CN110113022B - 一种薄膜体声波谐振器及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，其中薄膜体声波谐振器包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。本发明实施例提供的技术方案，可提供一种薄膜体声波谐振器的底电极的实现方案，以防止底电极易损坏的问题。
Description
技术领域
本发明实施例涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种薄膜体声波谐振器及其制作方法。
背景技术
随着无线通信的迅猛发展，无线信号变得越来越拥挤，对工作在射频频段的滤波器提出了集成化、微型化、低功耗、高性能、低成本等新的要求。传统的声表面波滤波器因为频率及承受功率等的限制，越来越无法达到这样的技术指标。薄膜体声波谐振器(FilmBulk Acoustic Resonator，FBAR)由于具有CMOS工艺兼容、高品质因数、低损耗、低温度系数、高功率承载能力等特性逐渐成为射频滤波器研究的热点。
薄膜体声波谐振器核心结构包括依次设置的底电极、压电薄膜层、顶电极。传统制作方法为先形成并图形化底电极，然后沉积并图形化压电薄膜层，最后沉积并图形化顶电极。
压电薄膜层的材料中，单晶压电材料为常用的压电薄膜材料。单晶压电材料一般通过金属有机化学气象沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)在高温环境下获得，但铺设的底电极在高温下易融化损坏且不利于单晶压电材料的生长。
发明内容
本发明提供一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，以提供一种薄膜体声波谐振器的底电极的实现方案，以防止底电极易损坏的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜体声波谐振器，包括：
绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；
设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；
设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；
其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。
可选的，所述气腔分别与所述悬浮硅层和所述衬底接触；所述衬底设置有至少一个第一通孔，所述第一通孔与所述气腔连通。
可选的，所述气腔分别与所述悬浮硅层和所述绝缘层接触；所述衬底和所述绝缘层设置有至少一个第二通孔，所述第二通孔与所述气腔连通。
可选的，所述悬浮硅层的阻抗率小于或者等于0.1Ω·cm。
可选的，所述悬浮硅层掺杂的杂质材料包括第三主族元素或第五主族元素。
可选的，所述悬浮硅层的厚度范围为20nm～2μm。
可选的，所述压电薄膜层的材料为氮化铝、氧化锌、镍酸锂或钽酸锂。
第二方面，本发明实施例还提供了一种薄膜体声波谐振器的制作方法，适用于本发明任意实施例提供的薄膜体声波谐振器，包括：
提供一绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；
在所述悬浮硅层上形成压电薄膜层；
在所述压电薄膜层上形成顶电极；
在所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置气腔。
可选的，提供一绝缘体上硅基片，所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层，在所述悬浮硅层上形成压电薄膜层，包括：提供一绝缘体上硅基片，所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅材料；在所述悬浮硅材料上形成压电薄膜材料；对所述压电薄膜材料进行图案化处理，形成压电薄膜层；对悬浮硅材料进行图案化处理，形成悬浮硅层；在所述压电薄膜层上形成顶电极，包括：在所述压电薄膜层上形成顶电极材料；对所述顶电极材料进行图案化处理，形成顶电极。
可选的，在所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置气腔，包括：在所述衬底上形成至少一个第一通孔，露出所述绝缘层；通过所述第一通孔对所述绝缘层进行刻蚀，形成分别与所述悬浮硅层和所述衬底接触的气腔。
可选的，在所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置气腔，包括：在所述衬底上形成至少一个第二通孔，所述第二通孔贯穿所述衬底和部分所述绝缘层；通过所述第二通孔对所述绝缘层进行刻蚀，形成分别与所述悬浮硅层和所述绝缘层接触的气腔。
本发明实施例提供的薄膜体声波谐振器及其制作方法，在绝缘体上硅基片上形成薄膜体声波谐振器，绝缘体上硅基片包括衬底、绝缘层和悬浮硅层，悬浮硅层中掺杂有杂质材料，则将悬浮硅层作为薄膜体声波谐振器的底电极，无需单独沉积底电极，并依次在悬浮硅层上形成压电薄膜层和顶电极，从而形成薄膜体声波谐振器。在悬浮硅层上高温沉积压电薄膜层时，悬浮硅层，即薄膜体声波谐振器的底电极，相对于一般的金属电极，不易因高温融化损坏，从而增强了薄膜体声波谐振器在制成过程中的成品率，节省制作成本，并且绝缘体上硅基片为可直接获取的成品，简化了薄膜体声波谐振器的制备工艺。此外，绝缘层靠近悬浮硅层的一侧设置有气腔，使得悬浮硅层的外侧形成有空气层，该空气层能够阻隔谐振能量的散失，提高薄膜体声波谐振器的谐振的可靠性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图4是图1中薄膜体声波谐振器的俯视图；
图5是图3中薄膜体声波谐振器的俯视图；
图6是本发明实施例提供的一种薄膜体声波谐振器的制作方法的流程示意图；
图7是本发明实施例提供的在绝缘体上硅基片上涂覆压电薄膜材料的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的形成悬浮硅层和压电薄膜层的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的形成顶电极的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的形成第一通孔的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的另一种形成第一通孔的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
薄膜体声波谐振器广泛应用于无线通信，其核心结构包括顶电极、压电薄膜层、底电极。传统工艺中，在形成底电极后，在底电极上沉积形成压电薄膜层，压电薄膜层的材料可以为单晶压电材料或多晶压电材料。单晶压电材料因为具有较大的压电耦合系数，使器件获得更大的带宽，所以要优于多晶压电材料，所以一般在高温条件下，在底电极上通过金属有机化学气象沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)的方式形成一层单晶压电材料，但是预铺的底电极在高温下易融化损害，并且影响单晶压电材料的生长。
为解决现有薄膜体声波谐振器的底电极易融化的问题，本发明实施例提供一种薄膜体声波谐振器，该薄膜体声波谐振器包括：
绝缘体上硅基片；绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；
设置于悬浮硅层远离衬底一侧的压电薄膜层；
设置于压电薄膜层远离衬底一侧的顶电极；
其中，绝缘层靠近悬浮硅层的一侧设置有气腔。
本发明实施例提供的薄膜体声波谐振器，在绝缘体上硅基片上形成薄膜体声波谐振器，绝缘体上硅基片包括衬底、绝缘层和悬浮硅层，悬浮硅层中掺杂有杂质材料，则将悬浮硅层作为薄膜体声波谐振器的底电极，无需单独沉积底电极，并依次在悬浮硅层上形成压电薄膜层和顶电极，从而形成薄膜体声波谐振器。在悬浮硅层上高温沉积压电薄膜层时，悬浮硅层，即薄膜体声波谐振器的底电极，相对于一般的金属电极，不易因高温融化损坏，从而增强了薄膜体声波谐振器在制成过程中的成品率，节省制作成本，并且绝缘体上硅基片为可直接获取的成品，简化了薄膜体声波谐振器的制备工艺。此外，绝缘层靠近悬浮硅层的一侧设置有气腔，使得悬浮硅层的外侧形成有空气层，该空气层能够阻隔谐振能量的散失，提高薄膜体声波谐振器的谐振的可靠性。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参考图1，图1是本发明实施例提供的一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，如图1所示，薄膜体声波谐振器包括依次设置的绝缘体上硅基片11,、压电薄膜层12和顶电极13。其中，绝缘体上硅基片11包括依次设置的衬底111、绝缘层112和悬浮硅层113，衬底111为厚度较大的硅衬底层，其主要作用是为绝缘层112和悬浮硅层113提供机械支撑，可选的，绝缘层112可以为氧化硅或者氮化硅，绝缘层112的厚度范围可以为10nm～20μm，衬底111的厚度远大于20μm。
悬浮硅层113为掺杂了杂质材料的硅层，因为杂质材料的掺入，悬浮硅层113具有良好的导电性，能够作为薄膜体声波谐振器的底电极，并且底电极和顶电极之间设置有压电薄膜层12，使得压电薄膜层12能够在两端电流作用下产生谐振，从而应用到电子产品中，起到频率控制的作用。可选的，掺入悬浮硅层113中的杂质材料可以包括第三主族元素或第五主族元素，示例性的，悬浮硅层113掺杂的杂质材料可包括第五主族元素磷、砷或锑中的至少一种金属元素，或者可以包括第三主族元素，例如硼等元素，使得悬浮硅层113具有良好的导电、耐高温以及抗电迁移等特点，并使悬浮硅层113稳定性较强，不受金属有机化学气象沉积的高温环境的影响，防止产生薄膜体声波谐振器的底电极被损坏的情况。而纯金属材质的底电极，例如，金属钨、金属钛和金属钼材质的底电极，则非常容易在高温环境下融化，影响薄膜体声波谐振器的质量。
可选的，悬浮硅层113的阻抗率小于或者等于0.1Ω·cm。可通过悬浮硅层113中杂质材料的掺杂比例对悬浮硅层113的阻抗率进行调节，使得悬浮硅层113具有较低的阻抗率，提高悬浮硅层113的电流传输性能。
可选的，悬浮硅层113的厚度范围可以为20nm～2μm。在该厚度范围内，悬浮硅113能够实现较佳的导电性能，并能够使得薄膜体声波谐振器的厚度较小，减小薄膜体声波谐振器的体积。
可选的，压电薄膜层12的材料可以为氮化铝、氧化锌、镍酸锂或钽酸锂，上述材料的介电常数、介质损耗、体电阻率以及介电强度能够电性能参数均保持在优良状态。高C轴取向的压电薄膜层12一般通过物理气象沉积、化学气相沉积以及反应射频溅射等方式形成，便于压电薄膜层12在高C轴方向进行生长，增强沉积效率。
可选的，压电薄膜层12上形成的顶电极13的材料可以为金属钨、金属钛或金属钼，并可通过磁控溅射沉积等方式沉积形成。磁控溅射是物理气相沉积的一种，具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，使得顶电极13的沉积效果更佳。
其中，参考图1，绝缘层112靠近悬浮硅层113的一侧设置有气腔114，则底电极(悬浮硅层113)远离压电薄膜层12的一侧形成有一层空气层，该空气层能够阻隔谐振能量的散失，提高薄膜体声波谐振器的谐振的可靠性。
值得注意的是，在初始时刻，绝缘体上硅基片包括衬底111、绝缘层112以及悬浮硅材料，在形成悬浮硅层113和压电薄膜层12时，首先需要在悬浮硅材料上沉积形成压电薄膜材料，之后对压电薄膜材料进行刻蚀，形成压电薄膜图案，从而形成压电薄膜层12，并对悬浮硅材料进行刻蚀，形成底电极图案，从而形成悬浮硅层113。同样的，在形成顶电极13时，在压电薄膜层12上沉积形成顶电极材料，并对顶电极材料进行刻蚀处理，形成顶电极13。
可选的，继续参考图1，气腔114可分别与悬浮硅层113和衬底111接触；衬底111设置有至少一个第一通孔115，第一通孔115与气腔114连通。绝缘层112可设置有贯穿绝缘层112厚度方向的气腔114，即悬浮硅层113和衬底111形成上述气腔114的腔体壁，并且气腔114通过贯穿衬底111的至少一个第一通孔115与外界空气连通，使得气腔114在底电极(悬浮硅层113)远离压电薄膜层12的一侧形成空气层。当然，薄膜体声波谐振器也可以不设置第一通孔115，只要保证气腔114内封存有气体层即可，如图2所示，图2是本发明实施例提供的另一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，可仅在绝缘层112内挖去一个空腔，形成气腔114，例如，在对悬浮硅材料进行刻蚀，形成悬浮硅层113后，在悬浮硅层113的边缘形成一个刻蚀缝隙，通过该刻蚀缝对绝缘层112进行刻蚀，从而形成气腔114，以降低谐振能量的散失。
可选的，参考图3，图3是本发明实施例提供的又一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，气腔114还可以分别与悬浮硅层113和绝缘层112接触；衬底111和绝缘层112设置有至少一个第二通孔116，第二通孔116与气腔114连通。气腔114可仅设置于绝缘层112靠近悬浮硅层113一侧，仅保证气腔114与悬浮硅层113相接触即可，而不必要将绝缘层112全部释放，即气腔114的两侧分别为悬浮硅层113和绝缘层112，则衬底111上的第二通孔116贯穿衬底111和绝缘层112，使得气腔114与外界空气连通，形成空气层。
可选的，第一通孔115或第二通孔116可设置至少一个，优选的，第一通孔115或第二通孔116可阵列排布，如图4所示，图4是图1中薄膜体声波谐振器的俯视图，第一通孔115呈矩阵排布，使得气腔114内形成均匀的空气层。如图4所示，第一通孔115或第二通孔116的横截面可以为矩形，当然，第一通孔115或第二通孔116的横截面还可以为圆形、三角形等其他形状，本实施例对第一通孔115或第二通孔116的截面形状不进行限定。示例性的，参考图5，图5是图3中薄膜体声波谐振器的俯视图，第二通孔116的横截面为圆形。
继续参考图4和图5，图中的虚线表示压电薄膜层12在衬底111上的垂直投影区，压电薄膜层12在衬底111上的垂直投影可以为矩形，当然压电薄膜层12也不限于矩形，还可以为其他形状，则在形成气腔114时，气腔114在衬底111上的垂直投影的形状可与压电薄膜层12的垂直投影的形状相同，参考图1和图3，在平行于衬底111的方向上，压电薄膜层12可覆盖气腔114，也可与气腔114形状完全一致。
基于同一构思，本发明实施例还提供一种薄膜体声波谐振器的制作方法，适用于本发明任意实施例提供的薄膜体声波谐振器。图6是本发明实施例提供的一种薄膜体声波谐振器的制作方法的流程示意图，如图6所示，本实施例的薄膜体声波谐振器的制作方法包括如下步骤：
S101、提供一绝缘体上硅基片；绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使悬浮硅层作为底电极。
S102、在悬浮硅层上形成压电薄膜层。
S103、在压电薄膜层上形成顶电极。
S104、在绝缘层靠近悬浮硅层的一侧设置气腔。
步骤S104与S102和S103的先后执行顺序本实施例不进行限定，可在提供绝缘体上硅基片时，直接对绝缘体上硅基片的绝缘层进行处理，在绝缘层靠近悬浮硅层的一侧设置气腔。也可以在绝缘体上硅基片上逐步形成压电薄膜层和顶电极之后，再对绝缘层进行处理，以形成气腔。
本发明实施例中，在绝缘体上硅基片上形成薄膜体声波谐振器，绝缘体上硅基片包括衬底、绝缘层和悬浮硅层，悬浮硅层中掺杂有杂质材料，则将悬浮硅层作为薄膜体声波谐振器的底电极，无需单独沉积底电极，并依次在悬浮硅层上形成压电薄膜层和顶电极，从而形成薄膜体声波谐振器。在悬浮硅层上高温沉积压电薄膜层时，悬浮硅层，即薄膜体声波谐振器的底电极，相对于一般的金属电极，不易因高温融化损坏，从而增强了薄膜体声波谐振器在制成过程中的成品率，节省制作成本，并且绝缘体上硅基片为可直接获取的成品，简化了薄膜体声波谐振器的制备工艺。此外，绝缘层靠近悬浮硅层的一侧设置有气腔，使得悬浮硅层的外侧形成有空气层，该空气层能够阻隔谐振能量的散失，提高薄膜体声波谐振器的谐振的可靠性。
在上述实施例的基础上，提供一绝缘体上硅基片，绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层，在悬浮硅层上形成压电薄膜层，包括：提供一绝缘体上硅基片，绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅材料；在悬浮硅材料上形成压电薄膜材料；对所述压电薄膜材料进行图案化处理，形成压电薄膜层；对悬浮硅材料进行图案化处理，形成悬浮硅层；在压电薄膜层上形成顶电极，包括：在压电薄膜层上形成顶电极材料；对顶电极材料进行图案化处理，形成顶电极。
参考图7，图7是本发明实施例提供的在绝缘体上硅基片上涂覆压电薄膜材料的结构示意图，提供一绝缘体上硅基片11，绝缘体上硅基片11包括衬底111、绝缘层112和悬浮硅材料117，并在悬浮硅材料117上形成压电薄膜材料14，在上述材料的基础上，分别对压电薄膜材料14和悬浮硅材料117进行图形化处理，具体的，如图8所示，图8是本发明实施例提供的形成悬浮硅层和压电薄膜层的结构示意图，对压电薄膜材料14进行刻蚀，即图形化处理，形成压电薄膜层12，之后对悬浮硅材料117进行刻蚀，即图形化处理，形成薄膜体声波谐振器的底电极图案，从而形成悬浮硅层113。
同样的，顶电极也是经过图形化处理得到的，如图9所示，图9是本发明实施例提供的形成顶电极的结构示意图，首先在压电薄膜层12上通过磁控溅射等方法形成一层顶电极材料，并对顶电极材料进行刻蚀，形成顶电极13。
图10是本发明实施例提供的形成第一通孔的结构示意图，可选的，参考图1和图10，在绝缘层112靠近悬浮硅层113的一侧设置气腔114，可以包括：在衬底111上形成至少一个第一通孔115，露出绝缘层112；通过第一通孔115对绝缘层112进行刻蚀，形成分别与悬浮硅层113和衬底111接触的气腔114。
通过刻蚀或激光等工艺在衬底111上形成至少一个第一通孔115，露出绝缘层112，并采用干法刻蚀或者湿法刻蚀，从而通过第一通孔115对绝缘层112进行刻蚀和释放，形成薄膜体声波谐振器的气腔114，气腔114可分别与悬浮硅层113和衬底111接触。
图11是本发明实施例提供的另一种形成第一通孔的结构示意图，参考图3和图11，可选的，在绝缘层112靠近悬浮硅层113的一侧设置气腔114，可以包括：在衬底111上形成至少一个第二通孔116，第二通孔116贯穿衬底111和部分绝缘层112；通过第二通孔116对绝缘层112进行刻蚀，形成分别与悬浮硅层113和绝缘层112接触的气腔114。同理，在通过刻蚀或激光等工艺在衬底111上形成至少一个第二通孔116，露出绝缘层112，并采用干法刻蚀或者湿法刻蚀，从而通过第二通孔116对绝缘层112进行刻蚀和释放，形成薄膜体声波谐振器的气腔114，气腔114可分别与悬浮硅层113和衬底111接触。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (8)
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：
绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；所述悬浮硅层的阻抗率小于或者等于0.1Ω·cm；
设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；
设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；
其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔；
所述气腔分别与所述悬浮硅层和所述衬底接触；
所述衬底设置有至少一个第一通孔，所述第一通孔与所述气腔连通；
或：所述气腔分别与所述悬浮硅层和所述绝缘层接触；
所述衬底和所述绝缘层设置有至少一个第二通孔，所述第二通孔与所述气腔连通。
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，
所述悬浮硅层掺杂的杂质材料包括第三主族元素或第五主族元素。
3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述悬浮硅层的厚度范围为20nm～2μm。
4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜层的材料为氮化铝、氧化锌、镍酸锂或钽酸锂。
5.一种薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，适用于上述权利要求1-4任一项所述的薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器的制作方法包括：
提供一绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；
在所述悬浮硅层上形成压电薄膜层；
在所述压电薄膜层上形成顶电极；
在所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置气腔。
6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，提供一绝缘体上硅基片，所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层，在所述悬浮硅层上形成压电薄膜层，包括：
提供一绝缘体上硅基片，所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅材料；
在所述悬浮硅材料上形成压电薄膜材料；
对所述压电薄膜材料进行图案化处理，形成压电薄膜层；
对悬浮硅材料进行图案化处理，形成悬浮硅层；
在所述压电薄膜层上形成顶电极，包括：
在所述压电薄膜层上形成顶电极材料；
对所述顶电极材料进行图案化处理，形成顶电极。
7.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置气腔，包括：
在所述衬底上形成至少一个第一通孔，露出所述绝缘层；
通过所述第一通孔对所述绝缘层进行刻蚀，形成分别与所述悬浮硅层和所述衬底接触的气腔。
8.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置气腔，包括：
在所述衬底上形成至少一个第二通孔，所述第二通孔贯穿所述衬底和部分所述绝缘层；
通过所述第二通孔对所述绝缘层进行刻蚀，形成分别与所述悬浮硅层和所述绝缘层接触的气腔。
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