CN109920716B - 一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置及方法 - Google Patents
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Abstract
一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置及方法，反应腔内设置上电极和下电极，下电极上施加一射频功率源，下电极上设置静电吸盘，静电吸盘支撑并夹持晶片，一聚焦环环绕设置在晶片周围，一电容调节装置设置在下电极周围，以改变下电极与聚焦环上表面之间的总电容值，根据施加在聚焦环上的偏置功率大小通过电容调节装置来调节下电极与聚焦环上表面之间的总电容值，使晶片边缘区域和中心区域维持稳定的刻蚀速率。本发明可以有效调节晶片表面的等离子体分布，以获得均匀稳定的刻蚀速率，保证晶片边缘区域和中心区域的刻蚀均匀性，大大延长聚焦环的使用寿命，节省了成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置及方法。
背景技术
如图1所示，等离子体处理装置包含一个反应腔100，反应腔100内设置有相互平行设置的上电极102和下电极101，上电极102连接反应气体源104，反应气体源104中的气体通过上电极102均匀注入反应腔100内部。下电极101上施加一射频功率源103，该射频功率源103在上电极102和下电极101之间形成高射频能量场，将注入反应腔100内部的反应气体解离成工艺所需的等离子体，对晶片10进行刻蚀。下电极101又作为基座，用于支撑静电吸盘108，静电吸盘108用于支撑并夹持晶片10，保证晶片10在等离子体刻蚀工艺过程中保持与基座的相对固定。刻蚀制程进行中，反应气体经过晶圆上方的反应区域，通过真空泵105被抽离反应腔100，以维持反应腔内的低压。
等离子体的密度分布与晶片10的刻蚀速率成正比，等离子体的密度越高刻蚀速率越高，等离子体的密度越低刻蚀速率越低。由于等离子气流作用，晶片10中央部分的等离子体密度减小，晶片10边缘部分的等离子体密度增大，导致晶片10表面中央部分刻蚀速率下降，边缘部分刻蚀速率上升，导致晶片10表面刻蚀速率不均匀。
聚焦环的作用在于调节等离子体的分布，通过在晶片10的周围环绕设置一聚焦环106，相当于向外扩大了晶片10的半径，使得聚焦环上方产生和晶片上方相同条件的等离子体，有效的将晶片10上方的等离子体分布边缘延展到聚焦环的外侧壁缘，增大了等离子体的分布范围，展宽了晶片表面上等离子体的密度分布曲线，使晶片表面上等离子体的密度分布趋向平缓，令晶片表面上的等离子体密度分布更加均匀化，有利于保证边缘区域和中心区域刻蚀工艺的均匀性。
通常采用硅或者碳化硅作为基材制作聚焦环，随着刻蚀工艺时间的延长，聚焦环表面也会被等离子体刻蚀消耗掉。聚焦环表面高度降低，其上方的等离子体鞘层下移，晶片边缘区域刻蚀工艺发生变化，导致晶片中心区域和边缘区域的刻蚀速率不均匀，对晶片的刻蚀工艺造成影响。
发明内容
本发明提供一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置及方法，可以有效调节晶片表面的等离子体分布，以获得均匀稳定的刻蚀速率，保证晶片边缘区域和中心区域的刻蚀均匀性，大大延长聚焦环的使用寿命，节省了成本。
为了达到上述目的，本发明提供一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置，包含：一反应腔，反应腔内设置上电极和下电极，下电极上施加一射频功率源，下电极上设置静电吸盘，静电吸盘支撑并夹持晶片，一聚焦环环绕设置在晶片周围，一电容调节装置设置在下电极周围，以改变下电极与聚焦环上表面之间的总电容值；
所述等离子体处理装置还包含一控制器，所述控制器中存储有一个电容优化数据库，所述电容优化数据库中包含多个数据组，每个数据组包含施加到下电极的不同偏置功率和对应的下电极与聚焦环上表面之间的总电容值的最佳取值，其中下电极与聚焦环上表面之间的总电容值为最佳取值时晶片上的等离子处理效果最均一；
所述控制器根据射频功率源施加到下电极的偏置功率和所述电容优化数据库，选取所述下电极与聚焦环上表面之间的总电容值的最佳取值并调节所述电容调节装置的电容值，使得下电极与聚焦环上表面之间的总电容值为当前偏置功率对应的最佳值。
所述的电容调节装置包含一绝缘环和一电容组，电容组中包含多个并联的电容，每个并联电容上串联有一个电子开关或气动开关，通过所述开关切换使得电容组的电容改变。
所述的绝缘环设置在聚焦环下方。
所述的电容调节装置在需要减小电容调节装置的电容值时，控制器断开某些电容的并联回路，在需要增大电容调节装置的电容值时，控制器接通某些电容的并联回路。
电容优化数据库中包含多个数据组，每个数据组还包含聚焦环腐蚀状态数据，所述控制器根据射频功率源施加到下电极的偏置功率、所述聚焦环腐蚀状态数据和所述电容优化数据库选取所述下电极与聚焦环上表面之间的总电容值的最佳取值并调节所述电容调节装置的电容值，使得下电极与聚焦环上表面之间的总电容值为当前偏置功率对应的最佳值。
所述聚焦环腐蚀状态数据为聚焦环厚度数据。
所述电容调节装置包含一设置在下电极外围上方的绝缘环和设置在聚焦环上方的边缘导电电极，所述边缘导电电极设置在聚焦环上表面或者埋设在聚焦环内，一电容组或一个可变电容电连接在所述下电极和所述边缘导电电极之间。
所述电容调节装置包含一设置在下电极外围上方的绝缘环，聚焦环设置在所述绝缘环上方，其中绝缘环中包含可移动的导电部件或者一可控制介电液液位高度的空腔。
本发明还提供一种均衡等离子体处理装置中刻蚀速率的方法，根据施加在聚焦环上的偏置功率大小通过电容调节装置来调节下电极与聚焦环上表面之间的总电容值，使晶片边缘区域和中心区域维持稳定的刻蚀速率；当施加在聚焦环上的偏置功率增大，则减小电容调节装置的电容值；当施加在聚焦环上的偏置功率值减小，则增大电容调节装置的电容值。
增加并联在电容环两端的电容数量，电容调节装置的电容值增加；减少并联在电容环两端的电容数量，电容调节装置的电容值减小。
本发明根据施加在聚焦环上的偏置功率大小通过电容调节装置来相应调节聚焦环的电容值，可以有效调节晶片表面的等离子体分布，以获得均匀稳定的刻蚀速率，保证晶片边缘区域和中心区域的刻蚀均匀性，大大延长聚焦环的使用寿命，节省了成本。
附图说明
图1是背景技术中等离子体处理装置的结构示意图。
图2是本发明提供的一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置的结构示意图。
图3和图4是反应腔内上电极和下电极之间的等效电路图。
图5是晶片边缘刻蚀速率与偏置功率和电容值的关系图。
具体实施方式
以下根据图2～图5，具体说明本发明的较佳实施例。
如图2所示，等离子体处理装置包含一个反应腔100，反应腔100内设置有相互平行设置的上电极102和下电极101，上电极102连接反应气体源104，反应气体源104中的气体通过上电极102均匀注入反应腔100内部。下电极101上施加一射频功率源103，该射频功率源103在上电极102和下电极101之间形成高射频能量场，将注入反应腔100内部的反应气体解离成工艺所需的等离子体，对晶片10进行刻蚀。下电极101又作为基座，用于支撑静电吸盘108，静电吸盘108用于支撑并夹持晶片10，保证晶片10在等离子体刻蚀工艺过程中保持与基座的相对固定。刻蚀制程结束后，反应气体通过真空泵105被抽离反应腔100。上电极102、下电极101和等离子体共同形成一个等效电容器。
一聚焦环106环绕设置在晶片10周围，用于调节晶片上等离子体的分布。当刻蚀制程开始后，向下电极101施加射频功率，解离等离子体，此时射频功率源103会在晶片表面和聚焦环表面感应形成自偏压，由于反应气体解离成的等离子体中既包含带正电的离子也包含电子，当晶片和聚焦环表面存在一个负偏压时，等离子体中的正电离子受负偏压形成的电场影响会在晶片表面和聚焦环表面堆积成一定厚度的等离子体鞘层。该等离子体鞘层的厚度及形状分布是影响等离子体对晶片进行均匀处理的重要参数。晶片表面及聚焦环表面的自偏压受施加到下电极上的射频功率源103的输出大小决定，当施加到下电极上的射频功率大小不变时，下电极表面感应出的自偏压大小不变。
由于聚焦环152通常为硅或者碳化硅材料，在等离子体刻蚀过程中，聚焦环表面会被等离子体侵蚀消磨，使得聚焦环上表面位置降低，整体厚度减薄，如图2所示，此时，由于射频功率源101施加给下电极101上的电源功率不变，晶片表面和聚焦环表面产生的自偏压大小不变，随着聚焦环厚度变薄，其上表面位置下降，聚焦环152上方的等离子体鞘层位置下移，造成晶片边缘区域的电场发生倾斜，等离子体中的离子在轰击晶片的边缘区域时方向倾斜，使得得到的晶片边缘区域和中心区域的刻蚀图案形貌不同，影响晶片刻蚀的产品合格率。由于聚焦环的制作费用较高，制作周期较长，经常替换不仅会提高晶片加工的成本，还会造成材料的浪费，因此不可能一有磨损即进行替换。
本发明提供一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置，包含一个反应腔100，反应腔100内设置有相互平行设置的上电极102和下电极101，上电极102连接反应气体源104，反应气体源104中的气体通过上电极102均匀注入反应腔100内部，下电极101上施加一射频功率源103，该射频功率源103在上电极102和下电极101之间形成高射频能量场，将注入反应腔100内部的反应气体解离成工艺所需的等离子体，对晶片10进行刻蚀，下电极101又作为基座，用于支撑静电吸盘108，静电吸盘108用于支撑并夹持晶片10，保证晶片10在等离子体刻蚀工艺过程中保持与基座的相对固定。一聚焦环106环绕设置在晶片10周围，用于调节晶片上等离子体的分布。
为了防止聚焦环磨损引起的刻蚀速率不均匀，在聚焦环被腐蚀，厚度减薄时，可以通过提高聚焦环上方的负偏压来增加等离子体的鞘层厚度，将原本下降的等离子体分布重新托起，实现晶片上方和聚焦环上方的等离子体鞘层在同一平面内，晶片边缘区域电场的方向竖直向下，从而避免在晶片边缘刻蚀结果不达标的问题。
为了提高聚焦环上方的负偏压，通常会想到通过提高射频功率源103的输出功率，来提高施加到聚焦环上的偏压。然而提高聚焦环上的偏压同时也会改变聚焦环上区域的等离子体浓度，从而导致晶片边缘区域的等离子体浓度也发生改变，而等离子体浓度决定了该区域的刻蚀速率，仍然无法保证晶片边缘区域和中心区域刻蚀结果的均匀性。
因此，本发明在下电极101周围设置一电容调节装置，该电容调节装置进一步包含一绝缘环107，其与聚焦环106接触，可以将该绝缘环107设置在聚焦环106下方，或者将该绝缘环107设置在聚焦环106外围，该绝缘环107为开口环，可以采用陶瓷材质，在该绝缘环107的上方包含包含一个边缘导电电极，该边缘导电电极可以设置在绝缘环107和聚焦环106之间，也可以是埋设在聚焦环106内部中间。在该边缘导电电极和下电极101之间电连接有一个电容调节装置(图中未显示)，电容调节装置可以是一个电容组，电容组中包含多个并联的电容，每一个电容都并联在绝缘环107的两端。可以通过电子切换开关或者气动开关的切换来改变电容组中并联电容的数量来改变电容组的电容值，并联的电容越多，电容组的电容值就越大，电容调节装置的电容值也就越大，从而电容调节装置和聚焦环的总电容值也就越大，而减少并联电容的数量，则会令电容调节装置和聚焦环的总电容值减小。其中电容调节装置也可以是一个机械驱动的可变电容装置，该电容调节装置可以一端电连接到下电极101，另一端通过射频电缆连接到上述边缘导电电极，其中射频电缆需要穿过开设在绝缘环107上的垂直穿孔。
电容调节装置也可以不用一个可变电容，而是通过改变绝缘环107的方式改变下电极101到聚焦环106上表面之间的等效电容，其中绝缘环107中可以设置一个可以升降的导电部件，通过导电部件的不同高度影响下电极101到聚焦环106之间的电容，也可以在绝缘环107中设置至少一个空腔，空腔内可以注入介电液，通过改变介电液的液位高度或者介电液的成分来改变整个绝缘环107的整体介电常数，最终改变下电极101与聚焦环107之间的电容，从而改变从下电极101耦合到聚焦环106上表面的偏压射频功率值。
如图3和图4所示，上电极102和下电极101之间可以等效为一个电容器，该电容器包含两组串联的电容，电容C1是聚焦环上方等离子体鞘层的电容，电容C2是下电极与聚焦环上表面之间的总电容值，其中电容调节装置设置在下电极和聚焦环之间，实现对电容C2的调节，C3是晶片上方等离子体鞘层的电容，C4是静电吸盘的电容，V1是施加在电容C1上的电压，V2是施加在电容C2上的电压，V是射频功率源103施加的总偏压。
V＝V1+V2 (1)；
从式(2)可以看出，如果射频功率源103施加的总偏置功率提高，等离子体鞘层的厚度会增加，电容C1会随之减小，则施加在电容C1上的电压V1也会随着总偏压V的升高而升高，不利于保证等离子体的刻蚀速率。此时，通过调整电容C2的数值来调节施加在电容C1上的电压V1，在总偏置功率升高的情况下，可以通过减少电容C2的数值来使电压V1的数值基本保持不变，从而使晶片边缘的刻蚀速率保持稳定，获得晶片边缘区域和中心区域刻蚀结果的均匀性。
如图5所示，横坐标是晶片的半径尺寸，单位是mm，以半径为150mm的晶片为例，纵坐标是刻蚀速率，C2是下电极到聚焦环的总电容值，单位是pF，表a是低偏置功率情况下(射频功率<300W)刻蚀速率与电容值的关系图，表b是中等偏置功率情况下(300W<射频功率<800W)刻蚀速率与电容值的关系图，表c是高偏置功率情况下(射频功率>1200W)刻蚀速率与电容值的关系图。从图中可以看出，在不同电容值和不同偏置功率的情况下，越靠近晶片边缘，刻蚀速率约容易发生偏移。而在低偏置功率的情况下，选择C2的值为300pF可以获得较为平稳的刻蚀速率曲线，使晶片边缘的刻蚀速率维持在1左右，不会引起刻蚀速率发生较大偏移；在中等偏置功率情况下，选择C2的值为200pF可以获得较为平稳的刻蚀速率曲线；在高偏置功率情况下，选择C2的值为100pF可以获得较为平稳的刻蚀速率曲线。
从上述数据可以得出，在不同偏置功率情况下，选择不同的电容值C2也就是选择电容调节装置具有不同的电容值，晶片上具有差距很大的刻蚀速率分布。可以将等离子刻蚀中不同偏置功率下，对应最均一的刻蚀速率分布的电容调节装置的电容作为最佳电容值记录下来成为一个数据组，存储到等离子处理装置的控制器中，这样在后续的刻蚀过程中，由控制器中的控制软件根据存储的数据和工艺参数中指定的偏置功率值直接选择相信的电容值C2。当然聚焦环106在长期刻蚀过程中会发生腐蚀，导致刻蚀效果的漂移，为了应对这一情况，在测试阶段还需要将聚焦环不同程度腐蚀状态作为参数选择进一步优化的电容值C2。经过测试发现聚焦环经过长时间工作，腐蚀掉厚度达到20um时，为了维持原有刻蚀效果的均一性需要对应的调节电容的值为150PF，所以聚焦环的腐蚀程度也大幅度的影响调节电容调节装置的需要输出的电容值。经过上述测试步骤可以将包含聚焦环腐蚀程度(通过检测聚焦环厚度获得)、偏置功率大小、C2最佳电容值的大量数据组存入控制器，在实际刻蚀中只需要查表就可以直接获得最佳的C2数值，就可以获得最佳的等离子刻蚀速率分布，不再需要像现有技术那样对应不同的刻蚀工艺，各自调节各种参数，调节完工艺参数后随着聚焦环的腐蚀还需要日后进一步的修正，费时费力。
调节电容C2的值，其实主要就是调节电容调节装置的电容值，具体而言，就是通过改变连接在绝缘环107上方的边缘导电电极和下方的下电极之间的电容调节装置来改变电容C2的值。可以设置一个控制器来控制电容组中并联电容的数量，当需要减小电容值时，控制器根据选择的具体电容数值，断开电容组中确定数量的几个电容的并联回路，使剩余并联在电路中的电容的数值满足要求；当需要增大电容值时，控制器根据选择的具体电容数值，将确定数量的几个电容的并联回路重新接通，使并联在电路中的电容的数值满足要求。
从图5中可以看出，射频功率源103施加的偏置功率值与电容调节装置和聚焦环的总电容值大概是成反比关系，即偏置功率值低时，采用较高的电容值可以获得稳定的刻蚀速率，偏置功率值高时，采用较低的电容值可以获得稳定又均一的刻蚀速率分布。在本发明的一个实施例中，射频功率源103初始施加的偏置功率值为150W，此时通过调节并联在绝缘环107两端的电容数量，使下电极与聚焦环上表面之间的总电容值为300pF，从而使晶片边缘区域和中心区域的刻蚀速率都维持在1左右，获得较为均匀的刻蚀结果，随着聚焦环的磨损，则需要提高偏置功率值，将射频功率源103的偏置功率值提高到600W，此时断开一些并联在绝缘环107两端的电容，直至下电极与聚焦环上表面之间的总电容值减小为200pF，使晶片边缘区域和中心区域的刻蚀速率再次维持在1左右，使晶片保持均匀的刻蚀速率。
本发明根据施加在聚焦环上的偏置功率值大小通过电容调节装置来相应调节下电极与聚焦环上表面之间的总电容值，可以有效调节晶片表面的等离子体分布，以获得均匀稳定的刻蚀速率，保证晶片边缘区域和中心区域的刻蚀均匀性，大大延长聚焦环的使用寿命，节省了成本。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置，其特征在于，包含：一反应腔，反应腔内设置上电极和下电极，下电极上施加一射频功率源，下电极上设置静电吸盘，静电吸盘支撑并夹持晶片，一聚焦环环绕设置在晶片周围，一电容调节装置设置在下电极周围，以改变下电极与聚焦环上表面之间的总电容值；
所述等离子体处理装置还包含一控制器，所述控制器中存储有一个电容优化数据库，所述电容优化数据库中包含多个数据组，每个数据组包含施加到下电极的不同偏置功率和对应的下电极与聚焦环上表面之间的总电容值的最佳取值，其中下电极与聚焦环上表面之间的总电容值为最佳取值时晶片上的等离子处理效果最均一；
所述控制器根据射频功率源施加到下电极的偏置功率和所述电容优化数据库，选取所述下电极与聚焦环上表面之间的总电容值的最佳取值并调节所述电容调节装置的电容值，使得下电极与聚焦环上表面之间的总电容值为当前偏置功率对应的最佳值。
2.如权利要求1所述的均衡刻蚀速率的等离子体处理装置，其特征在于，所述的电容调节装置包含一绝缘环和一电容组，电容组中包含多个并联的电容，每个并联电容上串联有一个电子开关或气动开关，通过所述开关切换使得电容组的电容改变。
3.如权利要求2所述的均衡刻蚀速率的等离子体处理装置，其特征在于，所述的绝缘环设置在聚焦环下方。
4.如权利要求2所述的均衡刻蚀速率的等离子体处理装置，其特征在于，所述的电容调节装置在需要减小电容调节装置的电容值时，控制器断开某些电容的并联回路，在需要增大电容调节装置的电容值时，控制器接通某些电容的并联回路。
5.如权利要求1所述的均衡刻蚀速率的等离子体处理装置，其特征在于，电容优化数据库中包含多个数据组，每个数据组还包含聚焦环腐蚀状态数据，所述控制器根据射频功率源施加到下电极的偏置功率、所述聚焦环腐蚀状态数据和所述电容优化数据库选取所述下电极与聚焦环上表面之间的总电容值的最佳取值并调节所述电容调节装置的电容值，使得下电极与聚焦环上表面之间的总电容值为当前偏置功率对应的最佳值。
6.如权利要求5所述的均衡刻蚀速率的等离子体处理装置，其特征在于，所述聚焦环腐蚀状态数据为聚焦环厚度数据。
7.如权利要求1所述的均衡刻蚀速率的等离子体处理装置，其特征在于，所述电容调节装置包含一设置在下电极外围上方的绝缘环和设置在聚焦环上方的边缘导电电极，所述边缘导电电极设置在聚焦环上表面或者埋设在聚焦环内，一电容组或一个可变电容电连接在所述下电极和所述边缘导电电极之间。
8.如权利要求1所述的均衡刻蚀速率的等离子体处理装置，其特征在于，所述电容调节装置包含一设置在下电极外围上方的绝缘环，聚焦环设置在所述绝缘环上方，其中绝缘环中包含可移动的导电部件或者一可控制介电液液位高度的空腔。
9.一种均衡如权利要求1-4中任意一项所述的等离子体处理装置中刻蚀速率的方法，其特征在于，根据施加在聚焦环上的偏置功率大小通过电容调节装置来调节下电极与聚焦环上表面之间的总电容值，使晶片边缘区域和中心区域维持稳定的刻蚀速率；当施加在聚焦环上的偏置功率增大，则减小电容调节装置的电容值；当施加在聚焦环上的偏置功率值减小，则增大电容调节装置的电容值。
10.如权利要求9所述的均衡等离子体处理装置中刻蚀速率的方法，其特征在于，增加并联在电容环两端的电容数量，电容调节装置的电容值增加；减少并联在电容环两端的电容数量，电容调节装置的电容值减小。
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Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110867365B (zh) * | 2019-11-04 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体系统 |
| CN112885690B (zh) * | 2019-11-29 | 2023-10-20 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体处理装置 |
| CN112992635B (zh) * | 2019-12-13 | 2023-10-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备 |
| CN112259452B (zh) * | 2020-10-21 | 2023-04-07 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 等离子体干法刻蚀工艺的控制方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001099159A2 (en) * | 2000-06-20 | 2001-12-27 | Infineon Technologies North America Corp. | Reduction of black silicon in deep trench etch |
| CN1682344A (zh) * | 2002-09-18 | 2005-10-12 | 朗姆研究公司 | 等离子体处理室中的边缘环磨损的补偿的方法和装置 |
| CN201503847U (zh) * | 2009-07-03 | 2010-06-09 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置 |
| CN101809719A (zh) * | 2007-06-28 | 2010-08-18 | 朗姆研究公司 | 具有可调节电容的等离子体处理系统的方法和装置 |
-
2017
- 2017-12-13 CN CN201711330048.9A patent/CN109920716B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001099159A2 (en) * | 2000-06-20 | 2001-12-27 | Infineon Technologies North America Corp. | Reduction of black silicon in deep trench etch |
| CN1682344A (zh) * | 2002-09-18 | 2005-10-12 | 朗姆研究公司 | 等离子体处理室中的边缘环磨损的补偿的方法和装置 |
| CN101809719A (zh) * | 2007-06-28 | 2010-08-18 | 朗姆研究公司 | 具有可调节电容的等离子体处理系统的方法和装置 |
| CN201503847U (zh) * | 2009-07-03 | 2010-06-09 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置 |
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