CN109994530A - 显示装置、显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种显示装置、显示面板及其制作方法。所述显示面板包括发光功能层和两个电极层，所述电极层具有第一表面和在厚度方向与所述第一表面相对设置的第二表面，其一所述电极层、所述发光功能层、另一所述电极层在所述厚度方向依次层叠排布，每个所述电极层的所述第一表面接触贴合所述发光功能层；每个所述电极层包括阻绝区域和电极区域，所述电极区域和所述阻绝区域彼此交联为一体，所述电极区域的材质为所述阻绝区域的材质的导电化改性体，所述电极区域接触所述发光功能层且其至少于所述第一表面呈现导体状态。本发明取消了现有PMOLED的阴极层和阳极层的物理导电图形，解决现有技术中因导电图形设计而造成的光学干扰。

Description

显示装置、显示面板及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种显示面板及其制作方法，以及一种显示装置，属于显示技术领域。

背景技术

目前在PMOLED领域，电极(例如阴极、阳极)通常为凸设在基板表面的一层导电图形，而针对透明显示面板下方设置隐藏摄像部件的PMOLED结构，光在通过显示面板时，图形区域会造成光学干扰(如干涉、衍射)，使得摄像部件无法实现清晰的光学成像。

发明内容

为解决现有技术中图形区域会造成光学干扰的技术问题，本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法，以及具有该显示面板的显示装置。

为实现上述目的之一，本发明一实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括发光功能层和两个电极层，所述电极层具有第一表面和在厚度方向与所述第一表面相对设置的第二表面，其一所述电极层、所述发光功能层、另一所述电极层在所述厚度方向依次层叠排布，每个所述电极层的所述第一表面接触贴合所述发光功能层；

每个所述电极层包括阻绝区域和电极区域，所述电极区域和所述阻绝区域彼此交联为一体，所述电极区域的材质为所述阻绝区域的材质的导电化改性体，所述电极区域接触所述发光功能层且其至少于所述第一表面呈现导体状态。

作为本发明一实施例的进一步改进，所述阻绝区域为氧化物半导体，所述电极区域为所述氧化物半导体的导电化改性体。

作为本发明一实施例的进一步改进，所述发光功能层包括并列排布的多个发光像素，相邻的两个所述发光像素彼此无间隔接触；

优选地，每个所述发光像素与两个所述电极层的所述电极区域相接触，且从其一所述电极层的所述电极区域接收空穴以及从另一所述电极层的所述电极区域接收电子。

作为本发明一实施例的进一步改进，所述显示面板具有供其出光侧的光线透射至其背光侧的透明区；位于所述透明区内的所述发光功能层设置为透明体。

作为本发明一实施例的进一步改进，每个所述电极层的所述电极区域和所述阻绝区域沿所述电极层的延展方向并列排布；

优选地，其一所述电极层包括沿第一方向以条纹状配置排列的多个所述电极区域，另一所述电极层包括沿第二方向以条纹状配置排列的多个所述电极区域，所述第一方向和所述第二方向彼此交叉；

优选地，所述第一方向和所述第二方向彼此正交。

作为本发明一实施例的进一步改进，所述电机层为连续均一等厚结构。

为实现上述目的之一，本发明一实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板。

作为本发明一实施例的进一步改进，所述显示装置还包括摄像部件，所述摄像部件设置在所述显示面板的背光侧，并且所述摄像部件通过采集透过所述显示面板的光线来获取位于所述显示面板出光侧的被摄体影像。

为实现上述目的之一，本发明一实施例提供一种所述显示面板的制作方法，所述制作方法包括制备两个电极层和发光功能层，所述发光功能层设置在两个所述电极层之间且与两个所述电极层分别相接触贴合；

其中，所述电极层的制备工艺包括：

制备氧化物半导体膜层；

在氧化物半导体膜层的第一表面形成光阻；其中，所述光阻覆盖所述氧化物半导体膜层的第一部分并暴露所述氧化物半导体膜层的第二部分；

对所述第二部分自所述第一表面进行导电化改性；

去除所述光阻，得到所述电极层。

作为本发明一实施例的进一步改进，所述光阻的形成方法包括：形成覆盖所述第一表面的光阻膜层；对所述光阻膜层进行分区曝光显影，使所述光阻膜层图案化为所述光阻；

优选地，采用等离子体于所述第一表面轰击所述第二部分，以使所述第二部分导电化改性。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：电极层自身即可兼具了导电功能和绝缘功能，使电极层的电极部分代替传统显示面板中的阳极扫描线与阴极扫描线，取消了现有技术中的物理导电图形，解决现有技术中因导电图形设计而造成的光学干扰(如干涉、衍射)，保证摄像部件成像的清晰度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例的电极层的立体结构示意图；

图2是本发明一实施例的电极层在厚度方向的剖面结构示意图，剖面线示例为图1中A-A线；

图3是本发明一实施例的电极层的制备工艺的流程图；

图4a是本发明一实施例的电极层的制备工艺中制备氧化物半导体膜的示意图；

图4b是本发明一实施例的电极层的制备工艺中形成光阻的示意图；

图4c是本发明一实施例的电极层的制备工艺中导电化处理的示意图；

图4d是本发明一实施例的电极层的制作方法中剥离光阻后的示意图；

图5是本发明一实施例的显示面板的立体结构示意图；

图6是本发明一实施例的显示面板的立体逐层分解示意图；

图7是本发明一实施例的显示面板的制作方法的流程图；

图8是本发明一实施例的显示装置的结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术中，透明PMOLED显示面板下方设置隐藏摄像部件时，光通过显示面板时，显示面板的电极图形区域会造成光学干扰，例如，在光通过显示面板时，由于显示面板的阳极图形与阴极图形的存在而引起的光栅衍射，使得摄像部件无法实现清晰的光学成像。

基于此，本发明提供了一种电极层、具有该电极层的显示面板以及显示装置，其中，所述电极层取消了现有技术中的图形设计，而是采用了局部导电化的整体式膜结构，从而能够避免现有技术中图形设计的光学干扰影响，保证摄像部件能够清晰成像。

下面结合附图1至8所示的具体示例，对本发明进行详细介绍。

参图1至图2，其中示意了一实施例的电极层1，电极层1设置为连续均一等厚的整体式膜结构，其具有表面11和表面12，表面11和表面12分别为电极层1具有较大表面积的两个平整表面，并且，表面11和表面12在电极层1的厚度方向上相对设置。

电极层1包括至少一个阻绝区域R1和至少一个电极区域R2。

阻绝区域R1和电极区域R2沿电极层1的延展方向(也即与电极层1的厚度方向相垂直的方向)并列排布，二者联合为交联整体，阻绝区域R1和电极区域R2相交处并无明显的界面存在且无其他层级介于其间，当然，在附图示例中，以虚线、点集示意将阻绝区域R1和电极区域R2进行区分以便于理解，但这不构成对本发明技术方案的限定。

阻绝区域R1的材质为氧化物半导体，其自表面11至表面12始终呈现半导体状态；电极区域R2的材质为所述氧化物半导体的导电化改性体，所述氧化物半导体优选为透明铟镓锌氧化物(IGZO)，经研究可得，电极区域R2和阻绝区域R1的电阻率差别可以达到10e5以上，这样，电极层1不需要设置传统导电图形，其自身即可兼具了导电功能和绝缘功能，在具体应用时，电极区域R2可以作为电极层1的电极，而阻绝区域R1可以作为电极层1的绝缘部，电极层1能够有效解决现有技术中因导电图形设计而造成的光学干扰(如干涉、衍射)。

其中，电极区域R2至少于表面11处呈现导体状态，其制作可以通过使所述氧化物半导体进行导电化改性的方式予以实现，根据使所述氧化物半导体进行导电化改性的程度或操作方式的不同，上述的“所述氧化物半导体的导电化改性结构”具体可以是自表面11至表面12呈现导体状态逐渐过渡为半导体状态，也可以是自表面11至表面12呈现导体状态逐渐过渡为半导体状态而后再过渡为导体状态，也可以是自表面11至表面12呈现为持续的导体状态，这些情况均是所述氧化物半导体的导电化改性结构的具体表现形式。

进一步地，在本实施例中，阻绝区域R1和电极区域R2的数目均设置为多个，多个阻绝区域R1和多个电极区域R2沿电极层1的延展方向以条纹状配置排列，任意相邻两个阻绝区域R1之间设置一个电极区域R2，任意相邻两个电极区域R2之间设置一个阻绝区域R1。

这样，本实施例的电极层1不需要设置传统导电图形，其自身即可兼具了导电功能和绝缘功能，在具体应用时，电极区域R2可以作为电极层1的电极，而阻绝区域R1可以作为电极层1的绝缘部。一方面，其结构及制作方法完全不同于现有技术中导电图形，另一方面，其可以作为阳极层/阴极层应用于显示面板中，解决现有技术中因导电图形设计而造成的光学干扰(如干涉、衍射)，保证显示装置中摄像部件成像的清晰度。

参看图3至图4d，其中示意了一实施例的电极层1的制备工艺，包括以下步骤：

S11，制备氧化物半导体膜层01；

具体地，氧化物半导体膜层01包括表面011和表面012，表面011和表面012分别为氧化物半导体膜层01具有较大表面积的两个平整表面，并且，表面011和表面012在氧化物半导体膜层01的厚度方向上相对设置。

在该步骤S11中，氧化物半导体膜层01的制备过程优选包括：提供基板09，该基板09可以是玻璃、塑料等材质的透明基板；在基板09的一侧采用物理气相沉积或化学气相沉积等工艺形成氧化物半导体膜层01，其中，在本实施例中，氧化物半导体膜层01的表面012贴合基板09，氧化物半导体膜层01的表面011背离基板09并暴露在可操作空间内。当然，在变化实施例中还可以省略基板09而直接制备得到氧化物半导体膜层01。

其中，氧化物半导体膜层01优选为透明体，其材质具体可选用氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、铟镓锌氧化物(IGZO)等，优选为铟镓锌氧化物(IGZO)。

S12，在表面011形成光阻08，光阻08覆盖氧化物半导体膜层01的第一部分R01并暴露氧化物半导体膜层01的第二部分R02；

具体地，第一部分R01和第二部分R02沿氧化物半导体膜层01的延展方向(也即与氧化物半导体膜层01的厚度方向相垂直的方向)并列排布，第一部分R01和第二部分R02相交处并无明显的界面存在且无其他层级介于其间，当然，在附图示例中，以虚线、点集示意将第一部分R01和第二部分R02进行区分以便于理解，但这不构成对本发明技术方案的限定。

换个角度讲，也即被光阻08所覆盖的氧化物半导体膜层01部分界定出氧化物半导体膜层01的第一部分R01，被光阻08所暴露的氧化物半导体膜层01部分界定出氧化物半导体膜层01的第二部分R02。

在该步骤S12中，光阻08的形成过程优选包括：在表面011采用涂布工艺形成光阻膜层，所述光阻膜层覆盖整个表面011；对所述光阻膜层进行分区曝光显影，使所述光阻膜层图案化为光阻08，也即，通过分区曝光显影工艺去除部分所述光阻膜层以暴露出氧化物半导体膜层01的第二部分R02，并且保留的剩余部分所述光阻膜层形成光阻08，该光阻08与氧化物半导体膜层01的第一部分R01相对应。需要说明的是，此处的对应指的是光阻08在氧化物半导体膜层01上的投影面积的对应关系。

可以理解的是，氧化物半导体膜层01的第一部分R01欲构造成电极层1的阻绝区域R1，氧化物半导体膜层01的第二部分R02欲构造成电极层1的电极区域R2。

在本实施例中，第一部分R01和第二部分R02的数目均设置为多个，多个第一部分R01和多个第二部分R02沿氧化物半导体膜层01的延展方向以条纹状配置排列，任意相邻两个第一部分R01之间设置一个第二部分R02，任意相邻两个第二部分R02之间设置一个第一部分R01。相对应的，光阻08包括沿氧化物半导体膜层01的延展方向以条纹状配置排列的多个光阻条，多个所述光阻条与多个第一部分R01一一对应。

S13，将氧化物半导体膜层01的第二部分R02自表面011进行导电化改性，使氧化物半导体膜层01的第二部分R02形成电极层1的电极区域R2；

具体地，在本实施例中，在光阻08所贴合的表面011处，对暴露在可操作空间内的第二部分R02进行导电化改性，具体可采用等离子体轰击第二部分R02处的表面011，从而使得第二部分R02自表面011至表面012逐步实现导电化改性，在替代实施例中，还可以在表面012和表面011均设置覆盖第一部分R01的光阻08，并在表面012和表面011两侧均对第二部分R02进行导电化改性。

其中，所述等离子体优选采用含有H⁺的等离子体，例如氢气等离子体，还可以采用其他例如氦气或氩气等离子体。

具体实施时，根据导电化改性的程度或操作方式的不同，氧化物半导体膜层01的第二部分R02可以是自表面11至表面12呈现导体状态逐渐过渡为半导体状态，也可以是自表面11至表面12呈现导体状态逐渐过渡为半导体状态而后再过渡为导体状态，也可以是自表面11至表面12呈现为持续的导体状态。

S14，去除光阻08；

具体地，将覆盖氧化物半导体膜层01的第一部分R01的光阻08通过机械剥离去除或者通过灰化去除。

此时的氧化物半导体膜层01即构成了电极层1，其中氧化物半导体膜层01的第一部分R01即构成电极层1的阻绝区域R1，氧化物半导体膜层01的第二部分R02即构成电极层1的电极区域R2。相对应的，氧化物半导体膜层01的表面011即对应电极层1的表面11，氧化物半导体膜层01的表面012即对应电极层1的表面12。

这样，本发明的电极层1的制作方法中，通过对氧化物半导体膜层01进行局部导电化改性处理，其导电化改性的部分(电极区域R2)和未导电化改性的部分(阻绝区域R1)的电阻率差别可以达到10e5以上，使得电极层1自身即可兼具了导电功能和绝缘功能，在作为阳极层/阴极层应用于显示面板中时，解决现有技术中因导电图形设计而造成的光学干扰(如干涉、衍射)，保证显示装置中摄像部件成像的清晰度。

参看图5至图6，其中示意了一实施例的显示面板10，下面以显示面板10优选设置为无源矩阵驱动有机发光显示面板作为实现方式进行介绍，当然，本申请的显示面板10的实现方式不限于此。

显示面板10包括阳极层1A、发光功能层2和阴极层1B，阳极层1A、发光功能层2和阴极层1B在显示面板10的厚度方向上依次层叠。发光功能层2接触贴合阴极层1B和阳极层1A。

显示面板10具有透明区，所述透明区构造为供显示面板10出光侧的光线透射到显示面板10背光侧，位于所述透明区内的发光功能层2部分设置为透明体，不位于所述透明区内的发光功能层2部分可设置为非透明体。也就是说，发光功能层2包括位于所述透明区内的一部分和不位于所述透明区内的另一部分，当然在变化实施例中，发光功能层2也可全部设置为透明体。

具体来讲，发光功能层2包括并列排布的多个发光像素，多个发光像素可以划分为红色发光像素、蓝色发光像素和绿色发光像素。每个所述发光像素分别与阴极层1B、阳极层1A相接触，且从阳极层1A接收空穴以及从阴极层1B接收电子。

具体地，每个所述发光像素包括电子传输层、空穴传输层以及位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间的发光层。在给显示面板10施加偏压时，阴极层1B注入电子，被注入的电子在所述电子传输层内以碰撞波的形式传输；阳极层1A注入空穴，被注入空穴在所述空穴传输层内以碰撞波的形式传输；电子和空穴在所述发光层内复合，从而激发所述发光层分子产生单态激子，单态激子辐射衰减而发光。

在本实施例中，阳极层1A和阴极层1B分别以电极层1予以实现。也即，显示面板10包括两个电极层1，其一电极层1作为其阳极层1A，另一电极层1作为阴极层1B。

具体地，阳极层1A具有与发光功能层2相接触的表面11A和与发光功能层2相背离的表面12A，表面11A对应于电极层1的表面11，表面12A对应于电极层的表面12；并且，阳极层1A包括多个阻绝区域R1和多个电极区域R2，关于阻绝区域R1和电极区域R2的具体描述，可参前文，不再多加赘述。为便于描述，下文中将阳极层1A的电极区域R2称为阳极电极区域R2。

类似的，阴极层1B具有与发光功能层2相接触的表面11B和与发光功能层2相背离的表面12B，表面11B对应于电极层1的表面11，表面12B对应于电极层1的表面12；并且，阴极层1B包括多个阻绝区域R1和多个电极区域R2，关于阻绝区域R1和电极区域R2的具体描述，可参前文，不再多加赘述。为便于描述，下文中将阴极层1B的电极区域R2称为阴极电极区域R2。

由前述可知，电极层1中，电极区域R2至少于表面11处呈现导体状态。相对应的，阳极层1A中，阳极电极区域R2至少于表面11A处呈现导体状态，从而使阳极电极区域R2自表面11A处向发光功能层2提供空穴；类似的，阴极层1B中，阴极电极区域R2至少于表面11B处呈现导体状态，从而使阴极电极区域R2自表面11B处向发光功能层2提供电子。

进一步地，在本实施例中，阳极层1A中，多个阳极电极区域R2沿第一方向以条纹状配置排列，每个阳极电极区域R2构成传统意义上的阳极；阴极层1B中，多个阴极电极区域R2沿第二方向以条纹状配置排列，每个阴极电极区域R2构成传统意义上的阴极；所述第一方向和所述第二方向均垂直于显示面板10的厚度方向且彼此交叉，优选为彼此正交。

参图7，其中示意了一实施例的显示面板10的制作方法，显示面板10的所述制作方法包括以下步骤：

S1，制备两个电极层1；

该步骤S1中，两个电极层1具体可采用如前文所述的电极层1的制备工艺制备而成，具体过程在此不再赘述。

S2，在其一电极层1的表面11形成发光功能层2；

在本实施例中，发光功能层2可通过蒸镀工艺形成，具体地，在其一电极层1的表面11依次蒸镀发光功能层2的所述空穴传输层、所述发光层和所述电子传输层。也就是说，在本实施例中，步骤S2中的“其一电极层1”欲构造成显示面板10的阳极层1A，步骤S2中的“其一电极层1的表面11”对应于阳极层1A的表面11A。

S3，在发光功能层2表面层叠另一电极层1；

其中，另一电极层1的表面11接触发光功能层2，这时，发光功能层2位于两个电极层1之间且与两个电极层1分别相接触贴合，所述的“其一电极层1”、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层、所述的“另一电极层1”于厚度方向依次层叠。

在本实施例中，步骤S3中的“另一电极层1”欲构造成显示面板10的阴极层1B，步骤S3中的“其一电极层1”的表面11对应于阴极层1B的表面11B。

需要说明的是，在变化实施例中，还可以是步骤S2中的“其一电极层1”欲构造成显示面板10的阴极层1B，相应的，步骤S3中的“另一电极层1”欲构造成显示面板10的阳极层，具体来讲，步骤S2中，在其一电极层1的表面11依次蒸镀发光功能层2的所述电子传输层、所述发光层和所述空穴传输层。

还需要说明的是，在本发明中，S1、S2、S3等步骤序号仅为了描述方便，并不构成对各个步骤实施顺序的限定，并且，对各个子步骤的描述文字的语序先后不作为对本发明实施顺序的限定。例如，制备两个电极层1时，两个电极层1可以同步制作或先后制作；再例如，两个电极层1的制备可以都在形成发光功能层2之前完成，或者，其一电极层1的制备在形成发光功能层2之前完成而另一电极层1的制备在形成发光功能层2之时/之后完成；等等。

这样，本实施例的显示面板10，采用电极层1作为其阳极层1A和阴极层1B，电极层1自身即可兼具了导电功能和绝缘功能，也即使电极层1代替传统PMOLED显示面板中的阳极扫描线与阴极扫描线，电极层1可直接为显示面板10提供电压，取消了现有技术中的物理导电图形，解决现有技术中因导电图形设计而造成的光学干扰(如干涉、衍射)。

参看图8，其中示意了一实施例的显示装置100，该显示装置100包括显示面板10和摄像部件20。

如上所述，显示面板10具有靠近用户的出光侧和背对用户的背光侧；摄像部件20设置在显示面板10的背光侧，具体可设置在显示面板10的所述透明区的正投影(也即沿厚度方向的投影)内，并用于通过采集透过显示面板10的光线来获取位于显示面板10出光侧的被摄体200影像。

在本实施例中，如前文所述，显示面板10的阳极层1A和阴极层1B采用电极层1予以实现，取消了现有技术中的物理导电图形，电极层1可直接为显示面板10提供电压，解决现有技术中因导电图形设计而造成的光学干扰(如干涉、衍射)，保证摄像部件20成像的清晰度。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光功能层和两个电极层，所述电极层具有第一表面和在厚度方向与所述第一表面相对设置的第二表面，其一所述电极层、所述发光功能层、另一所述电极层在所述厚度方向依次层叠排布，每个所述电极层的所述第一表面接触贴合所述发光功能层；

每个所述电极层包括阻绝区域和电极区域，所述电极区域和所述阻绝区域彼此交联为一体，所述电极区域的材质为所述阻绝区域的材质的导电化改性体，所述电极区域接触所述发光功能层且其至少于所述第一表面呈现导体状态。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阻绝区域为氧化物半导体，所述电极区域为所述氧化物半导体的导电化改性体。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板具有供其出光侧的光线透射至其背光侧的透明区；位于所述透明区内的所述发光功能层设置为透明体。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光功能层包括并列排布的多个发光像素，每个所述发光像素与两个所述电极层的所述电极区域相接触，且从其一所述电极层的所述电极区域接收空穴以及从另一所述电极层的所述电极区域接收电子。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为无源矩阵驱动有机发光显示面板；

优选地，每个所述电极层的所述电极区域和所述阻绝区域沿所述电极层的延展方向并列排布；

优选地，其一所述电极层包括沿第一方向以条纹状配置排列的多个所述电极区域，另一所述电极层包括沿第二方向以条纹状配置排列的多个所述电极区域，所述第一方向和所述第二方向彼此交叉；

优选地，所述第一方向和所述第二方向彼此正交。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电极层为连续均一等厚结构。

7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1～6任一项所述的显示面板。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括摄像部件，所述摄像部件设置在所述显示面板的背光侧，并且所述摄像部件通过采集透过所述显示面板的光线来获取位于所述显示面板出光侧的被摄体影像。

9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括制备两个电极层和发光功能层，所述发光功能层设置在两个所述电极层之间且与两个所述电极层分别相接触贴合；

其中，所述电极层的制备工艺包括：

制备氧化物半导体膜层；

在氧化物半导体膜层的第一表面形成光阻；其中，所述光阻覆盖所述氧化物半导体膜层的第一部分并暴露所述氧化物半导体膜层的第二部分；

对所述第二部分自所述第一表面进行导电化改性；

去除所述光阻，得到所述电极层。

10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述光阻的形成方法包括：形成覆盖所述第一表面的光阻膜层；对所述光阻膜层进行分区曝光显影，使所述光阻膜层图案化为所述光阻；

优选地，采用等离子体于所述第一表面轰击所述第二部分，以使所述第二部分导电化改性。