CN109994490A - Tft阵列基板及显示器件 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种TFT阵列基板及显示器件。本发明中，一种TFT阵列基板，包括：衬底以及设置在所述衬底上的多个TFT，每个所述TFT包括相对设置在所述衬底上的源极区和漏极区，位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区，以及覆盖所述源极区、所述漏极区和所述沟道区的绝缘层，其特征在于，所述沟道区包括相互绝缘的多条沟道，所述多条沟道并联在所述源极区和所述漏极区之间。本发明实施方式所提供的TFT阵列基板及显示器件，具有可靠性较高的优点。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种TFT阵列基板及显示器件。
背景技术
随着信息化社会的发展，已经出现了各种类型的平板显示装置，诸如液晶显示器件、等离子体显示器件以及电泳显示器件等。但是，传统的显示器件都是基于玻璃等刚性材质进行制作的，显示器件的大小和形状生产出来后就是固定的，不能满足多场合、复杂环境的使用。因此，人们多年来一直着力于研究可灵活拉伸的显示器件，直至2017年，在国际显示周上出现了全球第一款基于AMOLED的可拉伸显示器件，这款可拉伸显示器件的屏体可以实现一定角度的弯曲和拉伸而不会损坏。这大大加快了各大显示公司对可拉伸显示技术的研究，各类可拉伸显示器件逐渐在市面上出现。现有技术中的可拉伸显示器件通常包括多个用于发光的像素点，通过TFT(Thin-Film Transistor，薄膜场效应晶体管)基板驱动。
但是，本发明的发明人发现，现有技术中的TFT通常设置在基板上，当基板被拉伸时，会带动TFT一起被拉伸，由于TFT耐拉伸能力较差，被拉伸时容易发生断裂，导致TFT失效，可靠性不佳。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种TFT阵列基板及显示器件，其可靠性较高。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种TFT阵列基板，包括衬底以及设置在所述衬底上的多个TFT结构，每个所述TFT结构包括相对设置在所述衬底上的源极区和漏极区，位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区，以及覆盖所述源极区、所述漏极区和所述沟道区的绝缘层，所述沟道区包括相互绝缘的多条沟道，所述多条沟道并联在所述源极区和所述漏极区之间。
本发明的实施方式还提供了一种显示器件，包括如前述的TFT阵列基板。
本发明实施方式相对于现有技术而言，将沟道区设置为包括多条相互绝缘的沟道，多条沟道并联在源极区和漏极区之间，即使某一条沟道发生断裂，其他的沟道仍然能保持源极区和漏极区之间的导通，保证TFT的正常工作，从而有效的提升了TFT阵列基板的可靠性。此外，将沟道区设置为包括多条相互绝缘的沟道还可以有效的防止裂纹的扩散，即当某一条沟道出现裂纹时，裂纹不会扩散至其他的沟道，从而进一步的提升了TFT阵列基板的可靠性。
另外，至少一条所述沟道自所述源极区朝所述漏极区弯曲延伸。至少一条沟道自源极区朝向漏极区弯曲延伸，从而增加了沟道的延伸长度，有效的提升了沟道的耐拉伸能力，更进一步的提升TFT阵列基板的可靠性。
另外，自所述源极区朝所述漏极区弯曲延伸的所述沟道呈U形、S形或马蹄形。
另外，所述绝缘层上设置有正对所述源极区的第一通孔，所述绝缘层上设置有源电极，所述源电极穿过所述第一通孔以与所述源极区连接。在绝缘层上设置源电极，源电极通过第一通孔穿过绝缘层与源极区连接，外部器件可以通过源电极与源极区连接，便于源极区与外部器件的连接。
另外，所述绝缘层上设置有正对所述漏极区的第二通孔，所述绝缘层上设置有漏电极，所述漏电极穿过所述第二通孔以与所述漏极区连接。在绝缘层上设置漏电极，漏电极通过第二通孔穿过绝缘层与漏极区连接，外部器件可以通过漏电极与漏极区连接，便于漏极区与外部器件的连接。
另外，还包括栅电极，所述栅电极设置在所述绝缘层上。
另外，所述栅电极、所述源电极和所述漏电极相互间隔设置。
另外，所述沟道区的材质为多晶硅或金属氧化物。由于多晶硅具有结构简单、稳定性高等优点，使用多晶硅作沟道区，可以有效的降低沟道区的厚度，使得整个TFT阵列基板的厚度更小，此外，使用金属氧化物作为沟道区的材质，由于金属氧化物的制作较为简单且成本较低，可以有效的降低TFT阵列基板的成本。
所述显示器件采用上述TFT阵列基板。另外，所述显示器件可以为可拉伸显示器件。由于所述可拉伸显示器件采用上述TFT阵列基板，在拉伸所述显示器件的过程中，上述结构的阵列基板具有较高可靠性，可降低拉伸带来的TFT失效风险。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是本发明第一实施方式提供的一种TFT阵列基板的俯视图；
图2是沿图1AA＇方向的截面图；
图3是本发明第二实施方式提供的一种TFT阵列基板的俯视图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种TFT阵列基板100，如图1、图2所示，包括衬底10，设置在衬底10上的多个TFT20，每个TFT20分别包括相对设置在衬底10上的源极区21和漏极区22，位于源极区21和漏极区22之间的沟道区23，以及绝缘层24，绝缘层24覆盖源极区21、漏极区22及沟道区23设置，沟道区23包括相互绝缘的多条沟道231，多条沟道231并联在源极区21和漏极区22之间。
与现有技术相比，本发明第一实施方式所提供的TFT阵列基板100中将沟道区23设置为包括多条相互绝缘的沟道231，多条沟道231并联在源极区21和漏极区22之间，即使某一条沟道231发生断裂，其他的沟道231仍然能保持源极区21和漏极区22的导通，保证TFT的正常工作，从而有效的提升了TFT阵列基板的可靠性。此外，将沟道区23设置为包括多条相互绝缘的沟道231还可以防止裂纹的扩散，即如果某一条沟道231出现裂纹，裂纹有无法扩散至其他的沟道231，从而进一步的提升TFT阵列基板的可靠性。
其中，TFT(Thin Film Transistor)即薄膜场效应晶体管，TFT可以“主动地”对屏幕上的各个独立的像素进行控制，从而大大提高反应时间。与其他控制方式相比，TFT的反应时间较短，通常为80毫秒左右，从而可以大大提升显示的实时性。
优选的，在本实施方式中，多条沟道231之间设置有间隔层30，间隔层30使得多条沟道231并联设置。
具体的，在本实施方式中，绝缘层24上设置有第一通孔241，第一通孔241正对源极区21设置，绝缘层24上方设置有源电极25，源电极25穿过第一通孔241以与源极区21连接。设置绝缘层24可以更加便于TFT20不同层之间的交叉走线。设置源电极25穿过第一通孔241与源电极21连接，外部器件可以通过源电极25与源极区21连接，便于源极区21与外部器件的连接。
进一步的，在本实施方式中，绝缘层24上设置有第二通孔242，第二通孔242正对漏极区22设置，绝缘层24上方设置有漏电极26，漏电极26穿过第二通孔242以与漏极区22连接。设置漏电极26穿过第二通孔242与漏极区22连接，外部器件可以通过漏电极26与漏极区22连接，便于漏极区22与外部器件的连接。
此外，在本实施方式中，TFT阵列基板100还包括栅电极27，栅电极27设置在绝缘层24上。
更进一步的，在本实施方式中，栅电极27、源电极25以及漏电极26之间相互间隔设置。
优选的，在本实施方式中，沟道区23的材质为多晶硅(Poly-Silicon，p-Si)。由于多晶硅具有结构简单、稳定性高等优点，使用多晶硅制作沟道区23，可以将沟道区23做得更薄，有效的降低沟道区23的厚度，使得整个TFT阵列基板的厚度更小。
更优的，本实施方式相对于现有技术而言，将大宽度的单个沟道分为多个小宽度的沟道并联设置，为了保证整个沟道区的导电性能不变，可以使得多个小宽度的沟道的宽度和与大宽度的单个沟道的宽度相等。可以理解的是，前述仅为本发明一种较优的实施方式的举例说明，并不构成限定。在实际使用过程中，两者的宽度也可以不相等，具体可以根据实际情况进行灵活的选用。
需要说明的是，沟道区23的材质为多晶硅仅为本发明一种较优的实施方式的举例说明，并不构成限定。在本发明的其他实施方式中，沟道区23的材质还可以为金属氧化物，例如氧化铟(In2O3)、氧化铟锌(IZO)等，以及单晶硅等其他材质。金属氧化物和单晶硅的制作更为简单、成本较低，可以有效的降低TFT阵列基板的成本。沟道区23的材质具体可以根据实际需要进行灵活的选用，在此不进行一一列举。
本发明的第二实施方式涉及一种TFT阵列基板200，第二实施方式为第一实施方式的进一步的改进，如图3所示，与TFT阵列基板100类似，TFT阵列基板200也包括衬底10、多个TFT20，每个TFT20包括源极区21、漏极区22、沟道区23、绝缘层24、源电极25、漏电极26以及栅电极27，其中沟道区23包括多条相互并联的沟道231。与第一实施方式相比，本发明第二实施方式的改进点在于，在TFT阵列基板200中，多条沟道231中至少存在一条沟道231自源极区21朝向漏极区22弯曲延伸。
与现有技术相比，本发明第二实施方式在保留第一实施方式的技术效果的同时，将至少一条沟道231设置为自源极区21朝向漏极区22弯曲延伸，从而有效的提升沟道231的长度，当TFT阵列基板被拉伸时，弯曲设置的沟道首先在拉力的作用下伸直，有效的释放部分拉力，从而提升沟道231的耐拉伸能力，减小沟道231发生断裂的可能性，进一步的提升TFT阵列基板的可靠性。
具体的，在本实施方式中，弯曲延伸的沟道231在平行于衬底10的平面内为曲线。可以理解的是，前述仅为本实施方式中的一种具体的举例说明，并不构成限定，弯曲延伸的沟道231也可以是在垂直于衬底10的平面内为曲线，具体可以根据实际情况进行选定，在此不进行限定。
进一步的，在本实施方式中，弯曲延伸的沟道231呈S形。可以理解的是，弯曲延伸的沟道231呈S形仅为本实施方式的具体实例。在本发明的其他实施方式中，弯曲延伸的沟道231也可以是呈U形、马蹄形或组合曲线等，在此不进行一一列举。
本发明的第三实施方式涉及一种显示器件，包括如第一实施方式或第二实施方式所提供的TFT阵列基板。
进一步的，在本实施方式中，显示器件为可拉伸显示器件。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种TFT阵列基板，包括衬底以及设置在所述衬底上的多个TFT，每个所述TFT包括相对设置在所述衬底上的源极区和漏极区，位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区，以及覆盖所述源极区、所述漏极区和所述沟道区的绝缘层，其特征在于，所述沟道区包括相互绝缘的多条沟道，所述多条沟道并联在所述源极区和所述漏极区之间。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，至少一条所述沟道自所述源极区朝所述漏极区弯曲延伸。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，自所述源极区朝所述漏极区弯曲延伸的所述沟道呈U形、S形或马蹄形。
4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述绝缘层上设置有正对所述源极区的第一通孔，所述绝缘层上设置有源电极，所述源电极穿过所述第一通孔以与所述源极区连接。
5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述绝缘层上设置有正对所述漏极区的第二通孔，所述绝缘层上设置有漏电极，所述漏电极穿过所述第二通孔以与所述漏极区连接。
6.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括栅电极，所述栅电极设置在所述绝缘层上。
7.根据权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅电极、所述源电极和所述漏电极相互间隔设置。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述沟道区的材质为多晶硅或金属氧化物。
9.一种显示器件，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的TFT阵列基板。
10.根据权利要求9所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件为可拉伸显示器件。
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