CN110065472A - 汽车防破坏报警电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供汽车防破坏报警电路,其包括电阻R1、红外反射式传感器U1、NPN三极管Q2、N沟道MOSFET Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、发光二极管D1、蜂鸣器BUZ1。本发明将红外反射式传感器U1安装于汽车一侧,+12VDC通过电阻R1使得红外反射式传感器U1发射端导通,发出红外光,假如有人接近汽车这一面,距离车比较近的时候,红外反射式传感器U1接收端就会收到足够强的反射光并导通,继而NPN三极管Q2导通,N沟道MOSFET Q1导通,发光二极管D1和蜂鸣器BUZ1发出声光报警,喝退破坏人员,人员离开车子一定距离之后,红外反射式传感器U1接收端截止,继而NPN三极管Q2截止,N沟道MOSFET Q1截止,声光报警结束,如果在汽车的四面均安装此电路模块,则能很好地保护汽车不被近距离恶意破坏。
Description
技术领域
本发明涉及报警电路,尤其涉及汽车防破坏报警电路,属于汽车电子电路、集成电路领域。
背景技术
目前,很多人都有这样的体验,汽车放到小区的车位上一不小心就被人恶意刮花,紧接着就是这各种扯皮,买了保险还好,否则就是财产被损,筋疲力尽,最后还要自己掏钱修车,所以还是有不少产品应运而生,它们往往功能强大,有摄像抓拍的功能,但是价格昂贵,体积较大,不容易隐藏式安装,所以不利于普及,同时有死角,容易被懂行的破坏分子钻空子。
发明内容
本发明为了解决上述问题,提供了汽车防破坏报警电路。该电路设计非常简单、简洁,以最少的器件、极小的体积、极低的成本实现了车辆接近报警功能,价格不足市场上相同产品的10%,可以在车辆四面甚至更多的面部署,真正做到360︒无死角全面防御。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:汽车防破坏报警电路,其包括电阻R1、红外反射式传感器U1、NPN三极管Q2、N沟道MOSFET Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、发光二极管D1、蜂鸣器BUZ1;所述红外反射式传感器U1安装于汽车一侧,+12VDC通过电阻R1使得红外反射式传感器U1发射端导通,发出红外光,假如有人接近汽车这一面,距离车比较近的时候,红外反射式传感器U1接收端就会收到足够强的反射光并导通,继而NPN三极管Q2导通,N沟道MOSFET Q1导通,发光二极管D1和蜂鸣器BUZ1发出声光报警,喝退破坏人员,人员离开车子一定距离之后,红外反射式传感器U1接收端截止,继而NPN三极管Q2截止,N沟道MOSFETQ1截止,声光报警结束,如果在汽车的四面均安装此电路模块,则能很好地保护汽车不被近距离恶意破坏。
进一步地,所述+12VDC接电阻R1上端、红外反射式传感器U1接收端C极、NPN三极管Q2C极;所述红外反射式传感器U1发射端A极接电阻R1下端;所述红外反射式传感器U1发射端K极接地;所述红外反射式传感器U1接收端E极接NPN三极管Q2基极、电阻R2上端;所述NPN三极管Q2发射极接电阻R3上端、N沟道MOSFET Q1栅极;所述+24VDC接N沟道MOSFET Q1漏极;所述N沟道MOSFET Q1源极接电阻R4上端、蜂鸣器BUZ1上端;所述电阻R4下端接发光二极管D1阳极;所述地接蜂鸣器BUZ1下端、发光二极管D1阴极。
所述红外反射式传感器U1的型号为E8-D50NK。
所述NPN型三极管Q2的型号为2N2926。
所述N沟道MOSFET Q1的型号为BUZ10。
本发明具有以下有益效果:本发明以极低的成本,实现了车辆接近报警功能,性价比极高,有大面积推广使用的可能性,如果推广使用,能够以不足10%的成本实现报警喝退功能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出,创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,汽车防破坏报警电路,汽车防破坏报警电路,其包括电阻R1(1)、红外反射式传感器U1(2)、NPN三极管Q2(3)、N沟道MOSFET Q1(4)、电阻R2(5)、电阻R3(6)、电阻R4(7)、发光二极管D1(8)、蜂鸣器BUZ1(9);所述红外反射式传感器U1(2)安装于汽车一侧,+12VDC通过电阻R1(1)使得红外反射式传感器U1(2)发射端导通,发出红外光,假如有人接近汽车这一面,距离车比较近的时候,红外反射式传感器U1(2)接收端就会收到足够强的反射光并导通,继而NPN三极管Q2(3)导通,N沟道MOSFET Q1(4)导通,发光二极管D1(8)和蜂鸣器BUZ1(9)发出声光报警,喝退破坏人员,人员离开车子一定距离之后,红外反射式传感器U1(2)接收端截止,继而NPN三极管Q2(3)截止,N沟道MOSFET Q1(4)截止,声光报警结束,如果在汽车的四面均安装此电路模块,则能很好地保护汽车不被近距离恶意破坏。所述+12VDC接电阻R1(1)上端、红外反射式传感器U1(2)接收端C极、NPN三极管Q2(3)C极;所述红外反射式传感器U1(2)发射端A极接电阻R1(1)下端;所述红外反射式传感器U1(2)发射端K极接地;所述红外反射式传感器U1(2)接收端E极接NPN三极管Q2(3)基极、电阻R2(5)上端;所述NPN三极管Q2(3)发射极接电阻R3(6)上端、N沟道MOSFET Q1(4)栅极;所述+24VDC接N沟道MOSFET Q1(4)漏极;所述N沟道MOSFET Q1(4)源极接电阻R4(7)上端、蜂鸣器BUZ1(9)上端;所述电阻R4(7)下端接发光二极管D1(8)阳极;所述地接蜂鸣器BUZ1(9)下端、发光二极管D1(8)阴极。所述红外反射式传感器U1(2)的型号为E8-D50NK。所述NPN型三极管Q2(3)的型号为2N2926。所述N沟道MOSFET Q1(4)的型号为BUZ10。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.汽车防破坏报警电路,其特征在于:包括电阻R1(1)、红外反射式传感器U1(2)、NPN三极管Q2(3)、N沟道MOSFET Q1(4)、电阻R2(5)、电阻R3(6)、电阻R4(7)、发光二极管D1(8)、蜂鸣器BUZ1(9);所述红外反射式传感器U1(2)安装于汽车一侧,+12VDC通过电阻R1(1)使得红外反射式传感器U1(2)发射端导通,发出红外光,假如有人接近汽车这一面,距离车比较近的时候,红外反射式传感器U1(2)接收端就会收到足够强的反射光并导通,继而NPN三极管Q2(3)导通,N沟道MOSFET Q1(4)导通,发光二极管D1(8)和蜂鸣器BUZ1(9)发出声光报警,喝退破坏人员,人员离开车子一定距离之后,红外反射式传感器U1(2)接收端截止,继而NPN三极管Q2(3)截止,N沟道MOSFET Q1(4)截止,声光报警结束,如果在汽车的四面均安装此电路模块,则能很好地保护汽车不被近距离恶意破坏。
2.根据权利要求1所述的汽车防破坏报警电路,其特征在于:所述+12VDC接电阻R1(1)上端、红外反射式传感器U1(2)接收端C极、NPN三极管Q2(3)C极;所述红外反射式传感器U1(2)发射端A极接电阻R1(1)下端;所述红外反射式传感器U1(2)发射端K极接地;所述红外反射式传感器U1(2)接收端E极接NPN三极管Q2(3)基极、电阻R2(5)上端;所述NPN三极管Q2(3)发射极接电阻R3(6)上端、N沟道MOSFET Q1(4)栅极;所述+24VDC接N沟道MOSFET Q1(4)漏极;所述N沟道MOSFET Q1(4)源极接电阻R4(7)上端、蜂鸣器BUZ1(9)上端;所述电阻R4(7)下端接发光二极管D1(8)阳极;所述地接蜂鸣器BUZ1(9)下端、发光二极管D1(8)阴极。
3.根据权利要求1所述的汽车防破坏报警电路,其特征在于:所述红外反射式传感器U1(2)的型号为E8-D50NK。
4.根据权利要求1所述的汽车防破坏报警电路,其特征在于:所述NPN型三极管Q2(3)的型号为2N2926。
5.根据权利要求1所述的汽车防破坏报警电路,其特征在于:所述N沟道MOSFET Q1(4)的型号为BUZ10。
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