CN110146802B - 量测待测电路中晶体管迁移率比例方法及设备 - Google Patents
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Abstract
本揭示提供一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法及设备。所述量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法包括判断计数器值n是否小于计数默认值。若所述计数器值n不小于计数默认值，则令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)。若所述计数器值n小于所述计数默认值，则令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)‑Vref)后的根号值再乘以Vg(n)。
Description
【技术领域】
本揭示涉及显示技术领域，特别涉及一种量测待测电路中晶体管迁移率比例方法及设备。
【背景技术】
主动矩阵有机发光二极管(active mode organic light emitting diode,AMOLED)占据面板行业中高端市场，消费者对其分辨率要求越来越高，当分辨率过高时，由于尺寸限制从而导致AMOLED侦测结果有误差。
参照图1以及图2，侦测晶体管T1迁移率时。为了简化分析，经常指定Vs点的电压就等于S点的电压Vref。
经过Δt时间后于A点采样。此时Vs点电压由Vref升高到Vsamp，像素间T1的迁移率差异可由公式I1/I2等于K1(Vdata-Vref)/K2(Vdata-Vref)推导得到I1/I2等于K1/K2。
然而由于晶体管T3源极与漏极存在压降ΔV，Vs点的电压并不等于S点的电压Vref，因此，公式I＝k(Vdata–Vref)需改成I＝k(Vdata–Vref-ΔV)。而不同的晶体管T3的压降ΔV存在差异，如此便无法直接由量到的各像素之间电流比值得到各像素之间迁移率的比值。
故，有需要提供一种量测待测电路中晶体管迁移率比例方法及设备，以解决现有技术存在的问题。
【发明内容】
为解决上述技术问题，本揭示的一目的在于提供一种量测待测电路中晶体管迁移率比例方法及设备，可以使得各像素最终采样结果均接近Vsamp(ref)，从而避免第三晶体管T3的源极与漏极压差ΔV带来的侦测误差，提高迁移率量测的准确性。
为达成上述目的，本揭示提供一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，其中，所述待测电路包括第一晶体管、第二晶体管、以及第三晶体管。所述第一晶体管的闸极电连接所述第二晶体管的漏极。所述第三晶体管的漏极电连接所述第一晶体管的漏极。所述第三晶体管的源极电连接第一开关与第二开关。所述量测晶体管迁移率比例的方法包括下列步骤：
令计数器值n等于0；
将所述计数器值n加1；
提供第一讯号以开启所述第二晶体管，并向所述第一晶体管的所述闸极提供电压Vg(n)；
提供第二讯号以开启所述第三晶体管、导通所述第一开关并向所述第三晶体管的所述源极提供测试电压Vref；
关闭所述第二晶体管并切断所述第一开关；
导通所述第二开关并取样所述第三晶体管的所述源极的电压值Vsamp(n)；
判断所述计数器值n是否小于计数默认值；
若所述计数器值n不小于计数默认值，则令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若所述计数器值n小于所述计数默认值，则令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到将计数器值n加1的步骤，其中ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管的所述源极的电压值。
于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，更包括令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤。其中Vdata为数据线的工作电压值。Vth为第一晶体管的临界电压值。
于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，更包括判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值的步骤。若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则执行令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)的步骤。
本揭示还提供一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，其中，所述待测电路包括第一晶体管、第二晶体管、以及第三晶体管。所述第一晶体管的闸极电连接所述第二晶体管的漏极。所述第三晶体管的漏极电连接所述第一晶体管的漏极。所述第三晶体管的源极电连接第一开关与第二开关。所述量测晶体管迁移率比例的方法包括下列步骤：
令计数器值n等于0；
将所述计数器值n加1；
提供第一讯号以开启所述第二晶体管，并向所述第一晶体管的所述闸极提供电压Vg(n)；
提供第二讯号以开启所述第三晶体管、导通所述第一开关并向所述第三晶体管的所述源极提供测试电压Vref；
关闭所述第二晶体管并切断所述第一开关；
导通所述第二开关并取样所述第三晶体管的所述源极的电压值Vsamp(n)；
判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值；
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)不小于电压默认值，则令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到将计数器值n加1的步骤，其中ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管的所述源极的电压值。
于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，更包括令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤，其中Vdata为数据线的工作电压值，Vth为第一晶体管的临界电压值。
本揭示还提供一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备。所述待测电路包括第一晶体管、第二晶体管、以及第三晶体管。所述第一晶体管的闸极电连接所述第二晶体管的漏极。所述第三晶体管的漏极电连接所述第一晶体管的漏极。所述第三晶体管的源极电连接第一开关与第二开关。所述量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备包括电压供应单元、探针单元、控制单元、以及量测单元。所述控制单元用以控制所述电压供应单元透过所述探针单元提供电压至所述待测电路。所述量测单元用以量测所述待测电路并将量测讯号传送至所述控制单元。所述控制单元用以执行下列步骤：
令计数器值n等于0；
将所述计数器值n加1；
提供第一讯号以开启所述第二晶体管，并向所述第一晶体管的所述闸极提供电压Vg(n)；
提供第二讯号以开启所述第三晶体管、导通所述第一开关并向所述第三晶体管的所述源极提供测试电压Vref；
关闭所述第二晶体管并切断所述第一开关；
导通所述第二开关并取样所述第三晶体管的所述源极的电压值Vsamp(n)；
判断所述计数器值n是否小于计数默认值；
若所述计数器值n不小于计数默认值，则令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若所述计数器值n小于所述计数默认值，则令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到将计数器值n加1的步骤，其中ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管的所述源极的电压值。
于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备，其中，所述控制单元更用以执行令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤。其中Vdata为数据线的工作电压值。Vth为第一晶体管的临界电压值。
于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备，其中，所述控制单元更用以执行判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值的步骤。若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则执行令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)的步骤。
本揭示还提供一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备。所述待测电路包括第一晶体管、第二晶体管、以及第三晶体管。所述第一晶体管的闸极电连接所述第二晶体管的漏极。所述第三晶体管的漏极电连接所述第一晶体管的漏极。所述第三晶体管的源极电连接第一开关与第二开关。所述量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备包括电压供应单元、探针单元、控制单元、以及量测单元。所述控制单元用以控制所述电压供应单元透过所述探针单元提供电压至所述待测电路。所述量测单元用以量测所述待测电路并将量测讯号传送至所述控制单元。所述控制单元用以执行下列步骤：
令计数器值n等于0；
将所述计数器值n加1；
提供第一讯号以开启所述第二晶体管，并向所述第一晶体管的所述闸极提供电压Vg(n)；
提供第二讯号以开启所述第三晶体管、导通所述第一开关并向所述第三晶体管的所述源极提供测试电压Vref；
关闭所述第二晶体管并切断所述第一开关；
导通所述第二开关并取样所述第三晶体管的所述源极的电压值Vsamp(n)；
判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值；
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)不小于电压默认值，则令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到将计数器值n加1的步骤，其中ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管的所述源极的电压值。
于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备，其中，所述控制单元更用以执行令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤。其中Vdata为数据线的工作电压值。Vth为第一晶体管的临界电压值。
由于本揭示的实施例的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法与设备中，所述电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到将计数器值n加1的步骤进行迭代。因此，可以使得各像素最终采样结果均接近Vsamp(ref)，从而避免第三晶体管T3的源极与漏极压差ΔV带来的侦测误差。
为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
【附图说明】
图1显示根据本揭示的一实施例的晶体管待测电路示意图；
图2显示根据图1的待测电路时序示意图；
图3显示根据本揭示的一实施例的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法流程示意图；
图4显示根据本揭示的另一实施例的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法流程示意图；
图5显示根据本揭示的另一实施例的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法流程示意图；以及
图6显示根据本揭示的一实施例的量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备结构示意图。
【具体实施方式】
为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本揭示优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本揭示所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
参照图1以及图3，本揭示提供一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，其中，所述待测电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、以及第三晶体管T3。所述第一晶体管T1的闸极电连接所述第二晶体管T2的漏极。所述第三晶体管T3的漏极电连接所述第一晶体管T1的漏极。所述第三晶体管T3的源极电连接第一开关Sen_pre与第二开关samp。所述量测晶体管迁移率比例的方法包括下列步骤：
S101：令计数器值n等于0；
S102：将所述计数器值n加1；
S103：提供第一讯号WR以开启所述第二晶体管T2，并向所述第一晶体管T1的所述闸极提供电压Vg(n)；
S104：提供第二讯号RD以开启所述第三晶体管T3、导通所述第一开关Sen_pre并向所述第三晶体管T3的所述源极提供测试电压Vref；
S105：关闭所述第二晶体管T2并切断所述第一开关Sen_pre；
S106：导通所述第二开关samp并取样所述第三晶体管T3的所述源极的电压值Vsamp(n)；
S107：判断所述计数器值n是否小于计数默认值；
若所述计数器值n不小于计数默认值，则于S108：令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若所述计数器值n小于所述计数默认值，则于S109：令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到S102:将计数器值n加1，其中 ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管T3的所述源极的电压值。
参照图1，具体的，所述量测电路更包括一电容器Cst电连接于所述第一晶体管T1的所述闸极与所述漏极之间，所述第一晶体管T1的源极电连接至驱动电压源VDD，所述漏极电连接至一有机发光二极管OLED。
具体的，有机发光二极管OLED的另一端电连接至低电位VSS。所述量测电路更包括一电容器Csen电连接于所述第三晶体管T3的所述源极。
参照图4，于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，于步骤S101中更包括令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤。其中Vdata为数据线的工作电压值。Vth为第一晶体管T1的临界电压值。
参照图4，于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，更包括判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值的步骤S110。若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则执行令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)的步骤S108。
具体的，若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)不小于电压默认值，则执行步骤S109。
参照图1以及图5，本揭示还提供一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，其中，所述待测电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、以及第三晶体管T3。所述第一晶体管T1的闸极电连接所述第二晶体管T2的漏极。所述第三晶体管T3的漏极电连接所述第一晶体管T1的漏极。所述第三晶体管T3的源极电连接第一开关Sen_pre与第二开关samp。所述量测晶体管迁移率比例的方法包括下列步骤：
S201：令计数器值n等于0；
S202：将所述计数器值n加1；
S203：提供第一讯号WR以开启所述第二晶体管T2，并向所述第一晶体管T1的所述闸极提供电压Vg(n)；
S204：提供第二讯号RD以开启所述第三晶体管T3、导通所述第一开关Sen_pre并向所述第三晶体管T3的所述源极提供测试电压Vref；
S205：关闭所述第二晶体管T2并切断所述第一开关Sen_pre；
S206：导通所述第二开关samp并取样所述第三晶体管T3的所述源极的电压值Vsamp(n)；
S207：判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值；
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则于S208：令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)不小于电压默认值，则于S209：令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到步骤S202：将计数器值n加1，其中ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管T3的所述源极的电压值。
参照图1，具体的，所述量测电路更包括一电容器Cst电连接于所述第一晶体管T1的所述闸极与所述漏极之间，所述第一晶体管T1的源极电连接至驱动电压源VDD，所述漏极电连接至一有机发光二极管OLED。
具体的，有机发光二极管OLED的另一端电连接至低电位VSS。所述量测电路更包括一电容器Csen电连接于所述第三晶体管T3的所述源极。
于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，于步骤S201中更包括令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤，其中Vdata为数据线的工作电压值，Vth为第一晶体管T1的临界电压值。
参照图1、3以及图6，本揭示还提供一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备100。所述待测电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、以及第三晶体管T3。所述第一晶体管T1的闸极电连接所述第二晶体管T2的漏极。所述第三晶体管T3的漏极电连接所述第一晶体管T1的漏极。所述第三晶体管T3的源极电连接第一开关Sen_pre与第二开关samp。所述量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备100包括电压供应单元10、探针单元20、控制单元30、以及量测单元40。所述控制单元30用以控制所述电压供应单元10透过所述探针单元20提供电压至所述待测电路。所述量测单元40用以量测所述待测电路并将量测讯号传送至所述控制单元30。所述控制单元30用以执行下列步骤：
S101：令计数器值n等于0；
S102：将所述计数器值n加1；
S103：提供第一讯号WR以开启所述第二晶体管T2，并向所述第一晶体管T1的所述闸极提供电压Vg(n)；
S104：提供第二讯号RD以开启所述第三晶体管T3、导通所述第一开关Sen_pre并向所述第三晶体管T3的所述源极提供测试电压Vref；
S105：关闭所述第二晶体管T2并切断所述第一开关Sen_pre；
S106：导通所述第二开关samp并取样所述第三晶体管T3的所述源极的电压值Vsamp(n)；
S107：判断所述计数器值n是否小于计数默认值；
若所述计数器值n不小于计数默认值，则于S108：令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若所述计数器值n小于所述计数默认值，则于S109：令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到步骤S102：将计数器值n加1，其中ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管T3的所述源极的电压值。
参照图1，具体的，所述量测电路更包括一电容器Cst电连接于所述第一晶体管T1的所述闸极与所述漏极之间，所述第一晶体管T1的源极电连接至驱动电压源VDD，所述漏极电连接至一有机发光二极管OLED。
具体的，有机发光二极管OLED的另一端电连接至低电位VSS。所述量测电路更包括一电容器Csen电连接于所述第三晶体管T3的所述源极。
参照图1、4以及图6，于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备100，其中，所述控制单元30更用以于步骤S101中执行令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤。其中Vdata为数据线的工作电压值。Vth为第一晶体管T1的临界电压值。
于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备，其中，所述控制单元更用以执行判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值的步骤S110。若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则执行S108令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)的步骤。
参照图1、5以及图6，本揭示还提供一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备100。所述待测电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、以及第三晶体管T3。所述第一晶体管T1的闸极电连接所述第二晶体管T2的漏极。所述第三晶体管T3的漏极电连接所述第一晶体管T1的漏极。所述第三晶体管T3的源极电连接第一开关Sen_pre与第二开关samp。所述量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备100包括电压供应单元10、探针单元20、控制单元30、以及量测单元40。所述控制单元30用以控制所述电压供应单元10透过所述探针单元20提供电压至。所述待测电路。所述量测单元40用以量测所述待测电路并将量测讯号传送至所述控制单元30。所述控制单元30用以执行下列步骤：
S201：令计数器值n等于0；
S202：将所述计数器值n加1；
S203：提供第一讯号以开启所述第二晶体管，并向所述第一晶体管的所述闸极提供电压Vg(n)；
S204：提供第二讯号以开启所述第三晶体管、导通所述第一开关并向所述第三晶体管的所述源极提供测试电压Vref；
S205：关闭所述第二晶体管并切断所述第一开关；
S206：导通所述第二开关并取样所述第三晶体管的所述源极的电压值Vsamp(n)；
S207：判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值；
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则于S208：令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)不小于电压默认值，则于S209：令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到S202将计数器值n加1的步骤，其中ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管T3的所述源极的电压值。
参照图1，具体的，所述量测电路更包括一电容器Cst电连接于所述第一晶体管T1的所述闸极与所述漏极之间，所述第一晶体管T1的源极电连接至驱动电压源VDD，所述漏极电连接至一有机发光二极管OLED。
具体的，有机发光二极管OLED的另一端电连接至低电位VSS。所述量测电路更包括一电容器Csen电连接于所述第三晶体管T3的所述源极。
于本揭示其中的一实施例中，所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备100，其中，所述控制单元30更用以于步骤S201中执行令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤。其中Vdata为数据线的工作电压值。Vth为第一晶体管T1的临界电压值。
由于本揭示的实施例的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法与设备中，所述电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到将计数器值n加1的步骤进行迭代。因此，可以使得各像素最终采样结果均接近Vsamp(ref)，从而避免第三晶体管T3的源极与漏极压差ΔV带来的侦测误差。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本揭示，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本揭示包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
以上仅是本揭示的优选实施方式，应当指出，对于本领域普通技术人员，在不脱离本揭示原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。
Claims (10)
1.一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，其中，所述待测电路包括：第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，其中，所述第一晶体管的闸极电连接所述第二晶体管的漏极，所述第三晶体管的漏极电连接所述第一晶体管的漏极，且所述第三晶体管的源极电连接第一开关与第二开关，其特征在于，所述量测晶体管迁移率比例的方法包括下列步骤：
令计数器值n等于0；
将所述计数器值n加1；
提供第一讯号以开启所述第二晶体管，并向所述第一晶体管的所述闸极提供电压Vg(n)；
提供第二讯号以开启所述第三晶体管，并导通所述第一开关并向所述第三晶体管的所述源极提供测试电压Vref；
关闭所述第二晶体管并切断所述第一开关；
导通所述第二开关并取样所述第三晶体管的所述源极的电压值Vsamp(n)；
判断所述计数器值n是否小于计数默认值；
若所述计数器值n不小于计数默认值，则令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若所述计数器值n小于所述计数默认值，则令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到将计数器值n加1的步骤，其中ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管的所述源极的电压值。
2.如权利要求1所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，其特征在于，还包括令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤，其中Vdata为数据线的工作电压值，Vth为第一晶体管的临界电压值。
3.如权利要求1所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，其特征在于，还包括判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值的步骤，若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则执行令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)的步骤。
4.一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，其中，所述待测电路包括：第一晶体管、第二晶体管、以及第三晶体管，其中，所述第一晶体管的闸极电连接所述第二晶体管的漏极，所述第三晶体管的漏极电连接所述第一晶体管的漏极，所述第三晶体管的源极电连接第一开关与第二开关，其特征在于，所述量测晶体管迁移率比例的方法包括下列步骤：
令计数器值n等于0；
将所述计数器值n加1；
提供第一讯号以开启所述第二晶体管，并向所述第一晶体管的所述闸极提供电压Vg(n)；
提供第二讯号以开启所述第三晶体管，并导通所述第一开关并向所述第三晶体管的所述源极提供测试电压Vref；
关闭所述第二晶体管并切断所述第一开关；
导通所述第二开关并取样所述第三晶体管的所述源极的电压值Vsamp(n)；
判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值；
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)不小于电压默认值，则令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到将计数器值n加1的步骤，其中ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管的所述源极的电压值。
5.如权利要求4所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的方法，其特征在于，还包括令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤，其中Vdata为数据线的工作电压值，Vth为第一晶体管的临界电压值。
6.一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备，其中，所述待测电路包括：第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，其中，所述第一晶体管的闸极电连接所述第二晶体管的漏极，所述第三晶体管的漏极电连接所述第一晶体管的漏极，且所述第三晶体管的源极电连接第一开关与第二开关，其特征在于，所述量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备包括：电压供应单元、探针单元、控制单元以及量测单元，其中，所述控制单元用以控制所述电压供应单元透过所述探针单元提供电压至所述待测电路，且所述量测单元用以量测所述待测电路并将量测讯号传送至所述控制单元，其中，所述控制单元用以执行下列步骤：
令计数器值n等于0；
将所述计数器值n加1；
提供第一讯号以开启所述第二晶体管，并并向所述第一晶体管的所述闸极提供电压Vg(n)；
提供第二讯号以开启所述第三晶体管、导通所述第一开关并向所述第三晶体管的所述源极提供测试电压Vref；
关闭所述第二晶体管并切断所述第一开关；
导通所述第二开关并取样所述第三晶体管的所述源极的电压值Vsamp(n)；
判断所述计数器值n是否小于计数默认值；
若所述计数器值n不小于计数默认值，则令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若所述计数器值n小于所述计数默认值，则令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到将计数器值n加1的步骤，其中ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管的所述源极的电压值。
7.如权利要求6所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备，其特征在于，所述控制单元还用以执行令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤，其中Vdata为数据线的工作电压值，且Vth为第一晶体管的临界电压值。
8.如权利要求6所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备，其特征在于，所述控制单元还用以执行判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值的步骤，若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则执行令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)的步骤。
9.一种量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备，其中，所述待测电路包括：第一晶体管、第二晶体管、以及第三晶体管，其中，所述第一晶体管的闸极电连接所述第二晶体管的漏极，所述第三晶体管的漏极电连接所述第一晶体管的漏极，所述第三晶体管的源极电连接第一开关与第二开关，其特征在于，所述量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备包括：电压供应单元、探针单元、控制单元以及量测单元，其中，所述控制单元用以控制所述电压供应单元透过所述探针单元提供电压至所述待测电路，所述量测单元用以量测所述待测电路并将量测讯号传送至所述控制单元，其中，所述控制单元用以执行下列步骤：
令计数器值n等于0；
将所述计数器值n加1；
提供第一讯号以开启所述第二晶体管，并向所述第一晶体管的所述闸极提供电压Vg(n)；
提供第二讯号以开启所述第三晶体管，并导通所述第一开关并向所述第三晶体管的所述源极提供测试电压Vref；
关闭所述第二晶体管并切断所述第一开关；
导通所述第二开关并取样所述第三晶体管的所述源极的电压值Vsamp(n)；
判断Vsamp(ref)减去Vsamp(n)是否小于电压默认值；
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)小于电压默认值，则令迁移率比例等于Vg(n)除以Vg(1)；以及
若Vsamp(ref)减去Vsamp(n)不小于电压默认值，则令电压值Vg(n+1)等于ΔVsamp(ref)除以(Vsamp(n)-Vref)后的根号值再乘以Vg(n)，并回到将计数器值n加1的步骤，其中ΔVsamp(ref)等于Vsamp(ref)减去Vref，Vsamp(ref)为量测参考晶体管时取样的所述第三晶体管的所述源极的电压值。
10.如权利要求9所述的量测待测电路中晶体管迁移率比例的设备，其特征在于，所述控制单元还用以执行令电压值Vg(1)等于Vdata加Vth的步骤，其中Vdata为数据线的工作电压值，且Vth为第一晶体管的临界电压值。
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