开关组TG1、第二开关组TG2与第三开关组TG3中的一个晶体管(晶体管T1～T9的其中之一)以及第四开关组TG4、第五开关组TG5与第六开关组TG6中一个晶体管(晶体管Ta～Ti的其中之一)。其中第四开关组TG4、第五开关组TG5与第六开关组TG6的晶体管尺寸不完全相同，例如参照第一开关组TG1、第二开关组TG2与第三开关组TG3的晶体管的尺寸设计原则，同样会对应于所耦接的感触电极PX的位置来决定晶体管的阻抗大小。

为了说明方便，图5仅显示3个触控电极PX，以及3个触控电极PX所耦接的晶体管T1～T3与第四开关组TG4的晶体管Ta～Tc。3个触控电极PX可以是图2的触控电极PX1～PX3或图4的第一触控电极组G1的触控电极PX1、第二触控电极组G2的触控电极PX4与第三触控电极组G3的PX7。其中，第一开关组TG1的输出节点NA与第四开关组TG4的输出节点NB可以耦接输出节点NC，由输出节点NC输出触控感测信号给感测驱动电路130，如图5显示。

在另一实施例中，输出节点NA与输出节点NB也可以分开，触控感测信号经由输出节点NA或输出节点NB传送到感测驱动电路130，本发明对此不限制。

在本实施例中，第四晶体管Ta与第一晶体管T1共用一感测线SL以电性连接触控电极PX，第五晶体管Tb与第二晶体管T2共用一感测线SL以电性连接触控电极PX，第六晶体管Tc与第三晶体管T3共用一感测线SL以电性连接触控电极PX。同一条感测线SL所耦接的两个晶体管的尺寸不相同，亦即所提供的晶体管阻抗不同。

请参照图7A与图7B，图7A与图7B分别是依照本发明的一实施例的一种驱动信号的波形示意图。晶体管T1～T3分别受控于驱动信号DS1～DS3，晶体管Ta～Tc分别受控于驱动信号DS4～DS6。当驱动信号处于高电位状态，晶体管被导通，当驱动信号处于低电位状态，晶体管不导通，但不限制。

在图7A的实施例中，在第一时段T1中，驱动信号DS1处于高电位状态，驱动信号DS2～DS6处于低电位状态，只有晶体管T1被导通，其他晶体管T2、T3、Ta～Tc关闭。在第二时段T2中，只有晶体管T2被导通，其他晶体管T1、T3、Ta～Tc关闭。在第三时段T3中，只有晶体管T3被导通，其他晶体管T1、T2、Ta～Tc关闭。本实施例与图2跟图4的实施例的驱动方式相似，都只有使用第一开关组TG1、第二开关组TG2与第三开关组TG3来控制信号传送。

在图7B的实施例中，在第一时段T1中，驱动信号DS4处于高电位状态，驱动信号DS1～DS3、DS5、DS6处于低电位状态，只有晶体管Ta被导通。在第二时段T2中，只有晶体管Tb被导通，在第三时段T3中，只有晶体管Tc被导通。

在图7A与图7B的实施例中，触控电极PX的触控感测信号可以通过第一开关组TG1或第四开关组TG4输出到感测驱动电路130，其中，第一开关组TG1与第四开关组TG4的晶体管能提供的阻抗不同。

详细来说，当图5的3个触控电极PX是图2的触控电极PX1～PX3时，第一开关组TG1的晶体管T1～T3都是第一晶体管，晶体管T1～T3的阻抗可以都相同，因此晶体管Ta～Tc的阻抗也可以都相同，其中晶体管T1的阻抗被设计成小于晶体管Ta的阻抗。当触控感测信号需要较小的阻抗来进行阻抗匹配时，可以选择导通第一开关组TG1，让触控感测信号通过具有较小阻抗的晶体管T1来进行调节；反之，可以选择导通第四开关组TG4，让触控感测信号通过具有较大阻抗的晶体管Ta来进行调节。

在另一实施例中，当晶体管T1～T3的阻抗都相同时，晶体管Ta～Tc的阻抗可以不相同。

当图5的3个触控电极PX是图4的第一触控电极组G1的触控电极PX1、第二触控电极组G2的触控电极PX4与第三触控电极组G3的PX7时，第一开关组TG1的晶体管T1～T3分别属于第一到第三晶体管，第四开关组TG4的晶体管Ta～Tc也分别属于第一到第三晶体管，因此晶体管T1～T3的阻抗都不相同，晶体管Ta～Tc的阻抗也可以都不相同。晶体管T1～T3与晶体管Ta～Tc的阻抗大小关系，本发明并不限制。

在另一实施例中，当晶体管T1～T3的阻抗不相同时，晶体管Ta～Tc的阻抗可以是相同的。

在此，在另一实施例中，可以选择在某个时段导通第一到第三开关组TG1～TG3的晶体管，在其他的时段导通第四到第六开关组TG4～TG6的晶体管。在另一实施例中，也可以同时导通第一开关组TG1与第四开关组TG4。

特别说明的是，感测线SL在多工器电路中可以耦接多个具有不同阻抗的晶体管，藉由选择导通具有想要阻抗的晶体管来调节触控感测信号，以达到放大或缩小触控感测信号的功效。

请参照图8，图8是依照本发明的另一实施例的一种触控装置的部分示意图。图8的实施例与图5的实施例相似，但图8的实施例中除了利用不同晶体管的尺寸来调整匹配阻抗的大小，还进一步利用绕线增加额外的匹配阻抗。

在本实施例中，选择在第四开关组TG4、第五开关组TG5与第六开关组TG6耦接到感测线SL的路径上增加绕线或是改变线路的材料以提供额外的阻抗，例如阻抗Ra、阻抗Rb与阻抗Rc。增加的阻抗Ra、Rb、Rc之间的大小可以相同也可以不相同。阻抗Ra、Rb、Rc的大小关系也可以对应于所耦接的触控电极的位置，如同上述实施例晶体管T1～T9对应于触控电极PX的位置而阻抗不同。举例来说，在图8中，阻抗Ra所耦接的触控电极PX最远，阻抗Ra所耦接的触控电极PX最近，因此阻抗Ra小于阻抗Rb，而阻抗Rb小于阻抗Rc。

关于图8的实施方式，本领域具有通常知识者可以通过上述实施例的说明而获致足够的实施方式、教示与建议，在此不再赘述。

在图5与图8的实施例中，通过提供更多的阻抗选择来扩大调整触控感测信号的弹性。当需要触控感测信号放大时，可以选择阻抗较低的路径，当需要触控感测信号缩小时，可以选择阻抗较高的路径。藉由多个晶体管之间的切换以及绕线或是改变线路的材料所提供的额外阻抗Ra、Rb、Rc，可以在保持晶体管面积的限制下增加阻抗匹配的灵活度。

综上所述，本发明的触控装置可以在不增加触控面板的面积以及感测线数目的条件下，利用调整多工器电路中的晶体管的尺寸来提供补偿电阻，加强对远端的触控感测信号的支援度。因可以达到在低成本的条件下加强触控操作表现的功效。另外，还可以利用不同尺寸的晶体管的搭配来将晶体管的空间配置优化。本发明的触控装置还可以藉由增加额外的晶体管或是走线的阻抗来扩大触控感测信号的调整弹性。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims

1.一种触控装置，其特征在于，包括：

多个触控电极，其中，根据该些触控电极的位置，该些触控电极被分为一第一触控电极组与一第二触控电极组；

一感测驱动电路；以及

一多工器电路，电性连接于该些触控电极与该感测驱动电路之间，且包括电性连接该第一触控电极组的多个第一晶体管与电性连接该第二触控电极组的多个第二晶体管，

其中，对应于该第一触控电极组与该第二触控电极组的位置，该些第一晶体管的尺寸不同于该些第二晶体管的尺寸。

2.如权利要求1所述的触控装置，其特征在于，距离该多工器电路或该感测驱动电路愈远的该触控电极所耦接的晶体管的沟道宽度愈大或沟道长度愈小。

3.如权利要求1所述的触控装置，其特征在于，其中，依照该些触控电极至该多工器电路或该感测驱动电路的距离，将该些触控电极分为该第一触控电极组与该第二触控电极组。

4.如权利要求3所述的触控装置，其特征在于，其中当该第一触控电极组到该多工器电路的走线距离大于该第二触控电极组到该多工器电路的走线距离时，或者，当该第一触控电极组到该感测驱动电路的走线距离大于该第二触控电极组到该感测驱动电路的走线距离时，该些第一晶体管的尺寸不同于该些第二晶体管的尺寸以使该些第一晶体管的阻抗小于该些第二晶体管的阻抗。

5.如权利要求4所述的触控装置，其特征在于，其中该些第一晶体管的阻抗相等，以及该些第二晶体管的阻抗相等。

6.如权利要求1所述的触控装置，其特征在于，其中该多工器电路包括一第一开关组与一第二开关组，该第一开关组包括该些第一晶体管，该第二开关组包括该些第二晶体管，以及该些第一晶体管与该些第二晶体管中的每一个分别在多个时段被导通，且在每个所述时段中，该些第一晶体管与该些第二晶体管中的至少一个同时被导通。

7.如权利要求1所述的触控装置，其特征在于，其中该多工器电路包括一第一开关组与一第二开关组，该第一开关组包括该些第一晶体管的至少其一与该些第二晶体管的至少其一，该第二开关组包括该些第一晶体管的至少另一与该些第二晶体管的至少另一，以及该些第一晶体管在第一时段中全部被导通，且该些第二晶体管在第二时段中全部被导通。

8.如权利要求7所述的触控装置，其特征在于，其中在该第一开关组或该第二开关组的一布局区域内，面积最小的晶体管所让出的区域由面积最大的晶体管占据以使该布局区域的面积最小化。

9.一种触控装置，其特征在于，包括：

一感测驱动电路；以及

一多工器电路，电性连接于该些触控电极与该感测驱动电路之间，该多工器电路包括：

多个第一晶体管、多个第二晶体管、多个第三晶体管与多个第四晶体管，

其中，各该第三晶体管与各该第一晶体管共用一感测线以电性连接该第一触控电极组，且各该第四晶体管与各该第二晶体管共用另一感测线以电性连接该第二触控电极组，

其中，各该第一晶体管的阻抗与在同一条该感测线上的该第三晶体管的阻抗不同，且该第二晶体管的阻抗与同样在另一条该感测线上的该第四晶体管的阻抗不同。

10.如权利要求9所述的触控装置，其特征在于，其中，根据同一条该感测线上的该第一晶体管与该第三晶体管的开或关来调整来自该第一触控电极组的触控感测信号的大小。

11.如权利要求9所述的触控装置，其特征在于，其中，对应于该第一触控电极组与该第二触控电极组的位置，该些第一晶体管的尺寸不同于该些第二晶体管的尺寸。

12.如权利要求9所述的触控装置，其特征在于，其中，依照该些触控电极至该多工器电路或该感测驱动电路的距离，将该些触控电极分为该第一触控电极组与该第二触控电极组。

13.如权利要求12所述的触控装置，其特征在于，其中，当该第一触控电极组到该多工器电路或该感测驱动电路的距离远于该第二触控电极组到该多工器电路或该感测驱动电路的距离，该第一晶体管的沟道宽度大于该第二晶体管的沟道宽度，或该第一晶体管的沟道长度小于该第二晶体管的沟道长度。

14.如权利要求12所述的触控装置，其特征在于，其中，当该第一触控电极组到该多工器电路或该感测驱动电路的距离远于该第二触控电极组到该多工器电路或该感测驱动电路的距离，该第三晶体管的沟道宽度大于该第四晶体管的沟道宽度，或该第三晶体管的沟道长度小于该第四晶体管的沟道长度。

15.如权利要求9所述的触控装置，其特征在于，其中，当该第三晶体管连接到该感测线的线路上还具有一第一额外电阻，且该第四晶体管连接到该另一感测线的线路上还具有一第二额外电阻。