CN109884407A - 电磁屏蔽效能测量系统及测量方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种电磁屏蔽效能测量系统及测量方法，测量系统包括电磁波分析设备、电磁波发射装置以及横电磁波室。电磁波发射装置设置在横电磁波室的输入窗中，用于向横电磁波室发送横电磁波。电磁波分析设备的第一输入端连接横电磁波室的第一输出端，电磁波分析设备的第二输入端连接横电磁波室的第二输出端,用于在设置待测屏蔽材料前，根据横电磁波室的第一输出端输出的信号和横电磁波室的第二输出端的输出信号确定电磁波发射装置与横电磁波室之间的第一耦合传输系数以及第二耦合传输系数。在设置待测屏蔽材料后，根据横电磁波室的第一输出端和第二输出端输出的信号确定电磁波发射装置与恒电磁波室之间的第三耦合传输系数和第四耦合传输系数。

Description

电磁屏蔽效能测量系统及测量方法

技术领域

本发明涉及电磁兼容测试领域，尤其涉及电磁屏蔽效能测量系统及测量方法。

背景技术

电磁屏蔽是指利用屏蔽体的反射、吸收或者衰减等特性使得电磁辐射场源所产生的电磁能流不能进入被屏蔽区域，从而抑制电磁干扰沿空间传播。电磁屏蔽是解决电磁兼容问题的重要手段之一，其中，电磁屏蔽效能是评价电磁屏蔽效果的重要指标之一，电磁屏蔽效能是在电磁场中同一点无屏蔽体存在时电磁场强度与加屏蔽体后电磁场强度之比。

目前，传统的测量电磁屏蔽效能的技术通常有矩形波导近场屏蔽效能测量技术、ASTM-ES-7双盒近场屏蔽效能测量技术以及改进的MIL-STD-285近场屏蔽效能测量技术等，但这些测量方法都不能同时测量屏蔽材料的电场屏蔽和磁场屏蔽效能。

发明内容

基于此，有必要针对上述不能同时测量电场屏蔽效能和磁场屏蔽效能的技术问题，提供一种近场屏蔽效能测量系统。

本发明实施例提供一种电磁屏蔽效能测量系统，包括：电磁波分析设备、电磁波发射装置以及横电磁波室；

电磁波发射装置设置在横电磁波室的输入窗中，用于根据电磁波分析设备的信号端输出的控制信号向横电磁波室发送横电磁波；

电磁波分析设备的第一输入端连接横电磁波室的第一输出端，电磁波分析设备的第二输入端连接横电磁波室的第二输出端；电磁波分析设备,用于在设置待测屏蔽材料前，根据横电磁波室的第一输出端输出的信号确定电磁波发射装置与横电磁波室之间的第一耦合传输系数，并根据横电磁波室的第二输出端的信号确定电磁波发射装置与横电磁波室之间的第二耦合传输系数；以及在设置待测屏蔽材料后，根据横电磁波室的第一输出端输出的信号确定电磁波发射装置与恒电磁波室之间的第三耦合传输系数，根据横电磁波室的第二输出单的信号确定电磁波发射装置与横电磁波室之间的第四耦合传输系数。

在其中一个实施例中，电磁波发射装置为微带线，微带线的导体带的第一端连接电磁波分析设备的信号端，微带线的导体带的第二端用于连接匹配阻抗。

在其中一个实施例中，设置待测屏蔽材料时，待测屏蔽材料包覆微带线的导体带。

在其中一个实施例中，控制信号包括用于改变横电磁波频率以进行频率扫描的频率扫描信号。

在其中一个实施例中，电磁波分析设备为矢量网络分析仪或频谱分析仪。

本发明实施例还提供一种电磁屏蔽效能测量系统的电磁屏蔽效能测量方法，该方法应用于上述任一项系统实施例提供的测量系统，测量方法包括步骤：

控制电磁波发射装置向横电磁波室发送横电磁波；

获取电磁波分析设备测量的第一耦合传输系数、第二耦合传输系数、第三耦合传输系数以及第四耦合传输系数；

对第一耦合传输系数与第二耦合传输系数作和运算得到设置待测屏蔽材料前的第一电场信息，对第一耦合传输系数与第二耦合传输系数作差运算得到设置待测屏蔽材料前的第一磁场信息；

对第三耦合传输系数与第四耦合传输系数作和运算得到设置待测屏蔽材料后的第二电场信息，对第三耦合传输系数与第四耦合传输系数作差运算得到设置待测屏蔽材料前的第二磁场信息；

根据第一电场信息和第二电场信息得到电场屏蔽效能；

根据第一磁场信息和第二磁场信息得到磁场屏蔽效能。

在其中一个实施例中，电磁波分析设备为矢量网络分析仪，电场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，SE_e为电场屏蔽效能，S_e1为第一电场信息，S_e2为第二电场信息。

在其中一个实施例中，电磁波分析设备为矢量网络分析仪，磁场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，SE_m为磁场屏蔽效能，S_m1为第一磁场信息，S_m2为第二磁场信息。

在其中一个实施例中，电磁波分析设备为频谱分析仪，电场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，其中，SE_e为电场屏蔽效能，S_e1为第一电场信息，S_e2为第二电场信息。

在其中一个实施例中，电磁波分析设备为频谱分析仪，电场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，SE_m为磁场屏蔽效能，S_m1为第一磁场信息，S_m2为第二磁场信息。

上述电磁屏蔽效能测量系统，通过电磁波分析设备测量设置待测屏蔽材料前电磁波发射装置与横电磁波室之间的第一耦合传输系数和第二耦合传输系数，以及测量设置待测屏蔽材料后电磁波发射装置与横电磁波室之间的第三耦合传输系数和第四耦合传输系数。根据差模和共模理论，第一耦合传输系数与第二传输系数之和与设置待测屏蔽材料前的电场耦合成正比，第一耦合传输系数与第二耦合传输系数之差与设置待测屏蔽材料前的磁场成正比。第三耦合传输系数与第四耦合传输系数之和与设置待测屏蔽材料后的电场成正比，第三耦合传输系数与第四耦合传输系数之差与与设置待测屏蔽材料后的磁场成正比。因此，可以根据以上四个数据得到设置待测屏蔽材料前后的电场强度信息和磁场强度信息，从而得到待测屏蔽材料的电场屏蔽效能和磁场屏蔽效能。

附图说明

图1为本发明一个实施例电磁场屏蔽效能测量系统的结构组成框图；

图2为本发明一个实施例电磁场屏蔽效能测量系统的结构示意图；

图3为本发明一个实施例电磁场屏蔽效能测量系统设置屏蔽材料时的结构示意图；

图4为本发明一个实施例电磁场屏蔽效能测量方法的步骤框图。

具体实施方式

为了更好地理解本发明的目的、技术方案以及技术效果，以下结合附图和实施例对本发明进行进一步讲解说明。同时声明，以下所描述的实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1所示，本发明实施例提供一种电磁屏蔽效能测量系统，包括电磁波分析设备1、电磁波发射装置3以及横电磁波室2。

其中，电磁波分析设备1是可以分析电磁波的任意设备。电磁波分析设备1可以通过信号输出端输出电磁波控制信号，控制电磁波发射装置3发出横电磁波信号。电磁波分析设备1通过其第一输入端和第二输入端接收相关信号，对相关信号进行分析确定相关电磁波信息。电磁波分析设备1可以是矢量网络分析仪(Vector Network Analyzer，VNA)，也可以是频谱分析仪。

电磁波发射装置3是能够产生横电磁波的任意装置。横电磁波是指电磁波的电场和磁场都在垂直于传播方向的平面上的一种电磁波，即电矢量和磁矢量都与传播方向垂直的电磁波。电磁波发射装置3的控制端与电磁波分析设备1的信号输出端连接，电磁波发射装置3接收电磁波分析设备1的控制信号，产生横电磁波，从而向横电磁波室2(TransverseElectric and Magnetic cell，TEM cell)发送电磁波。电磁波发射装置3可以是天线，也可以是微带线，也可以说共面波导传输线，只要能够产生横电磁波即可。

横电磁波室2是EMC测量领域中为测量提供确定的横电磁波场强的金属封闭室，也可以理解为经过扩展的传输线，用于传播来自外部或者内部源的横电磁波。该室主要由同轴转接头、锥形过度段和横截面为矩形的主传输段构成。内部设有内导体，用于接收或者产生电磁波。内导体的第一端与设置在TEM小室一端的第一输出端连接，内导体的第二端与设置在TEM小室另一端的第二输出端连接。在本实施例中，横电磁波室2用于通过场线耦合效应接收来自电磁波发射装置3的电磁波信号，并将所得的耦合信息通过第一输出端和第二输出端向外部设备输出。其中，横电磁波室2的第一输出端连接电磁波分析设备1的第一输入端，横电磁波室2的第二输出端连接电磁波分析设备1的第二输入端；电磁波波发射装置设置在横电磁波室2的输入窗中。

当在横电磁波室2的输入窗输入一个电磁信号时，根据法拉第电磁感应定律，横电磁波室2中将会产生电磁波并传输至横电磁波室2的第一输出端和第二输出端。根据差模和共模理论，在横电磁波室2的第一输出端和第二输出端输出的耦合传输系数，均包含电磁信号的电场信息和磁场信息，并且，两个输出端输出的耦合传输系数的共模成分与电场强度成正比，两个输出端输出的耦合传输系数的差模成分与磁场强度成正比。即横电磁波室2通过场线耦合效应耦合到的电场信息和磁场信息通过电信号的形式从第一输出端和第二输出端向外输出，第一输出端的输出电信号和第二输出端的输出电信号之和能够反映电场强度信息，第一输出端的输出电信号和第二输出端的输出电信号之差能够反映磁场强度信息。因此，通过电磁波分析设备1提取横电磁波的第一输出端和第二输出端的电信号的共模成分和差模成分，即可得到电磁信号的电场信息和磁场信息。

电磁屏蔽性能是指在电磁场中同一点无屏蔽材料存在时电磁场强度与加屏蔽材料后电磁场强度之比，并以对数表示。因此，在设置待测屏蔽材料4前，通过电磁波分析设备1根据横电磁波室2的第一输出端的信号确定电磁波发射装置3与横电磁波室2之间的第一耦合传输系数，以及根据横电磁波室2的第二输出端的信号确定电磁波发射装置3与横电磁波室2之间的第二耦合传输系数，利用第一耦合传输系数和第二耦合传输系数可以得到设置屏蔽材料之前的电场强度信息和磁场强度信息。在设置待测屏蔽材料4后，通过电磁波分析设备1根据横电磁波室2的第一输出端的信号确定电磁波发射装置3与横电磁波之间的第三耦合传输系数，以及根据横电磁波室2的第二输出端的信号确定电磁波发射装置3与横电磁波室2之间的第四耦合传输系数，利用第三耦合传输系数和第四耦合传输系数可以得到设置待测屏蔽材料4之后的电场强度信息和磁场强度信息。通过对设置屏蔽材料前后的电场强度信息和磁场强度信息的比较，即可得到该待测屏蔽材料4的电场屏蔽效能。

可选地，在测得上述四个耦合传输系数后，可以通过对第一耦合传输系数和第二耦合传输系数进行处理，得到设置待测屏蔽材料4前的具体电场强度值和磁场强度值，以及对第三耦合传输系数和第四耦合传输系数进行处理，得到待测屏蔽材料4后的具体电场强度值和磁场强度值，然后对设置待测屏蔽材料4前后的电场强度值做比取对数，即可得到该待测屏蔽材料4的电场屏蔽效能。同样的，对设置待测屏蔽材料4前后的磁场强度值做比取对数，即可得到该待测屏蔽材料4的磁场屏蔽效能。可选地，根据上述的差模和共模理论，通过对第一耦合传输系数和第二耦合传输系数进行处理，可以得到能够反映设置待测屏蔽材料4前电场强度的电场信息和反映磁场强度的磁场信息，对第三耦合传输系数和第四耦合传输系数进行处理，可以得到设置待测屏蔽材料4后能够反映电场强度的电场信息和能够反映磁场强度的磁场信息，不必取电场和磁场的具体值，直接对设置待测屏蔽材料4前后能够反映电场强度的电场信息进行处理，可以得到该待测屏蔽材料4的电场屏蔽效能。同样的，对设置待测屏蔽材料4前后能够反映磁场强度的磁场信息进行处理，可与得到该待测屏蔽材料4的磁场屏蔽效能。

在传统的电磁屏蔽性能测量技术中，双横电磁波室屏蔽效能测量技术需要使用耦合器对电磁场进行分离，操作复杂，使用耦合器还增加了系统测量误差。举行波导进场屏蔽效能测量技术仅能测量电场屏蔽效能，不能测量磁场屏蔽效能。而本发明实施例提供的电磁屏蔽效能测量系统，与传统的电磁屏蔽效能测量技术相比，具有能够同时测量电场屏蔽效能和磁场屏蔽效能的特点，同时，由于组成部件少，连接简单，因此还具备操作简单，误差小的有益效果。

在其中一个实施例中，电磁波发射装置3为微带线。微带线是由支在介质基片上的单一导体带31构成的微波传输线。适合制作微波集成电路的平面结构传输线。与金属波导相比，其体积小、重量轻、使用频带宽、可靠性高和制造成本低等。可选地，微带线作为激励源产生横电磁波，可以将微带线单独制作成为一个微带线测试板上。比如制作一个基板，在基板的一面设置微带线的导体带31，在基板的另一面设置金属接地面，形成完整的微带线。可选地，在设置导体带31的一面可以设置金属包边，金属包边通过导电通孔与另一面的金属接地面连接，但不与微带线的导体带31连接。这样，在将微带线测试板放置在横电磁波室2的输入窗时，由于微带线的导体带31朝横电磁波室的腔体内部，微带线测试板的金属包边与横电磁波室2接触，共同接地。可选地，微带线测试板可以做成圆形，并且通过内轮廓与微带线测试板相匹配，外轮廓与横电磁波室2相匹配的固定装置固定于横电磁波室2的输入窗内。可选地，微带线测试板设有导体带31的一面还可以设置用于固定待测屏蔽材料4的夹具，需要设置待测屏蔽材料4时，便于固定待测屏蔽材料4。

可选地，微带线的导体带31的一端于电磁波分析设备1的信号端连接，用于接收电磁波分析设备1的控制信号，以产生相应的横电磁波。微带线的导体带31的另一端用于连接匹配阻抗。由于在高速电路中要想把信号能量从源端全部有效的传送到负载端，必须使传输线特征阻抗与信号的源端阻抗和负载阻抗匹配，否则信号会发生反射，导致信号波形的畸变等一系列问题。因此，微带线的导体带31的另一端连接匹配阻抗，与电磁波分析设备1形成阻抗匹配，以确保控制信号在传输过程中没有发生反射。可选地，匹配阻抗为阻抗匹配件，阻抗匹配件的阻抗为50欧姆。可选地，在微带线的导体带31的两端，可以设置SMA连接器(Subminiature A Type connector，微波高频连接器)，以便于与电磁波分析设备1连接，以及与阻抗匹配件连接。

在其中一个实施例中，设置待测屏蔽材料4时，待测屏蔽材料4包覆微带线的导体带31。待测屏蔽材料4包裹导体带31且不接触导体带31，这样可以尽可能将电磁波发生源屏蔽，且不影响微带线的电磁场分布，以实现准确的测量效果。可选地，待测屏蔽材料4可以设置为半封闭的盒型。

在其中一个实施例中，控制信号为用于改变电磁波频率以进行频率扫描的频率扫描信号。频率扫描指的是固定磁场，使射频或磁场调制频率缓慢变化，通过共振范围，取得所需之共振谱。电磁波分析设备1对电磁波反射装置发送电磁波控制信号，使得电磁波发射装置3产生横电磁波，再经电磁波分析设备1的输入端接收横电磁波室2的输出信号，测量从电磁波发射装置3到横电磁波室2之间的传输特性，得到传输过程中的电磁波幅值衰减情况以及相位变化情况，从而得到待测屏蔽材料4的电磁屏蔽效能。其中，测量的模式是频率扫描，及通过更改输入端的信号的频率，探测出输出端的同一频率信号强度的变化和相位的变化，从而得到横电磁波的在电磁波发射装置3和横电磁波室2之间的传输特性。

在其中一个实施例中，电磁波分析设备1可以是矢量网络分析仪，也可以是频谱分析仪。其中，矢量网络分析仪器是一种电磁波能量的测试设备。它既能测量单端口网络或两端口网络的各种参数幅值，又能测相位，矢量网络分析仪能用史密斯圆图显示测试数据。频谱分析仪是研究电信号频谱结构的仪器，用于信号失真度、调制度、谱纯度、频率稳定度和交调失真等信号参数的测量，可用以测量放大器和滤波器等电路系统的某些参数，是一种多用途的电子测量仪器。它又可称为频域示波器、跟踪示波器、分析示波器、谐波分析器、频率特性分析仪或傅里叶分析仪等。现代频谱分析仪能以模拟方式或数字方式显示分析结果，能分析1赫兹以下的甚低频到亚毫米波段的全部无线电频段的电信号。仪器内部若采用数字电路和微处理器，具有存储和运算功能；配置标准接口，就容易构成自动测试系统。可选地，频谱分析仪可以是即时频谱分析仪(Real-Time Spectrum Analyzer)，也可以是扫描调谐频谱分析仪(Sweep-Tuned Spectrum Analyzer)。

本发明实施例还提供一种电磁屏蔽效能的测量方法，本实施例的电磁屏蔽效能测量方法应用于上述任一项系统实施例提供的电磁屏蔽效能测量系统。测量方法包括以下步骤：

步骤S10，控制电磁波发射装置3向横电磁波室2发送横电磁波。

其中，电磁波发射装置3可以是微带线。微带线是由支在介质基片上的单一导体带31构成的微波传输线。适合制作微波集成电路的平面结构传输线，在本实施例中作为激励源向横电磁波室2发送横电磁波。可选地，微带线可以制作在测试板上成为微带线测试板，便于安装和操作。

步骤S20，获取电磁波分析设备1测量的第一耦合传输系数、第二耦合传输系数、第三耦合传输系数以及第四耦合传输系数。

其中，第一耦合传输系数，是设置待测屏蔽材料4前，横电磁波室2通过场线耦合效应接收到电磁波发射装置3的电磁波后，电磁波分析设备1测量到的横电磁波室2的第一输出端的耦合传输系数；第二耦合传输系数，是设置待测屏蔽材料4前，横电磁波室2通过场线耦合效应接收到电磁波发射装置3的电磁波后，电磁波分析设备1测量到的横电磁波室2的第二输出端的耦合传输系数。同样的，第三耦合系数，是设置待测屏蔽材料4后，横电磁波室2通过场线耦合效应接收到电磁波发射装置3的电磁波，电磁波分析设备1测量到的横电磁波室2的第一输出端的耦合传输系数；第四耦合系数则是电磁波分析设备1测量到的横电磁波室2的第二输出端的耦合传输系数。

步骤S30，对第一耦合传输系数与第二耦合传输系数做和运算得到设置待测屏蔽材料4前的第一电场信息，对第一耦合传输系数与第二耦合传输系数作差运算得到设置待测屏蔽材料4前的第一磁场信息。

根据共模和差模理论，任意两个信号都可以分解示为共模成分和差模成分的组合。而横电磁波室2基于场线耦合效应通过其两个输出端输出的感生电信号，则包含由电磁波的电场信息和磁场信息，并且，横电磁波室2的第一输出端和第二输出端的耦合传输系数的共模成分与电场强度成正比，这两个输出端的耦合传输系数的差模成分与磁场强度成正比。因此，在测得设置待测屏蔽材料4前的第一耦合传输系数和第二耦合传输系数后，对第一耦合传输系数和第二耦合传输系数做做和运算可以得到设置待测屏蔽材料4前的第一电场信息，作差运算可得到设置待测屏蔽材料4前的第一磁场信息。即：

其中，S_e1为第一电场信息，S_m1为第一磁场信息，S₀₁为第一耦合传输系数，S₀₂为第二耦合传输系数。

步骤S40，对第三耦合传输系数与第四耦合传输系数作和运算得到设置待测屏蔽材料4后的第二电场信息，对第三耦合传输系数与第四耦合传输系数作差运算得到设置待测屏蔽材料4前的第二磁场信息。

根据共模和差模理论，同样地，在设置待测屏蔽材料4后，由横电磁波室2基于场线耦合效应通过其两个输出端输出的感生电信号，也包含电磁波的电场信息和磁场信息。此时，通过电磁波分析设备1测得的横电磁波的第一输出端的第三耦合传输系数和测得第二输出端的第四耦合传输系数的共模成分反映屏蔽后的电场强度信息，差模成分反映屏蔽后的磁场强度信息。通过对第三耦合传输系数和第四耦合传输系数取共模可以得到第二电场信息，取差模可得到第二磁场信息。即：

其中，S_e2为第二电场信息，S_m2为第二磁场信息，S₀₃为第三耦合传输系数，S₀₄为第四耦合传输系数。

步骤S50，根据第一电场信息和第二电场信息得到电场屏蔽效能。

其中，第一电场信息反映设置待测屏蔽材料4前的电场强度，第二电场信息反映设置待测屏蔽材料4后的电场强度，根据电场屏蔽效能的定义，可以通过第一电场信息和第二电场信息得到电场屏蔽效能。比如，可以对第一电场信息进行处理得到设置待测屏蔽材料4前的电场强度值，对第二电场信息进行处理得到设置待测屏蔽材料4后的电场强度值，从而根据电场屏蔽效能的定义得到电场屏蔽效能。当然，也可以对第一电场信息和第二电场信息进行运算得到电场屏蔽效能。比如，如果通过矢量网络分析仪测得第一耦合传输系数、第二耦合传输系数、第三耦合传输系数以及第四耦合传输系数，由于矢量网络分析仪测量的是分贝(dB)信号，因此得到第一电场信息和第二电场信息后，直接对第一电场信息和第二电场信息作差运算，即可得到电场屏蔽效能。如果通过频谱分析仪测得第一耦合传输系数、第二耦合传输系数、第三耦合传输系数以及第四耦合传输系数，由于频谱分析仪测量的是电磁波功率数据，因此对第一电场信息和第二电场信息做比运算并取分贝值即可得到电场屏蔽效能。

步骤S60，根据第一磁场信息和第二磁场信息得到磁场屏蔽效能。

其中第一磁场信息反映设置待测屏蔽材料4前的磁场强度，第二磁场信息反映设置待测屏蔽材料4后的磁场强度。类似地，可以通过第一磁场信息和第二磁场信息得到磁场屏蔽效能。即可以对第一磁场信息进行处理得到设置待测屏蔽材料4前的磁场强度值和对第二磁场信息进行处理得到设置待测屏蔽材料4后的磁场强度值，从而根据磁场屏蔽效能的定义得到磁场屏蔽效能。也可以对第一磁场信息和第二磁场信息进行运算得到磁场屏蔽效能。比如，如果通过矢量网络分析仪测得第一耦合传输系数、第二耦合传输系数、第三耦合传输系数以及第四耦合传输系数，则直接对第一磁场信息和第二磁场信息作差运算得到磁场屏蔽效能。

在其中一个实施例中，电磁波分析设备1为矢量网络分析仪，所述电场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，SE_e为电场屏蔽效能，S_e1为所述第一电场信息，S_e2为所述第二电场信息。

在其中一个实施例中，电磁波分析设备1为矢量网络分析仪，所述磁场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，SE_m为磁场屏蔽效能，S_m1为所述第一磁场信息，S_m2为所述第二磁场信息

在其中一个实施例中，电磁波分析设备1为频谱分析仪，所述电场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，其中，SE_e为电场屏蔽效能，S_e1为所述第一电场信息，S_e2为所述第二电场信息。

在其中一个实施例中，电磁波分析设备1为频谱分析仪，所述电场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，SE_m为磁场屏蔽效能，S_m1为所述第一磁场信息，S_m2为所述第二磁场信息。

本发明实施例还提供一种电磁屏蔽效能测量装置，包括：

控制模块，用于控制电磁波发射装置3向横电磁波室2发送横电磁波。

信息获取模块，用于获取电磁波分析设备1测量的第一耦合传输系数、第二耦合传输系数、第三耦合传输系数以及第四耦合传输系数。

数据处理模块，用于对第一耦合传输系数与第二耦合传输系数作和运算得到设置待测屏蔽材料4前的第一电场信息，对第一耦合传输系数与第二耦合传输系数作差运算得到设置待测屏蔽材料4前的第一磁场信息；对第三耦合传输系数与第四耦合传输系数作和运算得到设置待测屏蔽材料4后的第二电场信息，对第三耦合传输系数与第四耦合传输系数作差运算得到设置待测屏蔽材料4前的第二磁场信息。以及根据第一电场信息和第二电场信息得到电场屏蔽效能；根据第一磁场信息和第二磁场信息得到磁场屏蔽效能

本发明实施例还提供一种芯片，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时，能够实现上述任意方法实施例所提供的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述方法实施例中的全部或部分步骤，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成的，程序可存储于一种计算机可读取芯片中，该程序在执行时，可包括如上各个方法实施例的步骤，其中存储介质可以为磁碟、光盘、只读存储记忆体(ROM，Read-Only Memory)或者随机存储记忆体(RAM，Random Access Memory)等。

上述计算机可读存储介质用于存储本发明实施例所提供的测试方法的程序，其中执行该程序可以执行本发明实施例所提供的能测试方法，具备执行方法相应有益效果，可参照上述方法实施例中的描述，此处不再进行赘述。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电磁屏蔽效能测量系统，其特征在于，包括：电磁波分析设备、电磁波发射装置以及横电磁波室；

所述电磁波发射装置设置在所述横电磁波室的输入窗中，用于根据所述电磁波分析设备的信号端输出的控制信号向所述横电磁波室发送横电磁波；

所述电磁波分析设备的第一输入端连接所述横电磁波室的第一输出端，所述电磁波分析设备的第二输入端连接所述横电磁波室的第二输出端；所述电磁波分析设备,用于在设置待测屏蔽材料前，根据所述横电磁波室的第一输出端输出的信号确定所述电磁波发射装置与所述横电磁波室之间的第一耦合传输系数，并根据所述横电磁波室的第二输出端的信号确定所述电磁波发射装置与所述横电磁波室之间的第二耦合传输系数；以及在设置所述待测屏蔽材料后，根据所述横电磁波室的第一输出端输出的信号确定所述电磁波发射装置与所述恒电磁波室之间的第三耦合传输系数，根据所述横电磁波室的第二输出单的信号确定所述电磁波发射装置与所述横电磁波室之间的第四耦合传输系数。

2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽效能测量系统，其特征在于，所述电磁波发射装置为微带线，所述微带线的导体带的第一端连接所述电磁波分析设备的信号端，所述微带线的导体带的第二端用于连接匹配阻抗。

3.根据权利要求2所述的电磁屏蔽效能测量系统，其特征在于，设置所述待测屏蔽材料时，所述待测屏蔽材料包覆所述微带线的导体带。

4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽效能测量系统，其特征在于，所述控制信号包括用于改变横电磁波频率以进行频率扫描的频率扫描信号。

5.根据权利要求1-4任一项所述的电磁屏蔽效能测量系统，其特征在于，所述电磁波分析设备为矢量网络分析仪或频谱分析仪。

6.一种基于权利要求1-5任一项所述的电磁屏蔽效能测量系统的电磁屏蔽效能测量方法，其特征在于，包括步骤：

控制所述电磁波发射装置向横电磁波室发送横电磁波；

获取所述电磁波分析设备测量的所述第一耦合传输系数、所述第二耦合传输系数、所述第三耦合传输系数以及所述第四耦合传输系数；

对所述第一耦合传输系数与所述第二耦合传输系数作和运算得到设置所述待测屏蔽材料前的第一电场信息，对所述第一耦合传输系数与所述第二耦合传输系数作差运算得到设置所述待测屏蔽材料前的第一磁场信息；

对所述第三耦合传输系数与所述第四耦合传输系数作和运算得到设置所述待测屏蔽材料后的第二电场信息，对所述第三耦合传输系数与所述第四耦合传输系数作差运算得到设置所述待测屏蔽材料前的第二磁场信息；

根据所述第一电场信息和所述第二电场信息得到电场屏蔽效能；

根据所述第一磁场信息和所述第二磁场信息得到磁场屏蔽效能。

7.根据权利要求6所述的电磁屏蔽效能测量方法，其特征在于，所述电磁波分析设备为矢量网络分析仪，所述电场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，SE_e为电场屏蔽效能，S_e1为所述第一电场信息，S_e2为所述第二电场信息。

8.根据权利要求6所述的电磁屏蔽效能测量方法，其特征在于，所述电磁波分析设备为矢量网络分析仪，所述磁场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，SE_m为磁场屏蔽效能，S_m1为所述第一磁场信息，S_m2为所述第二磁场信息。

9.根据权利要求6所述的电磁屏蔽效能测量方法，其特征在于，所述电磁波分析设备为频谱分析仪，所述电场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，其中，SE_e为电场屏蔽效能，S_e1为所述第一电场信息，Se2为所述第二电场信息。

10.根据权利要求6所述的电磁屏蔽效能测量方法，其特征在于，所述电磁波分析设备为频谱分析仪，所述电场屏蔽效能通过以下表达式得到：

其中，SE_m为磁场屏蔽效能，S_m1为所述第一磁场信息，S_m2为所述第二磁场信息。