CN109977048A - 基于pcie接口的非易失性存储方法及系统 - Google Patents

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刘世昌
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Abstract

本发明公开了一种基于PCIE接口的非易失性存储方法及系统,其中,方法包括如下步骤:步骤一、X86主板关机时,X86主板使用的内存数据经PCIE接口传递到非易失性存储装置;步骤二、将数据从PCIE接口写入到非易失性存储装置中。本发明提供掉电后能够保存数据的一种非易失性存储方案。

Description

基于PCIE接口的非易失性存储方法及系统
技术领域
本发明涉及计算机存储技术领域,特别涉及一种基于PCIE接口的非易失性存储方法及系统。
背景技术
通常主板使用的内存都采用易失性内存,断电后里面的数据就会丢失,例如每次开机时操作系统都需要重新做一次内存初始化的操作,导致开机等待时间比较长,本次设计针对带有PCIE接口的X86主板或者控制器,提供一种掉电后能够保存数据的一种非易失性存储方案。
发明内容
本发明旨在克服现有技术的缺陷,提供一种基于PCIE接口的非易失性存储方法及系统。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:提供一种基于PCIE接口的非易失性存储方法,包括如下步骤:
步骤一、X86主板关机时,X86主板使用的内存数据经PCIE接口传递到非易失性存储装置;
步骤二、将数据从PCIE接口写入到非易失性存储装置中。
为PCIE接口和非易失性存储装置之间配置PCIE硬核IP模块,建立核处理PCIE协议数据链,再通过并行总线与非易失性存储装置连接,实现了PCIE接口和非易失性存储装置之间的高速数据传输,其中,PCIE硬核IP模块包含了处理层、链路层、物理层所要求的功能,支持PCIE1.0或PCIE2.0版本,X1/X2/X4吞吐量。
所述PCIE硬核IP模块包括控制芯片,所述控制芯片选用ALTERA Cyclone V GX系列FPGA。
所述非易失性存储装置为磁阻内存MRAM。
为方便存储容量的扩展,可采用两片磁阻内存MRAM并联,两片磁阻内存MRAM采用T型拓扑结构。
为实现上述目的,本发明还采用以下技术方案:提供一种基于PCIE接口的非易失性存储系统,包括:
传输模块:用于X86主板关机时,X86主板使用的内存数据经PCIE接口传递到非易失性存储装置;
写入模块:用于将数据从PCIE接口写入到非易失性存储装置中。
PCIE接口和非易失性存储装置之间配置PCIE硬核IP模块,建立核处理PCIE协议数据链,再通过并行总线与非易失性存储装置连接,实现了PCIE接口和非易失性存储装置之间的高速数据传输,其中,PCIE硬核IP模块包含了处理层、链路层、物理层所要求的功能,支持PCI-E1.0或PCI-E2.0版本,X1/X2/X4吞吐量。
所述PCIE硬核IP模块包括控制芯片,所述控制芯片选用ALTERA Cyclone V GX系列FPGA。
所述非易失性存储装置为磁阻内存MRAM。
为方便存储容量的扩展,可采用两片磁阻内存MRAM并联,两片磁阻内存MRAM采用T型拓扑结构。
本发明的有益效果在于:系统供电直接取自PCIE接口提供的电源,FPGA自带硬核处理PCIE协议数据链,再通过并行总线与磁阻内存MRAM连接,实现数据从PCIE接口到磁阻内存MRAM的存储,由于磁阻内存MRAM的铁磁性存储结构,磁阻内存几乎可以无限次重写,而铁磁体的磁性也不会由于掉电而消失,从而能够在掉电后继续保存。为方便存储容量的扩展,采用两片MRAM并联,可根据存储容量需求选择一片或者两片磁阻内存MRAM,两片磁阻内存MRAM采用T型拓扑结构,单独焊接一片也不会影响总线高速数据传输的等长要求。
附图说明
图1为本发明基于PCIE接口的非易失性存储方法的流程示意图。
图2为本发明基于PCIE接口的非易失性存储系统的框图。
图3为如图2所示的基于PCIE接口的非易失性存储系统的一个实施例的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,而不构成对本发明的限制。
首先参考图1,本发明提供一种基于PCIE接口的非易失性存储方法,包括如下步骤:
步骤一、X86主板关机时,X86主板使用的内存数据经PCIE接口传递到非易失性存储装置;
步骤二、将数据从PCIE接口写入到非易失性存储装置中。
如图3所示的实施例中,为PCIE接口和非易失性存储装置之间配置PCIE硬核IP模块,建立核处理PCIE协议数据链,再通过并行总线与非易失性存储装置连接,其中,本实施例中的PCIE硬核IP模块控制芯片选用ALTERA Cyclone V GX系列FPGA,该系列为根端口和端点配置PCIE硬核IP模块,无需再接其他接口芯片,实现了PCIE接口和非易失性存储装置之间的高速数据传输,其中,PCIE硬核IP模块包含了处理层、链路层、物理层所要求的功能,支持PCIE1.0或PCIE2.0版本,X1/X2/X4吞吐量。
如图3所示的实施例中,所述非易失性存储装置为磁阻内存MRAM。系统供电直接取自PCIE接口提供的电源,FPGA自带硬核处理PCIE协议的数据链,再通过并行总线与MRAM连接,实现数据从PCIE接口到MRAM的存储,由于MRAM的铁磁性存储结构,磁阻内存几乎可以无限次重写,而铁磁体的磁性也不会由于掉电而消失,从而能够在掉电后继续保存。为方便存储容量的扩展,采用两片MRAM并联,可根据存储容量需求选择一片或者两片MRAM,两片MRAM采用T型拓扑结构,单独焊接一片也不会影响总线高速数据传输的等长要求。
为实现上述目的,本发明还采用以下技术方案:如图2所示,提供一种基于PCIE接口的非易失性存储装置,包括:传输模块1:用于X86主板关机时,数据经PCIE接口传递到非易失性存储装置;
写入模块2:用于将数据从PCIE接口写入到非易失性存储装置中。
如图3所示的实施例中,为PCIE接口和非易失性存储装置之间配置PCIE硬核IP模块,建立核处理PCIE协议数据链,再通过并行总线与非易失性存储装置连接,其中,本实施例中的PCIE硬核IP模块控制芯片选用ALTERA Cyclone VGX系列FPGA,该系列为根端口和端点配置PCIE硬核IP模块,无需再接其他接口芯片,实现了PCIE接口和非易失性存储装置之间的高速数据传输,其中,PCIE硬核IP模块包含了处理层、链路层、物理层所要求的功能,支持PCIE1.0或PCIE2.0版本,X1/X2/X4吞吐量。
如图3所示的实施例中,所述非易失性存储装置为磁阻内存MRAM。系统供电直接取自PCIE接口提供的电源,FPGA自带硬核处理PCIE协议的数据链,再通过并行总线与MRAM连接,实现数据从PCIE接口到MRAM的存储,由于MRAM的铁磁性存储结构,磁阻内存几乎可以无限次重写,而铁磁体的磁性也不会由于掉电而消失,从而能够在掉电后继续保存。为方便存储容量的扩展,采用两片MRAM并联,可根据存储容量需求选择一片或者两片MRAM,两片MRAM采用T型拓扑结构,单独焊接一片也不会影响总线高速数据传输的等长要求。
以上所述本发明的具体实施方式,并不构成对本发明保护范围的限定。任何根据本发明的技术构思所作出的各种其他相应的改变与变形,均应包含在本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种基于PCIE接口的非易失性存储方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、X86主板关机时,X86主板使用的内存数据经PCIE接口传递到非易失性存储装置;
步骤二、将数据从PCIE接口写入到非易失性存储装置中。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,为PCIE接口和非易失性存储装置之间配置PCIE硬核IP模块,建立核处理PCIE协议数据链,再通过并行总线与非易失性存储装置连接,实现了PCIE接口和非易失性存储装置之间的高速数据传输,其中,PCIE硬核IP模块包含了处理层、链路层、物理层所要求的功能,支持PCIE1.0或PCIE2.0版本,X1/X2/X4吞吐量。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述PCIE硬核IP模块包括控制芯片,所述控制芯片选用ALTERA Cyclone V GX系列FPGA。
4.如权利要求1~3任一项所述的方法,其特征在于,所述非易失性存储装置为磁阻内存MRAM。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,为方便存储容量的扩展,可采用两片磁阻内存MRAM并联,两片磁阻内存MRAM采用T型拓扑结构。
6.一种基于PCIE接口的非易失性存储系统,其特征在于,包括如下模块:
传输模块:用于X86主板关机时,X86主板使用的内存数据经PCIE接口传递到非易失性存储装置;
写入模块:用于将数据从PCIE接口写入到非易失性存储装置中。
7.如权利要求6所述的系统,其特征在于,PCIE接口和非易失性存储装置之间配置PCIE硬核IP模块,建立核处理PCIE协议数据链,再通过并行总线与非易失性存储装置连接,实现了PCIE接口和非易失性存储装置之间的高速数据传输,其中,PCIE硬核IP模块包含了处理层、链路层、物理层所要求的功能,支持PCIE1.0或PCIE2.0版本,X1/X2/X4吞吐量。
8.如权利要求7所述的系统,其特征在于,所述PCIE硬核IP模块包括控制芯片,所述控制芯片选用ALTERA Cyclone V GX系列FPGA。
9.如权利要求6~8任一项所述的系统,其特征在于,所述非易失性存储装置为磁阻内存MRAM。
10.如权利要求9所述的系统,其特征在于,为方便存储容量的扩展,可采用两片磁阻内存MRAM并联,两片磁阻内存MRAM采用T型拓扑结构。
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