CN110021612A - 图像传感器 - Google Patents

图像传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN110021612A
CN110021612A CN201811352594.7A CN201811352594A CN110021612A CN 110021612 A CN110021612 A CN 110021612A CN 201811352594 A CN201811352594 A CN 201811352594A CN 110021612 A CN110021612 A CN 110021612A
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
piece
pixel
pixel region
lenticule
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811352594.7A
Other languages
English (en)
Inventor
金范锡
朴钟勳
文昌碌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN110021612A publication Critical patent/CN110021612A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

一种图像传感器可以包括具有多个块区域的基底。每个块区域可以包括分离的多个像素区域。每个像素区域可以包括位于基底中的多个光电元件中的单独的光电元件以及位于基底上的多个微透镜中的单独的微透镜。多个微透镜中的每个微透镜可以从像素区域的垂直中心线朝向块区域的中心横向偏移。多个块区域中的每个块区域可以包括块区域的多个微透镜的共同偏移形状。

Description

图像传感器
本申请要求于2018年1月10日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0003164号韩国专利申请的优先权和由此获得的全部权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明构思涉及一种图像传感器。
背景技术
半导体装置的图像传感器是将光学图像转换为电信号的元件。图像传感器可以分为CCD(电荷耦合器件)型和CMOS(互补金属氧化物半导体)型。CMOS型图像传感器缩写为CIS(CMOS图像传感器)。CIS包括多个二维布置的像素。每个像素包括光电二极管。光电二极管用作将入射光(incident beam)转换为电信号。
目前，根据计算机产业和通信产业的发展，在诸如数码相机、摄影机、PCS(个人通信系统)、游戏机、安全摄像机、医疗微型摄像机和机器人的各种领域中对于具有改善的性能的图像传感器的需求已经增加。另外，当半导体装置高度集成时，图像传感器也被高度集成。
发明内容
本发明构思的一些方面提供了图像传感器，图像传感器被构造为基于将所述图像传感器的微透镜的偏移划分为一个或更多个块单元来提供具有改善的分辨率和可视性的图像。
本发明构思的方面不限于以上提及的这些，本领域技术人员通过下面的描述可清楚地理解未提及的另外的方面。
根据一些示例实施例，图像传感器可以包括具有多个块区域的基底。多个块区域中的每个块区域可以包括分离的多个像素区域。每个块区域中的每个像素区域可以包括在基底中的多个光电元件中的单独的光电元件以及在基底上的多个微透镜中的单独的微透镜，其中，多个微透镜中的每个微透镜从像素区域的垂直中心线朝向块区域的中心横向偏移。多个块区域中的每个块区域可以包括块区域的多个微透镜的共同偏移形状。
根据一些示例实施例，图像传感器可以包括基底，基底包括第一块区域和第二块区域，第一块区域包括第一像素区域和第二像素区域，第二块区域包括第三像素区域和第四像素区域。第一像素区域至第四像素区域可以包括：第一光电元件至第四光电元件，位于第一像素区域至第四像素区域中的分离的各个像素区域中；以及第一微透镜至第四微透镜，位于第一像素区域至第四像素区域中的分离的各个像素区域上。第一像素区域的垂直中心线与第一块区域的中心之间的距离可以是第一距离，第二像素区域的垂直中心线与第一块区域的中心之间的距离可以是第二距离，第三像素区域的垂直中心线与第二块区域的中心之间的距离可以是第一距离，并且第四像素区域的垂直中心线与第二块区域的中心之间的距离可以是第二距离。第一微透镜可以从第一像素区域的垂直中心线朝向第一块区域的中心横向偏移第一间隔，第二微透镜可以从第二像素区域的垂直中心线朝向第一块区域的中心横向偏移第二间隔，第三微透镜可以从第三像素区域的垂直中心线朝向第二块区域的中心横向偏移第一间隔，并且第四微透镜可以从第四像素区域的垂直中心线朝向第二块区域的中心横向偏移第二间隔。
根据一些示例实施例，图像传感器可以包括基底，基底包括第一块区域、第二块区域和第三块区域，第一块区域至第三块区域包括分离的多个像素区域。图像传感器可以包括位于基底中的第一边界分离膜，第一边界分离膜限定第一块区域和第二块区域，使得第一边界分离膜在第一块区域与第二块区域之间被划分。图像传感器可以包括位于基底中的第二边界分离膜，第二边界分离膜限定第二块区域和第三块区域，使得第二边界分离膜在第二块区域与第三块区域之间被划分。图像传感器可以包括位于基底上且位于第一块区域至第三块区域的多个像素区域中的分离的各个像素区域上的多个微透镜。多个微透镜中的微透镜之间的间隔可以不是常数。位于第一块区域中的多个微透镜和位于第二块区域中的多个微透镜可以共同地包括基于第一边界分离膜彼此对称的微透镜的图案。位于第二块区域中的多个微透镜和位于第三块区域中的多个微透镜可以共同地包括基于第二边界分离膜彼此对称的微透镜图案。
附图说明
通过结合附图对本发明构思的示例实施例的详细描述，本发明构思的以上和其它方面和特征将变得更明显，在附图中：
图1是示出根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的框图；
图2是用于详细解释图1的控制电路的图像传感器的框图；
图3是图2的像素阵列的等效电路图；
图4是用于解释图2的像素阵列的块区域(block region)和像素区域的布置的平面概念图；
图5是用于解释根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的块区域的概念图；
图6是用于解释根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的微透镜的偏移的平面图；
图7是沿图6的线VII-VII'截取的剖视图；
图8是用于解释根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的微透镜的偏移的平面图；
图9是用于解释包括图8的块区域的图像传感器的平面图；
图10是沿图9的线X-X'截取的剖视图；
图11是用于解释根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的剖视图；
图12是用于解释包括图11的图像传感器的指纹感测系统的概念透视图；
图13是用于解释包括图11的图像传感器的指纹感测系统的分解透视图；
图14是用于解释根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的框图；
图15是用于解释根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的完全模式的概念图；以及
图16是用于解释根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的合并模式(binning mode)的概念图。
具体实施方式
在下文中，将参照图1至图10来描述根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器。
图1是示出根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的框图。
参照图1，第一图像传感器1220可以包括控制电路2000和像素阵列1000。
像素阵列1000包括多个二维布置的单元像素。多个单元像素用于将光学图像转换为电输出信号。
控制电路2000连接到像素阵列1000以将输入信号施加到像素阵列1000，并且可以从像素阵列1000接收输出信号的传输。例如，如下面进一步描述的，控制电路2000可以接收由包括在像素阵列1000中的多个光电元件110(见图7)产生的电信号。控制电路2000可以控制像素阵列1000的全部操作。
图2是用于详细解释图1的控制电路的图像传感器的框图。
参照图2，控制电路2000包括时序产生器2100、行解码器2200、行驱动器2300、相关双采样器(CDS)2500、模拟数字转换器(ADC)2600、锁存器2700和列解码器2800等。
像素阵列1000通过从行驱动器2300接收诸如行选择信号、重置信号和电荷传输信号的多个驱动信号而被驱动。在一些示例实施例中，转换的电输出信号经由垂直信号线被提供到相关双采样器2500。
时序产生器2100将时序信号和控制信号提供到行解码器2200和列解码器2800。
行驱动器2300根据由行解码器2200解码的结果将用于驱动多个单元像素的多个驱动信号提供到像素阵列1000。通常，当单元像素以矩阵形式布置时，为每行提供驱动信号。
相关双采样器2500通过垂直信号线接收在像素阵列1000上形成的输出信号以对输出信号进行保持和采样。即，对由于输出信号而产生的特定噪声电平和信号电平进行双采样，以输出与噪声电平和信号电平之间的差对应的差电平。
模拟数字转换器2600将对应于差电平的模拟信号转换为数字信号，并输出转换的信号。
锁存器2700锁存数字信号，锁存的信号根据列解码器2800中的解码结果被顺序地输出到视频信号处理单元。
图3是图2的像素阵列的等效电路图。
参照图3，像素P布置为矩阵形式以形成像素阵列1000。每个像素P包括光电晶体管11、浮置扩散区13、电荷传输晶体管15、驱动晶体管17、重置晶体管18和选择晶体管19。将使用i行像素(P(i,j)、P(i,j+1)、P(i,j+2)、P(i,j+3)、…)作为示例来描述它们的功能。
光电晶体管11吸收入射光并且积累与光量对应的电荷。光电二极管、光电晶体管、光电门、钉扎光电二极管(pinned photodiode)或它们的组合可应用于光电晶体管11，在图中示出了光电二极管。
每个光电晶体管11与每个电荷传输晶体管15耦合，传输晶体管15将积累的电荷传输到浮置扩散区13。因为浮置扩散区13是将电荷转换为电压并且具有寄生电容的区域，所以累积地存储电荷。
作为源极跟随放大器示例的驱动晶体管17使接收在每个光电晶体管11中积累的电荷的传输的浮置扩散区13的电势变化放大，并且将放大的电势变化供应到输出线(Vout)。
重置晶体管18周期地重置浮置扩散区13。重置晶体管18可以包括由通过施加特定的(或，可选择的、预定的)偏置(即，重置信号)的重置线18i(RX(i))提供的偏置来驱动的单个MOS晶体管。当重置晶体管18通过由重置线18i提供的偏置导通时，提供到重置晶体管18的漏极的特定的(或，可选择的、预定的)电势(例如，电源电压(VDD))被传输到浮置扩散区13。
选择晶体管19用于选择以行为单位读取的像素P。选择晶体管19可以包括由通过行选择线(SEL(i))提供的偏置(即，行选择信号)来驱动的单个MOS晶体管。当选择晶体管19通过由行选择线(SEL(i))提供的偏置而导通时，提供到选择晶体管19的漏极的特定的(或，可选择的、预定的)电势(例如，电源电压(VDD))被传输到驱动晶体管17的漏极。
将偏置施加到电荷传输晶体管15的传输线15i(TX(i))、将偏置施加到重置晶体管18的重置线18i和将偏置施加到选择晶体管19的行选择线(SEL(i))可以布置为在行方向上基本彼此平行地延伸。
图4是用于解释图2的像素阵列的块区域(block region)和像素区域的布置的示意性平面图。
参照图4，像素阵列1000可以包括多个像素区域(P1至P7、P101至P107、P201至P207、P301至P307、P401至P407、P501至P507和P601至P607)。
多个像素区域(P1至P7、P101至P107、P201至P207、P301至P307、P401至P407、P501至P507和P601至P607)可以被限定为多行和多列。在图4中，仅示出了7行7列的49个像素区域，但这是为了方便起见而仅示出局部像素区域，发明构思不限于此。即，可以不同地应用像素区域的数量。
行信号线(R1至R7)可以连接到多个像素区域(P1至P7、P101至P107、P201至P207、P301至P307、P401至P407、P501至P507和P601至P607)中的每行。行信号线(R1至R7)中的每条可以是图3的SEL(i)。即，信号可经由一条行信号线(R1至R7)施加到整行的像素区域。
列信号线(C1至C7)可以连接到多个像素区域(P1至P7、P101至P107、P201至P207、P301至P307、P401至P407、P501至P507、P601至P607)中的每列。列信号线(C1至C7)中的每条可以是图3的Vout。即，整列的像素区域的信号可经由一条列信号线(C1至C7)输出。
多个像素区域(P1至P7、P101至P107、P201至P207、P301至P307、P401至P407、P501至P507和P601至P607)中的每个可被分为多个块区域(B1至B9)。即，多个像素区域可包括在一个块区域中。例如，第一块区域B1可以包括多个像素区域(P1至P3、P101至P103和P201至P203)。
多个块区域(B1至B9)可以包括具有相同(“共同的”)大小和形状的块区域。例如，第一块区域B1和第二块区域B2可以具有相同的正方形形状和相同的大小。每个块区域可以包括相同数量的像素区域。
在图4中，因为一个块区域可包括九个像素区域并且是正方形，所以像素区域可以具有三行三列。然而，本发明构思不限于这些示例。可以各种改变属于一个块区域的像素区域的数量。
图5是用于解释根据本发明构思的一些示例实施例的另一图像传感器的块区域的概念图。
参照图5，第一块区域B1可以包括总共12个像素区域(P1至P4、P101至P104和P201至P204)。至少一个块区域(例如，B1)可以具有正方形形状。第一块区域B1可以是矩形而不是正方形。重复一遍，至少一个块区域(例如，B1)可以具有矩形形状。这样，根据本发明构思的一些示例实施例的第一图像传感器1220的块区域的形状可以根据具体目的和需要而改变。
图6是示出根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的微透镜的偏移的平面图。因为其它块区域也具有与第一块区域B1相同的结构，所以为了方便起见将在图6中仅解释第一块区域B1。
参照图6，像素区域(P1至P3、P101至P103和P201至P203)中的每个可以包括微透镜220。微透镜220可以逐个设置在各个像素区域(P1至P3、P101至P103和P201至P203)上。
各个像素区域(P1至P3、P101至P103和P201至P203)的微透镜未设置在每个像素区域(P1至P3、P101至P103和P201至P203)的中心处，并且可以偏移。具体地，微透镜220可以被设置为在第一块区域B1的中心BC1的方向上偏置。
此时，微透镜220的偏移程度(即，偏置程度)可以根据每个像素区域(P1至P3、P101至P103和P201至P203)的中心与第一块区域B1的中心BC1之间的距离而改变。
具体地，因为P102像素区域具有与第一块区域B1的中心BC1相同的中心，所以可以不从P102像素区域的中心偏移。
因为P2、P101、P103和P202像素区域相邻于P102像素区域以共用侧表面，所以第一块区域B1的中心BC1与每个像素区域的中心之间的距离可以与第一距离D1相同。
P2、P101、P103和P202像素区域的微透镜220可以在P102像素区域的方向上偏移，即，从像素区域的垂直中心线(例如，像素区域P2的垂直中心线PC2)在第一块区域B1的中心BC1的方向上偏移第一间隔S1。
与此不同，因为P1、P3、P201和P203像素区域在对角线方向上相邻于P102像素区域，所以第一块区域B1的中心BC1与每个像素区域的中心之间的距离可以与第二距离D2相同。此时，第二距离D2自然可以大于第一距离D1。
P1、P3、P201和P203像素区域的微透镜220可以从像素区域的垂直中心线在第一块区域B1的中心BC1的方向上偏移第二间隔S2。此时，第二间隔S2可以大于第一间隔S1。
即，第一块区域B1的每个像素区域的微透镜220偏移的间隔可以根据第一块区域B1的中心与每个像素区域的中心之间的距离来确定。具体地，随着第一块区域B1的中心与每个像素区域的中心之间的距离越大，每个像素区域的微透镜220偏移的间隔可以增加。
图7是沿图6的线VII-VII'截取的剖视图。
根据本发明构思的一些示例实施例的第一图像传感器1220包括基底100、光电元件110、边界分离膜130、固定电荷层160、防反射膜170、下平坦化膜180、滤色器200、侧表面防反射膜190、上平坦化膜210、微透镜220、保护膜230和绝缘结构300。在另一像素区域的情况下，因为除了微透镜220的位置之外的其它部分与P102像素区域的其他部分相同，所以为了方便将仅描述P102像素区域。
基底100包括彼此相对的第一侧面100a和第二侧面100b。基底100的第一侧面100a可以是基底100的前侧面，基底100的第二侧面100b可以是基底的后侧面。然而，本发明构思不限于此。
如图7中所示，像素区域(例如，P102像素区域)包括与基底100的侧面100a和100b正交地延伸的垂直中心线(例如，PC102)。在一些示例实施例中，例如像素区域(例如，P102像素区域)位于块区域(例如，块区域B1)的中心中的情况，像素区域的垂直中心线(例如，PC102)和块区域的中心(例如，BC1)可以相同。
如在至少图7中所示，滤色器200(这里也可以被称为“滤色器层”)可以位于基底100与微透镜220之间。滤色器200可以具有至少红色、蓝色和绿色中的任何一种。重复一遍，滤色器200可以被构造为选择性地过滤红光、蓝光和绿光中的任何特定的一种。
例如，基底100可以使用P型体基底或N型体基底，或者可以通过在P型体基底上生长P型或N型外延层或通过在N型体基底上生长P型或N型外延层来使用。除了半导体基底之外，诸如有机基底或塑料基底的基底也可用作基底100。
P102像素区域可以形成在基底100中。P102像素区域可以是分别检测从外部通过微透镜220入射的入射光的区域。P102像素区域可以限定为通过随后将描述的边界分离膜130与其它像素区域分隔开。
例如，光电元件110(例如，光电二极管)形成在P102像素区域的基底100的每个中。光电元件110可以靠近于基底100的第一侧面100a形成，但不限于此。
光电元件110可以是以上描述的图3的光电晶体管11，即，光电二极管、光电晶体管、光电门、钉扎光电二极管或它们的组合。光电元件110可以被构造为产生电信号，电信号可以从像素阵列1000(块区域B1可以位于其中)传送到控制电路2000。
边界分离膜130可以形成在基底100中。边界分离膜130可以将P102像素区域限定在基底100内。边界分离膜130可以形成在每个P102像素区域的边缘处。通过边界分离膜130，P102像素区域可以被限定为闭合空间。边界分离膜130的平面横截面形状可以是以环形式的闭合曲线。
边界分离膜130可以形成在边界分离沟槽120中。边界分离沟槽120可以通过在基底100中在深度方向上蚀刻来形成。边界分离沟槽120可以形成在基底100的第二侧面100b上，并且在第一侧面100a的方向上延伸。边界分离沟槽120可以不到达基底100的第一侧面100a。
此时，边界分离沟槽120的深度可以小于光电元件110所位于的深度。这是出于防止光电元件由于边界分离沟槽120的形成而被损坏的目的。然而，发明构思不限于此。
在根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器中，当形成边界分离沟槽120使得距离光电元件110的水平距离足够远时，边界分离沟槽120的深度可以比光电元件110所位于的深度深。
边界分离沟槽120的侧表面可以具有如图7中所示的锥形形状。具体地，边界分离沟槽120的宽度可以朝向下方向变窄，并且可以朝向上方向变宽。然而，发明构思不限于此。
如图中所示，边界分离膜130可以由随后描述的固定电荷层160和形成在固定电荷层160上的防反射膜170形成。
在一些示例实施例中，边界分离膜130可以由一种物质形成。在这种情况下，固定电荷层160和防反射膜170可以形成在边界分离膜130上。此时，边界分离膜130可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和具有比氧化硅低的介电常数的低介电常数物质中的至少一种。低介电常数物质可以包括但不限于例如FOX(可流动氧化物)、TOSZ(Tonen SilaZene)、USG(未掺杂的硅玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)、PETEOS(等离子体增强的正硅酸四乙酯)、FSG(氟硅酸盐玻璃)、CDO(碳掺杂氧化硅)、干凝胶、气凝胶、非晶氟化碳、OSG(有机硅酸盐玻璃)、聚对二甲苯、BBCB(双苯并环丁烯)、SiLK、聚酰亚胺、多孔聚合物物质或它们的组合。
边界分离膜130的上表面和基底100的上表面可以是相同的平面。然而，本发明构思不限于这些示例。
固定电荷层160可以形成在基底100的第二侧面100b和边界分离沟槽120的表面(侧表面和底表面)上。固定电荷层160可以形成在基底100的第二侧面100b的整个表面或部分表面上。
在形成在像素区域中的光电元件110(例如，光电二极管(图3的11))是N型的情况下，固定电荷层160可以形成为P+型。即，固定电荷层160用于通过减少在基底100的第二侧面100b上热生成的EHP(电子空穴对)来减少暗电流。在一些情况下，固定电荷层160可以省略。
例如，固定电荷层160包括例如金属氧化物膜或金属氮化物膜，可以使用铪(Hf)、铝(Al)、锆(Zr)、钽(Ta)和钛(Ti)作为金属。此外，固定电荷层160可以包括La、Pr、Ce、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Tm、Yb、Lu和Y中的至少一种。此外，固定电荷层160可以由氮氧化铪膜或氮氧化铝膜形成。
虽然固定电荷层160在附图中示出为单层，但固定电荷层160可以是其中结合了由相同或不同物质形成的两层或更多个层的层叠结构。
防反射膜170可以形成在固定电荷层160上。防反射膜170可以完全填充边界分离沟槽120。防反射膜170可以用于防止从外部入射的光的反射。防反射膜170可以包括与固定电荷层160具有不同的折射率的物质。例如，防反射膜170可以由诸如氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、树脂、它们的组合或它们的层叠物的绝缘膜形成。
固定电荷层160和防反射膜170的双层的构造可以通过上述不同的折射系数具有防反射功能。因此，可以防止在基底100的第二侧面100b上入射的光的反射。
防反射膜170的物质和厚度可以根据在光学处理中使用的光的波长而改变。例如，具有大约至的厚度的氧化硅膜和具有大约至的厚度的氮化硅膜可以被堆叠并且用作防反射膜170。然而，发明构思不限于此。
下平坦化膜180可以形成在防反射膜170、固定电荷层160和基底100上。下平坦化膜180可以包括例如氧化硅膜类物质、氮化硅膜类物质、树脂和它们的组合中的至少一种。
下平坦化膜180可以用作用于在非像素区域中形成垫(pad,或称为“焊盘”或“焊垫”，未示出)的图案化工艺中防止基底100被损坏的缓冲膜。
下平坦化膜180可以包括氧化硅膜类物质、氮化硅膜类物质、树脂和它们的组合中的至少一种。作为下平坦化膜180，例如，可以使用具有大约至的厚度的氧化硅膜。然而，发明构思不限于此。
滤色器200可以形成在下平坦化膜180上。滤色器200可以过滤入射光的除了部分波长区域之外的剩余波段。例如，在蓝色滤色器的情况下，滤色器200可以过滤除了蓝光之外的剩余波段，在红色滤色器的情况下，滤色器200可以过滤除了红光之外的剩余波段。此外，在绿色滤色器的情况下，滤色器200可以过滤除了绿光之外的剩余波段。
结果，穿过滤色器200的光可以是具有特定颜色的光。穿过滤色器200的光可以通过下面的结构到达光电元件110。光电元件110可以通过特定颜色的入射光产生电流。
侧表面防反射膜190可以形成在下平坦化膜180上。侧表面防反射膜190可以覆盖下平坦化膜180的一部分。侧表面防反射膜190可以在垂直方向上与边界分离膜130叠置。即，侧表面防反射膜190可以设置在P102像素区域的边缘处。
侧表面防反射膜190可以设置在滤色器200的侧表面上。具体地，滤色器200可以覆盖侧表面防反射膜190的侧表面和上表面。即，侧表面防反射膜190的上表面的高度可以比滤色器200的上表面的高度低。
侧表面防反射膜190可以防止穿过滤色器200的入射光被反射或散射到侧表面。即，侧表面防反射膜190可以防止在滤色器200与下平坦化膜180之间的界面处反射或散射的光子移动到其它感测区域。因为侧表面防反射膜190如上所述在界面处起作用，所以它可以仅覆盖滤色器200的侧表面的一部分。
侧表面防反射膜190可以包括金属。侧表面防反射膜190可以包括例如钨(W)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。
上平坦化膜210可以平坦地形成在滤色器200上。上平坦化膜210可以包括例如氧化硅膜类物质、氮化硅膜类物质、树脂和它们的组合中的至少一种。虽然上平坦化膜210被示出为单个膜，但这仅是为了方便描述，发明构思不限于此。
虽然图7示出了其中上平坦化膜210和下平坦化膜180分别形成在滤色器200的上侧面和下侧面上的构造作为示例，但发明构思不限于此。例如，平坦化膜可以仅形成在滤色器200的下侧面上，或者平坦化膜可以仅形成在滤色器200的上侧面上。在一些示例实施例中，在滤色器200的上侧面和下侧面两者上不存在平坦化膜。
微透镜220可以形成在上平坦化膜210上。微透镜220可以具有如所示的向上凸的形状。微透镜220的凸形状用于使入射光集中在P102像素区域中。
微透镜220可以由诸如PR(光致抗蚀剂)的有机物质制成。然而，发明构思不限于此，微透镜220可以使用无机物质形成。用有机物质形成微透镜220可以是例如通过在上平坦化膜210上形成有机物质图案并且通过执行热处理来形成微透镜220。有机物质图案可以通过热处理变为微透镜220的形式。
保护膜230可以沿着微透镜220的表面以恒定厚度形成。保护膜230可以是矿物氧化膜。例如，可以使用氧化硅膜(SiO2)、氧化钛膜(TiO2)、氧化锆膜(ZrO2)、氧化铪膜(HfO2)、它们的层叠膜或它们的组合。具体地，作为氧化硅膜的一种类型的LTO(低温氧化物)可以用作保护膜230。对于以这种方式使用LTO的原因在于：因为LTO在低温(大约100℃至200℃)下制造，所以可降低对下面的膜的损坏。此外，因为LTO是非晶的，所以表面是光滑的并且可将入射光的反射/折射/散射等抑制为最小。
因为微透镜220由有机物质制成，所以它会容易受到外部冲击。因此，保护膜230用于保护微透镜220免受外部冲击。此外，在相邻微透镜之间会存在一些空间，而保护膜230用于填充这样的空间。
如果相邻微透镜220之间的空间被填充，则可改善入射光的聚光能力。原因在于：能够降低到达相邻微透镜220之间的空间的入射光的反射/折射/散射。
绝缘结构300可以形成在基底100的第一侧面100a上。即，绝缘结构300可以形成在基底100的前侧面上。绝缘结构300可以包括绝缘层320、栅极结构310和布线结构330。
绝缘层320可以包括例如氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、低介电常数物质和它们的组合中的至少一种。绝缘层320可以覆盖并围绕随后描述的栅极结构310和布线结构330。即，绝缘层320可以负责栅极结构310与布线结构330之间的绝缘。
栅极结构310可以设置在基底100的第一侧面100a上。栅极结构310可以是例如电荷传输晶体管15的栅极、重置晶体管18的栅极、选择晶体管19的栅极或驱动晶体管的栅极等。
再次参照图6和图7，P102像素区域的光电元件110和微透镜220可以布置在第一块区域B1的中心BC1处。因为P102像素区域是位于第一块区域B1的中心处的像素区域，所以在第一块区域B1的中心BC1处布置了微透镜220和光电元件110。然而，因为其它像素区域不位于第一块区域B1的中心处，所以微透镜220可以在第一块区域B1的中心BC1的方向上偏移。
图8是示出根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的微透镜的偏移的平面图。
参照图8，根据本发明构思的一些示例实施例的第一图像传感器1220的第一块区域B1可以包括总共25个像素区域(P1至P5、P101至P105、P201至P205、P301至P305和P401至P405)。
像素区域(P1至P5、P101至P105、P201至P205、P301至P305和P401至P405)中的每个可以包括微透镜220。微透镜220可以逐个布置在每个像素区域(P1至P5、P101至P105、P201至P205、P301至P305和P401至P405)中。再重复一遍，块区域B1的每个像素区域可以包括在基底100上的多个微透镜220中的单独的微透镜220。
各个像素区域(P1至P5、P101至P105、P201至P205、P301至P305和P401至P405)的微透镜可以偏移而不位于各个像素区域(P1至P5、P101至P105、P201至P205、P301至P305和P401至P405)的中心处。具体地，微透镜220可以设置为在第一块区域B1的中心BC1的方向上偏置。重复一遍，在块区域B1中的多个微透镜220中的每个微透镜220可以从包括微透镜220的像素区域(例如，P3)的垂直中心线(例如，PC3)朝向块区域B1的中心BC1横向偏移(例如，在像素区域P3中偏移间隔S3)。
此时，微透镜220的偏移程度(即，偏置程度)可以根据每个像素区域(P1至P5、P101至P105、P201至P205、P301至P305和P401至P405)的中心与第一块区域B1的中心BC1之间的距离而改变。
具体地，因为P203像素区域具有与第一块区域B1的中心BC1相同的中心(例如，PC203＝BC1)，所以P203像素区域的微透镜220可以不从P203像素区域的中心偏移。
因为P103、P202、P204和P303像素区域相邻于P203像素区域以共用侧表面，所以第一块区域B1的中心BC1与每个像素区域的中心(例如，P303像素区域的垂直中心线PC303)之间的距离可以与第一距离D1相同。
P103、P202、P204和P303像素区域的微透镜220可以在P203像素区域的方向上(即，在第一块区域B1的中心BC1的方向上)偏移第一间隔S1。
相反，因为P102、P104、P302和P304像素区域与P203像素区域在对角线方向上相邻，所以第一块区域B1的中心BC1与每个像素区域的中心(例如，P302像素区域的垂直中心线PC302)之间的距离可以与第二距离D2相同。此时，第二距离D2自然可以大于第一距离D1。
P102、P104、P302和P304像素区域的微透镜220可以在P203像素区域的方向上(即，在第一块区域B1的中心BC1的方向上(“朝着”第一块区域B1的中心BC1))偏移(从各个像素区域中心线“横向偏移”)第二间隔S2。此时，第二间隔S2可以大于第一间隔S1。
因为P3、P201、P205和P403像素区域在行或列的方向上与P203像素区域叠置并且与P203像素区域分隔开(“不直接接触并隔开”)位于其间的一个像素区域的间隔，所以第一块区域B1的中心BC1与每个像素区域的中心(例如，P3像素区域的垂直中心线PC3)之间的距离可以与第三距离D3相同。此时，第三距离D3可以大于第一距离D1和第二距离D2。
P3、P201、P205和P403像素区域的微透镜220可以在P203像素区域的方向上(即，在第一块区域B1的中心BC1的方向上)偏移第三间隔S3。此时，第三间隔S3可以大于第一间隔S1和第二间隔S2。
因为P1、P5、P401和P405像素区域与P203像素区域在对角线方向上分隔开(“不直接接触并隔开”)位于其间的一个像素区域的间隔，所以第一块区域B1的中心BC1与每个像素区域的中心(例如，P5像素区域的垂直中心线PC5)之间的距离可以与第四距离D4相同。此时，第四距离D4可以大于第一距离D1、第二距离D2和第三距离D3。
P1、P5、P401和P405像素区域的微透镜220可以在P203像素区域的方向上(即，在第一块区域B1的中心BC1的方向上)偏移第四间隔S4。此时，第四间隔S4可以大于第一间隔S1、第二间隔S2和第三间隔S3。
另外，因为P2、P4、P402、P404、P101、P105、P301和P305像素区域中的每个的中心与第一块区域B1的中心BC1之间的距离大于第三距离D3并且小于第四距离D4，所以微透镜220的偏移间隔可以大于第三间隔S3并小于第四间隔S4。
即，随着第一块区域B1的中心与每个像素区域的中心之间的距离越大，微透镜220的偏移间隔可以变大。
图9是用于解释包括图8的块区域并且还包括多个块区域B1、B2、B3、B4、B101、B102、B103、B104、B201、B202、B203、B204、B301、B302、B303和B304的图像传感器的平面图。图9中所示的每个块区域(这里也可以被称为基底100的块区域)可以具有与至少在图8中所示的块区域B1相似的结构。因此，包括至少图9中示出的像素阵列1000的第一图像传感器1220可以包括多个块区域B1至B304，其中，每个块区域包括多个像素区域(例如，如图8中所示的与块区域B1相关的像素区域P1至P405)。如至少图7中所示，每个块区域的多个像素区域中的每个像素区域可以包括在基底100中的多个光电元件110中的单独的光电元件110。重复一遍，多个光电元件110可以位于分离的各个像素区域中。如至少图7中进一步所示，每个块区域的多个像素区域中的每个像素区域可以包括在基底100上的多个微透镜220中的单独的微透镜220。重复一遍，多个微透镜220可以位于分离的各个像素区域上。如以上参照图8所示，多个微透镜中的每个微透镜220可以从包括该微透镜220的像素区域(例如，P1)的垂直中心线PC1朝向块区域(例如，B1)的中心BC1横向偏移。如图8和图9中所示，多个块区域中的每个块区域可以包括块区域的多个微透镜的共同的偏移形状。例如，如图8中所示，块区域B1的微透镜220均从各个像素区域的垂直中心线横向偏移(除像素区域P203的微透镜220之外)，使得块区域B1具有微透镜220的特定图案(“构造”)。微透镜220的这样的图案在这里可以被称为块区域B1的微透镜220的“偏移形状”。如图9中进一步所示，块区域B1至B304中的每个可以基于均包括这里的微透镜220的相同(“共同”)图案而具有共同“偏移形状”。
如图9中所示，第一图像传感器1220的至少两个块区域(例如，B1和B2)可以包括共同数量的像素区域。如进一步所示，第一图像传感器1220的至少两个块区域(例如，B1和B2)可以均包括以共同行数和共同列数排列的像素区域。
如图8和图9中所示，块区域中的多个微透镜中的微透镜220之间的距离(例如，D1、D2、D3、D4等)可以不是常数。
参照图8和图9，在根据本发明构思的一些示例实施例的第一图像传感器1220的像素阵列1000中，微透镜220可以以块区域为单位偏移。在这种情况下，每个块区域的微透镜220的偏移形状可以相同。
例如，第一块区域B1的微透镜220可以向第一块区域B1的中心偏移，第二块区域B2的微透镜220可以向第二块区域B2的中心偏移。这些微透镜220的偏移形状(例如，在每个单独的块区域中的微透镜220的每个单独的图案的形状)可以彼此完全相同(例如，可以是共同的形状)。此时，表述“完全相同”是包括根据制造工艺的精细步骤的概念。
图10是沿图9的线X-X'截取的剖视图。
参照图10，在根据本发明构思的一些示例实施例的第一图像传感器1220中，可以通过使微透镜220以块区域为单位偏移来改善对特定目标(ST)的聚焦。基本上地，一个微透镜220可以基于原始像素区域均匀地看到目标的全部侧面，然而，仅少量像素区域可以收集对于特定目标的反射光。
相反，在根据本发明构思的一些示例实施例的第一图像传感器1220中，随着微透镜220以块区域为单位偏移，块区域的光收集区域的面积部分地减小。然而，在块区域的光收集区域内，全部的微透镜220可以同时收集同一目标的反射光。
因此，对于在传统图像传感器中是模糊的且以低分辨率成像的目标，根据本发明构思的一些示例实施例的第一图像传感器1220可以以较清晰的且较高的分辨率使目标成像。
参照图9和图10，限定每个像素的边界的边界分离膜130可以在每个块区域的边界处限定块区域的边界，使得边界分离膜130至少部分地限定相邻的块区域，从而边界分离膜130在相邻块区域之间被划分。即，在第五像素区域P5与第六像素区域P6之间的第一边界分离膜(130，K1)(或130(K1))可以限定第一块区域B1与第二块区域B2之间的边界，使得第一边界分离膜(130，K1)至少部分地限定第一块区域B1和第二块区域B2，从而第一边界分离膜(130，K1)在第一块区域B1与第二块区域B2之间被划分。相似地，在第十像素区域P10与第十一像素区域P11之间的第二边界分离膜(130，K2)(或130(K2))可以限定第二块区域B2与第三块区域B3之间的边界，使得第二边界分离膜(130，K2)至少部分地限定第二块区域B2和第三块区域B3，从而第二边界分离膜(130，K2)在第二块区域B2与第三块区域B3之间被划分。
因此，第一边界分离膜(130，K1)可以限定第一块区域B1与第二块区域B2之间的边界，第二边界分离膜(130，K2)可以限定第二块区域B2与第三块区域B3之间的边界。
第一块区域B1的微透镜220和第二块区域B2的微透镜220可以基于第一边界分离膜(130，K1)对称地设置。第二块区域B2的微透镜220和第三块区域B3的微透镜220可以基于第二边界分离膜(130，K2)对称地设置。这可能是由于第一块区域B1至第三块区域B3的微透镜220的布置彼此相同的事实。
重复一遍，位于第一块区域B1中的多个微透镜220和位于第二块区域B2中的多个微透镜220可以共同地包括基于第一边界分离膜(130，K1)彼此对称的微透镜220的图案，位于第二块区域B2中的多个微透镜220和位于第三块区域B3中的多个微透镜220可以共同地包括基于第二边界分离膜(130，K2)彼此对称的微透镜220的图案。
如图9和图10中所示，每个块区域(例如，块区域B1)可以包括从分离的各个像素区域垂直中心线(例如，P1像素区域的PC1、P5像素区域的PC5等)横向偏移的微透镜220。如进一步所示，每个块区域(例如，块区域B1)可以包括未从像素区域垂直中心线(例如，P3像素区域的PC3)横向偏移(例如，与像素区域垂直中心线对齐)的至少一个微透镜220。
在下文中，将参照图1、图2、图6以及图11至图13来描述根据本发明构思的一些示例实施例的第一图像传感器1220。将简化或省略上述实施例的重复部分。
图11是示出根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的剖视图。
参照图1、图2、图6和图11，根据本发明构思的一些示例实施例的第一图像传感器1220可以包括金属屏蔽层201、开口204和填充膜211。
金属屏蔽层201可以形成在下平坦化膜180上。金属屏蔽层201可以覆盖下平坦化膜180的一部分并且可以暴露剩余部分。因此，可以限定开口204。
金属屏蔽层201可以阻挡入射光朝向基底100中的光电元件110行进。即，金属屏蔽层201可以阻挡除了开口204之外的其它部分，使得入射光的仅垂直分量可到达光电元件110。这是因为，为了在诸如指纹感测的对象感测中清楚地识别诸如指纹脊和谷的小尺寸目标，阻挡不垂直的周围的光是必要的。
金属屏蔽层201可以包括金属。金属屏蔽层201可以包括例如钨(W)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。
上平坦化膜210可以形成在金属屏蔽层201上。在本发明构思的一些示例实施例中，滤色器可以另外形成在上平坦化膜210与金属屏蔽层201之间。
金属屏蔽层201可以被看做在如图11中所示的截面中通过开口204彼此分隔开的多个结构。然而，金属屏蔽层201可以在平面结构中彼此连接。即，因为开口204可以在平面结构中具有圆形形状，所以开口204可以被金属屏蔽层201围绕。
开口204由金属屏蔽层201限定并且可以形成为在第一块区域B1的中心BC1处对齐。开口204可以与光电元件110对齐。即，光电元件110和开口204可以在垂直方向上对齐以匹配第一块区域B1的中心BC1。因此，入射光的垂直分量可以通过开口204到达基底100中的光电元件110。
填充膜211可以填充开口204的内部。填充膜211由透明材料制成并且允许入射光穿过其中。填充膜211可以包括例如氧化硅膜类物质、氮化硅膜类物质、树脂和它们的组合中的至少一种。
图12是用于解释包括图11的图像传感器的指纹感测系统的概念透视图，图13是用于解释包括图11的图像传感器的指纹感测系统的分解透视图。
参照图12和图13，指纹感测系统10可以包括显示面板1100和指纹传感器1200。图12中示出的指纹传感器1200可以是经由第一图像传感器1220通过感测由指纹脊以及在脊之间的谷反射的光来识别指纹的光学指纹传感器。根据一些示例实施例，指纹传感器1200可以包括用于允许由指纹反射的光穿过的针孔掩模1210以及感测穿过针孔掩模1210的光以产生电信号的第一图像传感器1220。根据一些示例实施例，针孔掩模1210可以由不透明材料形成，使得允许光穿过针孔(H)，同时阻挡光穿过其中未形成针孔(H)的区域。在一些示例实施例中，根据一些示例实施例，针孔掩模1210可以由具有低反射率的材料形成。
各种类型的显示面板可以应用于显示面板1100。根据一些示例实施例，显示面板1100可以是包括形成有发射具有一种或多种颜色的光以执行显示操作的OLED(有机发光二极管)的OLED层的OLED显示面板。然而，本发明构思的一些示例实施例不需要受限于此，根据本发明构思的一些示例实施例的指纹感测系统10可以对应于诸如利用一般背光执行显示操作的LCD显示面板或OLED显示面板的各种类型的显示面板。可选择地，除了上述OLED显示面板和LCD显示面板之外，甚至当来自显示面板的光源的光由指纹反射并在显示面板的背板方向上(或在指纹传感器1200的方向上)传输时，该显示面板也可以应用于根据本发明构思的一些示例实施例的显示面板1100。
另一方面，指纹传感器1200可以设置为半导体芯片或半导体封装件，并且可以附着到显示面板1100的一侧。根据一些示例实施例，第一图像传感器1220可以设置为其中形成有多个光电转换元件(例如，光电二极管、光电晶体管、光电门和钉扎光电二极管)的半导体层或半导体芯片。根据一些示例实施例，第一图像传感器1220可以是其上设置有诸如CIS(CMOS图像传感器)或CCD(电荷耦合器件)的图像传感器的半导体层。在下面描述中，假设第一图像传感器1220中的光电转换元件被设置为光电二极管。
根据一些示例实施例，在设置指纹传感器1200时，针孔掩模1210可以在封装第一图像传感器1220的过程中堆叠在第一图像传感器1220上。可选择地，在用于设置第一图像传感器1220的工艺中，针孔掩模1210可以以构成第一图像传感器1220的一层或更多层中的层的形式堆叠在第一图像传感器1220上。即，可以以将针孔掩模1210装配在第一图像传感器1220中的形式设置指纹传感器1200，并且可对装配有针孔掩模1210的第一图像传感器1220执行封装工艺。即，根据一些示例实施例，针孔掩模1210和第一图像传感器1220可以一体地形成。
可以使用具有低透光率和低反射率的材料以各种方式设置针孔掩模1210。例如，可以使用这样的材料来设置针孔掩模1210：具有低反射率(或高吸收率)的特性，同时阻挡光，并且针对温度或湿度的变化可以保持其硬度。作为示例，可以通过将TiN(氮化钛)物质施加到硅材料上并且然后形成针孔(H)来设置针孔掩模1210。可选择地，作为硅之外的不同物质的诸如黑镍和阳极化铝的物质可以用作针孔掩模1210的材料。
根据一些示例实施例，设置在OLED显示面板中的OLED层和针孔掩模1210可以基本平行(例如，在制造公差和/或材料公差内平行)地设置。因此，来自OLED层中的多个OLED的光可在位于盖玻璃上的指纹的方向上传输，由指纹反射的光可在由针孔掩模1210中的针孔(H)形成的视角内传输到针孔掩模1210。因此，在根据本发明构思的一些示例实施例的指纹传感器中，不必提供用于控制光传输的路径以感测指纹的另一光导装置。
指纹传感器1200感测与显示面板1100接触或位于显示面板1100附近的指纹。在根据本发明构思的实施例的指纹感测系统10中，与诸如智能手机的可穿戴装置的显示器接触的指纹可被识别，而不必安装用于指纹识别的单独的按钮。例如，当显示面板1100对应于OLED显示面板并且用户的指纹置于显示面板1100的盖玻璃上时，来自显示面板中的OLED层的光用作光源并且被传输到用户的指纹并被反射，被反射的光穿过面板背板并可以通过针孔掩模1210传输到第一图像传感器1220。
第一图像传感器1220包括多个像素区域，每个像素区域感测由指纹的不同区域反射的光并且产生与感测的光对应的电信号。每个像素区域(例如，包括在此的至少一个光电元件)可以产生与被指纹的脊反射的光对应的电信号，或者可以产生与被脊之间的谷反射的光对应的电信号。信号可以被传送到控制电路(包括控制电路2000)。由光电元件(例如，光电二极管)检测到的光量可以根据反射光的指纹的形状而改变，可以根据感测到的光量而产生具有不同电平的电信号。即，来自多个像素区域的电信号可以分别包括对比度信息(或图像信息)，能够确定与每个像素区域对应的区域是脊还是谷，并且通过组合确定的信息可以构建全部的指纹图像。
可以限定在指纹感测系统10中光学采样的指纹的区域。作为示例，多个指纹像素(WFP)可以限定为与第一图像传感器1220的多个像素区域对应，每个指纹像素(WFP)可以与由一个针孔(H)和一个像素区域指示的对象区域对应。由于各种因素，对应于每个针孔(H)的指纹像素(WFP)的形状和大小可以根据显示面板1100与针孔掩模1210之间的距离、针孔掩模1210与第一图像传感器1220之间的距离、针孔掩模1210的厚度(T)、相邻针孔(H)之间的节距(WPITCH)或者针孔(H)的直径(d)和形状等来确定。
每个指纹像素(WFP)可以与针孔掩模1210中的一个针孔(H)对应。反射能够穿过一个针孔(H)的光的区域可以被包括在每个指纹像素(WFP)中，该区域可以限定为光学采样区域。根据光学采样区域，与其对应的光学感测区域还可以限定在第一图像传感器1220中。作为示例，光学感测区域可以包括像素区域。
另一方面，虽然图13示出了其中指纹像素(WFP)位于显示面板1100的整个区域中的构造，但本发明构思的一些示例实施例不必限于此。作为示例，指纹像素(WFP)可以仅位于显示面板1100的部分区域中。因此，当用户的指纹位于显示面板1100的特定区域中时，可以感测指纹。
在一些示例实施例中，针孔掩模1210中的多个针孔(H)中的每个可以与第一图像传感器1220中的多个像素区域中的每个对应。例如，与一个针孔(H)对应的一个像素区域可以包括单个光电二极管11。可选择地，与一个针孔(H)对应的一个像素区域可以包括两个或更多个光电二极管11。图13示出了其中一个像素区域包括多个光电二极管11并且光学感测区域中的像素区域包括多个光电二极管11的示例。即，针孔掩模1210的多个针孔(H)被形成为映射到第一图像传感器1220的多个像素，由在光学采样区域中的指纹像素反射的光由像素区域中的一个或更多个光电二极管感测，指纹的整个图像可以通过处理来自多个像素区域的电信号被重建。
根据一些示例实施例，第一图像传感器1220内的区域可以被限定为与每个指纹像素(WFP)对应，与每个指纹像素(WFP)对应的区域可以包括多个光电二极管。在一些示例实施例中，像素区域可以对应于包括同指纹像素(WFP)对应的多个光电二极管中的至少一部分的区域。即，一个像素区域需要感测与同其对应的指纹像素(WFP)对应的光，并且防止与对应于另一指纹像素(WFP)的光重叠是必要的。在图13的示例中，示出了其中与每个指纹像素(WFP)对应的区域包括5×5个光电二极管并且像素区域包括3×3个光电二极管作为其一部分的示例。指纹图像(或局部指纹图像)可以基于来自与每个指纹像素(WFP)对应的区域中的3×3个光电二极管的电信号来构建。
另一方面，在一些示例实施例中，指纹感测系统10已经被描述为感测用户的指纹，但本发明构思的一些示例实施例不必限于此。例如，当特定的(或可选的、预定的)对象位于显示面板1100上时，指纹传感器1200感测由该特定的(或可选的、预定的)对象反射的光，并且可以产生感测结果。当指纹传感器1200中的每个传感器像素产生作为感测结果的图像数据时，位于显示面板1100上的对象的图像可以利用来自指纹传感器1200中的每个传感器像素的图像数据来重构。
在根据一些示例实施例的第一图像传感器1220中，微透镜上不需要另外的光学透镜来感测指纹。因此，在不考虑光学透镜的主光线角度(CRA)的情况下，以清晰和高分辨率感测指纹的脊和谷的位置会是重要的。
结果，以块区域为单位执行第一图像传感器1220的微透镜220的偏移，可更清晰地使指纹中的脊和谷的位置成像。
在下文中，将参照图1和图14至图16来描述根据本发明构思的一些示例实施例的第二图像传感器1221。将简化或省略上述实施例的重复部分。
图14是用于解释根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的框图，图15是用于解释根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的完全模式的概念图。图16是用于解释根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的合并模式的概念图。
参照图1和图14，根据本发明构思的一些示例实施例的第二图像传感器1221的控制电路2000可以选择性地执行完全模式(full mode)和合并模式(例如，可以选择性地执行完全模式或合并模式)。第二图像传感器1221的控制电路2000还可以包括选择电路2400。
参照图14和图15，控制电路2000的行驱动器2300和选择电路2400可以在完全模式中使用像素阵列1000的全部像素区域的信息来执行成像。
像素阵列1000可以包括拜耳图案的RGB像素区域。即，蓝色像素(B)、红色像素(R)和绿色像素(Gb，Gr)可以以拜耳图案设置在像素阵列1000内。重复一遍，像素阵列1000可以包括具有被构造为接收不同颜色的光的分离的颜色区域(例如，第一颜色区域至第三颜色区域)的块区域。例如，蓝色像素(B)可以是被构造为接收蓝色的光的蓝色区域，红色像素(R)可以是被构造为接收红色的光的红色区域，绿色像素(Gb，Gr)可以是被构造为接收绿色的光的绿色区域。
蓝色像素(B)是利用作为滤色器的蓝色滤色器来过滤入射光的除了蓝色成分之外的剩余部分的像素区域，红色像素(R)是利用作为滤色器的红色滤色器来过滤入射光的除了红色成分之外的剩余部分的像素区域。绿色像素(Gb，Gr)是利用作为滤色器的绿色滤色器来过滤入射光的除了绿色成分之外的剩余部分的像素区域。
根据拜耳图案的像素阵列1000的与蓝色像素(B)相邻的全部像素区域是绿色像素(Gb，Gr)，与红色像素(R)相邻的全部像素区域可以是绿色像素(Gb，Gr)。此外，蓝色像素(B)和红色像素(R)可以在对角线方向上彼此相邻。
在选择性地执行完全模式时，控制电路2000可以在完全模式中利用像素阵列1000的全部像素区域的信息(例如，电信号)。即，行驱动器2300可以将信号施加到全部行信号线(R1至R7)。此外，选择电路2400可以经由列信号线(C1至C7)接收全部列的输出。
在接收像素阵列1000的输出之后，选择电路2400可以将输出传输到相关双采样器2500。
参照图14和图16，控制电路2000的行驱动器2300和选择电路2400可以在合并模式中仅使用像素阵列1000的部分像素区域的信息来执行成像。重复一遍，在选择性地执行合并模式中，控制电路2000可以利用像素阵列1000的像素区域的信息(例如，电信号)的有限部分(例如，像素区域的有限部分的信息)。
例如，在第一块区域B1中，仅P1、P3、P201和P203像素区域的输出被使用，整个第一块区域B1可以用作蓝色像素(B)。类似地，在第二块区域B2中，仅P4、P6、P204和P206像素区域的输出被使用，整个第二块区域B2可以用作绿色像素(Gb)。在第五块区域B5中，仅像素区域P304、P306、P504和P506的输出被使用，整个第五块区域B5可以用作红色像素(R)。例如，控制电路2000可以选择性地执行合并模式，使得像素阵列1000的每个块区域仅利用包括在其中的多个颜色区域中的一个颜色区域(例如，包括在其中的仅一个或更多个蓝色像素(B))。
合并模式可以减少传输数据的量以显著改善图像传感器的操作速度。然而，分辨率在合并模式期间会相对降低。为了防止这点，一些示例实施例的第二图像传感器1221可以在与执行合并模式的块区域单元相同的单元中执行微透镜220的偏移。
由此，根据一些示例实施例的第二图像传感器1221能够执行成像，并且不降低分辨率，同时具有合并模式的高速传输的优点。
在结束详细的描述时，本领域技术人员将领会的是，在基本不脱离本发明构思的原理的情况下，可以对优选实施例作出许多改变和修改。因此，仅以通常的和描述性的含义来使用发明构思的公开的优选实施例，而不是出于限制的目的。

Claims (20)

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
基底，包括多个块区域，多个块区域中的每个块区域包括分离的多个像素区域，每个块区域中的每个像素区域包括：位于基底中的多个光电元件中的单独的光电元件以及位于基底上的多个微透镜中单独的微透镜，其中，多个微透镜中的每个微透镜从像素区域的垂直中心线朝向块区域的中心横向偏移，并且
多个块区域中的每个块区域包括块区域的多个微透镜的共同偏移形状。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，多个块区域中的至少一个块区域具有正方形形状。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，多个块区域中的至少一个块区域具有矩形形状。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
多个块区域包括第一块区域，
第一块区域中的多个像素区域包括第一像素区域和第二像素区域，
第一像素区域的垂直中心线与第一块区域的中心隔开第一距离，
第二像素区域的垂直中心线与第一块区域的中心隔开第二距离，第二距离大于第一距离，
多个微透镜包括第一微透镜和第二微透镜，第一微透镜位于第一像素区域中，第二微透镜位于第二像素区域中，
第一微透镜从第一像素区域的垂直中心线朝向第一块区域的中心横向偏移第一间隔，
第二微透镜从第二像素区域的垂直中心线朝向第一块区域的中心横向偏移第二间隔，并且
第一间隔小于第二间隔。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，
多个块区域包括第二块区域，
第二块区域包括第三像素区域，
第三像素区域的垂直中心线与第二块区域的中心隔开第一距离，
多个微透镜包括位于第三像素区域中的第三微透镜，并且
第三微透镜从第三像素区域的垂直中心线朝向第二块区域的中心横向偏移第一间隔。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：
滤色器层，位于基底与多个微透镜之间。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：
控制电路，被构造为接收通过多个光电元件产生的电信号。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，控制电路被构造为选择性地执行：
完全模式，使得控制电路使用由多个光电元件产生的电信号的全部，或者
合并模式，使得控制电路使用由多个光电元件产生的电信号中的有限部分。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，
多个块区域包括被构造为接收不同颜色的光的第一颜色区域至第三颜色区域，并且
控制电路被构造为选择性地执行合并模式使得多个块区域中的每个块区域利用第一颜色区域至第三颜色区域中的仅一个颜色区域。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，第一颜色区域是红色区域，
第二颜色区域是绿色区域，并且
第三颜色区域是蓝色区域。
11.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：
显示面板，位于多个微透镜上。
12.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
基底，基底包括第一块区域和第二块区域，第一块区域包括第一像素区域和第二像素区域，第二块区域包括第三像素区域和第四像素区域，第一像素区域至第四像素区域包括：第一光电元件至第四光电元件，分别位于第一像素区域至第四像素区域中的分离的各个像素区域中；以及第一微透镜至第四微透镜，分别位于第一像素区域至第四像素区域中的分离的各个像素区域上，其中，
第一像素区域的垂直中心线与第一块区域的中心之间的距离是第一距离，
第二像素区域的垂直中心线与第一块区域的中心之间的距离是第二距离，
第三像素区域的垂直中心线与第二块区域的中心之间的距离是第一距离，
第四像素区域的垂直中心线与第二块区域的中心之间的距离是第二距离，
第一微透镜从第一像素区域的垂直中心线朝向第一块区域的中心横向偏移第一间隔，
第二微透镜从第二像素区域的垂直中心线朝向第一块区域的中心横向偏移第二间隔，
第三微透镜从第三像素区域的垂直中心线朝向第二块区域的中心横向偏移第一间隔，并且
第四微透镜从第四像素区域的垂直中心线朝向第二块区域的中心横向偏移第二间隔。
13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，第一块区域和第二块区域包括共同数量的像素区域。
14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，第一块区域和第二块区域均包括以共同行数和共同列数排列的像素区域。
15.根据权利要求12所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：
滤色器层，位于基底与第一微透镜至第四微透镜之间。
16.根据权利要求15所述的图像传感器，其中，滤色器层具有红色、蓝色和绿色中的任何一种。
17.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
基底，基底包括第一块区域、第二块区域和第三块区域，第一块区域至第三块区域包括分离的多个像素区域；
第一边界分离膜，位于基底中，第一边界分离膜限定第一块区域和第二块区域，使得第一边界分离膜在第一块区域与第二块区域之间被划分；
第二边界分离膜，位于基底中，第二边界分离膜限定第二块区域和第三块区域，使得第二边界分离膜在第二块区域与第三块区域之间被分开；以及
多个微透镜，位于基底上且位于第一块区域至第三块区域的多个像素区域中的分离的各个像素区域上，
其中，
多个微透镜中的微透镜之间的间隔不是常数，
位于第一块区域中的多个微透镜和位于第二块区域中的多个微透镜共同地包括基于第一边界分离膜彼此对称的微透镜的图案，并且
位于第二块区域中的多个微透镜和位于第三块区域中的多个微透镜共同地包括基于第二边界分离膜彼此对称的微透镜的图案。
18.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，
在第一块区域中的多个微透镜从第一块区域的分离的各个像素区域的分离的各个垂直中心线朝向第一块区域的中心横向偏移，
在第二块区域中的多个微透镜从第二块区域的分离的各个像素区域的分离的各个垂直中心线朝向第二块区域的中心横向偏移，并且
在第三块区域中的多个微透镜从第三块区域的分离的各个像素区域的分离的各个垂直中心线朝向第三块区域的中心横向偏移。
19.根据权利要求18所述的图像传感器，其中，位于每个单独的块区域中的微透镜的每个单独的图案的形状是共同形状。
20.根据权利要求17所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：
显示面板，位于多个微透镜上。
CN201811352594.7A 2018-01-10 2018-11-14 图像传感器 Pending CN110021612A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180003164A KR20190085258A (ko) 2018-01-10 2018-01-10 이미지 센서
KR10-2018-0003164 2018-01-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110021612A true CN110021612A (zh) 2019-07-16

Family

ID=65010657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811352594.7A Pending CN110021612A (zh) 2018-01-10 2018-11-14 图像传感器

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10497730B2 (zh)
EP (1) EP3511984A1 (zh)
JP (1) JP2019122028A (zh)
KR (1) KR20190085258A (zh)
CN (1) CN110021612A (zh)
SG (1) SG10201808136VA (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021051820A1 (zh) * 2019-09-22 2021-03-25 神盾股份有限公司 指纹感测模块及电子装置
WO2021072753A1 (zh) * 2019-10-18 2021-04-22 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹检测装置和电子设备
WO2021103872A1 (zh) * 2019-11-25 2021-06-03 Oppo广东移动通信有限公司 图像传感器、摄像装置、电子设备和成像方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106488148B (zh) * 2016-11-01 2019-09-17 首都师范大学 一种超分辨率图像传感器及其构造方法
KR102531355B1 (ko) * 2018-03-20 2023-05-10 삼성전자주식회사 이미지 센서
EP3701420B1 (en) 2018-05-07 2021-04-14 WaveTouch Limited Compact optical sensor for fingerprint detection
CN109521605B (zh) * 2018-12-24 2021-10-15 厦门天马微电子有限公司 背光模组和显示装置
JP2020113573A (ja) * 2019-01-08 2020-07-27 キヤノン株式会社 光電変換装置
TWI705386B (zh) * 2019-04-19 2020-09-21 致伸科技股份有限公司 指紋辨識模組
JP7006654B2 (ja) * 2019-05-09 2022-01-24 セイコーエプソン株式会社 表示装置、および電子機器
EP3812801A1 (en) * 2019-10-23 2021-04-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor including color separating lens array and electronic device including the image sensor
US20220406838A1 (en) * 2019-11-01 2022-12-22 Wavetouch Denmark A/S Method for Manufacturing a Biometric Imaging Device by Means of Nanoimprint Lithography
CN110708453A (zh) * 2019-11-12 2020-01-17 Oppo广东移动通信有限公司 图像传感器、相机模组、终端和成像方法
US20210351216A1 (en) * 2020-05-08 2021-11-11 Visera Technologies Company Limited Optical imaging device
KR20230092882A (ko) * 2020-10-28 2023-06-26 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 고체 촬상 장치 및 전자 기기
WO2022119491A1 (en) * 2020-12-01 2022-06-09 Fingerprint Cards Anacatum Ip Ab Biometric optical antispoofing based on imaging through spatially varying optical filter
US11624653B2 (en) 2020-12-03 2023-04-11 Artilux, Inc. Multi-application optical sensing apparatus and method thereof
US20220406830A1 (en) * 2021-06-21 2022-12-22 Allegro Microsystems, Llc Photoreceiver array having microlenses
TWI816397B (zh) * 2021-12-30 2023-09-21 仟融科技股份有限公司 膚紋控制系統、膚紋控制方法、膚紋取樣裝置及電腦可讀媒體

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080015310A (ko) * 2006-08-14 2008-02-19 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
EP2091082A2 (en) * 2008-02-15 2009-08-19 Fujitsu Microelectronics Limited Method for calculating shift amount of micro lens with respect to photodiode in an image pickup element and corresponding image pickup element
CN101794802A (zh) * 2009-01-30 2010-08-04 索尼公司 固态成像设备和电子装置
WO2012026292A1 (ja) * 2010-08-24 2012-03-01 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
US20140085522A1 (en) * 2012-09-24 2014-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device, camera module, and imaging method
CN107068704A (zh) * 2016-02-03 2017-08-18 旭景科技股份有限公司 接触式影像传感器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6995800B2 (en) 2000-01-27 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus utilizing a plurality of converging lenses
JP3709873B2 (ja) 2003-02-19 2005-10-26 ソニー株式会社 固体撮像装置及び撮像カメラ
KR100659503B1 (ko) 2004-07-27 2006-12-20 삼성전자주식회사 광감도를 개선한 이미지 센서
JP2006304364A (ja) 2006-07-26 2006-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
JP4483951B2 (ja) 2008-01-28 2010-06-16 ソニー株式会社 撮像装置
JP2010062438A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Toshiba Corp 固体撮像装置およびその設計方法
JP5547717B2 (ja) * 2009-04-07 2014-07-16 ローム株式会社 光電変換装置および撮像装置
GB2498972A (en) 2012-02-01 2013-08-07 St Microelectronics Ltd Pixel and microlens array
KR102103983B1 (ko) 2013-07-31 2020-04-23 삼성전자주식회사 시프트된 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 라이트 필드 영상 획득 장치
TWI484236B (zh) 2013-09-09 2015-05-11 Himax Imaging Ltd 影像感測器
EP3001672A1 (en) * 2014-09-25 2016-03-30 Thomson Licensing Plenoptic camera comprising a spatial light modulator
US20160266695A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 Crucialtec Co., Ltd. Display apparatus having image scanning function
KR102382835B1 (ko) 2015-12-03 2022-04-06 삼성전자주식회사 다양한 동작 모드를 지원하는 이미지 센서 및 그 동작 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080015310A (ko) * 2006-08-14 2008-02-19 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
EP2091082A2 (en) * 2008-02-15 2009-08-19 Fujitsu Microelectronics Limited Method for calculating shift amount of micro lens with respect to photodiode in an image pickup element and corresponding image pickup element
US20090207267A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Fujitsu Microelectronics Limited Method for calculating shift amount of image pickup element and image pickup element
CN101794802A (zh) * 2009-01-30 2010-08-04 索尼公司 固态成像设备和电子装置
WO2012026292A1 (ja) * 2010-08-24 2012-03-01 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
US20140085522A1 (en) * 2012-09-24 2014-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device, camera module, and imaging method
CN107068704A (zh) * 2016-02-03 2017-08-18 旭景科技股份有限公司 接触式影像传感器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021051820A1 (zh) * 2019-09-22 2021-03-25 神盾股份有限公司 指纹感测模块及电子装置
WO2021072753A1 (zh) * 2019-10-18 2021-04-22 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹检测装置和电子设备
US11804509B2 (en) 2019-10-18 2023-10-31 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Fingerprint detection apparatus and electronic device
WO2021103872A1 (zh) * 2019-11-25 2021-06-03 Oppo广东移动通信有限公司 图像传感器、摄像装置、电子设备和成像方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200027912A1 (en) 2020-01-23
US10497730B2 (en) 2019-12-03
KR20190085258A (ko) 2019-07-18
JP2019122028A (ja) 2019-07-22
US20190214420A1 (en) 2019-07-11
US10833114B2 (en) 2020-11-10
SG10201808136VA (en) 2019-08-27
EP3511984A1 (en) 2019-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110021612A (zh) 图像传感器
KR101893325B1 (ko) 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
KR102490821B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법
US7411232B2 (en) Semiconductor photodetecting device and method of manufacturing the same
US7208811B2 (en) Photo-detecting device
KR20190057601A (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법
US20100270637A1 (en) Solid-state imagining device
JP2016127264A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
KR20180089794A (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법
CN102651376A (zh) 固体摄像装置及其制造方法以及电子设备
CN102024832A (zh) 抗反射图像传感器
CN102446933A (zh) 固体摄像装置及其制造方法和电子设备
MX2012005169A (es) Matriz optimizada de guías de luz para un sensor de imagen.
US20080036024A1 (en) Image sensors and methods of manufacturing the same
CN110034138B (zh) 图像传感器
KR20070006982A (ko) 수광 효율이 향상된 독출 소자 공유 이미지 센서
US20200396388A1 (en) Image sensor
WO2016104177A1 (ja) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
KR20110097047A (ko) 적층형 이미지 센서
US20200219925A1 (en) Image sensors
US20220052084A1 (en) Image sensors
CN113937118A (zh) 图像感测装置
US20090194835A1 (en) Image sensor
JP2008300788A (ja) 固体撮像素子、撮像装置、およびカメラシステム
KR20060004824A (ko) 씨모스 이미지 센서

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination