CN109951177A - 应用于电力传送集成电路的开关电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种应用于电力传送集成电路的开关电路，其中所述电力传送集成电路是设置于一缆线内。所述开关电路包含一第一开关模块、一第二开关模块和一逻辑控制器。当所述缆线的第一端接收一第一电压和所述缆线的第二端接收一第二电压时，所述逻辑控制器选择性地使所述第一开关模块传送所述第一电压至所述电力传送集成电路内的辨识电路，或使所述第二开关模块传送所述第二电压至所述辨识电路。因此，相较于现有技术，本发明不仅可防止耦接于所述开关电路的不同主机中的一主机被所述不同主机中的另一主机损害，也可提供足够高的供电电压给所述电力传送集成电路内的辨识电路。

Description

应用于电力传送集成电路的开关电路
技术领域
本发明涉及一种应用于电力传送集成电路的开关电路，尤其涉及一种不仅可防止耦接于所述开关电路的不同主机中的一主机被所述不同主机中的另一主机损害，也可提供足够高的供电电压给所述电力传送集成电路内的辨识电路的开关电路。
背景技术
在现有技术中，当一缆线的两端分别电连接不同电源时，设置在所述缆线内的电力传送(power delivery)集成电路是利用两个面对面连接的二极管防止所述不同电源中的一电源被所述不同电源中的另一电源损害，其中所述二极管中的每一二极管约有0.7V的电压降。在电力传送(power delivery)3.0版的规格中，因为所述每一二极管的0.7V的电压降牺牲太多头部空间(head-room)，所以在所述不同电源所提供的供电电压为了符合电力传送3.0版的规格而降低的情况下，所述电力传送集成电路将很难通过所述二极管提供足够高的供电电压给所述电力传送集成电路内的辨识电路，导致所述辨识电路内的低压差稳压器(Low-dropout regulator,LDO)或带隙参考(bandgap reference)电路很难设计。因此，如何设计一个可以符合电力传送3.0版的规格的电力传送集成电路变成一项重要课题。
发明内容
本发明的一实施例公开一种应用于电力传送(power delivery)集成电路的开关电路，其中所述电力传送集成电路是设置于一缆线内。所述开关电路包含一第一开关模块、一第二开关模块和一逻辑控制器。当所述缆线的第一端接收一第一电压和所述缆线的第二端接收一第二电压时，所述逻辑控制器选择性地使所述第一开关模块传送所述第一电压至所述电力传送集成电路内的辨识电路，或使所述第二开关模块传送所述第二电压至所述辨识电路。
本发明的另一实施例公开一种应用于电力传送集成电路的开关电路，其中所述电力传送集成电路是设置于一缆线内。所述开关电路包含一第一开关模块、一第二开关模块和一逻辑控制器。当所述缆线的第一端接收一第一电压，所述缆线的第二端接收一第二电压，所述第一开关模块关闭，和所述第二开关模块开启时，所述第一开关模块阻隔所述第二电压被传送至所述缆线的第一端以及所述第二开关模块传送所述第二电压至所述电力传送集成电路内的辨识电路。
本发明公开一种应用于电力传送集成电路的开关电路。所述开关电路在当一缆线的第一端接收一第一电压和所述缆线的第二端接收一第二电压时，所述开关电路可利用一逻辑控制器选择性地使一第一开关模块传送所述第一电压至所述电力传送集成电路内的辨识电路，或使一第二开关模块传送所述第二电压至所述辨识电路。因此，相较于现有技术，本发明可防止耦接于所述开关电路的不同主机中的一主机被所述些不同主机中的另一主机损害，可在所述些不同主机同时提供供电电压的状态下由所述逻辑控制器选择性地使所述些不同主机中的一主机提供供电电压和阻隔所述些不同主机中的另一主机所提供的供电电压，以及可提供足够高的供电电压给所述电力传送集成电路内的辨识电路。
附图说明
图1是现有技术所公开的一种应用于电力传送(power delivery)集成电路的传输电路的示意图。
图2A是本发明的第一实施例所公开的一种应用于电力传送集成电路的开关电路的示意图。
图2B是本发明的第二实施例所公开的一种应用于电力传送集成电路的开关电路的示意图。
图2C是本发明的第三实施例所公开的一种应用于电力传送集成电路的开关电路的示意图。
图3是说明开关电路的操作时序的示意图。
其中，附图标记说明如下：
50、100 电力传送集成电路
60 传输电路
62 第一二极管
64 第二二极管
70、300 缆线
72、302 第一端
74、304 第二端
102 辨识电路
200、220、240 开关电路
202、222、242 第一开关模块
204、224、244 第二开关模块
206 逻辑控制器
208 电容
2022 第一传输电路
2024 第二传输电路
2026 第一电阻
2028 第二电阻
2030 第一N型金属氧化物半导体晶体管
2032 第二N型金属氧化物半导体晶体管
2042 第三传输电路
2044 第四传输电路
2046 第三电阻
2048 第四电阻
2050 第三N型金属氧化物半导体晶体管
2052 第四N型金属氧化物半导体晶体管
2222 第一开关
2224 第二开关
2242 第三开关
2244 第四开关
2422 第一P型金属氧化物半导体晶体管
2424 第二P型金属氧化物半导体晶体管
2442 第三P型金属氧化物半导体晶体管
2444 第四P型金属氧化物半导体晶体管
24222、24242、24442 寄生二极管
A、B、C、D、VCONNO 节点
FCS 第一控制信号
GND 地端
SCS 第二控制信号
T1-T4 时间
VCONN1 第一电压
VCONN2 第二电压
VBIAS 偏压
具体实施方式
请参照图1，图1是现有技术所公开的一种应用于电力传送(power delivery)集成电路50的传输电路60的示意图，其中传输电路60包含一第一二极管62和一第二二极管64，电力传送集成电路50包含传输电路60和一辨识电路102，以及电力传送集成电路50是设置在一缆线70内。如图1所示，当缆线70的第一端72电连接一第一主机(未绘示于图1)时，所述第一主机所提供的一第一电压VCONN1会通过第一二极管62但不会通过第二二极管64，所以一节点VCONNO上的电压(VCONN1-0.7V)将传送至辨识电路102；当缆线70的第二端74电连接一第二主机(未绘示于图1)时，所述第二主机所提供的一第二电压VCONN2会通过第二二极管64但不会通过第一二极管62，所以节点VCONNO上的电压(VCONN2-0.7V)将传送至辨识电路102。虽然，传输电路60可利用第二二极管64防止第一电压VCONN1被传送至缆线70的第二端7 4以及利用第一二极管62防止第二电压VCONN2被传送至缆线70的第一端72，但是个别在第一二极管62、第二二极管64上的二极管电压降(0.7V)将会牺牲太多头部空间(head-room)。因此，在所述第一主机所提供的第一电压VCONN1和所述第二主机所提供的第二电压VCONN2为了符合电力传送3.0版的规格而降低的情况下，电力传送集成电路50将很难通过传输电路60提供足够高的供电电压给电力传送集成电路50内的辨识电路102。
请参照图2A，图2A是本发明的第一实施例所公开的一种应用于电力传送集成电路100的开关电路240的示意图，其中电力传送集成电路100是设置于一缆线300的第一端302，且缆线300为一通用串行总线(universal serial bus)C型(type C)缆线。但本发明并不受限于电力传送集成电路100是设置于缆线300的第一端302，也就是说电力传送集成电路100也可设置于缆线300的第二端304。另外，在本发明的另一实施例中，缆线300的第一端302和第二端304分别设置电力传送集成电路100。如图2A所示，开关电路240包含一第一开关模块242、一第二开关模块244、一逻辑控制器206和一电容208。
如图2A所示，第一开关模块242包含一第一P型金属氧化物半导体晶体管2422、一第二P型金属氧化物半导体晶体管2424、一第一电阻2026、一第二电阻2028、一第一N型金属氧化物半导体晶体管2030及一第二N型金属氧化物半导体晶体管2032。第一P型金属氧化物半导体晶体管2422的第一端耦接缆线300的第一端302；第二P型金属氧化物半导体晶体管2424的第一端耦接第一P型金属氧化物半导体晶体管2422的第二端，以及第二P型金属氧化物半导体晶体管2424的第二端耦接电力传送集成电路100内的辨识电路102和电容208；第一电阻2026的第一端耦接第一P型金属氧化物半导体晶体管2422的第二端以及第二P型金属氧化物半导体晶体管2424的第一端；第二电阻2028的第一端耦接第一电阻2026的第二端；第一N型金属氧化物半导体晶体管2030的第一端耦接第二电阻2028的第二端，以及第一N型金属氧化物半导体晶体管2030的第二端接收一偏压VBIAS；及第二N型金属氧化物半导体晶体管2032的第一端耦接第一N型金属氧化物半导体晶体管2030的第三端，第二N型金属氧化物半导体晶体管2032的第二端接收所述逻辑控制器的一第一控制信号FCS，以及第二N型金属氧化物半导体晶体管2032的第三端耦接一地端GND。另外，在本发明的另一实施例中，第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第二P型金属氧化物半导体晶体管2424可被传输门取代，且第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第二P型金属氧化物半导体晶体管2424的控制端是耦接图2A所示的一节点A(也就是第一电阻2026的第二端)。
另外，如图2A所示，第二开关模块244包含一第三P型金属氧化物半导体晶体管2442、一第四P型金属氧化物半导体晶体管2444、一第三电阻2046、一第四电阻2048、一第三N型金属氧化物半导体晶体管2050和一第四N型金属氧化物半导体晶体管2052。第三P型金属氧化物半导体晶体管2442的第一端耦接缆线300的第二端304；第四P型金属氧化物半导体晶体管2444的第一端耦接第三P型金属氧化物半导体晶体管2442的第二端，以及第四P型金属氧化物半导体晶体管2444的第二端耦接辨识电路102和电容208；第三电阻2046的第一端耦接第三P型金属氧化物半导体晶体管2442的第二端以及第四P型金属氧化物半导体晶体管2444的第一端；第四电阻2048的第一端耦接第三电阻2046的第二端；第三N型金属氧化物半导体晶体管2050的第一端耦接第四电阻2048的第二端，以及第三N型金属氧化物半导体晶体管2050的第二端接收偏压VBIAS；及第四N型金属氧化物半导体晶体管2052的第一端耦接第三N型金属氧化物半导体晶体管2050的第三端，第四N型金属氧化物半导体晶体管2052的第二端接收所述逻辑控制器的一第二控制信号SCS，以及第四N型金属氧化物半导体晶体管2052的第三端耦接地端GND。另外，在本发明的一实施例中，第三P型金属氧化物半导体晶体管2442和第四P型金属氧化物半导体晶体管2444可被传输门取代，且第三P型金属氧化物半导体晶体管2442和第四P型金属氧化物半导体晶体管2444的控制端是耦接图2A所示的一节点B(也就是第三电阻2046的第二端)。另外，偏压VBIAS是用以开启第一N型金属氧化物半导体晶体管2030和第三N型金属氧化物半导体晶体管2050，例如偏压VBIAS介于2.7V～3.3V，但本发明并不受限于偏压VBIAS介于2.7V～3.3V。
另外，请参照图2B，图2B是本发明的第二实施例所公开的一种应用于电力传送集成电路100的开关电路220的示意图。如图2B所示，开关电路220和开关电路240的差别在于开关电路220中的一第一开关模块222分别利用一第一开关2222和一第二开关2224取代第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第二P型金属氧化物半导体晶体管2424，以及开关电路220中的一第二开关模块224分别利用一第三开关2242和一第四开关2244取代第三P型金属氧化物半导体晶体管2442和第四P型金属氧化物半导体晶体管2444，其中第一开关2222、第二开关2224、第三开关2242和第四开关2244是为N型金属氧化物半导体晶体管。另外，第一开关2222、第二开关2224、第三开关2242和第四开关2244中的每一开关可根据其相对应的控制信号(未绘示于图2B)实现所述每一开关在开关电路240中所对应的一金属氧化物半导体晶体管的功能。另外，在本发明的另一实施例中，第一开关2222、第二开关2224、第三开关2242和第四开关2244是为P型金属氧化物半导体晶体管或传输门。
请参照图2C，图2C是本发明的第三实施例所公开的一种应用于电力传送集成电路100的开关电路200的示意图。如图2C所示，开关电路200和开关电路240的差别在于开关电路200中的一第一开关模块202分别利用一第一传输电路2022和一第二传输电路2024取代第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第二P型金属氧化物半导体晶体管2424，以及开关电路200中的一第二开关模块204分别利用一第三传输电路2042和一第四传输电路2044取代第三P型金属氧化物半导体晶体管2442和第四P型金属氧化物半导体晶体管2444，其中第一传输电路2022、第二传输电路2024、第三传输电路2042和第四传输电路2044是为N型金属氧化物半导体晶体管。另外，第一传输电路2022、第二传输电路2024、第三传输电路2042和第四传输电路2044中的每一传输电路可根据其相对应的控制信号(未绘示于图2C)实现所述每一传输电路在开关电路240中所对应的一金属氧化物半导体晶体管的功能。另外，在本发明的另一实施例中，第一传输电路2022、第二传输电路2024、第三传输电路2042和第四传输电路2044是为P型金属氧化物半导体晶体管或传输门。
请参照图3，图3是说明开关电路240的操作时序的示意图。在图3的实施例中，第一电压VCONN1可由所述第一主机提供，第二电压VCONN2可由所述第二主机提供。当第一电压VCONN1为高电平时表示缆线300的第一端302电连接第一主机，而当第一电压VCONN1为低电平时表示缆线300的第一端302没有电连接第一主机。同理，当第二电压VCONN2为高电平时表示缆线300的第二端304电连接第二主机，而当第二电压VCONN2为低电平时表示缆线300的第二端304没有电连接第二主机。另外，为使图式能够清楚说明，所述第一主机以及所述第二主机皆省略而未绘示于图2A-2C。如图3所示，在一时间T1时，因为缆线300的第一端302和第二端304都没有电连接所述第一主机和所述第二主机，所以逻辑控制器206启用(enable)第一控制信号FCS和第二控制信号SCS以开启第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第三P型金属氧化物半导体晶体管2442。也就是说，当缆线300的第一端302和第二端304都没有电连接所述第一主机和所述第二主机时，第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第三P型金属氧化物半导体晶体管2442的预设状态为开启。
如图3所示，在一时间T2时，因为缆线300的第一端302电连接所述第一主机和缆线300的第二端304没有电连接所述第二主机，所以逻辑控制器206继续启用第一控制信号FCS和关闭(disable)第二控制信号SCS。因为第一控制信号FCS启用，且第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第二P型金属氧化物半导体晶体管2424的控制端耦接图2A所示的节点A，所以第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第二P型金属氧化物半导体晶体管2424开启，导致所述第一主机所提供的第一电压VCONN1通过第一P型金属氧化物半导体晶体管2422、第二P型金属氧化物半导体晶体管2424和一节点VCONNO传送至辨识电路102，其中辨识电路102根据第一电压VCONN1启动后将传送缆线300的一最大支持传输电流、一最大支持传输电压、一序号、一制造厂商以及一长度中的至少一个至所述第一主机，且此时节点VCONNO上的电压等于第一电压VCONN1。另外，所述第一主机可根据缆线300的最大支持传输电流、最大支持传输电压、序号、制造厂商以及长度中的至少一个，产生相对应的电力传输参数(例如所述第一主机可根据缆线300的最大支持传输电流、最大支持传输电压、序号、制造厂商以及长度中的至少一个，提供相对应的传输电压和传输电流)。另外，因为节点VCONNO上的电压等于第一电压VCONN1，所以第一电压VCONN1可通过第四P型金属氧化物半导体晶体管2444的寄生二极管24442(其中第四P型金属氧化物半导体晶体管2444的寄生二极管24442上的电压降约0.5V～0.7V)传送至一节点C。另外，因为第二控制信号SCS关闭，所以第四N型金属氧化物半导体晶体管2052处于关闭状态，此时没有电流流经第三电阻2046、第四电阻2048、第三N型金属氧化物半导体晶体管2050和第四N型金属氧化物半导体晶体管2052，导致节点B上的电压近似于第一电压VCONN1，进而导致第三P型金属氧化物半导体晶体管2442和第四P型金属氧化物半导体晶体管2444关闭(因为第三P型金属氧化物半导体晶体管2442和第四P型金属氧化物半导体晶体管2444的控制端耦接图2A所示的节点B)。
如图3所示，在一时间T3时，因为缆线300的第一端302电连接所述第一主机(未绘示于图2A)和缆线300的第二端304电连接所述第二主机(未绘示于图2A)，所以在本发明的一实施例中，逻辑控制器206可关闭第一控制信号FCS和重新启用第二控制信号SCS，其中第一电压VCONN1小于第二电压VCONN2，例如第一电压VCONN1为2.7V以及第二电压VCONN2为5V。因为第二控制信号SCS启用，且第三P型金属氧化物半导体晶体管2442和第四P型金属氧化物半导体晶体管2444的控制端耦接图2A所示的节点B，所以第三P型金属氧化物半导体晶体管2442和第四P型金属氧化物半导体晶体管2444开启，导致所述第二主机所提供的第二电压VCONN2通过第三P型金属氧化物半导体晶体管2442，第四P型金属氧化物半导体晶体管2444和节点VCONNO传送至辨识电路102，其中辨识电路102根据第二电压VCONN2启动后可传送缆线300的最大支持传输电流、最大支持传输电压、序号、制造厂商以及长度中的至少一个至所述第二主机，且此时节点VCONNO上的电压等于第二电压VCONN2。另外，所述第二主机可根据缆线300的最大支持传输电流、最大支持传输电压、序号、制造厂商以及长度中的至少一个，产生相对应的电力传输参数(例如所述第二主机可根据缆线300的最大支持传输电流、最大支持传输电压、序号、制造厂商以及长度中的至少一个，提供相对应的传输电压和传输电流)。另外，因为节点VCONNO上的电压等于第二电压VCONN2，且第二电压VCONN2(5V)大于第一电压VCONN1(2.7V)，所以第二电压VCONN2可通过第二P型金属氧化物半导体晶体管2424的寄生二极管24242顺偏导通传送至一节点D。另外，因为第一控制信号FCS关闭，所以节点A上的电压也近似于第二电压VCONN2，导致第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第二P型金属氧化物半导体晶体管2424关闭(因为第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第二P型金属氧化物半导体晶体管2424的控制端耦接图2A所示的节点A)。因为节点VCONNO上的电压(第二电压VCONN2)可通过第二P型金属氧化物半导体晶体管2424的寄生二极管传递至第一电阻2026、第二电阻2028、第一N型金属氧化物半导体晶体管2030和第二N型金属氧化物半导体晶体管2032，所以当第一控制信号FCS关闭时，节点A上的电压(第二电压VCONN2)可有效地关闭第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第二P型金属氧化物半导体晶体管2424。然而因为第一P型金属氧化物半导体晶体管2422的寄生二极管24222在逆偏截止状态，所以第一P型金属氧化物半导体晶体管2422的寄生二极管24222无法传递第一电压VCONN1至节点D。另外，在本发明的另一实施例中，在时间T3时，逻辑控制器206可继续启用第一控制信号FCS和继续关闭第二控制信号SCS，此时第一P型金属氧化物半导体晶体管2422、第二P型金属氧化物半导体晶体管2424、第三P型金属氧化物半导体晶体管2442和第四P型金属氧化物半导体晶体管2444的操作可参照上述说明，在此不再赘述。
另外，在本发明的另一实施例中，在时间T3时，缆线300的第一端302电连接所述第一主机，缆线300的第二端304电连接所述第二主机，以及逻辑控制器206关闭第一控制信号FCS和重新启用第二控制信号SCS，其中第一电压VCONN1大于第二电压VCONN2，例如第一电压VCONN1为5V以及第二电压VCONN2为2.7V。因为第二控制信号SCS启用，且第三P型金属氧化物半导体晶体管2442和第四P型金属氧化物半导体晶体管2444的控制端耦接图2A所示的节点B，所以第三P型金属氧化物半导体晶体管2442和第四P型金属氧化物半导体晶体管2444开启，导致所述第二主机所提供的第二电压VCONN2通过第三P型金属氧化物半导体晶体管2442、第四P型金属氧化物半导体晶体管2444和节点VCONNO传送至辨识电路102。另外，因为节点VCONNO上的电压等于第二电压VCONN2，且第二电压VCONN2(2.7V)小于第一电压VCONN1(5V)，所以第一电压VCONN1可通过第一P型金属氧化物半导体晶体管2422的寄生二极管24222传送至节点D。另外，因为第一控制信号FCS关闭，所以节点A上的电压也等于第一电压VCONN1，导致第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第二P型金属氧化物半导体晶体管2424关闭(因为第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第二P型金属氧化物半导体晶体管2424的控制端耦接图2A所示的节点A)。
如图3所示，在一时间T4时，因为缆线300的第一端302和第二端304再次没有电连接所述第一主机和所述第二主机，所以逻辑控制器206重新启用第一控制信号FCS和继续启用第二控制信号SCS。因为第一控制信号FCS和第二控制信号SCS启用，所以第一P型金属氧化物半导体晶体管2422重新开启。另外，因为在时间T3后第二控制信号SCS是持续启用，所以第三P型金属氧化物半导体晶体管2442在时间T3后是持续开启。也就是说在时间T4时，因为缆线300的第一端302和第二端304再次没有电连接所述第一主机和所述第二主机，所以第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第三P型金属氧化物半导体晶体管2442又回到预设状态(也就是第一P型金属氧化物半导体晶体管2422和第三P型金属氧化物半导体晶体管2442开启)。
因此，由上述有关开关电路240的操作时序的说明很明显地可知，当缆线300的第一端302电连接所述第一主机和缆线300的第二端304电连接所述第二主机时，开关电路200可利用第一开关模块202和第二开关模块204的两级传输电路的串接架构有效地防止第一电压VCONN1通过缆线300传送至所述第二主机或防止第二电压VCONN2通过缆线300传送至所述第一主机。也就是说当缆线300的第一端302电连接该第一主机和缆线300的第二端304电连接该第二主机时，逻辑控制器206可启用第一控制信号FCS和第二控制信号SCS的其中之一使开关电路200利用第一开关模块202和第二开关模块204的其中之一的的两级传输电路的串接架构有效地防止第一电压VCONN1通过缆线300传送至该第二主机或防止第二电压VCONN2通过缆线300传送至该第一主机。
上述图3所绘出的操作时序仅为本发明的一种范例，在其他实施例中，开关电路240也可适用于当缆线300和第一主机、以及缆线300和第二主机之间的电连接状态依照不同操作时序的情况。另外，开关电路200和开关电路220的操作时序可参照上述图3的相关说明，在此不再赘述。
另外，逻辑控制器206可以是一具有上述逻辑控制器206的功能的现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)，或是一具有上述逻辑控制器206的功能的专用集成电路(Application-specific integrated circuit,ASIC)或是一具有上述逻辑控制器206的功能的软件模块。另外，辨识电路102可以是一具有上述辨识电路102的功能的现场可编程门阵列，或是一具有上述辨识电路102的功能的专用集成电路或是一具有上述辨识电路102的功能的软件模块。
综上所述，本发明所公开的应用于电力传送集成电路的开关电路在当所述缆线的第一端接收所述第一电压和所述缆线的第二端接收所述第二电压时，所述开关电路可利用所述逻辑控制器选择性地使所述第一开关模块传送所述第一电压至所述电力传送集成电路内的辨识电路，或使所述第二开关模块传送所述第二电压至所述辨识电路。从另一角度而言，当缆线的第一端接收第一电压、缆线的第二端接收第二电压、第一开关模块关闭，且第二开关模块开启时，第一开关模块可阻隔第二电压被传送至缆线的第一端，并由第二开关模块传送第二电压至电力传送集成电路内的辨识电路。因此，相较于现有技术，本发明可防止耦接于所述开关电路的不同主机中的一主机被所述些不同主机中的另一主机损害，可在所述些不同主机同时提供供电电压的状态下由所述逻辑控制器选择性地使由所述些不同主机中的一主机提供供电电压和阻隔所述些不同主机中的另一主机所提供的供电电压，以及可提供足够高的供电电压给所述电力传送集成电路内的辨识电路。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种应用于电力传送集成电路的开关电路，其中所述电力传送集成电路是设置于一缆线内，其特征在于包含：
一第一开关模块；
一第二开关模块；及
一逻辑控制器，其中当所述缆线的第一端接收一第一电压和所述缆线的第二端接收一第二电压时，所述逻辑控制器选择性地使所述第一开关模块传送所述第一电压至所述电力传送集成电路内的辨识电路，或使所述第二开关模块传送所述第二电压至所述辨识电路。
2.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于：当所述缆线的第一端接收所述第一电压时，所述逻辑控制器使所述第一开关模块传送所述第一电压至所述辨识电路，且所述辨识电路根据所述第一电压启动后传送所述缆线的一最大支持传输电流、一最大支持传输电压、一序号、一制造厂商以及一长度的至少一至提供所述第一电压的一第一主机。
3.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于：当所述缆线的第二端接收所述第二电压时，所述逻辑控制器使所述第二开关模块传送所述第二电压至所述辨识电路，且所述辨识电路根据所述第二电压启动后传送所述缆线的一最大支持传输电流、一最大支持传输电压、一序号、一制造厂商以及一长度的至少一至提供所述第二电压的一第二主机。
4.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于：所述电力传送集成电路是设置于所述缆线的第一端或所述缆线的第二端。
5.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于所述第一开关模块包含：
一第一传输电路，其中所述第一传输电路的第一端耦接所述缆线的第一端；
一第二传输电路，其中所述第二传输电路的第一端耦接所述第一传输电路的第二端，以及所述第二传输电路的第二端耦接所述辨识电路和所述开关电路另包含的一电容；
一第一电阻，其中所述第一电阻的第一端耦接所述第一传输电路的第二端以及所述第二传输电路的第一端；
一第二电阻，其中所述第二电阻的第一端耦接所述第一电阻的第二端；
一第一N型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的第一端耦接所述第二电阻的第二端，以及所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的第二端接收一偏压；及
一第二N型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的第一端耦接所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的第三端，所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的第二端接收所述逻辑控制器的一第一控制信号，以及所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的第三端耦接一地端。
6.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于所述第二开关模块包含：
一第三传输电路，其中所述第三传输电路的第一端耦接所述缆线的第二端；
一第四传输电路，其中所述第四传输电路的第一端耦接所述第三传输电路的第二端，以及所述第四传输电路的第二端耦接所述辨识电路和所述开关电路另包含的一电容；
一第三电阻，其中所述第三电阻的第一端耦接所述第三传输电路的第二端以及所述第四传输电路的第一端；
一第四电阻，其中所述第四电阻的第一端耦接所述第三电阻的第二端；
一第三N型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第三N型金属氧化物半导体晶体管的第一端耦接所述第四电阻的第二端，以及所述第三N型金属氧化物半导体晶体管的第二端接收一偏压；及
一第四N型金属氧化物半导体晶体管，其中所述第四N型金属氧化物半导体晶体管的第一端耦接所述第三N型金属氧化物半导体晶体管的第三端，所述第四N型金属氧化物半导体晶体管的第二端接收所述逻辑控制器的一第二控制信号，以及所述第四N型金属氧化物半导体晶体管的第三端耦接一地端。
7.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于：当所述第一开关模块关闭和所述第二开关模块开启时，所述第一开关模块阻隔所述第二电压被传送至所述缆线的第一端以及所述第二开关模块传送所述第二电压至所述辨识电路，以及当所述第二开关模块关闭和所述第一开关模块开启时，所述第二开关模块阻隔所述第一电压被传送至所述缆线的第二端以及所述第一开关模块传送所述第一电压至所述辨识电路。
8.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于：当所述缆线的第一端接收所述第一电压和所述缆线的第二端没有接收所述第二电压时，所述逻辑控制器使所述第一开关模块传送所述第一电压至所述辨识电路，且关闭所述第二开关模块。
9.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于：当所述缆线的第一端没有接收所述第一电压和所述缆线的第二端接收所述第二电压时，所述逻辑控制器使所述第二开关模块传送所述第二电压至所述辨识电路，且关闭所述第一开关模块。
10.一种应用于电力传送集成电路的开关电路，其中所述电力传送集成电路是设置于一缆线内，其特征在于包含：
一第一开关模块；
一第二开关模块；及
一逻辑控制器，其中当所述缆线的第一端接收一第一电压，所述缆线的第二端接收一第二电压，所述第一开关模块关闭，和所述第二开关模块开启时，所述第一开关模块阻隔所述第二电压被传送至所述缆线的第一端以及所述第二开关模块传送所述第二电压至所述电力传送集成电路内的辨识电路。
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