CN110061020A - 图像传感器及其形成方法、工作方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 439
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 71
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 30
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N [C].[N] Chemical compound [C].[N] CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区包括多个第一隔离区和多个第一像素区，所述第一隔离区位于相邻第一像素区之间，所述第二区包括多个第二像素区和多个第二隔离区，所述第二隔离区位于相邻第二像素区之间；在所述衬底第一隔离区表面形成第一栅格层；在衬底第一像素区表面形成第一滤光层，所述第一滤光层位于第一栅格层之间；在衬底第二隔离区表面形成第二栅格层，所述第二栅格层顶部表面高于第一栅格层；在衬底第二像素区表面形成第二滤光层，所述第二滤光层位于第二栅格层之间，所述第二滤光层的厚度大于第一滤光层的厚度。所述方法提高了图像传感器的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法、工作方法。
背景技术
图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。图像传感器分为互补金属氧化物(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。CMOS图像传感器具有工艺简单、易与其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。目前，CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。
CMOS图像传感器包括前照式(FSI)图像传感器和背照式(BSI)图像传感器。在背照式图像传感器中，光从图像传感器的背面入射到图像传感器中的感光二极管上，从而将光能转化为电能。
图像传感器中采用栅格层隔离滤光层以减小相邻像素单元之间的串扰，然而随着器件集成度的提高，图像传感器中滤光层的高度难以调节，影响了图像传感器的性能。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法、工作方法，以提高图像传感器的性能。
为解决上述技术问题，本发明提供一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区包括多个第一隔离区和多个第一像素区，所述第一隔离区位于相邻第一像素区之间，所述第二区包括多个第二像素区和多个第二隔离区，所述第二隔离区位于相邻第二像素区之间；在所述衬底第一隔离区表面形成第一栅格层；在衬底第一像素区表面形成第一滤光层，所述第一滤光层位于第一栅格层之间；在衬底第二隔离区表面形成第二栅格层，所述第二栅格层顶部表面高于第一栅格层；在衬底第二像素区表面形成第二滤光层，所述第二滤光层位于第二栅格层之间，所述第二滤光层的厚度大于第一滤光层的厚度。
可选的，所述第一栅格层的形成方法包括：在所述衬底第一区和第二区表面形成初始第一栅格材料层；在所述初始第一栅格材料层表面形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出第一像素区的初始第一栅格材料层，所述第一图形化层覆盖第二区和第一隔离区的初始第一栅格材料层；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀去除第一像素区的初始第一栅格材料层，在衬底第一隔离区形成第一栅格层，相邻第一栅格层之间具有第一凹槽。
可选的，形成初始第一栅格材料层之前，还包括：在所述衬底第一区和第二区表面形成保护层；所述初始第一栅格材料层位于所述保护层表面；以所述第一图形化层为掩膜刻蚀所述初始第一栅格材料层，直至暴露出第一隔离区的保护层表面，在第一隔离区保护层表面形成第一栅格层，相邻第一栅格层之间具有第一凹槽，所述第一凹槽暴露出第一像素区的保护层表面。
可选的，所述第二栅格层的形成方法包括：形成第一滤光层后，在所述第二区的初始第一栅格材料层、第一滤光层和第一栅格层表面形成初始增厚层；在所述初始增厚层表面形成第二图形化层，所述第二图形化层暴露出第二像素区的初始增厚层，所述第二图形化层覆盖第一区和第二隔离区的初始增厚层；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀去除第二像素区的初始增厚层和初始第一栅格材料层，在衬底第二隔离区形成第二栅格层，相邻第二栅格层之间具有第二凹槽。
可选的，所述第一滤光层的形成方法包括：在所述第一凹槽内、第一栅格层表面和第二区的初始第一栅格材料层表面形成初始第一滤光层；回刻蚀所述初始第一滤光层，直至暴露出第一栅格层表面，形成所述第一滤光层。
可选的，所述第二滤光层的形成方法包括：刻蚀去除第二像素区的初始增厚层和初始第一栅格材料层后，在所述第二凹槽内、第一区初始增厚层表面和第二栅格层表面形成初始第二滤光层；回刻蚀所述初始第二滤光层，直至暴露出第二栅格层表面，形成所述第二滤光层。
可选的，所述初始增厚层的材料包括氧化硅或氮化硅。
可选的，所述第一栅格层的材料为金属材料，所述金属材料包括：铜、钨、镍、铬、钛、钽和铝中的一种或多种组合。
可选的，所述第一滤光层的高度小于或等于第一栅格层的高度。
可选的，所述第二滤光层的高度小于或等于第二栅格层的高度。
可选的，所述第二滤光层与第一滤光层的高度差为350nm～450nm。
可选的，形成第二滤光层后，还包括：在所述第一滤光层表面形成第一透镜层；在所述第二滤光层表面形成第二透镜层。
可选的，所述第一滤光层为有色滤光层或者白光滤光层，所述有色滤光层包括红光滤光层、蓝光滤光层和绿光滤光层。
本发明还提供一种采用上述任一项方法所形成的图像传感器，包括：衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区包括多个第一隔离区和多个第一像素区，所述第一隔离区位于相邻第一像素区之间，所述第二区包括多个第二像素区和多个第二隔离区，所述第二隔离区位于相邻第二像素区之间；位于所述衬底第一隔离区表面的第一栅格层；位于衬底第一像素区表面的第一滤光层，所述第一滤光层位于第一栅格层之间；位于衬底第二隔离区表面的第二栅格层，所述第二栅格层顶部表面高于第一栅格层；位于衬底第二像素区表面的第二滤光层，所述第二滤光层位于第二栅格层之间，所述第二滤光层的厚度大于第一滤光层的厚度。
本发明还提供一种图像传感器的工作方法，包括：提供上述图像传感器；采用所述第一像素区进行相位对焦；或者，采用所述第二像素区进行相位对焦。
可选的，所述第二滤光层为有色滤光层或者白光滤光层，所述有色滤光层包括红光滤光层、蓝光滤光层和绿光滤光层。
本发明还提供另一种图像传感器的工作方法，其特征在于，包括：提供上述图像传感器；采用所述第一像素区进行图像捕获；采用所述第二像素区进行相位对焦。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的图像传感器的形成方法中，所述第二区的第二滤光层的高度高于第一区的第一滤光层。所述第一滤光层的厚度较薄，入射光穿过第一滤光层损耗较小，则第一像素区的入光量相对较多，第一区的光生载流子数量较多，第一区的光电转换效率较高，因此第一区的图像传感器在暗场情况下具有较高的光电转换效率。所述第二滤光层的厚度较厚，入射光穿过第二滤光层后损耗较大，则第二像素区的入光量相对较少，第二区的光生载流子数量较少。第二区的光生载流子数量较少，相应的第二区的电子溢出减少，从而能减少暗电流的产生，因此第二区的图像传感器的暗电流较小。从而实现了不同区域所形成的图像传感器的不同功能需求的结合，使得图像传感器的性能得到提升。
本发明技术方案提供的图像传感器的工作方法中，采用所述第一像素区进行相位对焦时，第一像素区的第一滤光层厚度较薄，在暗场情况下提高第一像素区的光电转换效率，提高了相位对焦的速度，进而提高图像传感器的灵敏度。采用所述第二像素区进行相位对焦时，第二像素区的第二滤光层厚度较厚，在较强光场情况下光损耗较大，能够减少光生载流子的产生，从而减小第二像素区的感光结构的电子溢出，进而减小第二像素区的暗电流。所述图像传感器能适应不同情况下的不同功能需求，使得图像传感器的性能得到提升。
本发明技术方案提供的图像传感器的工作方法中，第一像素区的第一滤光层厚度较薄，用于在暗场情况下提高图像捕获区的光电转换效率，从而提高暗场情况下图像的质量；第二像素区的第二滤光层厚度较厚，在较强光场情况下光损耗较大，能够减少光生载流子的产生，从而减小相位对焦区的感光结构的电子溢出，进而减小相位对焦区的暗电流。所述图像传感器能适应图像捕获区和相位对焦区的不同功能需求，使得图像传感器的性能得到提升。
附图说明
图1至图2是一种图像传感器形成过程的结构示意图；
图3至图11是本发明一实施例中图像传感器形成过程的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术的图像传感器的性能较差。
图1至图2是一种图像传感器形成过程的结构示意图。
参考图1，提供衬底100，所述衬底100包括第一区A和第二区B，所述衬底100具有相对的第一面和第二面；在所述衬底100第一区A和第二区B内形成感光结构110，所述衬底100第一面暴露出感光结构110；在所述衬底100第一区A和第二区B第二面形成第一阻挡层101；在所述第一阻挡层101表面形成栅格层102，相邻栅格层102之间具有凹槽104，所述凹槽104位于衬底100第一区A和第二区B表面。
参考图2，在所述凹槽104内形成滤光层105。
上述图像传感器的形成方法中，所述滤光层为有色滤光层，所述有色滤光层包括：红光滤光层、绿光滤光层和蓝光滤光层。在一些半导体器件中，为实现不同的功能需求，第一区内和第二区内的相同颜色滤光层的高度需要不一致。例如，第一区A用于形成普通像素区，需要增大第一区A的入光量；而第二区B用于形成相位对焦区，第一区A入光量增大的同时，相位对焦区的感光结构的入光量也增大，第二区B的入光量的增加容易在第二区B的衬底内产生电子溢出，从而使得第二区B的暗电流较大。因此需要有一种设计，能增大第一区A的入光量，同时减少第二区B的暗电流。由于光线在滤光层内有损耗，滤光层越厚，损耗越大，因此为满足半导体器件的需求，第一区的厚度较薄，用于增大入光量；第二区的厚度较厚，用以减少电子溢出。然而采用上述方法形成的有色滤光层的高度难以调节。因此难以在同一衬底上形成不同功能的图像传感器，导致图像传感器形成较差。
本发明的技术方案中，在第一像素区形成第一滤光层；在第二像素区形成第二滤光层，而且所述第二滤光层的厚度大于第一滤光层。所述第一滤光层的厚度较薄，应用于暗场情况下提高光电转换效率；所述第二滤光层的厚度较厚，应用于较强光场情况下增加，减小暗电流。所述方法提高了图像传感器的性能。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
本说明书中的“表面”，用于描述空间的相对位置关系，并不限定于直接接触。
图3至图11是本发明一实施例中图像传感器形成过程的结构示意图。
请参考图3，提供衬底200，所述衬底200包括第一区I和第二区II，所述第一区I包括多个第一隔离区和多个第一像素区，所述第一隔离区位于相邻第一像素区之间，所述第二区II包括多个第二像素区和多个第二隔离区，所述第二隔离区位于相邻第二像素区之间。
所述衬底200具有相对的第一面和第二面。
本实施例中，所述衬底200的材料为单晶硅。所述衬底200还可以是多晶硅或非晶硅。所述衬底200的材料还可以为锗、锗化硅、砷化镓等半导体材料。所述衬底200的还可以为绝缘体上的硅衬底、绝缘体上的锗衬底或玻璃衬底等其他类型的衬底。
所述衬底200用于为所述感光结构210的形成提供工艺基础。
所述衬底200的第一像素区和第二像素区内均具有感光结构210，所述衬底200第二面暴露出感光结构210。
所述感光结构210用于吸收光线并进行光电转换。
本实施例中，所述感光结构210为感光二极管。其他实施例中，所述感光结构还可以是感光MOS管等其他实现光电转换功能的元器件。
本实施例中，所述衬底200还包括浅沟槽隔离层，所述浅沟槽隔离层位于第一隔离区和第二隔离区的衬底200内，且所述衬底200的第二面暴露出浅沟槽隔离层。所述浅沟槽隔离层用于阻隔相邻像素区的电串扰。
其他实施例中，不形成浅沟槽隔离层。
接着，在所述衬底200第一隔离区表面形成第一栅格层。所述第一栅格层的形成方法，请参考图4至图6。
请参考图4，在所述衬底200第一区I和衬底第二区II表面形成初始第一栅格材料层202。
具体为，在所述衬底200第一区I和第二区II第一面表面形成初始第一栅格材料层202。
所述初始第一栅格材料层202为后续形成第一栅格层提供材料层。
所述初始第一栅格材料层202的材料包括：金属材料，所述金属材料包括：铜、钨、镍、铬、钛、钽和铝中的一种或多种组合。
本实施例中，所述初始第一栅格材料层202的材料为钨。
本实施例中，形成初始第一栅格材料层202之前，还包括在所述衬底200第一区I和第二区II第一面表面形成保护层201，所述初始第一栅格材料层202位于所述保护层201表面。
所述保护层201用于保护衬底200。
所述保护层201的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。
本实施例中，所述保护层201的材料为氧化硅。
所述保护层201的厚度为300埃～500埃。
所述保护层201的厚度小于300埃，保护衬底的效果有限；所述保护层201厚度大于500埃，透光性变弱，影响进入到感光结构的入光量。
本实施例中，形成保护层201之前，还包括：在半导体衬底200第二面表面形成介电增透层，所述介电增透层用于增加光线的透过率。
其他实施例中，不形成介电增透层。
本实施例中，还包括：在所述介电增透层表面形成抗反射涂层，所述抗反射涂层用于减少光线的反射。
其他实施例中，不形成抗反射涂层。
请参考图5，在所述初始第一栅格材料层202表面形成第一图形化层203，所述第一图形化层203暴露出第一像素区的初始第一栅格材料层202，所述第一图形化层203覆盖第二区II和第一像素区的初始第一栅格材料层202。
所述第一图形化层203为形成第一栅格层提供掩膜。
本实施例中，所述第一图形化层203的材料为光刻胶。
形成所述第一图形化层203的过程包括：在初始第一栅格材料层202表面旋涂形成初始第一图形化层(未图示)；对所述初始第一图形化层进行曝光处理；对曝光后的初始第一图形化层进行显影处理，去除第一像素区的初始第一图形化层，暴露出第一隔离区的初始第一栅格材料层202表面，形成所述第一图形化层203。
在一实施例中，所述第一图形化层为硬掩膜层，所述硬掩膜层的材料包括：氮化硅或者氧化硅。
请参考图6，以所述第一图形化层203为掩膜，刻蚀去除第一像素区的初始第一栅格材料层202，在衬底200第一隔离区形成第一栅格层240，相邻第一栅格层240之间具有第一凹槽204。
本实施例中，以所述第一图形化层203为掩膜，刻蚀去除第一像素区的初始第一栅格材料层202，直至暴露出保护层201表面，在第一隔离区保护层201表面形成第一栅格层240；相邻第一栅格层240之间具有第一凹槽204，所述第一凹槽204暴露出第一像素区的保护层201表面。
刻蚀去除第一像素区的初始第一栅格材料层202的工艺包括干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺。
本实施例中，刻蚀去除第一像素区的初始第一栅格材料层202的工艺为各向异性的干法刻蚀工艺。
本实施例中，形成所述第一栅格层240后还包括：去除所述第一图形化层203，去除所述第一图形化层203的工艺为灰化工艺。
请参考图7，在衬底200第一像素区表面形成第一滤光层251，所述第一滤光层251位于第一栅格层240之间。
具体为，在所述第一凹槽204内形成第一滤光层251。
所述第一滤光层251的形成方法包括：在所述第一凹槽204内、第一栅格层240表面和第二区II的初始第一栅格材料层202表面形成初始第一滤光层(未图示)；回刻蚀所述初始第一滤光层，直至暴露出第一栅格层240表面，形成所述第一滤光层251。
所述第一滤光层251的高度小于或等于第一栅格层240的高度。
本实施例中，所述第一滤光层251的高度等于第一栅格层240的高度。其他实施例中，所述第一滤光层251的高度小于第一栅格层240的高度。
所述第一滤光层251为有色滤光层或者白光滤光层，所述有色滤光层包括红光滤光层、蓝光滤光层和绿光滤光层。
所述第一滤光层251的材料包括掺杂有色素的有机材料。所述掺杂有色素的有机材料，可以根据掺杂色素的不同，选择可以通过的有色光。
本实施例中，所述第一滤光层251包括红光滤光层、蓝光滤光层和绿光滤光层。
本实施例中，所述第一滤光层251的形成方法包括：形成绿光滤光层；形成绿光滤光层后，形成红光滤光层；形成红光滤光层后，形成蓝光滤光层。
其他实施例中，所述第一滤光层的形成方法中，所述红光滤光层、蓝光滤光层或绿光滤光层的形成次序可以不同。
接着，在衬底200第二隔离区表面形成第二栅格层。所述第二栅格层的形成方法，请参考图8至10。
请参考图8，形成第一滤光层251后，在所述第二区II的初始第一栅格材料层202、的第一栅格层240和第一滤光层251表面形成初始增厚层205。
所述初始增厚层205用于提高后续形成的第二栅格层的厚度，使得第二栅格层的高度高于第一栅格层。
所述初始增厚层205的材料包括：氧化硅或氮化硅。
本实施例中，所述初始增厚层205的材料为氧化硅。
形成所述初始增厚层205的工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者旋涂工艺。
本实施例中，形成所述初始增厚层205的工艺为化学气相沉积工艺。
请参考图9，在所述初始增厚层205表面形成第二图形化层206，所述第二图形化层206暴露出第二像素区的初始增厚层205，所述第二图形化层覆盖第一区I和第二隔离区的初始增厚层205表面。
所述第二图形化层206为形成第二栅格层提供掩膜。
本实施例中，所述第二图形化层206的材料为光刻胶。
形成所述第二图形化层206的过程包括：在初始增厚层205表面旋涂形成初始第二图形化层(未图示)；对所述初始第二图形化层进行曝光处理；对曝光后的初始第二图形化层进行显影处理，去除第二像素区的初始第二图形化层，暴露出第二像素区的初始增厚层205表面，形成所述第二图形化层206。
在一实施例中，所述第二图形化层为硬掩膜层，所述硬掩膜层的材料包括：氮化硅或者氧化硅。
请参考图10，以所述第二图形化层206为掩膜，刻蚀去除第二像素区的初始增厚层206和初始第一栅格材料层202，在衬底200第二隔离区形成第二栅格层260，相邻第二栅格层之间具有第二凹槽207。
本实施例中，以所述第二图形化层206为掩膜，刻蚀去除第二像素区的初始增厚层206和初始第一栅格材料层202，直至暴露出第二像素区的保护层表面，在第二隔离区的保护层201表面形成第二栅格层260，相邻第二栅格层260之间具有第二凹槽207，所述第二凹槽207暴露出第二像素区的保护层201表面。
刻蚀去除第二像素区的初始增厚层206和初始第一栅格材料层202后，使得第二隔离区的初始增厚层206形成为第二层262，使得第二隔离区的初始第一栅格材料层202形成为第一层261，第一层261和第二层262构成第二栅格层260。
所述第二凹槽207为后续形成第二滤光层提供空间。
刻蚀去除第二像素区的初始增厚层206和初始第一栅格材料层202的工艺包括干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺。
本实施例中，刻蚀去除第二像素区的初始增厚层206和初始第一栅格材料层202的工艺为各向异性的干法刻蚀工艺。
本实施例中，形成所述第二栅格层260后，还包括：去除所述第二图形化层206，去除所述第二图形化层206的工艺为灰化工艺。
请参考图11，在衬底200第二像素区表面形成第二滤光层252，所述第二滤光层252位于第二栅格层260之间，所述第二滤光层252的厚度大于第一滤光层251的厚度。
具体为，在所述第二凹槽207内形成所述第二滤光层252。
所述第二滤光层252的形成方法包括：在所述第二凹槽207内、第一区I初始增厚层205表面和第二栅格层260表面形成初始第二滤光层(未图示)；回刻蚀所述初始第二滤光层，直至暴露出第二栅格层260表面，形成所述第二滤光层252。
所述第二滤光层252的高度小于或等于第二栅格层260的高度。
本实施例中，所述第二滤光层252的高度等于第二栅格层260的高度。其他实施例中，所述第二滤光层252的高度小于第二栅格层260的高度。
所述第二滤光层252为有色滤光层，所述有色滤光层包括红光滤光层、蓝光滤光层和绿光滤光层。
所述第二滤光层252的材料包括掺杂有色素的有机材料。所述掺杂有色素的有机材料，可以根据掺杂色素的不同，选择可以通过的有色光。
自然光为多个颜色光的集合而成的白光，自然光经过有色滤光层后，仅部分特定波长的有色光可以通过，从而产生特定的有色光。
本实施例中，所述第二滤光层252包括红光滤光层、蓝光滤光层和绿光滤光层。
本实施例中，所述第二滤光层252的形成方法包括：形成绿光滤光层；形成绿光滤光层后，形成红光滤光层；形成红光滤光层后，形成蓝光滤光层。
其他实施例中，所述第二滤光层的形成方法中：所述红光滤光层、蓝光滤光层或绿光滤光层的形成次序可以不同。
所述第二滤光层252与第一滤光层251的高度差为350nm～450nm。
所述第二区II的第二滤光层252的高度高于第一区I的第一滤光层251。所述第一滤光层251的厚度较薄，入射光穿过第一滤光层251损耗较小，则第一像素区的入光量相对较多，第一区I的光生载流子数量较多，第一区I的光电转换效率较高，因此第一区I的图像传感器在暗场情况下具有较高的光电转换效率。所述第二滤光层252的厚度较厚，入射光穿过第二滤光层252后损耗较大，则第二像素区的入光量相对较少，第二区II的光生载流子数量较少。第二区II的光生载流子数量较少，相应的第二区II的电子溢出减少，从而能减少暗电流的产生，因此第二区II的图像传感器的暗电流较小。从而实现了，不同区域所形成的图像传感器的不同功能需求的结合，使得图像传感器的性能得到提升。
形成第二滤光层252后，还包括：在所述第一滤光层251表面形成第一透镜层；在所述第二滤光层252表面形成第二透镜层。
所述第一透镜层用于改变光路，使得光线沿特定的光路进入第一区I的第一滤光层251和感光结构210。
所述第二透镜层用于改变光路，使得光线沿特定的光路进入第二区II的第二滤光层252和感光结构210。
相应的，本发明实施例还提供一种采用上述方法所形成的图像传感器，参考图11，包括：衬底200，所述衬底200包括第一区I和第二区II，所述第一区I包括多个第一像素区和多个第一像素区，所述第一像素区位于相邻第一像素区之间，所述第二区II包括多个第二像素区和多个第二隔离区，所述第二隔离区位于第二像素区之间；位于所述衬底200第一隔离区表面的第一栅格层240；位于衬底200第一像素区表面的第一滤光层251，所述第一滤光层251位于第一栅格层240之间；位于衬底200第二隔离区表面的第二栅格层260，所述第二栅格层260顶部表面高于第一栅格层240；位于衬底200第二像素区表面的第二滤光层252，所述第二滤光层252位于第二栅格层260之间，所述第二滤光层252的厚度大于第一滤光层251的厚度。
本发明还提供一种图像传感器的工作方法，包括：提供上述图像传感器(参考图11)；采用所述第一像素区进行相位对焦；或者，采用所述第二像素区进行相位对焦。
所述第二滤光层252为有色滤光层或者白光滤光层，所述有色滤光层包括红光滤光层、蓝光滤光层和绿光滤光层。
采用所述第一像素区进行相位对焦时，第一像素区的第一滤光层251厚度较薄，在暗场情况下提高第一像素区的光电转换效率，提高了相位对焦的速度，进而提高图像传感器的灵敏度。采用所述第二像素区进行相位对焦时，第二像素区的第二滤光层252厚度较厚，在较强光场情况下光损耗较大，能够减少光生载流子的产生，从而减小第二像素区的感光结构的电子溢出，进而减小第二像素区的暗电流。所述图像传感器能适应不同情况下的不同功能需求，使得图像传感器的性能得到提升。
本发明还提供另一种图像传感器的工作方法，包括：提供上述图像传感器(参考图11)；采用所述第一像素区进行图像捕获区；采用所述第二像素区进行相位对焦。
采用所述第一像素区进行图像捕获；采用所述第二像素区进行相位对焦。第一像素区的第一滤光层251厚度较薄，用于在暗场情况下提高图像捕获区的光电转换效率，从而提高暗场情况下图像的质量；第二像素区的第二滤光层252厚度较厚，在较强光场情况下光损耗较大，能够减少光生载流子的产生，从而减小相位对焦区的感光结构的电子溢出，进而减小相位对焦区的暗电流。所述图像传感器能适应图像捕获区和相位对焦区的不同功能需求，使得图像传感器的性能得到提升。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (17)
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区包括多个第一隔离区和多个第一像素区，所述第一隔离区位于相邻第一像素区之间，所述第二区包括多个第二像素区和多个第二隔离区，所述第二隔离区位于相邻第二像素区之间；
在所述衬底第一隔离区表面形成第一栅格层；
在衬底第一像素区表面形成第一滤光层，所述第一滤光层位于第一栅格层之间；
在衬底第二隔离区表面形成第二栅格层，所述第二栅格层顶部表面高于第一栅格层；
在衬底第二像素区表面形成第二滤光层，所述第二滤光层位于第二栅格层之间，所述第二滤光层的厚度大于第一滤光层的厚度。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一栅格层的形成方法包括：在所述衬底第一区和第二区表面形成初始第一栅格材料层；在所述初始第一栅格材料层表面形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出第一像素区的初始第一栅格材料层，所述第一图形化层覆盖第二区和第一隔离区的初始第一栅格材料层；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀去除第一像素区的初始第一栅格材料层，在衬底第一隔离区形成第一栅格层，相邻第一栅格层之间具有第一凹槽。
3.根据权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成初始第一栅格材料层之前，还包括：在所述衬底第一区和第二区表面形成保护层；所述初始第一栅格材料层位于所述保护层表面；以所述第一图形化层为掩膜刻蚀所述初始第一栅格材料层，直至暴露出第一隔离区的保护层表面，在第一隔离区保护层表面形成第一栅格层，相邻第一栅格层之间具有第一凹槽，所述第一凹槽暴露出第一像素区的保护层表面。
4.根据权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二栅格层的形成方法包括：形成第一滤光层后，在所述第二区的初始第一栅格材料层、第一滤光层和第一栅格层表面形成初始增厚层；在所述初始增厚层表面形成第二图形化层，所述第二图形化层暴露出第二像素区的初始增厚层，所述第二图形化层覆盖第一区和第二隔离区的初始增厚层；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀去除第二像素区的初始增厚层和初始第一栅格材料层，在衬底第二隔离区形成第二栅格层，相邻第二栅格层之间具有第二凹槽。
5.根据权利要求2或3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一滤光层的形成方法包括：在所述第一凹槽内、第一栅格层表面和第二区的初始第一栅格材料层表面形成初始第一滤光层；回刻蚀所述初始第一滤光层，直至暴露出第一栅格层表面，形成所述第一滤光层。
6.根据权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二滤光层的形成方法包括：刻蚀去除第二像素区的初始增厚层和初始第一栅格材料层后，在所述第二凹槽内、第一区初始增厚层表面和第二栅格层表面形成初始第二滤光层；回刻蚀所述初始第二滤光层，直至暴露出第二栅格层表面，形成所述第二滤光层。
7.根据权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述初始增厚层的材料包括氧化硅或氮化硅。
8.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一栅格层的材料为金属材料，所述金属材料包括：铜、钨、镍、铬、钛、钽和铝中的一种或多种组合。
9.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一滤光层的高度小于或等于第一栅格层的高度。
10.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二滤光层的高度小于或等于第二栅格层的高度。
11.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二滤光层与第一滤光层的高度差为350nm～450nm。
12.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成第二滤光层后，还包括：在所述第一滤光层表面形成第一透镜层；在所述第二滤光层表面形成第二透镜层。
13.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一滤光层为有色滤光层或者白光滤光层，所述有色滤光层包括红光滤光层、蓝光滤光层和绿光滤光层。
14.一种如权利要求1至13任一项所述的方法所形成的图像传感器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区包括多个第一隔离区和多个第一像素区，所述第一隔离区位于相邻第一像素区之间，所述第二区包括多个第二像素区和多个第二隔离区，所述第二隔离区位于相邻第二像素区之间；
位于所述衬底第一隔离区表面的第一栅格层；
位于衬底第一像素区表面的第一滤光层，所述第一滤光层位于第一栅格层之间；
位于衬底第二隔离区表面的第二栅格层，所述第二栅格层顶部表面高于第一栅格层；
位于衬底第二像素区表面的第二滤光层，所述第二滤光层位于第二栅格层之间，所述第二滤光层的厚度大于第一滤光层的厚度。
15.一种图像传感器的工作方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1至13任一项所述的图像传感器；
采用所述第一像素区进行相位对焦；
或者，采用所述第二像素区进行相位对焦。
16.根据权利要求15所述的图像传感器的工作方法，其特征在于，所述第二滤光层为有色滤光层或者白光滤光层，所述有色滤光层包括红光滤光层、蓝光滤光层和绿光滤光层。
17.一种图像传感器的工作方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1至13任一项所述的图像传感器；
采用所述第一像素区进行图像捕获；
采用所述第二像素区进行相位对焦。
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|---|---|
| CN (1) | CN110061020B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111384076A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-07-07 | 山东砚鼎电子科技有限公司 | 一种传感器结构及其形成方法 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090014823A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Noboru Kokusenya | Solid state imaging device in which a plurality of imaging pixels are arranged two-dimensionally, and a manufacturing method for the solid state imaging device |
| CN100587960C (zh) * | 2006-11-30 | 2010-02-03 | 东部高科股份有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| CN102280460A (zh) * | 2010-06-08 | 2011-12-14 | 夏普株式会社 | 固体摄像元件和电子信息设备 |
| US20140217625A1 (en) * | 2011-07-08 | 2014-08-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method of impression-based production of a filter for an electromagnetic radiation |
| CN104051474A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有堆叠栅格结构的图像传感器 |
| US20150049229A1 (en) * | 2013-08-16 | 2015-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Image sensor and manufacturing method thereof |
| CN105990384A (zh) * | 2015-03-20 | 2016-10-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 减少背照式图像传感器中的串扰的复合栅格结构 |
| CN106057838A (zh) * | 2015-04-17 | 2016-10-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
| US20160358962A1 (en) * | 2013-11-25 | 2016-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure of Dielectric Grid for a Semiconductor Device |
| CN106373970A (zh) * | 2015-07-20 | 2017-02-01 | 采钰科技股份有限公司 | 影像感测器 |
| CN106531750A (zh) * | 2015-09-10 | 2017-03-22 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有串扰改善的cmos图像传感器结构 |
| US20170213863A1 (en) * | 2016-01-25 | 2017-07-27 | Omnivision Technologies, Inc. | High dynamic range image sensor with reduced sensitivity to high intensity light |
| CN108352391A (zh) * | 2015-11-16 | 2018-07-31 | 凸版印刷株式会社 | 固态成像器件的制造方法及固态成像器件、以及彩色滤光片的制造方法及彩色滤光片 |
| CN108807441A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-13 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
| US20190057993A1 (en) * | 2017-03-01 | 2019-02-21 | Himax Technologies Limited | Method for forming image sensor |
-
2019
- 2019-04-25 CN CN201910339087.8A patent/CN110061020B/zh active Active
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100587960C (zh) * | 2006-11-30 | 2010-02-03 | 东部高科股份有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| US20090014823A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Noboru Kokusenya | Solid state imaging device in which a plurality of imaging pixels are arranged two-dimensionally, and a manufacturing method for the solid state imaging device |
| CN102280460A (zh) * | 2010-06-08 | 2011-12-14 | 夏普株式会社 | 固体摄像元件和电子信息设备 |
| US20140217625A1 (en) * | 2011-07-08 | 2014-08-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method of impression-based production of a filter for an electromagnetic radiation |
| CN104051474A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有堆叠栅格结构的图像传感器 |
| US20150049229A1 (en) * | 2013-08-16 | 2015-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Image sensor and manufacturing method thereof |
| US20160358962A1 (en) * | 2013-11-25 | 2016-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure of Dielectric Grid for a Semiconductor Device |
| CN105990384A (zh) * | 2015-03-20 | 2016-10-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 减少背照式图像传感器中的串扰的复合栅格结构 |
| CN106057838A (zh) * | 2015-04-17 | 2016-10-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
| CN106373970A (zh) * | 2015-07-20 | 2017-02-01 | 采钰科技股份有限公司 | 影像感测器 |
| CN106531750A (zh) * | 2015-09-10 | 2017-03-22 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有串扰改善的cmos图像传感器结构 |
| CN108352391A (zh) * | 2015-11-16 | 2018-07-31 | 凸版印刷株式会社 | 固态成像器件的制造方法及固态成像器件、以及彩色滤光片的制造方法及彩色滤光片 |
| US20170213863A1 (en) * | 2016-01-25 | 2017-07-27 | Omnivision Technologies, Inc. | High dynamic range image sensor with reduced sensitivity to high intensity light |
| US20190057993A1 (en) * | 2017-03-01 | 2019-02-21 | Himax Technologies Limited | Method for forming image sensor |
| CN108807441A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-13 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 陈远等: "可应用于CMOS彩色图像传感器的两层垂直层叠结构及其色彩特性的研究", 《光学学报》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111384076A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-07-07 | 山东砚鼎电子科技有限公司 | 一种传感器结构及其形成方法 |
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