CN110032483A - 一种调整测试参数的方法、装置和介质 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种调整测试参数的方法、装置和计算机可读存储介质,根据预先定义的电流值,设置3D扫频拉载的电流参数;对待测试内存进行3D扫频拉载,获取拉载电流。3D扫频后得到的拉载电流极大的缩小了电流的取值范围,将拉载电流作为测试参数,可以节省测试时间,并且提高测试精准度。rise time越精确,测试结果就越准确。根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间。将3D扫频得到的拉载电流以及计算得到的上升时间作为信号发生器的测试参数,其更加符合待测试内存的实际测试范围,因此信号发生器按照测试参数对待测试内存进行拉载测试,得到的测试结果更加精确。

Description

一种调整测试参数的方法、装置和介质
技术领域
本发明涉及板卡测试技术领域,特别是涉及一种调整测试参数的方法、装置和计算机可读存储介质。
背景技术
伴随云计算应用的发展,信息化逐渐覆盖到社会的各个领域。人们的日常工作生活越来越多的通过网络来进行交流,网络数据量也在不断增加。为了满足不断增加的信息服务需求,服务器的功能也越来越丰富。为了支持越来越多的功能,服务器主板也日趋复杂化。
由于服务器主板工作的特殊性,对内存的要求也越来越高,一般采用的是第四代双倍速率同步动态随机存储器(Double Date Rate SDRAM,DDR4)。在Intel给出的电压转换测试工具(Voltage Regulation Test Tool,VRTT)关于Memory的开关频率附近动态响应测试报告中,一般是使用信号发生器在双面引脚内存(Dual In-line Memory Module,DIMM)卡上拉载,测试。
信号发生器的参数都是根据Intel测试报告中定义的设定,报告中频率、占空比、拉载电流值涵盖范围太广,浪费大量时间的同时,还不能准确有效的找到worst值。
可见,如何提升测试的准确性,是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种调整测试参数的方法、装置和计算机可读存储介质,可以提升测试的准确性。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种调整测试参数的方法,包括:
根据预先定义的电流值,设置3D扫频拉载的电流参数;
对待测试内存进行3D扫频拉载,获取拉载电流;
根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间;
将所述拉载电流和所述上升时间作为信号发生器的测试参数,以便于所述信号发生器按照所述测试参数对所述待测试内存进行拉载测试。
可选的,所述根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间包括:
根据电压与拉载电流的对应关系,计算出与所述拉载电流相对应的示波器电压;
根据所述示波器电压以及电压转换速率,计算出信号发生器的上升时间。
可选的,所述根据电压与拉载电流的对应关系,计算出与所述拉载电流相对应的示波器电压包括:
按照如下公式,计算出与所述拉载电流相对应的示波器电压,
D=C*25;
其中,C表示拉载电流;D表示示波器电压;
拉载电流包括最高拉载电流Chigh和最低拉载电流Clow,相应的,示波器电压包括最高示波器电压Dhigh和最低示波器电压Dlow
可选的,所述根据所述示波器电压以及电压转换速率,计算出信号发生器的上升时间包括:
按照如下公式,计算出信号发生器的上升时间rise time,
ΔA=(Dhigh-Dlow)/25;
其中,Slew rate表示电压转换速率。
可选的,在所述信号发生器按照所述测试参数对所述待测试内存进行拉载测试之后还包括:
展示拉载测试的输出结果。
本发明实施例还提供了一种调整测试参数的装置,包括设置单元、获取单元、确定单元和作为单元;
所述设置单元,用于根据预先定义的电流值,设置3D扫频拉载的电流参数;
所述获取单元,用于对待测试内存进行3D扫频拉载,获取拉载电流;
所述确定单元,用于根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间;
所述作为单元,用于将所述拉载电流和所述上升时间作为信号发生器的测试参数,以便于所述信号发生器按照所述测试参数对所述待测试内存进行拉载测试。
可选的,所述确定单元包括电压计算子单元和时间计算子单元;
所述电压计算子单元,用于根据电压与拉载电流的对应关系,计算出与所述拉载电流相对应的示波器电压;
所述时间计算子单元,用于根据所述示波器电压以及电压转换速率,计算出信号发生器的上升时间。
可选的,所述电压计算子单元具体用于按照如下公式,计算出与所述拉载电流相对应的示波器电压,
D=C*25;
其中,C表示拉载电流;D表示示波器电压;
拉载电流包括最高拉载电流Chigh和最低拉载电流Clow,相应的,示波器电压包括最高示波器电压Dhigh和最低示波器电压Dlow
可选的,所述时间计算子单元具体用于按照如下公式,计算出信号发生器的上升时间rise time,
ΔA=(Dhigh-Dlow)/25;
其中,Slew rate表示电压转换速率。
可选的,还包括展示单元;
所述展示单元,用于在所述信号发生器按照所述测试参数对所述待测试内存进行拉载测试之后,展示拉载测试的输出结果。
本发明实施例还提供了一种调整测试参数的装置,包括:
存储器,用于存储计算机程序;
处理器,用于执行所述计算机程序以实现如上述调整测试参数的方法的步骤。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上述调整测试参数的方法的步骤。
由上述技术方案可以看出,根据预先定义的电流值,设置3D扫频拉载的电流参数;对待测试内存进行3D扫频拉载,获取拉载电流。3D扫频后得到的拉载电流与预先定义的电流值相比,极大的缩小了电流的取值范围,将拉载电流作为测试参数,可以节省测试时间,并且提高测试精准度。在进行拉载测试时,rise time越精确,测试结果就越准确。因此,在该技术方案中可以根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间。将3D扫频得到的拉载电流以及计算得到的上升时间作为信号发生器的测试参数,由于测试参数通过3D扫频以及计算的方式得到,其更加符合待测试内存的实际测试范围,因此信号发生器按照测试参数对待测试内存进行拉载测试,得到的测试结果更加精确。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例,下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种调整测试参数的方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的一种调整测试参数的装置的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种调整测试参数的装置的硬件结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护范围。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
接下来,详细介绍本发明实施例所提供的一种调整测试参数的方法。图1为本发明实施例提供的一种调整测试参数的方法的流程图,该方法包括:
S101:根据预先定义的电流值,设置3D扫频拉载的电流参数。
预先定义的电流值指的是Memory报告中的拉载电流。示波器上的示数跟Memory报告中的拉载电流的对应关系是Display=current*25mV,即D=C*25。其中,C表示拉载电流;D表示示波器电压。
根据该对应关系,可以计算出示波器的电压值,预先定义的电流值是一个取值范围,相应的,计算得到的示波器的电压值也是一个取值范围。
Memory报告中的拉载电流一般为Low Current=15.22,High Current=64.28。根据D=C*25mV,可以计算出电压值范围380.5mV至1607mV。在具体实现中,可以先在示波器标上需要达到的电压的Cursor范围是380.5mV-1607mV,然后通过调节PDT软件中负载电流的大小,使波形正好卡在示波器的Cursor上,此时读出对应PDT软件的读数:03C1-11A6,该读数即为3D扫频拉载的电流参数。
S102:对待测试内存进行3D扫频拉载,获取拉载电流。
基于步骤S101中设置的电流参数,通过3D扫频,可以确定出比较准确的拉载电流:03C1-0410。
S103:根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间。
根据电压与拉载电流的对应关系,可以计算出与拉载电流相对应的示波器电压。
具体的,可以按照公式D=C*25,计算出与拉载电流相对应的示波器电压。拉载电流包括最高拉载电流Chigh和最低拉载电流Clow,相应的,示波器电压包括最高示波器电压Dhigh和最低示波器电压Dlow
根据3D扫频后得到的拉载电流:03C1-0410,此时重新在示波器上读取示数范围是380.5mV-548.5mV。
rise time反应的是电流的上升时间,rise time越精确,相当于拉载电流从0开始到最大值的变换时间就越精确,测试结果就越准确。在本发明实施例中,可以根据示波器电压以及电压转换速率,计算出信号发生器的上升时间。
具体的,可以按照如下公式,计算出信号发生器的上升时间rise time,
ΔA=(Dhigh-Dlow)/25;
其中,Slew rate表示电压转换速率。根据Intel的定义,在设置3D扫频拉载的电流参数的同时,可以获知Slewrate=13.74A/μs。
结合上述根据拉载电流计算出的电压值为380.5mV-548.5mV,即Dhigh=548.5mV,Dlow=380.5mV,按照rise time的计算公式,可以确定出rise time的取值,
S104:将拉载电流和上升时间作为信号发生器的测试参数,以便于信号发生器按照测试参数对待测试内存进行拉载测试。
相比于预先定义的电流值,通过3D扫频的方式得到的拉载电流的取值范围更小,从而可以节省测试时间,并且提高测试精准度。并且通过计算rise time,可以进一步提升测试结果的准确性。
由上述技术方案可以看出,根据预先定义的电流值,设置3D扫频拉载的电流参数;对待测试内存进行3D扫频拉载,获取拉载电流。3D扫频后得到的拉载电流与预先定义的电流值相比,极大的缩小了电流的取值范围,将拉载电流作为测试参数,可以节省测试时间,并且提高测试精准度。在进行拉载测试时,rise time越精确,测试结果就越准确。因此,在该技术方案中可以根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间。将3D扫频得到的拉载电流以及计算得到的上升时间作为信号发生器的测试参数,由于测试参数通过3D扫频以及计算的方式得到,其更加符合待测试内存的实际测试范围,因此信号发生器按照测试参数对待测试内存进行拉载测试,得到的测试结果更加精确。
为了便于工作人员更加快速直观的了解测试结果,可以在信号发生器按照测试参数对待测试内存进行拉载测试之后,展示拉载测试的输出结果。
在用信号发生器拉载的时候,先将信号发生器频率设置为1KHz,然后占空比、risetime设置为3D扫频后的结果,再将High设为50mV,Low设为0mV,然后根据示波器的Cursor范围380.5mV-548.5mV慢慢调解信号发生器的最High、Low的值,使波形正好卡在Cursor上,最后调解信号发生器的频率为扫频值,在示波器上读出的max值即是拉载测试的输出结果。
其中,示波器上读出的max值反应的是电路最大的承载能力。
图2为本发明实施例提供的一种调整测试参数的装置的结构示意图,包括设置单元21、获取单元22、确定单元23和作为单元24;
设置单元21,用于根据预先定义的电流值,设置3D扫频拉载的电流参数;
获取单元22,用于对待测试内存进行3D扫频拉载,获取拉载电流;
确定单元23,用于根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间;
作为单元24,用于将拉载电流和上升时间作为信号发生器的测试参数,以便于信号发生器按照测试参数对待测试内存进行拉载测试。
可选的,确定单元包括电压计算子单元和时间计算子单元;
电压计算子单元,用于根据电压与拉载电流的对应关系,计算出与拉载电流相对应的示波器电压;
时间计算子单元,用于根据示波器电压以及电压转换速率,计算出信号发生器的上升时间。
可选的,电压计算子单元具体用于按照如下公式,计算出与拉载电流相对应的示波器电压,
D=C*25;
其中,C表示拉载电流;D表示示波器电压;
拉载电流包括最高拉载电流Chigh和最低拉载电流Clow,相应的,示波器电压包括最高示波器电压Dhigh和最低示波器电压Dlow
可选的,时间计算子单元具体用于按照如下公式,计算出信号发生器的上升时间rise time,
ΔA=(Dhigh-Dlow)/25;
其中,Slew rate表示电压转换速率。
可选的,还包括展示单元;
展示单元,用于在信号发生器按照测试参数对待测试内存进行拉载测试之后,展示拉载测试的输出结果。
图2所对应实施例中特征的说明可以参见图1所对应实施例的相关说明,这里不再一一赘述。
由上述技术方案可以看出,根据预先定义的电流值,设置3D扫频拉载的电流参数;对待测试内存进行3D扫频拉载,获取拉载电流。3D扫频后得到的拉载电流与预先定义的电流值相比,极大的缩小了电流的取值范围,将拉载电流作为测试参数,可以节省测试时间,并且提高测试精准度。在进行拉载测试时,rise time越精确,测试结果就越准确。因此,在该技术方案中可以根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间。将3D扫频得到的拉载电流以及计算得到的上升时间作为信号发生器的测试参数,由于测试参数通过3D扫频以及计算的方式得到,其更加符合待测试内存的实际测试范围,因此信号发生器按照测试参数对待测试内存进行拉载测试,得到的测试结果更加精确。
图3为本发明实施例提供的一种调整测试参数的装置30的硬件结构示意图,包括:
存储器31,用于存储计算机程序;
处理器32,用于执行计算机程序以实现如上述调整测试参数的方法的步骤。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现如上述调整测试参数的方法的步骤。
以上对本发明实施例所提供的一种调整测试参数的方法、装置和计算机可读存储介质进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
专业人员还可以进一步意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现,为了清楚地说明硬件和软件的可互换性,在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块,或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

Claims (10)

1.一种调整测试参数的方法,其特征在于,包括:
根据预先定义的电流值,设置3D扫频拉载的电流参数;
对待测试内存进行3D扫频拉载,获取拉载电流;
根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间;
将所述拉载电流和所述上升时间作为信号发生器的测试参数,以便于所述信号发生器按照所述测试参数对所述待测试内存进行拉载测试。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间包括:
根据电压与拉载电流的对应关系,计算出与所述拉载电流相对应的示波器电压;
根据所述示波器电压以及电压转换速率,计算出信号发生器的上升时间。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据电压与拉载电流的对应关系,计算出与所述拉载电流相对应的示波器电压包括:
按照如下公式,计算出与所述拉载电流相对应的示波器电压,
D=C*25;
其中,C表示拉载电流;D表示示波器电压;
拉载电流包括最高拉载电流Chigh和最低拉载电流Clow,相应的,示波器电压包括最高示波器电压Dhigh和最低示波器电压Dlow
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述示波器电压以及电压转换速率,计算出信号发生器的上升时间包括:
按照如下公式,计算出信号发生器的上升时间rise time,
ΔA=(Dhigh-Dlow)/25;
其中,Slewrate表示电压转换速率。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法,其特征在于,在所述信号发生器按照所述测试参数对所述待测试内存进行拉载测试之后还包括:
展示拉载测试的输出结果。
6.一种调整测试参数的装置,其特征在于,包括设置单元、获取单元、确定单元和作为单元;
所述设置单元,用于根据预先定义的电流值,设置3D扫频拉载的电流参数;
所述获取单元,用于对待测试内存进行3D扫频拉载,获取拉载电流;
所述确定单元,用于根据电压与拉载电流的对应关系以及电压转换速率,确定出信号发生器的上升时间;
所述作为单元,用于将所述拉载电流和所述上升时间作为信号发生器的测试参数,以便于所述信号发生器按照所述测试参数对所述待测试内存进行拉载测试。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述确定单元包括电压计算子单元和时间计算子单元;
所述电压计算子单元,用于根据电压与拉载电流的对应关系,计算出与所述拉载电流相对应的示波器电压;
所述时间计算子单元,用于根据所述示波器电压以及电压转换速率,计算出信号发生器的上升时间。
8.根据权利要求6或7所述的装置,其特征在于,还包括展示单元;
所述展示单元,用于在所述信号发生器按照所述测试参数对所述待测试内存进行拉载测试之后,展示拉载测试的输出结果。
9.一种调整测试参数的装置,其特征在于,包括:
存储器,用于存储计算机程序;
处理器,用于执行所述计算机程序以实现如权利要求1至5任意一项所述调整测试参数的方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一项所述调整测试参数的方法的步骤。
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