CN110021614A - 用于经增强图像传感器性能的源极跟随器装置 - Google Patents

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Abstract

本申请案涉及一种用于经增强图像传感器性能的源极跟随器装置。一种图像传感器包含：光电二极管，其安置于半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷；及浮动扩散部，其接近于光电二极管而安置于半导体材料中。转移晶体管耦合到光电二极管以响应于施加到转移晶体管的转移栅极的转移信号而将图像电荷从光电二极管转移到浮动扩散部中。源极跟随器晶体管耦合到浮动扩散部以放大浮动扩散部上的电荷。源极跟随器晶体管包含：栅极电极，其包含具有第一掺杂剂类型的半导体材料；源极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于半导体材料中；漏极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于半导体材料中；及沟道，其具有第二掺杂剂类型，安置于源极电极与漏极电极之间。

Description

用于经增强图像传感器性能的源极跟随器装置
技术领域
本发明大体来说涉及半导体制作，且特定来说但非排他地，涉及CMOS图像传感器。
背景技术
图像传感器已变得无所不在。其广泛地用于数码静态相机、蜂窝式电话、安全摄像机以及医学、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器的技术一直继续快速地进展。举 例来说，较高分辨率及较低电力消耗的需求已促进了这些装置的进一步小型化及集成。
典型图像传感器如下操作。来自外部场景的图像光入射于图像传感器上。图像传感 器包含多个光敏元件，使得每一光敏元件吸收入射图像光的一部分。包含于图像传感器中的光敏元件(例如光电二极管)各自在吸收图像光后即刻产生图像电荷。所产生的图像电荷量与图像光的强度成比例。所产生图像电荷可用于产生表示外部场景的图像。
图像传感器可遭受可源自图像传感器中的电路的噪声。图像噪声可影响从图像传感 器输出的图像的质量。举例来说，图像噪声可产生白色像素、变色像素等等。
发明内容
根据本申请案的实施例，一种图像传感器包括：光电二极管，其安置于半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷；浮动扩散部，其接近于所述光电二极管而安置于所 述半导体材料中；转移晶体管，其耦合到所述光电二极管以响应于施加到所述转移晶体 管的转移栅极的转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部 中；及源极跟随器晶体管，其耦合到所述浮动扩散部以放大所述浮动扩散部上的电荷， 所述源极跟随器晶体管包含：栅极电极，其包含具有第一掺杂剂类型的半导体材料；源 极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于所述半导体材料中；漏极电极，其具有所述第 二掺杂剂类型，安置于所述半导体材料中；及沟道，其具有所述第二掺杂剂类型，安置 于所述源极电极与所述漏极电极之间，其中所述源极电极及所述漏极电极具有比所述沟 道高的掺杂剂浓度。
根据本申请案的另一实施例，一种制作图像传感器的方法包括：将光电二极管植入 于半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷；将浮动扩散部接近于所述光电二极管 而植入于所述半导体材料中；形成耦合到所述光电二极管以将所述图像电荷从所述光电 二极管转移到所述浮动扩散部中的转移晶体管；及形成耦合到所述浮动扩散部的源极跟 随器晶体管，包含：形成包含具有第一掺杂剂类型的半导体材料的栅极电极；将具有第二掺杂剂类型的源极电极植入于所述半导体材料中；将具有所述第二掺杂剂类型的漏极电极植入于所述半导体材料中；及在所述源极电极与所述漏极电极之间形成具有所述第二掺杂剂类型的沟道，其中所述源极电极及所述漏极电极具有比所述沟道高的掺杂剂浓度。
附图说明
参考以下各图描述本发明的非限制性及非穷尽性实例，其中除非另有规定，否则在 所有各个视图中相似参考编号指代相似部件。
图1描绘根据本发明的教示的实例性四晶体管(4T)像素架构。
图2A到2D描绘根据本发明的教示的可包含于图1中所描绘的4T像素架构中的实例性源极跟随器装置。
图3图解说明根据本发明的教示的可包含图2A到2D的方面的成像系统的一个实例的框图。
图4图解说明根据本发明的教示的用于制作图像传感器的方法的一个实例。
贯穿图式的数个视图，对应参考字符指示对应组件。所属领域的技术人员将了解，图中的元件是为简单及清晰起见而图解说明的，且未必按比例绘制。举例来说，为帮助 改良对本发明的各种实施例的理解，各图中的元件中的一些元件的尺寸可相对于其它元 件而被放大。而且，通常不绘示商业上可行的实施例中有用或必需的常见而众所周知的 元件以便促进对本发明的这些各种实施例的较不受阻碍的观看。
具体实施方式
本文中描述与用于经增强图像传感器性能的源极跟随器装置有关的设备及方法的 实例。在以下描述中，陈述众多特定细节以便提供对实例的透彻理解。然而，所属领域的技术人员将认识到，本文中所描述的技术可在不具有所述特定细节中的一或多者的情况下实践或者可借助其它方法、组件、材料等来实践。在其它实例中，未详细展示或描 述众所周知的结构、材料或操作以避免使特定方面模糊。
在本说明书通篇中对“一个实例”或“一个实施例”的提及意指结合所述实例描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实例中。因此，在本说明书通篇的各 个位置中短语“在一个实例中”或“在一个实施例中”的出现未必全部指代同一实例。 此外，可在一或多个实例中以任何适合方式组合所述特定特征、结构或特性。
本发明的实例及实施例涉及减少图像传感器像素电路中的随机电报信号(RTS)噪声 (还称作突发噪声)。更具体来说，为实现此目标，展示根据本发明的教示的对源极跟随器晶体管的修改。RTS噪声可起源于半导体材料与栅极氧化物的界面处的电荷陷阱(例 如，悬空键、OH基等，其陷获流动穿过装置的沟道的电子或空穴)。通过在源极跟随器 晶体管的沟道下方添加经掺杂层(例如，p型)且将装置反偏置，加速了沟道阱变宽，且 减小了界面处的陷阱与沟道中的电荷载子之间的相互作用。此导致较少信号噪声从源极 跟随器装置输出。
图1描绘根据本发明的教示的供用于图像传感器中的实例性四晶体管(4T)像素架构 100。如所展示，所描绘的大多数装置形成于(或部分地形成于)半导体材料101中。4T 像素架构100包含光电二极管103、转移晶体管107、浮动扩散部105、复位晶体管111、 源极跟随器晶体管109及行选择晶体管113。应了解，对于真正4T像素架构，仅需要一 个光电二极管103及一个转移晶体管107；然而，此处描绘四光电二极管103变体。
在所描绘实例中，多个光电二极管103安置于半导体材料101(例如，硅)中以响应于入射光而产生图像电荷，且浮动扩散部105也接近于光电二极管103而安置于半导体 材料101中。转移晶体管107耦合到光电二极管103以响应于施加到转移晶体管107的 转移栅极的转移信号而将图像电荷从光电二极管103转移到浮动扩散部105中。可依序 接通转移晶体管107以一次一个地将电荷从光电二极管103转移到浮动扩散部105。源 极跟随器晶体管109的栅极电极耦合到浮动扩散部105以放大浮动扩散部105上的电荷。 复位晶体管111耦合到浮动扩散部105以将浮动扩散部105中的图像电荷复位(响应于施 加到栅极电极的复位信号)，且行选择晶体管113耦合到源极跟随器晶体管109以输出图 像信号。
在所描绘实例中，存在四个光电二极管103及四个转移晶体管107。然而，在其它实例中，可每浮动扩散部105存在任何数目个光电二极管103及转移晶体管107，包含 一个、两个、三个、五个或六个。此外，受益于本发明的所属领域的技术人员将了解， 此处所描绘的4T像素架构100可被重复任何次数以形成图像传感器。
图2A到2D描绘根据本发明的教示的可包含于图1中所描绘的4T像素架构中的实例性源极跟随器装置209A到209D。受益于本发明的所属领域的技术人员将认识到，根 据本发明的教示，可组合或移除图2A到2D中所描绘的源极跟随器晶体管的方面。此 外，可将掺杂剂类型/极性(例如，P或N型)反转。
图2A图解说明源极跟随器晶体管209A，所述源极跟随器晶体管包含半导体材料201、栅极电极231、栅极氧化物233、源极电极235、漏极电极237、沟道239、带电层 241、带电氧化物243及填充材料245。
如所图解说明，栅极电极231包含具有第一掺杂剂类型(例如，p型)的半导体材料(例 如，多晶硅，其中栅极氧化物233安置于多晶硅与半导体材料201之间)。栅极电极231安置于半导体材料201上方。栅极氧化物233可包含氧化硅、氧化铪等等。源极电极235 具有第二掺杂剂类型(例如，n型)，且安置于半导体材料201中。漏极电极237也具有 第二掺杂剂类型，且安置于半导体材料201中。沟道239具有第二掺杂剂类型且安置于 源极电极235与漏极电极237之间。在所描绘实例中，源极电极235及漏极电极237具 有比沟道239高的掺杂剂浓度。
还展示带电层241，其具有第一掺杂剂类型(例如，p型)，接近于沟道239而安置于半导体材料201中。深沟槽隔离结构(包含带电氧化物243及填充物材料245)安置于半 导体材料201中；带电层241接近于带电氧化物243与半导体材料201的界面而在半导 体材料201中积累。带电氧化物243与半导体材料201的界面可与半导体材料201的前 侧表面分离达1μm。带电层241响应于带电氧化物243而积累。在所描绘实例中，带电 氧化物243可为氧化铪、氧化铝等等。填充材料可包含氧化硅、聚合物、经掺杂半导体 材料等等。如所展示，深沟槽隔离结构与半导体材料201中的源极跟随器晶体管209垂 直地对准(例如，介于半导体材料201的前侧与后侧之间)。
在所图解说明实例中，当将正电压施加到栅极电极231时，电子在沟道239中积累，且源极跟随器晶体管209为接通的。N型沟道239由p型钉扎层(例如，带电层241)下 拉到半导体材料201中以便减小SiO2/Si界面(例如，安置于装置的前侧上的栅极氧化物 233/半导体201界面)与n型沟道239之间的相互作用。因此，减少来自源极跟随器晶体 管209的RTS噪声。当不将偏置施加到栅极电极231时，沟道239为高电阻n型阱，因 此源极电极235与漏极电极237并不连接，且源极跟随器晶体管209为关断的。
图2B展示实例性源极跟随器晶体管209B，其包含与源极跟随器晶体管209A相同的特征中的许多特征，但带电层包含位于半导体材料201中的第一掺杂剂层251，且第 一掺杂剂层251大体上平行于沟道239。应了解，第一掺杂剂层251与源极电极235及 漏极电极237接触。然而，在其它实例中，半导体材料201或其它装置架构层可将第一 掺杂剂层251与源极电极235及漏极电极237分离。
在所描绘实例中，操作模式类似于n-MOSFET，但MOSFET结构概念为不同的。 举例来说，第一掺杂剂层251(例如，P+区域)像双栅极一样工作，沟道239并非反转层(其 为积累层)，且栅极电极231可为P+多晶硅(即，多晶硅、多晶Si等等)。因此，沟道239 被完全耗尽，因此截止电流泄漏为小的。此外，所描绘实例并非绝缘体上硅结构。
图2C描绘实例性源极跟随器晶体管209C，其包含源极跟随器晶体管209B的特征中的许多特征，但还包含第二掺杂剂层253。如所描绘，带电层包含与第一掺杂剂层251 位于同一平面中(例如，平行且在装置架构的同一垂直平面中)的第二掺杂剂层253。而 且，第一掺杂剂层251与第二掺杂剂层253通过半导体材料201的一部分横向分离。
图2D图解说明实例性源极跟随器晶体管209D，其包含源极跟随器晶体管209C的特征中的许多特征，但还包含第三掺杂剂层255。如所图解说明，第三掺杂剂层255至 少部分地安置于第一掺杂剂层251与第二掺杂剂层253之间。换句话说，第三掺杂剂层 255横跨第一掺杂剂层251与第二掺杂剂层253之间的间隙。如所描绘，第三掺杂剂层 255具有比组合的第一掺杂剂层251与第二掺杂剂层253两者大的横向尺寸。然而，在 其它实例中，第三掺杂剂层255可与第一掺杂剂层251及第二掺杂剂层253在横向上共 同延伸。在一些实例中，第三掺杂剂层255可在横向上大于组合的沟道239、源极电极 235与漏极电极237。第三掺杂剂层255还可具有比第一掺杂剂层251及第二掺杂剂层 253大的掺杂剂浓度或小的掺杂剂浓度。
图3图解说明根据本发明的教示的可包含图2A到2D的方面的成像系统300的一 个实例的框图。成像系统300包含像素阵列305、控制电路321、读出电路311及功能 逻辑315。在一个实例中，像素阵列305是光电二极管或图像传感器像素(例如，像素 P1、P2…、Pn)的二维(2D)阵列。如所图解说明，光电二极管被布置成若干行(例如，行 R1到Ry)及若干列(例如，列C1到Cx)以获取人、地点、物体等的图像数据，所述图像 数据接着可用于再现所述人、地点、物体等的2D图像。然而，光电二极管不必布置成 若干行及若干列，而是可采取其它配置。
在一个实例中，在像素阵列305中的每一图像传感器光电二极管/像素已获取其图像 数据或图像电荷之后，图像数据由读出电路311读出且接着被转移到功能逻辑315。在各种实例中，读出电路311可包含放大电路、模/数(ADC)转换电路或其它。功能逻辑315 可简单地存储所述图像数据或甚至通过应用图像后效应(例如，自动对焦、剪裁、旋转、 移除红眼、调整亮度、调整对比度或其它)来操纵所述图像数据。在一个实例中，读出电 路311可沿着读出列线一次读出一行图像数据(所图解说明)或可使用多种其它技术(未图 解说明)读出所述图像数据，例如串行读出或同时全并行读出所有像素。
在一个实例中，控制电路321耦合到像素阵列305以控制像素阵列305中的多个光电二极管的操作。举例来说，控制电路321可产生用于控制图像获取的快门信号。在所 描绘实例中，所述快门信号为用于同时启用像素阵列305内的所有像素以在单个获取窗 期间同时捕获其相应图像数据的全局快门信号。在另一实例中，图像获取与例如闪光灯 等照明效果同步。
在一个实例中，成像系统300可包含于数码相机、移动电话、膝上型计算机、汽车等等中。另外，成像系统300可耦合到其它件硬件，例如处理器(通用或其它)、存储器 元件、输出(USB端口、无线发射器、HDMI端口等)、照明/闪光灯、电输入(键盘、触摸 显示器、跟踪垫、鼠标、麦克风等)及/或显示器。其它件硬件可将指令递送到成像系统 300、从成像系统300提取图像数据或操纵由成像系统300供应的图像数据。
图4图解说明根据本发明的教示的制作图像传感器的方法400的一个实例。所属领域的技术人员将了解，图4中所描绘的框可以任何次序或甚至并行地发生。此外，根据 本发明的教示，可将若干框添加到图4或从图4移除。
框401展示将光电二极管植入于半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷。可 使用掺杂剂元素(例如硼、磷、砷等等)的离子植入来实现植入。
框403图解说明将浮动扩散部接近于光电二极管而植入于半导体材料中。也可使用 离子植入或其它方法来植入浮动扩散部。
框405描绘形成耦合到光电二极管以将图像电荷从光电二极管转移到浮动扩散部中 的转移晶体管(还称为“转移栅极”)。光电二极管及浮动扩散部的部分可分别用作源极及漏极。接着，栅极氧化物及栅极电极可形成于沟道上方且横向定位于源极电极与漏极 电极之间。
框407到413展示形成耦合到浮动扩散部的源极跟随器晶体管。如上文所述，所形成的源极跟随器晶体管可减少从图像传感器中的像素输出的信号中的RTS噪声。
框407展示形成源极跟随器晶体管的栅极电极，所述栅极电极包含具有第一掺杂剂 类型的半导体材料。栅极电极可由p掺杂的多晶硅形成。可在形成转移晶体管(及其它晶体管)的栅极电极的同时沉积多晶硅。接着，可在多晶硅上方施加光致抗蚀剂，可移除光 致抗蚀剂的部分以界定栅极电极特征，且接着可从多晶硅蚀刻栅极电极的形状。
框409图解说明将具有第二掺杂剂类型的源极电极植入于半导体材料中。如上文所 描述，此可包含将例如磷或砷(n型掺杂剂)等掺杂剂植入于半导体材料中。
框411描绘将具有第二掺杂剂类型的漏极电极植入于半导体材料中。类似地，此可包含将例如磷或砷等掺杂剂植入于半导体材料中。
框413展示在源极电极与漏极电极之间形成具有第二掺杂剂类型的沟道。类似于源 极电极及漏极电极，可通过将磷或砷离子植入到半导体材料中而实现形成所述沟道。还可通过在存在掺杂剂的情况下生长半导体材料或通过将掺杂剂扩散到半导体材料中而 形成所述沟道。在一些实例中，源极电极及漏极电极具有比沟道高的掺杂剂浓度(例如， 沟道具有比源极电极及漏极电极的掺杂剂原子浓度小一或多个数量级的掺杂剂原子浓 度)。
框415描绘在半导体材料中接近于沟道而形成具有第一掺杂剂类型的带电层。在一 个实例中，此可通过在半导体材料中形成深沟槽隔离结构而实现。形成深沟槽可包含在半导体材料中接近于沟道而蚀刻沟槽，且在沟槽中沉积带电氧化物，其中带电层接近于 带电氧化物与半导体材料的界面而在半导体材料中积累。换句话说，带电氧化物可具有 净负电荷，且响应于所述净负电荷，正电荷在带电氧化物与半导体材料的界面处在半导 体材料中积累。
在其它实例中，形成带电层包含将第一掺杂剂层(例如，p型)植入于半导体材料中， 且第一掺杂剂层大体上平行于沟道。在另一或不同实例中，带电层包含植入与第一掺杂 剂层位于同一平面中的第二掺杂剂层(因此第一掺杂剂层及第二掺杂剂层两者可大体上 平行于沟道)。在一个实例中，第一掺杂剂层与第二掺杂剂层通过半导体材料的一部分分 离。在一些实例中，可植入第三掺杂剂层，所述第三掺杂剂层与第一掺杂剂层及第二掺杂剂层在横向上共同延伸。第三掺杂剂层可安置于第一掺杂剂层与第二掺杂剂层之间。
在一些实例中，还可形成复位晶体管，且复位晶体管可耦合到浮动扩散部以响应于 施加到复位晶体管的栅极端子的复位信号而将浮动扩散部中的图像电荷复位。类似地，还可形成行选择晶体管，其耦合到源极跟随器晶体管的端子以输出图像信号。
包含发明摘要中所描述内容的本发明的所图解说明实例的以上描述并非打算为穷 尽性的或将本发明限制于所揭示的精确形式。尽管出于说明性目的而在本文中描述了本 发明的特定实例，但如所属领域的技术人员将认识到，可在本发明的范围内做出各种修改。
可鉴于以上详细描述对本发明做出这些修改。所附权利要求书中所使用的术语不应 理解为将本发明限制于本说明书中所揭示的特定实例。而是，本发明的范围将完全由所附权利要求书来确定，所述权利要求书将根据所创建的权利要求解释原则来加以理解。

Claims (20)

1.一种图像传感器，其包括：
光电二极管，其安置于半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷；
浮动扩散部，其接近于所述光电二极管而安置于所述半导体材料中；
转移晶体管，其耦合到所述光电二极管以响应于施加到所述转移晶体管的转移栅极的转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部中；及
源极跟随器晶体管，其耦合到所述浮动扩散部以放大所述浮动扩散部上的电荷，所述源极跟随器晶体管包含：
栅极电极，其包含具有第一掺杂剂类型的半导体材料；
源极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于所述半导体材料中；
漏极电极，其具有所述第二掺杂剂类型，安置于所述半导体材料中；及
沟道，其具有所述第二掺杂剂类型，安置于所述源极电极与所述漏极电极之间，其中所述源极电极及所述漏极电极具有比所述沟道高的掺杂剂浓度。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括带电层，所述带电层具有所述第一掺杂剂类型、接近于所述沟道而安置于所述半导体材料中。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一掺杂剂类型为p型且所述第二掺杂剂类型为n型。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其进一步包括深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构安置于所述半导体材料中且包含带电氧化物，其中所述带电层接近于所述带电氧化物与所述半导体材料的界面而在所述半导体材料中积累。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述带电层响应于所述带电氧化物具有负电荷而积累。
6.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述带电层包含位于所述半导体材料中的第一掺杂剂层，其中所述第一掺杂剂层大体上平行于所述沟道。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述带电层包含与所述第一掺杂剂层位于同一平面中的第二掺杂剂层，其中所述第一掺杂剂层与所述第二掺杂剂层通过所述半导体材料的一部分分离。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述带电层包含第三掺杂剂层，所述第三掺杂剂层在横向上大于所述第一掺杂剂层及所述第二掺杂剂层，且安置于所述第一掺杂剂层与所述第二掺杂剂层之间。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中栅极电极包含多晶硅，其中氧化物层安置于所述多晶硅与所述半导体材料之间。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：
复位晶体管，其耦合到所述浮动扩散部以将所述浮动扩散部中的图像电荷复位；及
行选择晶体管，其耦合到所述源极跟随器晶体管。
11.一种制作图像传感器的方法，其包括：
将光电二极管植入于半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷；
将浮动扩散部接近于所述光电二极管而植入于所述半导体材料中；
形成耦合到所述光电二极管以将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部中的转移晶体管；及
形成耦合到所述浮动扩散部的源极跟随器晶体管，包含：
形成包含具有第一掺杂剂类型的半导体材料的栅极电极；
将具有第二掺杂剂类型的源极电极植入于所述半导体材料中；
将具有所述第二掺杂剂类型的漏极电极植入于所述半导体材料中；及
在所述源极电极与所述漏极电极之间形成具有所述第二掺杂剂类型的沟道，其中所述源极电极及所述漏极电极具有比所述沟道高的掺杂剂浓度。
12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括在所述半导体材料中接近于所述沟道而形成具有所述第一掺杂剂类型的带电层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一掺杂剂类型为p型且所述第二掺杂剂类型为n型。
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括在所述半导体材料中形成深沟槽隔离结构，包含：
在所述半导体材料中接近于所述沟道而蚀刻沟槽；及
在所述沟槽中沉积带电氧化物，其中所述带电层接近于所述带电氧化物与所述半导体材料的界面而在所述半导体材料中积累。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述带电层响应于所述带电氧化物具有负电荷而积累。
16.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述带电层包含将第一掺杂剂层植入于所述半导体材料中，其中所述第一掺杂剂层大体上平行于所述沟道。
17.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述带电层包含植入与所述第一掺杂剂层位于同一平面中的第二掺杂剂层，其中所述第一掺杂剂层与所述第二掺杂剂层通过所述半导体材料的一部分分离。
18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述带电层包含植入第三掺杂剂层，所述第三掺杂剂层在横向上大于所述第一掺杂剂层及所述第二掺杂剂层，且安置于所述第一掺杂剂层与所述第二掺杂剂层之间。
19.根据权利要求11所述的方法，其中栅极电极包含多晶硅，其中氧化物层安置于所述多晶硅与所述半导体材料之间。
20.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：
形成耦合到所述浮动扩散部以将所述浮动扩散部中的图像电荷复位的复位晶体管；及
形成耦合到所述源极跟随器晶体管的行选择晶体管。
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