CN110082337A - 具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及拉曼检测技术领域，且公开了一种具有SERS活性的Au‑Ag复合材料及其制备方法，包括以下步骤：首先、采用标准的RCA清洗流程深度清洗P型单晶硅片，然后，利用水热腐蚀法制备纳米多孔硅柱状阵列。最后，采用浸渍还原和置换反应方法制备Ag‑Au/纳米多孔硅柱状阵列SERS。本发明方法得到的Ag‑Au/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底具有优异的表面增强拉曼散射能力，并且制备方法简单易行，表面粗糙度均匀、增强效果良好、探测灵敏度极高、化学稳定性好、成本低廉，未来将在医学、生物、化学和化工等科学领域，尤其是在痕量分析、定性检测和单分子体系光谱等方面的拥有极大的应用前景。

Description

具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及拉曼检测技术领域，具体为一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法。
背景技术
表面增强拉曼散射光谱,是一种能显著增强吸附在金属纳米粒子上的分析物拉曼信号的技术,它通过给出被分析物的振动光谱,从而提供其物质结构信息。技术凭借高灵敏度、高准确性并且能迅速得到复杂体系中衡量物质的指纹信息等优点在化学分析、食品污染物检测、生物传感和环境监测等领域备受关注。由于分子所吸附的基底表面形态是SERS效应能否发生和SERS信号强弱的重要影响因素,所以分子的承载基底非常关键，因而SERS活性基底的研究一直是该领域的研究热点之一。其中，金、银、铜三类贵金属纳米体系一直是研究最热、最多、增强最为明显的活性基底。其中银拥有最强SERS活性，但空气和水中容易氧化，SERS稳定性较差。而金的SERS活性仅次于银，但是稳定性很好。因此如果能将金银结合制备双元金属SERS基底，能够充分利用金的化学稳定性和银在等离光子学方面的优势，能使基底增强能力大幅度提高。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，具备优异的表面增强拉曼散射能力、制备方法简单易行和探测灵敏度极高等优点，解决了以往检测方法散射能力差、制备方法复杂和探测灵敏地低的问题。
(二)技术方案
为实现上述优异的表面增强拉曼散射能力、制备方法简单易行和探测灵敏度极高的目的，本发明提供如下技术方案：一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、具有良好还原性的纳米多孔硅柱状阵列的制备：采用标准的RCA清洗流程对P型单晶硅片进行深度清洗；
步骤B、将清洗后的硅片竖直放入水热反应釜中，注入配置好的腐蚀液；
步骤C、将反应釜放入干燥箱中，进行升温和保温处理；
步骤D、从干燥箱中取出反应釜冷却至室温后，再从反应釜中取出腐蚀好的硅片，用去离子水和乙醇反复多次冲洗，室温晾干后即为纳米多孔硅柱状阵列；
步骤E、Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底的制备：将衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡，之后用去离子水反复冲洗后备用；
步骤F、将步骤E中处理完毕的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍，浸泡完成后用去离子水反复冲洗去除残液；
步骤G、将浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡，取出后用去离子水反复冲洗，晾干，即得Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底；
步骤H、将步骤G中的Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡，消除含碳杂质以免影响SERS基底的探测效果；
步骤I、将上述所得SERS活性基底在不同浓度的R6G溶液中浸渍一段时间进行目标吸附，随后将浸渍完成的样品用去离子水反复冲洗，自然晾干后进行拉曼探测
优选的，所述步骤A中腐蚀液的配比为13mol/L氢氟酸、0.03mol/L九水合硝酸铁和去离子水。
优选的，所述步骤B中反应釜的填充度为88％。
优选的，所述步骤C中升温的温度范围为130-150度，保温的时间范围为35-45min。
优选的，所述步骤E中衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡的时间为1-3min，浸泡完成后用去离子水反复冲洗至少五次。
优选的，所述步骤F中处理完毕的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍时间为3-5分钟。
优选的，所述步骤G中浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡时间为3-5分钟。
优选的，所述步骤H中的Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡的时间为10-20分钟。
优选的，所述步骤I中SERS活性基底在不同浓度的R6G溶液中浸渍时间为10-20分钟。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，具备以下有益效果：
本发明方法得到的Ag-Au/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底具有优异的表面增强拉曼散射能力，并且制备方法简单易行，表面粗糙度均匀、增强效果良好、探测灵敏度极高、化学稳定性好、成本低廉，未来将在医学、生物、化学和化工等科学领域，尤其是在痕量分析、定性检测和单分子体系光谱等方面的拥有极大的应用前景。
附图说明
图1为本发明Ag-Au/纳米多孔硅柱状阵列的FE-SEM图片；
图2为本发明Ag-Au/纳米多孔硅柱状阵列的EDS图片；
图3为本发明Ag/纳米多孔硅柱状阵列活性基底对10-9mol/L R6G溶液的SERS光谱图；
图4为本发明浸渍不同浓度的萘的Ag-Au/纳米多孔硅柱状阵列的SERS光谱。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
(1)、具有良好还原性的纳米多孔硅柱状阵列的制备
利用水热腐蚀法制备纳米多孔硅柱状阵列：(1)首先采用标准的RCA清洗流程在对P型单晶硅片进行深度清洗。(2)将清洗后的硅片竖直放入水热反应釜中，注入配置好的腐蚀液(13mol/L氢氟酸、0.03mol/L九水合硝酸铁和去离子水组成，反应釜填充度88％)。(3)将反应釜放入干燥箱中，升温到140℃，保温40分钟，从干燥箱中取出反应釜冷却至室温后，再从反应釜中取出腐蚀好的硅片，用去离子水和乙醇反复多次冲洗，室温晾干后即为纳米多孔硅柱状阵列。
(2)、Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底的制备
纳米多孔硅柱状阵列本身具有较大的比表面积和开放的纳米孔结构，并且具有很强的还原性，但不同部位的还原性差别较大，为了使得衬底整体的还原性较均匀，制作之前将衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡两分钟，之后用去离子水反复冲洗后备用。然后采用简单的浸渍还原法和置换反应法制备Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底。
首先，将处理好的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍3-5分钟，可以观察到随着浸渍时间的增加，纳米多孔硅柱状阵列表面从原来的黑色逐渐变为灰白色，同时有小气泡在表面产生，浸泡完成后用去离子水反复冲洗去除残液，然后将浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡5分钟，取出后用去离子水反复冲洗，晾干，即得Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底。图1为Ag-Au/纳米多孔硅柱状阵列的FE-SEM图片。图中Ag-Au纳米颗在硅柱间一种“手链”状结构分布，“手链”彼此相连，最后形成了一种均匀的网状结构。硅柱垂直生长在单晶硅上，且均匀分散。EDS测试结果(图2)表明Ag-Au成功沉积在纳米多孔硅柱状阵列上。
(3)、样品预处理和Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底的拉曼增强性能测试
a)样品预处理
将Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡20min，消除含碳杂质以免影响SERS基底的探测效果。
b)Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底的拉曼增强性能测试
为了测试本发明拉曼基底的拉曼增强性能，采用R6G和萘作为探针分子，将本发明SERS活性基底在不同浓度的R6G溶液中浸渍20min进行目标吸附。随后将浸渍完成的样品用去离子水反复冲洗，自然晾干后进行拉曼探测。图3为Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS基底和Ag-Au/纳米多孔硅柱状阵列SERS基底探测不同浓度R6G的SERS谱，(a)Ag/纳米多孔硅柱状阵列活性基底对10-9mol/L R6G溶液的SERS光谱，(b)-(e)浸渍不同浓度的R6G的Ag-Au/纳米多孔硅柱状阵列的SERS光谱。浓度分别为(b)。10-9mol/L，(c).10-11mol/L，(d).10-13mol/L，(e).10-15mol/L，对比可看出，Ag-Au/纳米多孔硅柱状阵列SERS基底对R6G的探测能力明显增强，探测极限可达10-15mol/L，这充分的证明运用本方法制备的活性基底对探测分子进行光谱检测有极高的灵敏性。并且除了常规的拉曼峰612cm-1、774cm-1、1181cm-1、1310cm-1、1509cm-1、1574cm-1、1649cm-1外，还出现了其它拉曼基底的SERS光谱中没有出现的新峰：如638cm-1、659cm-1、1124cm-1和1536cm-1处。分析原因可能是由于双金属的存在导致对R6G分子的吸附行为改变或者两者之间出现电荷转移等。
图4为Ag-Au/纳米多孔硅柱状阵列SERS基底探测不同浓度萘的SERS谱，浓度分别为(a).500nmol/L，(b).100nmol/L，(c).50nmol/L，很明显，萘的拉曼峰均被探测出来，且探测浓度可达5×10-8mol/L。上述结果证明Ag-Au/纳米多孔硅柱状阵列活性基底具有很高的探测能力和探测灵敏度。
实施例一：
一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、具有良好还原性的纳米多孔硅柱状阵列的制备：采用标准的RCA清洗流程对P型单晶硅片进行深度清洗；
步骤B、将清洗后的硅片竖直放入水热反应釜中，注入配置好的腐蚀液；
步骤C、将反应釜放入干燥箱中，进行升温和保温处理；
步骤D、从干燥箱中取出反应釜冷却至室温后，再从反应釜中取出腐蚀好的硅片，用去离子水和乙醇反复多次冲洗，室温晾干后即为纳米多孔硅柱状阵列；
步骤E、Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底的制备：将衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡，之后用去离子水反复冲洗后备用；
步骤F、将步骤E中处理完毕的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍，浸泡完成后用去离子水反复冲洗去除残液；
步骤G、将浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡，取出后用去离子水反复冲洗，晾干，即得Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底；
步骤H、将步骤G中的Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡，消除含碳杂质以免影响SERS基底的探测效果；
步骤I、将上述所得SERS活性基底在10-9mol/L的R6G溶液中浸渍一段时间进行目标吸附，随后将浸渍完成的样品用去离子水反复冲洗，自然晾干后进行拉曼探测
实施例二：
一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、具有良好还原性的纳米多孔硅柱状阵列的制备：采用标准的RCA清洗流程对P型单晶硅片进行深度清洗；
步骤B、将清洗后的硅片竖直放入水热反应釜中，注入配置好的腐蚀液；
步骤C、将反应釜放入干燥箱中，进行升温和保温处理；
步骤D、从干燥箱中取出反应釜冷却至室温后，再从反应釜中取出腐蚀好的硅片，用去离子水和乙醇反复多次冲洗，室温晾干后即为纳米多孔硅柱状阵列；
步骤E、Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底的制备：将衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡，之后用去离子水反复冲洗后备用；
步骤F、将步骤E中处理完毕的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍，浸泡完成后用去离子水反复冲洗去除残液；
步骤G、将浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡，取出后用去离子水反复冲洗，晾干，即得Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底；
步骤H、将步骤G中的Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡，消除含碳杂质以免影响SERS基底的探测效果；
步骤I、将上述所得SERS活性基底在10-11mol/L的R6G溶液中浸渍一段时间进行目标吸附，随后将浸渍完成的样品用去离子水反复冲洗，自然晾干后进行拉曼探测
实施例三：
一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、具有良好还原性的纳米多孔硅柱状阵列的制备：采用标准的RCA清洗流程在对P型单晶硅片进行深度清洗；
步骤B、将清洗后的硅片竖直放入水热反应釜中，注入配置好的腐蚀液；
步骤C、将反应釜放入干燥箱中，进行升温和保温处理；
步骤D、从干燥箱中取出反应釜冷却至室温后，再从反应釜中取出腐蚀好的硅片，用去离子水和乙醇反复多次冲洗，室温晾干后即为纳米多孔硅柱状阵列；
步骤E、Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底的制备：将衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡，之后用去离子水反复冲洗后备用；
步骤F、将步骤E中处理完毕的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍，浸泡完成后用去离子水反复冲洗去除残液；
步骤G、将浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡，取出后用去离子水反复冲洗，晾干，即得Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底；
步骤H、将步骤G中的Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡，消除含碳杂质以免影响SERS基底的探测效果；
步骤I、将上述所得SERS活性基底在10-13mol/L的R6G溶液中浸渍一段时间进行目标吸附，随后将浸渍完成的样品用去离子水反复冲洗，自然晾干后进行拉曼探测
实验例四：
一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、具有良好还原性的纳米多孔硅柱状阵列的制备：采用标准的RCA清洗流程对P型单晶硅片进行深度清洗；
步骤B、将清洗后的硅片竖直放入水热反应釜中，注入配置好的腐蚀液；
步骤C、将反应釜放入干燥箱中，进行升温和保温处理；
步骤D、从干燥箱中取出反应釜冷却至室温后，再从反应釜中取出腐蚀好的硅片，用去离子水和乙醇反复多次冲洗，室温晾干后即为纳米多孔硅柱状阵列；
步骤E、Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底的制备：将衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡，之后用去离子水反复冲洗后备用；
步骤F、将步骤E中处理完毕的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍，浸泡完成后用去离子水反复冲洗去除残液；
步骤G、将浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡，取出后用去离子水反复冲洗，晾干，即得Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底；
步骤H、将步骤G中的Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡，消除含碳杂质以免影响SERS基底的探测效果；
步骤I、将上述所得SERS活性基底在10-15mol的R6G溶液中浸渍一段时间进行目标吸附，随后将浸渍完成的样品用去离子水反复冲洗，自然晾干后进行拉曼探测。
实施例五：
一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、具有良好还原性的纳米多孔硅柱状阵列的制备：采用标准的RCA清洗流程对P型单晶硅片进行深度清洗；
步骤B、将清洗后的硅片竖直放入水热反应釜中，注入配置好的腐蚀液；
步骤C、将反应釜放入干燥箱中，进行升温和保温处理；
步骤D、从干燥箱中取出反应釜冷却至室温后，再从反应釜中取出腐蚀好的硅片，用去离子水和乙醇反复多次冲洗，室温晾干后即为纳米多孔硅柱状阵列；
步骤E、Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底的制备：将衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡，之后用去离子水反复冲洗后备用；
步骤F、将步骤E中处理完毕的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍，浸泡完成后用去离子水反复冲洗去除残液；
步骤G、将浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡，取出后用去离子水反复冲洗，晾干，即得Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底；
步骤H、将步骤G中的Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡，消除含碳杂质以免影响SERS基底的探测效果；
步骤I、将上述所得SERS活性基底在500nmol/L的萘溶液中浸渍一段时间进行目标吸附，随后将浸渍完成的样品用去离子水反复冲洗，自然晾干后进行拉曼探测
实施例六：
一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、具有良好还原性的纳米多孔硅柱状阵列的制备：采用标准的RCA清洗流程对P型单晶硅片进行深度清洗；
步骤B、将清洗后的硅片竖直放入水热反应釜中，注入配置好的腐蚀液；
步骤C、将反应釜放入干燥箱中，进行升温和保温处理；
步骤D、从干燥箱中取出反应釜冷却至室温后，再从反应釜中取出腐蚀好的硅片，用去离子水和乙醇反复多次冲洗，室温晾干后即为纳米多孔硅柱状阵列；
步骤E、Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底的制备：将衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡，之后用去离子水反复冲洗后备用；
步骤F、将步骤E中处理完毕的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍，浸泡完成后用去离子水反复冲洗去除残液；
步骤G、将浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡，取出后用去离子水反复冲洗，晾干，即得Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底；
步骤H、将步骤G中的Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡，消除含碳杂质以免影响SERS基底的探测效果；
步骤I、将上述所得SERS活性基底在100nmol/L的萘溶液中浸渍一段时间进行目标吸附，随后将浸渍完成的样品用去离子水反复冲洗，自然晾干后进行拉曼探测
实施例七：
一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、具有良好还原性的纳米多孔硅柱状阵列的制备：采用标准的RCA清洗流程对P型单晶硅片进行深度清洗；
步骤B、将清洗后的硅片竖直放入水热反应釜中，注入配置好的腐蚀液；
步骤C、将反应釜放入干燥箱中，进行升温和保温处理；
步骤D、从干燥箱中取出反应釜冷却至室温后，再从反应釜中取出腐蚀好的硅片，用去离子水和乙醇反复多次冲洗，室温晾干后即为纳米多孔硅柱状阵列；
步骤E、Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底的制备：将衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡，之后用去离子水反复冲洗后备用；
步骤F、将步骤E中处理完毕的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍，浸泡完成后用去离子水反复冲洗去除残液；
步骤G、将浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡，取出后用去离子水反复冲洗，晾干，即得Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底；
步骤H、将步骤G中的Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡，消除含碳杂质以免影响SERS基底的探测效果；
步骤I、将上述所得SERS活性基底在50nmol/L的萘溶液中浸渍一段时间进行目标吸附，随后将浸渍完成的样品用去离子水反复冲洗，自然晾干后进行拉曼探测
本发明的有益效果是：本发明方法得到的Ag-Au/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底具有优异的表面增强拉曼散射能力，并且制备方法简单易行，表面粗糙度均匀、增强效果良好、探测灵敏度极高、化学稳定性好、成本低廉，未来将在医学、生物、化学和化工等科学领域，尤其是在痕量分析、定性检测和单分子体系光谱等方面的拥有极大的应用前景。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (9)

1.一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、具有良好还原性的纳米多孔硅柱状阵列的制备：采用标准的RCA清洗流程对P型单晶硅片进行深度清洗；
步骤B、将清洗后的硅片竖直放入水热反应釜中，注入配置好的腐蚀液；
步骤C、将反应釜放入干燥箱中，进行升温和保温处理；
步骤D、从干燥箱中取出反应釜冷却至室温后，再从反应釜中取出腐蚀好的硅片，用去离子水和乙醇反复多次冲洗，室温晾干后即为纳米多孔硅柱状阵列；
步骤E、Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底的制备：将衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡，之后用去离子水反复冲洗后备用；
步骤F、将步骤E中处理完毕的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍，浸泡完成后用去离子水反复冲洗去除残液；
步骤G、将浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡，取出后用去离子水反复冲洗，晾干，即得Au-Ag/纳米多孔硅柱状阵列SERS活性基底；
步骤H、将步骤G中的Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡，消除含碳杂质以免影响SERS基底的探测效果；
步骤I、将上述所得SERS活性基底在不同浓度的R6G溶液中浸渍一段时间进行目标吸附，随后将浸渍完成的样品用去离子水反复冲洗，自然晾干后进行拉曼探测。
2.根据权利要求1所述的一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，所述步骤A中腐蚀液的配比为13mol/L氢氟酸、0.03mol/L九水合硝酸铁和去离子水。
3.根据权利要求1所述的一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，所述步骤B中反应釜的填充度为88％。
4.根据权利要求1所述的一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，所述步骤C中升温的温度范围为130-150度，保温的时间范围为35-45min。
5.根据权利要求1所述的一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，所述步骤E中衬底放入稀的HF酸溶液中浸泡的时间为1-3min，浸泡完成后用去离子水反复冲洗至少五次。
6.根据权利要求1所述的一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，所述步骤F中处理完毕的纳米多孔硅柱状阵列放入10-3mol/L的硝酸银溶液中浸渍时间为3-5分钟。
7.根据权利要求1所述的一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，所述步骤G中浸泡过硝酸银的纳米多孔硅柱状阵列置入10-5mol/L的氯金酸溶液中浸泡时间为3-5分钟。
8.根据权利要求1所述的一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，所述步骤H中的Au-Ag/硅柱阵列SERS活性基底在10-1mol/L的KCl溶液中浸泡的时间为10-20分钟。
9.根据权利要求1所述的一种具有SERS活性的Au-Ag复合材料及其制备方法，其特征在于，所述步骤I中SERS活性基底在不同浓度的R6G溶液中浸渍时间为10-20分钟。
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