CN110120303B - 多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法 - Google Patents
多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110120303B CN110120303B CN201910393877.4A CN201910393877A CN110120303B CN 110120303 B CN110120303 B CN 110120303B CN 201910393877 A CN201910393877 A CN 201910393877A CN 110120303 B CN110120303 B CN 110120303B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tio
- nanocrystalline
- solution
- quantum dot
- stirring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 21
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 16
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 10
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 10
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 10
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 claims description 10
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 4
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、制备TiO2纳米晶浆料;步骤2、制备多层多孔结构TiO2纳米晶膜;步骤3、制备量子点敏化光阳极。采用本发明的方法制备的光阳极,其光捕获强度得到了提高,光谱的吸收范围得到了拓展,光吸收得到了增强,从而提高了电池效率。
Description
技术领域
本发明属于量子点敏化太阳能电池制备技术领域,具体涉及多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法。
背景技术
量子点敏化太阳能电池(QDSSC)是上世纪90年代出现的第三代太阳能电池,利用窄禁带的无机半导体量子点(QD)敏化宽禁带的基底材料。量子点相对于有机染料敏化剂有很大的优势,一方面,其具有量子限域效应,可以通过控制其尺寸和形状来调节量子点的带隙宽度,以此来调节吸收光谱的范围;另一方面,半导体量子点具有激子倍增效应(MEG),一个高能量的光子激发半导体量子点,可以产生多个电子-空穴对(见A.Shabaev,Al.L.Efros,A.J.Nozik,Nano.Letters 2006,6,第22856-22863页)。如果将半导体量子点的此两大优点应用到太阳能电池中,QDSSC效率的理论值可达到44%(M.C.Hanna,A.J.Nozik,Appl.Phys.2006,100,074510),比晶体硅太阳能电池的理论值32.9%高很多。因此,不论是在成本还是在应用上,QDSSC的发展的潜力是巨大。目前,尽管QDSSC的效率在提高,但是与44%的理论值相比,还有很大的差距。
发明内容
本发明的目的是提供一种多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法,提高了光阳极的光捕获强度,拓展了光谱的吸收范围,增强了光吸收,从而提高了电池效率。
本发明所采用的技术方案是,多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法,具体按照以下步骤实施:
步骤1、制备TiO2纳米晶浆料;
步骤2、制备多层多孔结构TiO2纳米晶膜;
步骤3、制备量子点敏化光阳极。
本发明的特点还在于:
步骤1的具体过程为:首先,按比例将醋酸溶解于去离子水中配制出醋酸溶液,将醋酸溶液加入到乙醇中,并进行搅拌a,再超声分散a,得到溶液a;然后,按比例将TiO2纳米晶粉末分散于溶液a中,并交替循环三次搅拌b、超声分散a,得到混合物a;再按比例将松油醇加入混合物a中,并交替循环二次搅拌c、超声分散a,得到混合物b;再按比例将乙基纤维素溶解于乙醇中得到溶液b,按比例将溶液b加入混合物b中,并交替循环五次搅拌d、超声分散a,得到混合物c;最后,在60-80℃的水浴中搅拌混合物c蒸发掉乙醇,得到TiO2纳米晶浆料。
步骤1的具体过程为:所述醋酸、去离子水、乙醇的体积比为(0.1~0.3):1:20;TiO2纳米晶粉末、松油醇、乙基纤维素的质量比依次为1:(3.5~4.5):0.5。
搅拌a的条件为,转速为50~100r/min,时间为0.5~1h;搅拌b的条件为,转速100~200r/min,时间为3~5h;搅拌c的条件为,转速为100~200r/min,时间为1~2h;搅拌d的条件为,200~300r/min,时间为3~5h。
超声分散a的条件为,功率500W,时间为0.5~1h。
步骤2的具体过程为:首先,采用丝网印刷在附有TiO2阻挡层的导电玻璃表面印刷粒径20nm的TiO2纳米晶浆料一次,待浆料流动平衡后放入100-120℃的烘干箱中加热10~15分钟,得到基底a;然后,将冷却后的基底a采用上述方法依次涂覆粒径40nm、60nm、80nm、100nm的TiO2纳米晶浆料,得到基底b;最后,将基底b放入马弗炉中,以2~5℃/分钟的速率从室温升温到450-550℃,并退火0.5~1h,得到多层多孔结构TiO2纳米晶膜。
步骤3的具体过程为:采用SILAR法实现CdSSe量子点在多层多孔结构TiO2纳米晶膜内的沉积,得到量子点敏化光阳极。
SILAR法具体过程为:
(1)将多层多孔结构TiO2纳米晶膜放在前驱体溶液a中吸附离子;
(2)将沾在多层多孔结构TiO2纳米晶膜表面的多余离子用去离子水洗去;
(3)将附有a离子的多层多孔结构TiO2纳米晶膜放在前驱体溶液b中吸附离子,并发生反应,得到附有CdSSe量子点的多层多孔结构TiO2纳米晶膜;
(4)将沾在附有CdSSe量子点的多层多孔结构TiO2纳米晶膜表面未反应的离子洗去;
(5)循环(1)~(4)若干次,烘干,得到量子点敏化光阳极。
前驱体溶液a为Cd2+溶液;前驱体溶液b为S2与-Se2-的复合溶液。
Cd2+溶液中,Cd2+浓度为0.05~0.1mol/L;S2-与Se2-的复合溶液中,S2-与Se2-的总浓度为0.05~0.1mol/L;Se2-、Se2-的浓度比为(4~6):(4~6)。
本发明的有益效果是:
本发明多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法,工艺简单、成本低廉、可大面积制备、重复性好;利用不同尺寸纳米晶构成的分层结构对入射光的多层散射作用来降低光透射损失,提高光捕获强度;利用不同尺寸孔隙的分层结构组装不同尺寸的量子点来拓展光谱的吸收范围,增强光吸收,以上优点的集合使得太阳能电池的光电转换性能得到了很大的提高。
附图说明
图1是本发明多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法制备的多层结构光阳极入射光的反射、吸收原理图;
图2是本发明多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法制备的单尺寸单层结构TiO2纳米晶膜的漫反射光谱图;
图3是本发明多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法制备的单尺寸单层结构光阳极的吸收光谱图;
图4是本发明多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法制备的多尺寸多层结构光阳极、单尺寸多层结构光阳极的吸收光谱图;
图5是本发明多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法制备的多尺寸多层结构光阳极、单尺寸多层结构光阳极的电池I-V曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明1.多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:
步骤1、制备TiO2纳米晶浆料;
首先,按比例将醋酸溶解于去离子水中配制出醋酸溶液,将醋酸溶液加入到乙醇中,并进行搅拌a,再超声分散a,得到溶液a;然后,按比例将TiO2纳米晶粉末分散于溶液a中,并交替循环三次搅拌b、超声分散a,得到混合物a;再按比例将松油醇加入混合物a中,并交替循环二次搅拌c、超声分散a,得到混合物b;再按比例将乙基纤维素溶解于乙醇中得到溶液b,按比例将溶液b加入混合物b中,并交替循环五次搅拌d、超声分散a,得到混合物c;最后,在60-80℃的水浴中搅拌混合物c蒸发掉乙醇,得到TiO2纳米晶浆料;
其中,醋酸、去离子水、乙醇的体积比为(0.1~0.3):1:20;TiO2纳米晶粉末、松油醇、乙基纤维素的质量比依次为1:(3.5~4.5):0.5;
搅拌a的条件为,转速为50~100r/min,时间为0.5~1h;搅拌b的条件为,转速100~200r/min,时间为3~5h;搅拌c的条件为,转速为100~200r/min,时间为1~2h;搅拌d的条件为,200~300r/min,时间为3~5h;
超声分散a的条件为,功率500W,时间为0.5~1h。
步骤2、制备多层多孔结构TiO2纳米晶膜;
首先,采用丝网印刷在附有TiO2阻挡层的导电玻璃表面印刷粒径20nm的TiO2纳米晶浆料一次,待浆料流动平衡后放入100-120℃的烘干箱中加热10~15分钟,得到基底a;然后,将冷却后的基底a采用上述方法依次涂覆粒径40nm、60nm、80nm、100nm的TiO2纳米晶浆料,得到基底b;最后,将基底b放入马弗炉中,以2~5℃/分钟的速率从室温升温到450-550℃,并退火0.5~1h,得到多层多孔结构TiO2纳米晶膜。
步骤3、制备量子点敏化光阳极;
采用SILAR法实现CdSSe量子点在多层多孔结构TiO2纳米晶膜内的沉积,得到量子点敏化光阳极。
SILAR法具体过程为:
(1)将多层多孔结构TiO2纳米晶膜放在前驱体溶液a中吸附离子;
(2)将沾在多层多孔结构TiO2纳米晶膜表面的多余离子用去离子水洗去;
(3)将附有a离子的多层多孔结构TiO2纳米晶膜放在前驱体溶液b中吸附离子,并发生反应,得到附有CdSSe量子点的多层多孔结构TiO2纳米晶膜;
(4)将沾在附有CdSSe量子点的多层多孔结构TiO2纳米晶膜表面未反应的离子洗去;
(5)循环(1)~(4)若干次,烘干,得到量子点敏化光阳极。
前驱体溶液a为Cd2+溶液;前驱体溶液b为S2与-Se2-的复合溶液。
Cd2+溶液中,Cd2+浓度为0.05~0.1mol/L;S2-与Se2-的复合溶液中,S2-与Se2-的总浓度为0.05~0.1mol/L;Se2-、Se2-的浓度比为(4~6):(4~6)。
实施例1
步骤1、制备TiO2纳米晶浆料;
首先,将0.1ml醋酸溶解于1ml去离子水中,配制出醋酸溶液,将醋酸溶液加入到20ml乙醇中,以50~100r/min的转速进行0.5h的磁力搅拌,再以500W的功率超声分散1h,得到溶液a;然后,称取1g的TiO2纳米晶粉末分散于溶液a中,以100~200r/min的转速进行3h的磁力搅拌,再以500W的功率超声分散1h,得到混合物a;再称取3.5g松油醇加入混合物a,以100~200r/min的转速进行1h的磁力搅拌,再以500W的功率超声分散1h,得到混合物b;再称取0.5g乙基纤维素溶解于10g乙醇中,得到溶液b,将溶液b加入混合物b中,以200~300r/min的转速进行3h的磁力搅拌,再以500W的功率超声分散1h,得到混合物c;最后,在60-80℃的水浴中搅拌直到混合物c蒸发掉乙醇,得到TiO2纳米晶浆料。
步骤2、制备多层多孔结构TiO2纳米晶膜;
首先,采用丝网印刷在附有TiO2阻挡层的导电玻璃表面印刷粒径20nm的TiO2纳米晶浆料一次,待浆料流动平衡后放入100-120℃的烘干箱中加热10~15分钟,得到基底a;然后,将冷却后的基底a采用上述方法依次涂覆粒径40nm、60nm、80nm、100nm的TiO2纳米晶浆料,得到基底b;最后,将基底b放入马弗炉中,以2~5℃/分钟的速率从室温升温到450-550℃,并退火30-60min,得到多层多孔结构TiO2纳米晶膜。
步骤3、制备量子点敏化光阳极;
采用SILAR法实现CdSSe量子点在多层多孔结构TiO2纳米晶膜内的沉积,得到量子点敏化光阳极。
SILAR法具体过程为:
(1)将多层多孔结构TiO2纳米晶膜放在前驱体溶液a中吸附离子;
(2)将沾在多层多孔结构TiO2纳米晶膜表面的多余离子用去离子水洗去;
(3)将附有a离子的多层多孔结构TiO2纳米晶膜放在前驱体溶液b中吸附离子,并发生反应,得到附有CdSSe量子点的多层多孔结构TiO2纳米晶膜;
(4)将沾在附有CdSSe量子点的多层多孔结构TiO2纳米晶膜表面未反应的离子洗去;
(5)循环(1)~(4)若干次,烘干,得到量子点敏化光阳极。
前驱体溶液a为Cd2+溶液;前驱体溶液b为S2与-Se2-的复合溶液。
Cd2+溶液中,Cd2+浓度为0.05~0.1mol/L;S2-与Se2-的复合溶液中,S2-与Se2-的总浓度为0.05~0.1mol/L;Se2-、Se2-的浓度比为(4~6):(4~6)。
实施例2
步骤1、与实施例1步骤1大致相同,区别仅在于:醋酸、去离子水、乙醇的体积比依次为0.2:1:20;TiO2纳米晶粉末、松油醇、乙基纤维素的质量比依次1:4:0.5;
步骤2、与实施例1步骤2一致;
步骤3、与实施例1步骤3一致。
实施例3
步骤1、与实施例1步骤1大致相同,区别仅在于:醋酸、去离子水、乙醇的体积比依次为0.3:1:20;TiO2纳米晶粉末、松油醇、乙基纤维素的质量比依次1:4.5:0.5;
步骤2、与实施例1步骤2一致;
步骤3、与实施例1步骤3一致。
对附图的具体说明如下:
图4-图5中的多层结构光阳极为实施例2制备出的光阳极。
图1左图所示,对于不同波长具有不同漫反射的不同尺寸的TiO2纳米晶可通过多层的漫反射作用改善注入光的吸收。量子点的尺寸和数量影响入射光的吸收。然而,量子点的沉积与光阳极膜的微结构密切相关。通过使用不同尺寸的TiO2纳米晶来调节光阳极膜中的孔径分布,从而调节量子点的沉积。随着纳米TiO2尺寸的增大,其间的间隙增大,沉积量子点的尺寸和数量也增大。图1右图所示,注入光阳极的光自下而上通过不同尺寸的量子点分段的来吸收,在增加光谱吸收范围的同时,也可增强光的吸收强度。
图2可以看出,在400nm至750nm的波长范围内,尤其是在400nm至550nm的波长范围内,40nm和60nm膜的漫反射显著高于20nm膜的漫反射。此外,在400nm至750nm的波长范围内,60nm膜的漫反射率高于40nm膜的漫反射率。这些结果表明,漫反射随着TiO2纳米颗粒尺寸的增加而增加。
图3可以看出,随着TiO2纳米晶尺寸的增加,光吸收边发生红移,并且20nm/CdSSe、40nm/CdSSe和60nm/CdSSe的吸收边分别红移到625nm、675nm和700nm,吸收边的红移表明量子点的尺寸在增加。此外,40nm/CdSSe和60nm/CdSSe光阳极比20nm/CdSSe光阳极具有更高的光吸收强度。
图4可以看出,20nm/CdSSe光阳极的吸收边约为675nm,其他三种光阳极的吸收边约为725nm。与三种单一尺寸纳米晶光阳极相比,三层结构光阳极的光吸收强度明显提高。这一结果表明,不同尺寸TiO2纳米粒子制备的层状光阳极不仅扩大了光吸收范围,而且提高了可见光的吸收强度。
图5可以看出,光伏参数开路电压(Voc)基本相同,基于20nm/CdSSe与40nm/CdSSe光阳极的电池有相近的光伏特性,基于60nm/CdSSe光阳极的电池的电流密度有所提高。基于三层结构光阳极的电池获得最优的光伏特性,获得了3.95%的最高电池效率,这主要归因于电流密度显著改善,分别比基于20nm、40nm和60nm光阳极的电池提高到1.25、1.21和1.13倍。
Claims (3)
1.多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:
步骤1、制备TiO2纳米晶浆料;
首先,按比例将醋酸溶解于去离子水中配制出醋酸溶液,将醋酸溶液加入到乙醇中,并进行搅拌a,再超声分散a,得到溶液a;然后,按比例将TiO2纳米晶粉末分散于溶液a中,并交替循环三次搅拌b、超声分散a,得到混合物a;再按比例将松油醇加入混合物a中,并交替循环二次搅拌c、超声分散a,得到混合物b;再按比例将乙基纤维素溶解于乙醇中得到溶液b,按比例将溶液b加入混合物b中,并交替循环五次搅拌d、超声分散a,得到混合物c;最后,在60-80℃的水浴中搅拌混合物c蒸发掉乙醇,得到TiO2纳米晶浆料;
所述醋酸、去离子水、乙醇的体积比为(0.1~0.3):1:20;TiO2纳米晶粉末、松油醇、乙基纤维素的质量比依次为1:(3.5~4.5):0.5;
步骤2、制备多层多孔结构TiO2纳米晶膜;
首先,采用丝网印刷在附有TiO2阻挡层的导电玻璃表面印刷粒径20nm的TiO2纳米晶浆料一次,待浆料流动平衡后放入100-120℃的烘干箱中加热10~15分钟,得到基底a;然后,将冷却后的基底a采用上述方法依次涂覆粒径40nm、60nm、80nm、100nm的TiO2纳米晶浆料,得到基底b;最后,将基底b放入马弗炉中,以2~5℃/分钟的速率从室温升温到450-550℃,并退火0.5~1h,得到多层多孔结构TiO2纳米晶膜
步骤3、制备量子点敏化光阳极;
采用SILAR法实现CdSSe量子点在多层多孔结构TiO2纳米晶膜内的沉积,得到量子点敏化光阳极;
所述SILAR法具体过程为:
(1)将多层多孔结构TiO2纳米晶膜放在前驱体溶液a中吸附离子;
(2)将沾在多层多孔结构TiO2纳米晶膜表面的多余离子用去离子水洗去;
(3)将附有a离子的多层多孔结构TiO2纳米晶膜放在前驱体溶液b中吸附离子,并发生反应,得到附有CdSSe量子点的多层多孔结构TiO2纳米晶膜;
(4)将沾在附有CdSSe量子点的多层多孔结构TiO2纳米晶膜表面未反应的离子洗去;
(5)循环(1)~(4)若干次,烘干,得到量子点敏化光阳极;
所述前驱体溶液a为Cd2+溶液;前驱体溶液b为S2与Se2-的复合溶液;
所述Cd2+溶液中,Cd2+浓度为0.05~0.1mol/L;S2-与Se2-的复合溶液中,S2-与Se2-的总浓度为0.05~0.1mol/L;S2-、Se2-的浓度比为(4~6):(4~6)。
2.如权利要求1所述的多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法,其特征在于,所述搅拌a的条件为,转速为50~100r/min,时间为0.5~1h;搅拌b的条件为,转速100~200r/min,时间为3~5h;搅拌c的条件为,转速为100~200r/min,时间为1~2h;搅拌d的条件为,200~300r/min,时间为3~5h。
3.如权利要求2所述的多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法,其特征在于,所述超声分散a的条件为,功率500W,时间为0.5~1h。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910393877.4A CN110120303B (zh) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | 多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910393877.4A CN110120303B (zh) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | 多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110120303A CN110120303A (zh) | 2019-08-13 |
CN110120303B true CN110120303B (zh) | 2021-05-04 |
Family
ID=67522252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910393877.4A Active CN110120303B (zh) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | 多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110120303B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110993357B (zh) * | 2019-12-24 | 2021-06-01 | 陕西理工大学 | 一种CdS1-xSex合金量子点敏化光阳极的制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1249819C (zh) * | 2003-01-09 | 2006-04-05 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 纳米多孔薄膜 |
CN101697319B (zh) * | 2009-10-29 | 2011-02-16 | 彩虹集团公司 | 染料敏化太阳能电池光阳极及其制备方法 |
CN102385997B (zh) * | 2010-08-27 | 2014-07-23 | 财团法人工业技术研究院 | 多层结构纳米二氧化钛光电极及其制造方法 |
KR101540967B1 (ko) * | 2013-07-09 | 2015-08-03 | 연세대학교 산학협력단 | 메조 기공 구조의 브래그 스택 전극, 이를 포함하는 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법 |
CN106158389B (zh) * | 2016-07-16 | 2017-12-22 | 石河子大学 | 硫硒化镉和硫硒化锌修饰的二氧化钛薄膜结构及制备方法 |
CN106548873B (zh) * | 2016-10-21 | 2018-09-04 | 燕山大学 | 一种ZnSe量子点敏化纳米TiO2薄膜的制备方法 |
-
2019
- 2019-05-13 CN CN201910393877.4A patent/CN110120303B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110120303A (zh) | 2019-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Abdellatif et al. | Transparency and diffused light efficiency of dye-sensitized solar cells: tuning and a new figure of merit | |
CN102290248B (zh) | 一种染料敏化太阳能电池高效复合光阳极的制备方法 | |
Li et al. | Enhanced efficiency dye-sensitized SrSnO3 solar cells prepared using chemical bath deposition | |
Aksoy et al. | Effect of loading and standbye time of the organic dye N719 on the photovoltaic performance of ZnO based DSSC | |
Tubtimtae et al. | Ag 2 S quantum dot-sensitized WO 3 photoelectrodes for solar cells | |
Li et al. | Annealing effect on Sb 2 S 3-TiO 2 nanostructures for solar cell applications | |
Chen et al. | Design of efficient dye-sensitized solar cells with patterned ZnO–ZnS core–shell nanowire array photoanodes | |
CN102881462B (zh) | 一种ZnO纳米棒阵列/纳米颗粒团聚微球复合膜的制备方法 | |
TW201119049A (en) | Quantum dot dye-sensitized solar cell | |
Fu et al. | Efficiency enhancement of solid-state CuInS2 quantum dot-sensitized solar cells by improving the charge recombination | |
CN106128772B (zh) | 一种硫化铅量子点光伏电池的制备方法 | |
CN110611030A (zh) | 具有阵列结构电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
Ou et al. | Boosting the stability and efficiency of Cs2AgBiBr6 perovskite solar cells via Zn doping | |
Joseph et al. | An overview of the operational principles, light harvesting and trapping technologies, and recent advances of the dye sensitized solar cells | |
An et al. | Introducing of MnS passivation layer on TiO2 mesoporous film for improving performance of quantum dot sensitized solar cells | |
Yang et al. | Magnetron-sputtered nickel oxide films as hole transport layer for planar heterojunction perovskite solar cells | |
Ahmad et al. | Hydrothermal growth of bilayered rutile-phased TiO 2 nanorods/micro-size TiO 2 flower in highly acidic solution for dye-sensitized solar cell | |
Yang et al. | Improving the performance of solid-state quantum dot-sensitized solar cells based on TiO 2/CuInS 2 photoelectrodes with annealing treatment | |
CN110120303B (zh) | 多层结构的量子点敏化太阳能电池光阳极的制备方法 | |
Mashreghi et al. | Improving perovskite/carbon interfacial contact in carbon based perovskite solar cells by changing two-step spin coating sequence | |
Bakr et al. | Fabrication and efficiency enhancement of Z907 dye sensitized solar cell using gold nanoparticles | |
Hosono et al. | Metal-free organic dye sensitized solar cell based on perpendicular zinc oxide nanosheet thick films with high conversion efficiency | |
Chen et al. | ZnO hemisphere pits nanowire/CdS photoelectrode for high-efficiency photoelectrochemical water splitting | |
CN101404215A (zh) | 含有半导体量子点的染料敏化电池的制备方法 | |
CN105957720B (zh) | 一种可调谐宽光谱响应的复合量子点敏化光电极的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |