CN110098276A - 基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法，基于窄边框透明封装的平板探测器包括：基板；闪烁体结构层，包括闪烁体薄膜及透光防水薄膜；闪烁体薄膜位于所述基板表面，透光防水薄膜贴附于闪烁体薄膜表面；光接收器，位于闪烁体结构层上。闪烁体薄膜与光接收器之间的间距较小，可以减小光损失；闪烁薄膜边缘至基板边缘的距离可以减小至微米级别，实现窄边框封装，进而增大闪烁体薄膜的有效面积；透光防水薄膜与闪烁体薄膜可以实现紧密贴合，避免透光防水薄膜与闪烁体薄膜之间残留气体，可以有效防止透光防水薄膜鼓泡及老化；通过在透光防水薄膜表面设置透光疏水层，可以进一步增强防水效果。

Description

基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法
技术领域
本发明涉及平板探测器技术领域，特别是涉及一种基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法。
背景技术
在X射线平板探测器行业，一般采用TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)玻璃作为基板，封装层采用反射率较高的材料将闪烁体薄膜材料(如碘化铯，CsI)发出的光反射到所述TFT玻璃上用来增强所述TFT玻璃接收到的光强度。然而，如图1所示，对于采用不透明基板10及CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)光接收器14的平板探测器中，闪烁体薄膜12则必须采用透明封装才可实现所述平板探测器的功能，一般如图2所示采用一封装层11将整个所述闪烁体薄膜12塑封，又所述闪烁体薄膜12极易受潮产生变质，对防水密封性能要求很高，这就要求封装层11必须有较高的光透过率及较低的水汽透过率；同时，封装层11还需使用密封胶13与基板10固定。然而，现有的上述平板探测器存在如下问题：1.所述封装层11厚度在100um～2mm级别，厚度大，光透过后损失率高；2.所述封装层11厚度大，所述闪烁体薄膜12与所述CMOS光接收器14之间的距离长，所述CMOS光接收器14接收到的光强度减弱；3.传统封装需要在所述不透明基板10边缘使用所述密封胶13而留出毫米级或厘米级的宽度，边框较大(即所述闪烁体薄膜12边缘至所述不透明基板10边缘的距离d1较大)；4.所述封装层11会使所述闪烁体薄膜12(特别是柱状微晶，如碘化铯)与所述封装层11之间存在大量空隙，空隙间存留气体，容易造成所述封装层11鼓泡、所述闪烁体薄膜12老化速度加快。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法，用于解决现有技术中的平板探测器存在的上述诸多问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基于窄边框透明封装的平板探测器，所述基于窄边框透明封装的平板探测器包括：
基板；
闪烁体结构层，包括闪烁体薄膜及透光防水薄膜；其中，所述闪烁体薄膜位于所述基板表面，所述透光防水薄膜贴附于所述闪烁体薄膜表面；
光接收器，位于所述闪烁体结构层上。
优选地，所述基板为不透明基板。
优选地，所述闪烁体薄膜包括碘化铯薄膜，所述碘化铯薄膜由若干个微米尺寸的柱状晶体排列而成；所述透光防水薄膜贴附于所述柱状晶体表面及裸露的所述基板表面。
优选地，所述透光防水薄膜包括无机透光防水薄膜。
优选地，所述透光防水薄膜包括透明氧化铝薄膜或透明氧化硅薄膜。
优选地，所述透光防水薄膜的厚度介于1nm～95μm。
优选地，所述闪烁体薄膜边缘至所述基板边缘的距离小于100μm。
优选地，所述光接收器包括CMOS光接收器。
优选地，所述闪烁体结构层还包括透光疏水层，所述透光疏水层贴附于所述透光防水薄膜表面。
优选地，所述透光疏水层包括有机高分子透光疏水层。
本发明还提供一种基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法，所述基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法包括如下步骤：
1)提供一基板；
2)于所述基板表面形成闪烁体薄膜；
3)于所述闪烁体薄膜表面形成透光防水薄膜；
4)提供一光接收器，将所述光接收器封装于所述闪烁体薄膜及所述透光防水薄膜的上方。
优选地，步骤3)中，采用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺于所述闪烁体薄膜表面形成所述透光防水薄膜。
优选地，步骤3)与步骤4)之间还包括于所述透光防水薄膜表面形成透光疏水层的步骤，步骤4)中，所述光接收器封装于所述闪烁体薄膜、所述透光防水薄膜及所述透光疏水层的上方。
如上所述，本发明的基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法，具有以下有益效果：本发明的所述基于窄边框透明封装的平板探测器中，所述透光防水薄膜厚度较小，可以显著增加透光量；所述闪烁体薄膜与所述光接收器之间的间距较小，可以减小光损失；所述闪烁薄膜边缘至所述基板边缘的距离可以减小至微米级别，实现窄边框封装，进而增大所述闪烁体薄膜的有效面积；所述透光防水薄膜与所述闪烁体薄膜可以实现紧密贴合，避免所述透光防水薄膜与所述闪烁体薄膜之间残留气体，可以有效防止所述透光防水薄膜鼓泡及老化；通过在所述透光防水薄膜表面设置透光疏水层，可以进一步增强防水效果。
附图说明
图1显示为本发明平板探测器的截面结构示意图。
图2显示为本发明提供的基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法的流程图
图3～图8显示为本发明提供的基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图7至图8显示为本发明的基于窄边框透明封装的平板探测器的结构示意图。
元件标号说明
10 不透明基板
11 封装层
12 闪烁体薄膜
13 密封胶
14 CMOS光接收器
20 基板
21 闪烁体结构层
211 闪烁体薄膜
2111 柱状晶体
212 透光防水薄膜
213 透光疏水层
22 光接收器
d1 现有技术中闪烁体薄膜边缘至不透明基板边缘的距离
d2 本发明的闪烁体薄膜边缘至基板边缘的距离
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图2～图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
请参阅图2，本实施例提供一种基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法，所述基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法包括如下步骤：
1)提供一基板；
2)于所述基板表面形成闪烁体薄膜；
3)于所述闪烁体薄膜表面形成透光防水薄膜；
4)提供一光接收器，将所述光接收器封装于所述闪烁体薄膜及所述透光防水薄膜的上方。
在步骤1)中，请参阅图2中的S1步骤及图3，提供一基板20。
作为示例，所述基板20可以为任意一种可以起到支撑作用的基板，譬如，有机基板或无机基板等等；优选地，本实施例中，所述基板20可以为任意一种具有一定硬度的不透明基板。当然，在其他示例中，所述基板20也可以为透明基板。
在步骤2)中，请参阅图2中的S2步骤及图4，于所述基板20表面形成闪烁体薄膜211。
作为示例，所述闪烁体薄膜211可以为但不仅限于碘化铯(CsI)薄膜，所述碘化铯薄膜由若干个微米尺寸的柱状晶体2111排列而成；相邻所述柱状晶体2111之间具有间隙。于所述基板20表面形成碘化铯薄膜为本领域人员所知晓，此处不再累述。当然，在其他示例中，还可以形成其他任意一种闪烁体材质的薄膜作为所述闪烁体薄膜211。
在步骤3)中，请参阅图2中的S3步骤及图5，于所述闪烁体薄膜211表面形成透光防水薄膜212。
作为示例，可以采用譬如真空镀膜工艺、热蒸发工艺、磁控溅射工艺、电子枪等物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或原子层沉积(ALD)工艺于所述闪烁体薄膜211表面形成所述透光防水薄膜212，优选地，本实施中，采用原子层沉积工艺于所述闪烁体薄膜211表面形成所述透光防水薄膜212；采用原子层沉积工艺形成所述透光防水薄膜212，可以使得所述透光防水薄膜212紧密贴置于所述闪烁体薄膜211表面，使得所述透光防水薄膜212与所述闪烁体薄膜211之间不会残留气体，从而有效防止所述透光防水薄膜212鼓泡及老化。同时，由于所述透光防水薄膜212与所述闪烁体薄膜212表面紧密贴置，且在所述闪烁体薄膜211为碘化铯薄膜时，所述透光防水薄膜212还会贴置覆盖所述柱状晶体2111之间裸露的所述基板20，无需使用密封胶，无需留出很大的密封胶所需的宽度，使得所述闪烁体薄膜211边缘至所述基板20边缘的距离d2可以减少到几十微米(如后续图7及图8所示)，可以减少光损耗及封装区域，从而有效增大所述闪烁体薄膜211占所述基板20的比例。
作为示例，所述透光防水薄膜212可以为无机透光防水薄膜，也可以为有机透光防水薄膜，优选地，所述透光防水薄膜212为无机透光防水薄膜，更为优选地，本实施例中，所述透光防水薄膜212可以为透明氧化铝薄膜或透明氧化硅薄膜等等。
作为示例，所述透光防水薄膜212的厚度可以根据实际需要进行设定，优选地，所述透光防水薄膜212的厚度介于几纳米至几十微米之间，具体的，本实施例中，所述透光防水薄膜212的厚度介于1nm～95μm。
在另一示例中，请参阅图6，于所述闪烁体薄膜211表面形成透光防水薄膜212之后，还包括于所述透光防水薄膜212表面形成透光疏水层213的步骤。
具体的，可以采用真空镀膜工艺于所述透光防水薄膜212表面镀一层有机高分子疏水材料作为所述透光疏水层213，即所述透光疏水层213可以为有机高分子透光疏水层，优选地，所述透光疏水层213可以为二甲苯聚体(派瑞林，Paracyclophane)。当然，在其他示例中，还可以采用其他任意工艺形成任意一种具有透光疏水属性的材料于所述透光防水薄膜212上作为所述透光疏水层213，此处不做限定。于所述透光防水薄膜212表面形成所述透光疏水层213，可以进一步增强防水效果，使得水汽透过率得到有效控制。
需要说明的是，当所述闪烁体薄膜211表面仅形成有所述透光防水薄膜212时，所述透光防水薄膜212及所述闪烁体薄膜211共同构成闪烁体结构层21；当所述闪烁体薄膜211表面形成有所述透光防水薄膜212，且所述透光防水薄膜212表面又形成有所述透光疏水层213时，所述透光疏水层213、所述透光防水薄膜212及所述闪烁体薄膜211共同构成闪烁体结构层21。
在步骤4)中，请参阅图2中的S4步骤及图7及图8，提供一光接收器22，将所述光接收器22封装于所述闪烁体薄膜211及所述透光防水薄膜212的上方。
需要说明的是，步骤4)中，所述光接收器22封装于所述闪烁体结构层21的上方，用于接收所述闪烁体薄膜211发出的光。
需要进一步说明的是，当所述闪烁体薄膜211表面仅形成有所述透光防水薄膜212时，所述光接收器22封装于所述闪烁体薄膜211及所述透光防水薄膜212的上方，如图7所示；当所述闪烁体薄膜211表面形成有所述透光防水薄膜212，且所述透光防水薄膜212表面又形成有所述透光疏水层213时，所述光接收器22封装于所述闪烁体薄膜211、所述透光防水薄膜212及所述透光疏水层213的上方。
作为示例，所述光接收器22可以为但不仅限于CMOS光接收器。将所述光接收器22封装于所述闪烁体薄膜211及所述透光防水薄膜212的上方的具体方法为本领域技术人员所知晓，此处不再累述。
请继续参阅图7，本发明还提供一种基于窄边框透明封装的平板探测器，所述基于窄边框透明封装的平板探测器包括：基板20；闪烁体结构层21，所述闪烁体结构层21包括闪烁体薄膜211及透光防水薄膜212；其中，所述闪烁体薄膜211位于所述基板20表面，所述透光防水薄膜212贴附于所述闪烁体薄膜211表面；光接收器22，所述光接收器22位于所述闪烁体结构层21上。
作为示例，所述基板20可以为任意一种可以起到支撑作用的基板，譬如，有机基板或无机基板等等；优选地，本实施例中，所述基板20可以为任意一种具有一定硬度的不透明基板。当然，在其他示例中，所述基板20也可以为透明基板。
作为示例，所述闪烁体薄膜211可以为但不仅限于碘化铯(CsI)薄膜，所述碘化铯薄膜由若干个微米尺寸的柱状晶体2111排列而成；相邻所述柱状晶体2111之间具有间隙。当然，在其他示例中，还可以形成其他任意一种闪烁体材质的薄膜作为所述闪烁体薄膜211。
作为示例，所述透光防水薄膜212可以为无机透光防水薄膜，也可以为有机透光防水薄膜，优选地，所述透光防水薄膜212为无机透光防水薄膜，更为优选地，本实施例中，所述透光防水薄膜212可以为透明氧化铝薄膜或透明氧化硅薄膜等等。
作为示例，所述透光防水薄膜212的厚度可以根据实际需要进行设定，优选地，所述透光防水薄膜212的厚度介于几纳米至几十微米之间，具体的，本实施例中，所述透光防水薄膜212的厚度介于1nm～95μm。
作为示例，所述光接收器22可以为但不仅限于CMOS光接收器。
作为示例，所述闪烁体薄膜211边缘至所述基板20边缘d2的距离小于100μm。
在另一示例中，如图8所示，所述闪烁体结构层21还包括透光疏水层213，所述透光疏水层213贴附于所述透光防水薄膜212表面。
作为示例，所述透光疏水层213可以为有机高分子透光疏水层，优选地，所述透光疏水层213可以为二甲苯聚体(派瑞林，Paracyclophane)。当然，在其他示例中，所述透光疏水层213还可以为任意一种具有透光疏水属性的材料层，此处不做限定。于所述透光防水薄膜212表面形成所述透光疏水层213，可以进一步增强防水效果，使得水汽透过率得到有效控制。
综上所述，本发明的基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法，所述基于窄边框透明封装的平板探测器包括：基板；闪烁体结构层，包括闪烁体薄膜及透光防水薄膜；其中，所述闪烁体薄膜位于所述基板表面，所述透光防水薄膜贴附于所述闪烁体薄膜表面；光接收器，位于所述闪烁体结构层上。本发明的所述基于窄边框透明封装的平板探测器中，所述透光防水薄膜厚度较小，可以显著增加透光量；所述闪烁体薄膜与所述光接收器之间的间距较小，可以减小光损失；所述闪烁薄膜边缘至所述基板边缘的距离可以减小至微米级别，实现窄边框封装，进而增大所述闪烁体薄膜的有效面积；所述透光防水薄膜与所述闪烁体薄膜可以实现紧密贴合，避免所述透光防水薄膜与所述闪烁体薄膜之间残留气体，可以有效防止所述透光防水薄膜鼓泡及老化；通过在所述透光防水薄膜表面设置透光疏水层，可以进一步增强防水效果。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (13)

1.一种基于窄边框透明封装的平板探测器，其特征在于，所述基于窄边框透明封装的平板探测器包括：
基板；
闪烁体结构层，包括闪烁体薄膜及透光防水薄膜；其中，所述闪烁体薄膜位于所述基板表面，所述透光防水薄膜贴附于所述闪烁体薄膜表面；
光接收器，位于所述闪烁体结构层上。
2.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器，其特征在于，所述基板为不透明基板。
3.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器，其特征在于，所述闪烁体薄膜包括碘化铯薄膜，所述碘化铯薄膜由若干个微米尺寸的柱状晶体排列而成；所述透光防水薄膜贴附于所述柱状晶体表面及裸露的所述基板表面。
4.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器，其特征在于，所述透光防水薄膜包括无机透光防水薄膜。
5.根据权利要求4所述的基于窄边框透明封装的平板探测器，其特征在于，所述透光防水薄膜包括透明氧化铝薄膜或透明氧化硅薄膜。
6.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器，其特征在于，所述透光防水薄膜的厚度介于1nm～95μm。
7.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器，其特征在于，所述闪烁体薄膜边缘至所述基板边缘的距离小于100μm。
8.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器，其特征在于，所述光接收器包括CMOS光接收器。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的基于窄边框透明封装的平板探测器，其特征在于，所述闪烁体结构层还包括透光疏水层，所述透光疏水层贴附于所述透光防水薄膜表面。
10.根据权利要求9所述的基于窄边框透明封装的平板探测器，其特征在于，所述透光疏水层包括有机高分子透光疏水层。
11.一种基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法，其特征在于，所述基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法包括如下步骤：
1)提供一基板；
2)于所述基板表面形成闪烁体薄膜；
3)于所述闪烁体薄膜表面形成透光防水薄膜；
4)提供一光接收器，将所述光接收器封装于所述闪烁体薄膜及所述透光防水薄膜的上方。
12.根据权利要求11所述的基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法，其特征在于，步骤3)中，采用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺于所述闪烁体薄膜表面形成所述透光防水薄膜。
13.根据权利要求11或12所述的基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法，其特征在于，步骤3)与步骤4)之间还包括于所述透光防水薄膜表面形成透光疏水层的步骤，步骤4)中，所述光接收器封装于所述闪烁体薄膜、所述透光防水薄膜及所述透光疏水层的上方。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102419449A (zh) * 2010-09-28 2012-04-18 西门子公司 湿度稳定的闪烁体
KR20150046624A (ko) * 2013-10-22 2015-04-30 주식회사 레이언스 엑스선 검출장치
CN106653903A (zh) * 2016-12-16 2017-05-10 苏州赛伍应用技术有限公司 一种高阻水共挤氟膜及其在太阳能电池背板中的应用
CN206400115U (zh) * 2017-01-04 2017-08-11 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种闪烁屏封装结构
CN107978655A (zh) * 2017-11-28 2018-05-01 湖北京邦科技有限公司 一种辐射探测器的制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102419449A (zh) * 2010-09-28 2012-04-18 西门子公司 湿度稳定的闪烁体
KR20150046624A (ko) * 2013-10-22 2015-04-30 주식회사 레이언스 엑스선 검출장치
CN106653903A (zh) * 2016-12-16 2017-05-10 苏州赛伍应用技术有限公司 一种高阻水共挤氟膜及其在太阳能电池背板中的应用
CN206400115U (zh) * 2017-01-04 2017-08-11 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种闪烁屏封装结构
CN107978655A (zh) * 2017-11-28 2018-05-01 湖北京邦科技有限公司 一种辐射探测器的制造方法

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