CN110120656A - 过电流保护电路及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种过电流保护电路及其驱动方法。所述过电流保护电路包括：过电流保护模块与过电流检测模块；所述过流保护模块包括：控制器，镜像电路，PMOS，NMOS；所述过电流检测模块包括：第一加法器，第一比较器，第二加法器，第二比较器以及一个与门电路。在原有过电流保护电路的基础之上，增加了对过电流电路整体的侦测，通过将正极性的电流叠加在一起，将负极性的电流叠加在一起，若电流合计值超过设定值，则表示电路出现了短路问题；若电流合计值低于设定值，则无短路问题。

Description

过电流保护电路及其驱动方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种过电流保护电路及其驱动方法。
背景技术
GOA(Gate On Array，栅极集成驱动)技术为目前液晶显示面板发展的趋势，使用GOA技术可以有效的节省柔性线路板的使用，其中，GOA驱动线路中需要的信号由电平转换电路的各输出提供。
GOA技术为目前TFT-LCD常用的驱动技术，其可以节省GateCOF，达到降低成本的效果。但是由于GOA所需要的信号都为高压信号，且由于微尘粒子的存在，导致GOA的信号之间可能会会发生短路，形成大电流，严重时甚至烧坏偏光片，引起安权规范风险。
现在的过电流电路主要侦测每一个CK、LC、STV、VSS的电流，其中CK为高频切换的电压信号。
这种情况下可以很好的侦测LC/STV/VSS等低频信号的电流，但是对于高频信号，若两两短路的话，可以很好侦测，但是遇到多个之间短路时则很难侦测，因为电流分散在每个CK上，导致很难侦测，但是仍有触发熔屏的风险。
发明内容
本发明提供一种过电流保护电路及驱动方法。
本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种过电流保护电路，包括：过电流保护模块与过电流检测模块；其中，
所述过流保护模块包括：控制器，镜像电路，PMOS和NMOS；
所述控制器连接所述镜像电路，所述PMOS和所述NMOS；所述PMOS连接高电平电压VGH和输出时钟信号电压V-clkout，所述NMOS连接所述输出时钟信号电压V-clkout和低电平电压VGL；
所述过电流检测模块包括：互相连接的第一加法器，第一比较器，第二加法器，第二比较器以及一个与门电路。
根据本发明实施例所提供的过电流保护电路，所述镜像电路过电流保护所述PMOS。
根据本发明实施例所提供的过电流保护电路，所述第一加法器，所述第一比较器和所述与门电路的第一输入端相连接。
根据本发明实施例所提供的过电流保护电路，所述第一加法器的所述输入端连接所述PMOS的所有CK电流，通过所述第一加法器计算所述PMOS的所述所有CK电流的合计值，所述第一加法器的输出端为所述PMOS的所述所有CK电流的合计值并连接到所述第一比较器的第一输入端。
根据本发明实施例所提供的过电流保护电路，所述第一比较器的第二输入端设置第一预设电流值，通过所述第一比较器比较所述PMOS的所述所有CK电流的合计值与所述第一预设电流值的大小，所述第一比较器将结果输入到所述与门电路的第一输入端。
根据本发明实施例所提供的过电流保护电路，所述第二加法器，所述第二比较器和所述与门电路的第二输入端相连接。
根据本发明实施例所提供的过电流保护电路，所述第二加法器的输入端连接所述NMOS的所有CK电流，通过所述第二加法器计算所述NMOS的所述所有CK电流的合计值，所述第二加法器的输出端为所述NMOS的所述所有CK电流的合计值并连接到所述第二比较器的第一输入端。
根据本发明实施例所提供的过电流保护电路，所述第二比较器的第二输入端设置第二预设电流值，通过所述第二比较器比较所述NMOS的所述所有CK电流的合计值与所述第二预设电流值的大小，所述第二比较器将结果输入到所述与门电路的第二输入端。
根据本发明实施例所提供的过电流保护电路，所述与门电路检测所述PMOS和所述NMOS是否产生过电流，并将结果输出给所述过流保护模块。
本发明实施例还一种过电流保护电路驱动方法，包括以下步骤：
通过第一加法器计算PMOS的所有CK电流的合计值，并将结果输出给第一比较器；
通过第二加法器计算NMOS的所有CK电流的合计值，并将结果输出给第二比较器；
所述第一比较器设置有第一预设电流值，所述第一比较器将所述第一预设电流值与所述PMOS的所述所有CK电流的合计值作比较，并将结果输出给与门电路；
所述第二比较器设置有第二预设电流值，所述第二比较器将所述第二预设电流值与所述NMOS的所有CK电流的合计值作比较，并将结果输出给与门电路；
所述与门电路检测所述PMOS和所述NMOS是否产生过电流，并将结果输出给过流保护模块。
本发明的有益效果为：在原有过电流保护电路的基础之上，增加了对过电流电路整体的侦测，通过将正极性的电流叠加在一起，将负极性的电流叠加在一起，若电流合计值超过设定值，则表示电路出现了短路问题；若电流合计值低于设定值，则无短路问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的过电流保护电路的示意图。
图2为本发明实施例所提供的过电流保护电路中的过电流检测模块的电路示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明实施例提供一种过电流保护电路，其包括过电流保护模块和过电流检测模块，其中，所述过电流保护模块用于当电路短路，电流过大时，对电路起到保护作用。而所述过电流检测模块用于检测CK信号上的电流值。本发明实施例所提供的过电流保护电路通过设置过流保护模块对电平转换电路进行输出控制，可以简单有效的对电流进行实时的侦测，并在短路发生后快速的进行保护，有效的防止了因短路而引起的面板的短路点发热烧坏、熔屏以及起火现象发生，有效的阻止了安全隐患的产生。
如图1所示，为本实施例所提供的过电流保护电路，所述过电流保护电路包括过电流保护模块与过电流检测模块。其中，所述过流保护模块包括：控制器1，镜像电路2，PMOS3，NMOS4。所述控制器1连接所述镜像电路2，所述PMOS3，所述NMOS4；所述PMOS3连接VGH和V-clkout，所述NMOS4连接所述V-clkout和VGL。所述过电流检测模块包括：第一加法器5，第一比较器7，第二加法器6，第二比较器8以及一个与门电路9。
在所述过电流保护模块中的所述镜像电路2用于保护所述PMOS3。
如图2所示，为本实施例中过电流检测模块的示意图。
在所述过电流检测模块中，所述第一加法器5，所述第一比较器7和所述与门电路9的第一输入端相连接。其中，所述第一加法器5的输入端连接所述PMOS3的所有CK电流，通过所述第一加法器5计算所有CK电流的合计值，输出端为所述PMOS3的所有CK电流的合计值并连接到所述第一比较器7的第一输入端。忽略CK上升沿或下降沿的前4us，只侦测正常工作中电流。在所述第一比较器7的第二输入端设置有预设的电流值，通过所述第一比较器7比较所述PMOS3的所有CK电流的合计值与所述预设电流值的大小，并将结果输入到所述与门电路9的第一输入端。
在所述过电流检测模块中，所述第二加法器6，所述第二比较器8和所述与门电路9的第二输入端相连接。其中，所述第二加法器6的输入端连接所述NMOS4的所有CK电流，通过所述第二加法器6计算所有CK电流的合计值，输出端为所述NMOS4的所有CK电流的合计值并连接到所述第二比较器8的第一输入端。忽略CK上升沿或下降沿的前4us，只侦测正常工作中电流。所述第二比较器8的第二输入端连接预设电流值，通过所述第二比较器8比较所述NMOS的所有CK电流的合计值与所述预设电流值的大小，将结果输入到所述与门电路9的第二输入端。
在所述与门电路9中，所述与门电路9检测所述PMOS3和所述NMOS4是否产生过电流，即只要所述PMOS3和所述NMOS4中任一处产生过电流，则所述与门电路9就将电路中产生了过电流的结果输出给过流保护模块，此时保护电路生效。
本发明实施例还提供了一种过电流保护电路驱动方法，包括以下步骤：
通过第一加法器计算PMOS的所有CK电流的合计值，并将结果输出给第一比较器；
通过第二加法器计算NMOS的所有CK电流的合计值，并将结果输出给第二比较器；
所述第一比较器有一预设的电流值，所述第一比较器将所述预设电流值与所述PMOS的所有CK电流的合计值作比较，并将结果输出给与门电路；
所述第二比较器有一预设的电流值，所述第二比较器将所述预设电流值与所述NMOS的所有CK电流的合计值作比较，并将结果输出给与门电路；
所述与门电路检测所述PMOS和所述NMOS是否产生过电流，并将结果输出给过流保护模块。
有益效果为：在原有过电流保护电路的基础之上，增加了对过电流电路整体的侦测，通过将正极性的电流叠加在一起，将负极性的电流叠加在一起，若电流合计值超过设定值，则表示电路出现了短路问题；若电流合计值低于设定值，则无短路问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种过电流保护电路，其特征在于，包括：过电流保护模块与过电流检测模块；其中，
所述过流保护模块包括：控制器，镜像电路，PMOS和NMOS；
所述控制器连接所述镜像电路，所述PMOS和所述NMOS；所述PMOS连接高电平电压VGH和输出时钟信号电压V-clkout，所述NMOS连接所述输出时钟信号电压V-clkout和低电平电压VGL；
所述过电流检测模块包括：互相连接的第一加法器，第一比较器，第二加法器，第二比较器以及一个与门电路。
2.根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征在于，所述镜像电路过电流保护所述PMOS。
3.根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征在于，所述第一加法器，所述第一比较器和所述与门电路的第一输入端相连接。
4.根据权利要求3所述的过电流保护电路，其特征在于，所述第一加法器的所述输入端连接所述PMOS的所有CK电流，通过所述第一加法器计算所述PMOS的所述所有CK电流的合计值，所述第一加法器的输出端为所述PMOS的所述所有CK电流的合计值并连接到所述第一比较器的第一输入端。
5.根据权利要求4所述的过电流保护电路，其特征在于，所述第一比较器的第二输入端设置第一预设电流值，通过所述第一比较器比较所述PMOS的所述所有CK电流的合计值与所述第一预设电流值的大小，所述第一比较器将结果输入到所述与门电路的第一输入端。
6.根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征在于，所述第二加法器，所述第二比较器和所述与门电路的第二输入端相连接。
7.根据权利要求6所述的过电流保护电路，其特征在于，所述第二加法器的输入端连接所述NMOS的所有CK电流，通过所述第二加法器计算所述NMOS的所述所有CK电流的合计值，所述第二加法器的输出端为所述NMOS的所述所有CK电流的合计值并连接到所述第二比较器的第一输入端。
8.根据权利要求7所述的过电流保护电路，其特征在于，所述第二比较器的第二输入端设置第二预设电流值，通过所述第二比较器比较所述NMOS的所述所有CK电流的合计值与所述第二预设电流值的大小，所述第二比较器将结果输入到所述与门电路的第二输入端。
9.根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征在于，所述与门电路检测所述PMOS和所述NMOS是否产生过电流，并将结果输出给所述过流保护模块。
10.一种过电流保护电路驱动方法，其特征在于，包括以下步骤：
通过第一加法器计算PMOS的所有CK电流的合计值，并将结果输出给第一比较器；
通过第二加法器计算NMOS的所有CK电流的合计值，并将结果输出给第二比较器；
所述第一比较器设置有第一预设电流值，所述第一比较器将所述第一预设电流值与所述PMOS的所述所有CK电流的合计值作比较，并将结果输出给与门电路；
所述第二比较器设置有第二预设电流值，所述第二比较器将所述第二预设电流值与所述NMOS的所有CK电流的合计值作比较，并将结果输出给与门电路；
所述与门电路检测所述PMOS和所述NMOS是否产生过电流，并将结果输出给过流保护模块。
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