CN109873053B - 阵列基板、其制备方法及数字微流控芯片 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及数字微流控芯片，由于微转印工艺是基于硅基工艺的，硅基工艺下制备的光电二极管具有很好的器件性能，从而通过微转印工艺将光电二极管形成在衬底基板上，可以解决直接利用玻璃基板制备的光电二极管的光电特性不佳的问题，进而改善形成的光电二极管的性能。

Description

阵列基板、其制备方法及数字微流控芯片
技术领域
本发明涉及微量检测技术领域，特别涉及一种阵列基板、其制备方法及数字微流控芯片。
背景技术
一般，可以将生物、化学、医学分析过程的样品制备、反应、分离、检测等基本操作集成到一块尺寸较小的检测芯片上，例如微米尺寸的数字微流控芯片。一般基于数字微流控芯片的检测技术主要采用光学检测。目前，如何在数字微流控芯片中形成光电传感器，是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、其制备方法及数字微流控芯片，用以改善形成于数字微流控芯片中的光电二极管的性能。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板应用于数字微流控芯片中；所述阵列基板的制备方法包括：在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极的图形；其中，所述光电二极管和所述透明驱动电极相互绝缘，所述光电二极管采用微转印工艺形成在所述衬底基板上。
可选地，在本发明实施例中，所述在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极的图形，具体包括：
在衬底基板上形成多个所述光电二极管；
在形成有所述多个光电二极管的衬底基板上形成多个所述透明驱动电极的图形。
可选地，在本发明实施例中，所述在衬底基板上形成多个所述光电二极管，具体包括：
在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层的图形；其中，所述阳极形成于所述硅基衬底与所述光电转换层之间；
通过所述微转印工艺将所述多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在所述衬底基板上；其中，所述阳极形成于所述光电转换层与所述衬底基板之间；
在形成有所述多个光电二极管的阳极和光电转换层的衬底基板上形成第一平坦化层的图形；其中，所述第一平坦化层在所述衬底基板的正投影与各所述光电二极管的光电转换层在所述衬底基板的正投影无交叠；
在形成有所述第一平坦化层的衬底基板上形成公共透明阴极层，使各所述光电转换层与所述公共透明阴极电连接，以形成光电二极管。
可选地，在本发明实施例中，所述在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层的图形，具体包括：
在第一硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层；
采用光刻工艺使所述阳极膜层形成多个阳极的图形；
在第二硅基衬底上形成多个导电粘合层的图形；其中，一个导电粘合层与一个所述阳极对应；
将所述第一硅基衬底上的阳极与所述第二硅基衬底上的导电粘合层对接后，去除所述第一硅基衬底；
采用光刻工艺使所述光电转换膜层形成各所述光电二极管中的光电转换层。
可选地，在本发明实施例中，在所述形成光电二极管之后，在形成多个所述透明驱动电极的图形之前，还包括：在形成有所述光电二极管的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的第二平坦化层；
所述形成多个所述透明驱动电极的图形，具体包括：在所述第二平坦化层背离所述衬底基板的一侧形成各所述透明驱动电极的图形。
可选地，在本发明实施例中，所述在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极，具体包括：
在衬底基板上形成多个透明驱动电极的图形；
在形成有所述多个透明驱动电极的衬底基板上形成多个所述光电二极管。
可选地，在本发明实施例中，所述形成多个所述光电二极管，具体包括：
在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层；其中，所述光电转换层形成于所述硅基衬底与所述阳极之间；
通过所述微转印工艺将所述多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在所述衬底基板上；其中，所述光电转换层形成于所述阳极与所述衬底基板之间，且所述衬底基板预先形成有公共透明阴极，各所述光电转换层与所述公共透明阴极电连接，以形成各光电二极管。
可选地，在本发明实施例中，所述在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层，具体包括：
在第三硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层；其中，光电转换膜层形成于第三硅基衬底与阳极膜层之间；
采用光刻工艺使所述光电转换膜层形成多个所述光电转换层的图形，以及使所述阳极膜层形成多个所述阳极的图形。
可选地，在本发明实施例中，所述形成多个透明驱动电极的图形，具体包括：在所述衬底基板背离所述光电二极管的一侧形成各所述透明驱动电极的图形。
相应地，本发明实施例还提供了一种阵列基板，采用上述制备方法制备成。
相应地，本发明实施例还提供了一种数字微流控芯片，包括：上述阵列基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的阵列基板、其制备方法及数字微流控芯片，由于微转印工艺是基于硅基工艺的，硅基工艺下制备的光电二极管具有很好的器件性能，从而通过微转印工艺将光电二极管形成在衬底基板上，可以解决直接利用玻璃基板制备的光电二极管的光电特性不佳的问题，进而改善形成的光电二极管的性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的制备方法的流程图之一；
图2a至图2l分别为实施例一中执行各步骤的剖视结构示意图；
图3a至图3h分别为实施例二中执行各步骤的剖视结构示意图；
图4为本发明实施例提供的制备方法的流程图之二；
图5a至图5f分别为实施例三中执行各步骤的剖视结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其制备方法及数字微流控芯片的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
数字微流控技术是指实现对离散液滴进行操控的微流控技术，其包括液滴产生和液滴操作两个部分。液滴产生部分负责产生从纳米尺度到微米尺度的微量液滴，耗时非常短。液滴操作包括基本的产生、运输、混合、分离等处理，数字微流控技术可以同时实现对多个液滴的不同操作，从而在芯片实验室中实现大规模的液滴并行处理和检测分析，极大地提高了工作效率。并且，数字微流控技术可以将生物、化学、医学分析过程的样品制备、反应、分离、检测等基本操作单元集成到一块微米尺度的芯片(例如微米尺寸的数字微流控芯片)上，并自动完成分析全过程。由于其可以降低成本，且具有检测时间短、灵敏度高等优点，已经在生物、化学、医学等领域展现巨大前景。
光电二极管具有精度高、反应快、结构简单等优点，其在检测中的应用非常广泛。一般光电二极管接收光并通过光伏效应将光信号转化为电信号，通过驱动IC(IntegratedCircuit，集成电路)通过读取，从而实现检测功能。这样可以在数字微流控芯片中集成光电二极管以进行光学检测，从而实现检测装置小型化。然而，目前，由于玻璃工艺的精度问题，利用玻璃基板制备的光电二极管的性能不佳，信号质量较差。
基于此，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，该阵列基板应用于数字微流控芯片中。该阵列基板的制备方法可以包括：在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极的图形；其中，光电二极管和透明驱动电极相互绝缘，光电二极管采用微转印工艺形成在衬底基板上。进一步地，衬底基板可以包括玻璃基板。
本发明实施例提供的阵列基板的制备方法，由于微转印工艺是基于硅基工艺的，硅基工艺下制备的光电二极管具有很好的器件性能，从而通过微转印工艺将光电二极管形成在衬底基板上，可以解决直接利用玻璃基板制备的光电二极管的光电特性不佳的问题，进而改善形成的光电二极管的性能。
下面结合具体实施例，对本发明进行详细说明。需要说明的是，本实施例中是为了更好的解释本发明，但不限制本发明。
实施例一、
在具体实施时，在本发明实施例中，如图1所示，在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极的图形，具体可以包括如下步骤：
S101、在衬底基板上形成多个光电二极管；
S102、在形成有多个光电二极管的衬底基板上形成多个透明驱动电极的图形。
在具体实施时，在本发明实施例中，在衬底基板上形成多个光电二极管，具体可以包括如下步骤：
在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层的图形；其中，阳极形成于硅基衬底与光电转换层之间；并且，不同光电二极管的阳极相互绝缘，不同光电二极管的光电转换层相互绝缘；
通过微转印工艺将多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在衬底基板上；其中，阳极形成于光电转换层与衬底基板之间；
在形成有多个光电二极管的阳极和光电转换层的衬底基板上形成第一平坦化层的图形；其中，第一平坦化层在衬底基板的正投影与各光电二极管的光电转换层在衬底基板的正投影无交叠；
在形成有第一平坦化层的衬底基板上形成公共透明阴极层，使各光电转换层与公共透明阴极电连接，以形成光电二极管。
在具体实施时，在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层的图形，具体可以包括：
在第一硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层；其中，光电转换膜层形成于第一硅基衬底与阳极膜层之间；
采用光刻工艺使阳极膜层形成多个阳极的图形；
在第二硅基衬底上形成多个导电粘合层的图形；其中，一个导电粘合层与一个阳极对应；
将第一硅基衬底上的阳极与第二硅基衬底上的导电粘合层对接后，去除第一硅基衬底；
采用光刻工艺使光电转换膜层形成各光电二极管中的光电转换层。
进一步地，在具体实施时，光电转换层可以包括：多晶硅层和二氧化硅层。在本发明实施例中，在第一硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层，具体可以包括：在第一硅基衬底上依次形成多晶硅膜层、二氧化硅膜层以及阳极膜层。并且，在具体实施时，采用光刻工艺使光电转换膜层形成各光电二极管中的光电转换层，具体可以包括：采用光刻工艺使多晶硅膜层和二氧化硅膜层形成光电转换层中的多晶硅层和二氧化硅层。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例中，在通过微转印工艺将多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在衬底基板上之前，还可以包括：在衬底基板上形成与各光电二极管一一对应的检测信号线的图形。并且，在具体实施时，通过微转印工艺将多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在衬底基板上，具体可以包括：通过微转印工艺将多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在衬底基板上，使各光电二极管的阳极与对应的检测信号线电连接。
在具体实施时，在本发明实施例中，在形成光电二极管之后，在形成多个透明驱动电极的图形之前，还可以包括：在形成有光电二极管的衬底基板上形成覆盖衬底基板的第二平坦化层。并且，在具体实施时，形成多个透明驱动电极的图形，具体可以包括：在第二平坦化层背离衬底基板的一侧形成各透明驱动电极的图形。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例中，在形成多个透明驱动电极的图形的同时，还可以包括：形成分别与各透明驱动电极电连接的透明驱动电极走线的图形。当然，也可以在形成多个透明驱动电极的图形之后，形成分别与各透明驱动电极电连接的透明驱动电极走线的图形，在此不作限定。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例中，在形成多个透明驱动电极的图形之后，还可以包括：在衬底基板上形成覆盖衬底基板的第一介电层。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例中，在形成覆盖衬底基板的第一介电层之后，还可以包括：在衬底基板上形成覆盖衬底基板的第一疏水层。
在具体实施时，在本发明实施例中，公共透明阴极的材料可以包括：氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等。
在具体实施时，在本发明实施例中，检测信号线的材料可以包括：透明导电材料，例如ITO、IZO、碳纳米管或石墨烯等。或者，检测信号线的材料也可以包括：不透明导电材料，例如Al、Mo、Cu等。
在具体实施时，在本发明实施例中，阳极的材料可以包括：低熔点金属，例如Sn、In。这样可以有利于与衬底基板上形成的检测信号线进行金属熔融键合。
在具体实施时，在本发明实施例中，第一平坦化层的材料可以包括：SiO2、SiN、PI(聚酰亚胺)、PMMA及树脂等。
在具体实施时，在本发明实施例中，第二平坦化层的材料可以包括：SiO2、SiN、PI(聚酰亚胺)、PMMA及树脂等。
在具体实施时，在本发明实施例中，透明驱动电极的材料可以包括：氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等。
下面通过具体实施例说明本发明实施例提供的阵列基板的制备方法。但读者应知，其具体过程不局限于此。
本发明实施例提供的阵列基板的制备方法，可以包括如下步骤：
(1)在第一硅基衬底100上依次沉积多晶硅膜层110、二氧化硅膜层120以及阳极膜层130，如图2a所示。
(2)采用光刻工艺使阳极膜层130形成多个独立的阳极131的图形，如图2b所示。
(3)在第二硅基衬底200上形成多个导电粘合层210的图形；其中，一个导电粘合层210与一个阳极131对应，如图2c所示。这样可以使每一个导电粘合层210与对应的阳极131进行粘接。
(4)将第一硅基衬底上的阳极131与第二硅基衬底200上的导电粘合层210对接后，采用刻蚀工艺去除第一硅基衬底，如图2d所示。这样可以使阳极131、二氧化硅膜层120以及多晶硅膜层110依次形成于第二硅基衬底200上。并且，对接后的导电粘合层210和阳极131作为新的阳极131。需要说明的是，图2g至图2l仅示出了阳极131。
(5)采用光刻工艺使多晶硅膜层和二氧化硅膜层形成光电转换层中的多晶硅层111和二氧化硅层121，如图2e所示。其中，同一光电二极管中，多晶硅层111在第二硅基衬底200的正投影处于阳极131在第二硅基衬底200的正投影中。并且，同一光电二极管中，二氧化硅层121在第二硅基衬底200的正投影处于阳极131在第二硅基衬底200的正投影中。并且，阳极131形成于第二硅基衬底200与二氧化硅层121之间。
(6)在玻璃基板300上形成与各光电二极管一一对应的检测信号线310的图形，如图2f所示。
(7)通过微转印工艺，采用转移基板将多个光电二极管的阳极131、多晶硅层111以及二氧化硅层121转印在玻璃基板300上，并使每一个阳极131与一一对应的一条检测信号线310电连接；如图2g所示，阳极131形成于二氧化硅层121与玻璃基板300之间，多晶硅层111形成于二氧化硅层121背离玻璃基板300一侧。
(8)在形成有多个光电二极管的阳极131、多晶硅层111以及二氧化硅层121的玻璃基板300上形成第一平坦化层320的图形；其中，如图2h所示，第一平坦化层320在玻璃基板300的正投影与各光电二极管的多晶硅层111在玻璃基板300的正投影无交叠。
(9)在形成有第一平坦化层320的玻璃基板300上形成公共透明阴极层330，使各光电转换层中的多晶硅层111与公共透明阴极层330电连接，以形成光电二极管500，如图2i所示。
(10)在形成有光电二极管的玻璃基板300上形成覆盖玻璃基板300的第二平坦化层340，如图2j所示。
(11)在第二平坦化层340背离玻璃基板300的一侧形成各透明驱动电极350的图形以及与各透明驱动电极350电连接的透明驱动电极走线(图中未示出)的图形，如图2k所示。
(12)依次在玻璃基板300上形成覆盖玻璃基板300的第一介电层360和第一疏水层370，如图2l所示。
需要说明的是，步骤(6)可以处于步骤(1)-(5)之前；或者，步骤(6)也可以处于步骤(1)-(5)之后。当然，步骤(6)也可以与步骤(1)-(5)同时进行，在此不作限定。
实施例二、
本实施例针对实施例一中的部分实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与实施例一的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图1所示，在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极的图形，具体可以包括如下步骤：
S101、在衬底基板上形成多个光电二极管；
S102、在形成有多个光电二极管的衬底基板上形成多个透明驱动电极的图形。
在具体实施时，在本发明实施例中，在衬底基板上形成多个光电二极管，具体可以包括如下步骤：
在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层；其中，光电转换层形成于硅基衬底与阳极之间；
通过微转印工艺将多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在衬底基板上；其中，光电转换层形成于阳极与衬底基板之间，且衬底基板预先形成有公共透明阴极，各光电转换层与公共透明阴极电连接，以形成各光电二极管。
在具体实施时，在本发明实施例中，在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层，具体可以包括：
在第三硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层；其中，光电转换膜层形成于第三硅基衬底与阳极膜层之间；
采用光刻工艺使光电转换膜层形成多个光电转换层的图形，以及使阳极膜层形成多个阳极的图形。
进一步地，在具体实施时，光电转换层可以包括：多晶硅层和二氧化硅层。在本发明实施例中，在第三硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层，具体可以包括：在第三硅基衬底上依次形成多晶硅膜层、二氧化硅膜层以及阳极膜层。并且，在具体实施时，采用光刻工艺使光电转换膜层形成多个光电转换层的图形，具体可以包括：采用光刻工艺使多晶硅膜层和二氧化硅膜层形成光电转换层中的多晶硅层和二氧化硅层。
在具体实施时，在本发明实施例中，在形成各光电二极管之后，还包括：在各光电二极管背离衬底基板一侧形成覆盖衬底基板的保护层。这样可以保护光电二极管，提高光电二极管的寿命。
在具体实施时，在本发明实施例中，形成多个透明驱动电极的图形，具体可以包括：在衬底基板背离光电二极管的一侧形成各透明驱动电极的图形。
下面通过具体实施例说明本发明实施例提供的阵列基板的制备方法。但读者应知，其具体过程不局限于此。
本发明实施例提供的阵列基板的制备方法，可以包括如下步骤：
(1)在第三硅基衬底400上依次沉积多晶硅膜层110、二氧化硅膜层120以及阳极膜层130，如图3a所示。
(2)采用光刻工艺使阳极膜层130形成多个独立的阳极131的图形，以及使多晶硅膜层110、二氧化硅膜层120形成光电转换层中的多晶硅层111和二氧化硅层121，如图3b所示。
(3)在玻璃基板300上形成公共透明阴极层330的图形，如图3c所示。
(4)通过微转印工艺，采用转移基板将多个光电二极管的阳极131、多晶硅层111以及二氧化硅层121转印在玻璃基板300上，并使多晶硅层111与公共透明阴极层330电连接，以形成光电二极管500，如图3d所示。
(5)在各光电二极管背离玻璃基板300一侧形成第一平坦化层320，第一平坦化层320在玻璃基板300的正投影与各光电二极管的多晶硅层111在玻璃基板300的正投影无交叠，如图3e所示。
(6)在第一平坦化层320背离玻璃基板300一侧形成与各光电二极管一一对应的检测信号线310的图形，以使每一个阳极131与一一对应的一条检测信号线310电连接，如图3f所示。
(7)在各光电二极管背离玻璃基板300一侧形成覆盖玻璃基板300的保护层380，如图3g所示。
(8)在玻璃基板300背离光电二极管的一侧形成各透明驱动电极350的图形以及形成与各透明驱动电极350电连接的透明驱动电极走线(图中未示出)的图形，如图3h所示。
在步骤(6)之后的过程与实施例一中的步骤(12)基本相同，在此不作赘述。
需要说明的是，步骤(3)可以处于步骤(1)-(2)之前；或者，步骤(3)也可以处于步骤(1)-(2)之后。当然，步骤(3)也可以与步骤(1)-(2)同时进行，在此不作限定。
实施例三、
本实施例针对实施例一中的部分实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与实施例一的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图4所示，在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极，具体可以包括如下步骤：
S401、在衬底基板上形成多个透明驱动电极的图形；
S402、在形成有多个透明驱动电极的衬底基板上形成多个光电二极管。
在具体实施时，在本发明实施例中，形成多个光电二极管，具体可以包括如下步骤：
在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层；其中，光电转换层形成于硅基衬底与阳极之间；
通过微转印工艺将多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在衬底基板上；其中，光电转换层形成于阳极与衬底基板之间，且衬底基板预先形成有公共透明阴极，各光电转换层与公共透明阴极电连接，以形成各光电二极管。
在具体实施时，在本发明实施例中，在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层，具体可以包括：
在第三硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层；其中，光电转换膜层形成于第三硅基衬底与阳极膜层之间；
采用光刻工艺使光电转换膜层形成多个光电转换层的图形，以及使阳极膜层形成多个阳极的图形。
进一步地，在具体实施时，光电转换层可以包括：多晶硅层和二氧化硅层。在本发明实施例中，在第三硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层，具体可以包括：在第三硅基衬底上依次形成多晶硅膜层、二氧化硅膜层以及阳极膜层。并且，在具体实施时，采用光刻工艺使光电转换膜层形成多个光电转换层的图形，具体可以包括：采用光刻工艺使多晶硅膜层和二氧化硅膜层形成光电转换层中的多晶硅层和二氧化硅层。
在具体实施时，在本发明实施例中，在形成各光电二极管之后，还包括：在各光电二极管背离衬底基板一侧形成覆盖衬底基板的保护层。这样可以保护光电二极管，提高光电二极管的寿命。
在具体实施时，在本发明实施例中，形成多个透明驱动电极的图形，具体可以包括：在衬底基板背离光电二极管的一侧形成各透明驱动电极的图形。
下面通过具体实施例说明本发明实施例提供的阵列基板的制备方法。但读者应知，其具体过程不局限于此。
本发明实施例提供的阵列基板的制备方法，可以包括如下步骤：
(1)在第三硅基衬底400上依次沉积多晶硅膜层110、二氧化硅膜层120以及阳极膜层130，如图3a所示。
(2)采用光刻工艺使阳极膜层130形成多个独立的阳极131的图形，以及使多晶硅膜层110、二氧化硅膜层120形成光电转换层中的多晶硅层111和二氧化硅层121，如图3b所示。
(3)在玻璃基板300背离光电二极管的一侧形成各透明驱动电极350的图形以及形成与各透明驱动电极350电连接的透明驱动电极走线(图中未示出)的图形，如图5a所示。
(4)依次在透明驱动电极350背离玻璃基板300一侧上形成覆盖玻璃基板300的第一介电层360和第一疏水层370，如图5b所示。
(5)在玻璃基板300背离透明驱动电极350一侧上形成公共透明阴极层330的图形，如图5c所示。
(6)通过微转印工艺，采用转移基板将多个光电二极管的阳极131、多晶硅层111以及二氧化硅层121转印在玻璃基板300上，并使多晶硅层111与公共透明阴极层330电连接，以形成光电二极管500，如图5d所示。
(7)在各光电二极管背离玻璃基板300一侧形成第一平坦化层320，第一平坦化层320在玻璃基板300的正投影与各光电二极管的多晶硅层111在玻璃基板300的正投影无交叠，如图5e所示。
(8)在第一平坦化层320背离玻璃基板300一侧形成与各光电二极管一一对应的检测信号线310的图形，以使每一个阳极131与一一对应的一条检测信号线310电连接，如图5e所示。
(9)在各光电二极管背离玻璃基板300一侧形成覆盖玻璃基板300的保护层380，如图5f所示。
需要说明的是，步骤(1)-(2)可以处于步骤(3)-(5)之前，或者步骤(1)-(2)也可以处于步骤(3)-(5)之后。当然，也可以使步骤(1)-(2)与步骤(3)-(5)同时进行，在此不作限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种采用本发明实施例提供的制备方法制备成的阵列基板。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图2l与图5f所示，阵列基板可以包括：衬底基板300、位于衬底基板100上的多个光电二极管500和多个透明驱动电极350。其中，光电二极管500和透明驱动电极350相互绝缘，光电二极管350采用微转印工艺形成在衬底基板300上。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图2l所示，透明驱动电极350位于光电二极管500背离衬底基板300一侧。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图5f所示，透明驱动电极350位于衬底基板300背离光电二极管500一侧。
在具体实施时，在本发明实施例中，阵列基板还可以包括：位于透明驱动电极350背离衬底基板300一侧的第二平坦化层。
在具体实施时，在本发明实施例中，阵列基板还可以包括：位于第二平坦化层背离衬底基板一侧的第二平坦化层的第一疏水层。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种数字微流控芯片，包括：上述任一阵列基板。该数字微流控芯片解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该数字微流控芯片的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。
本发明实施例提供的阵列基板、其制备方法及数字微流控芯片，由于微转印工艺是基于硅基工艺的，硅基工艺下制备的光电二极管具有很好的器件性能，从而通过微转印工艺将光电二极管形成在衬底基板上，可以解决直接利用玻璃基板制备的光电二极管的光电特性不佳的问题，进而改善形成的光电二极管的性能。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (7)

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板应用于数字微流控芯片中；所述阵列基板的制备方法包括：在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极的图形；其中，所述光电二极管和所述透明驱动电极相互绝缘，所述光电二极管采用微转印工艺形成在所述衬底基板上；
所述在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极的图形，具体包括：在衬底基板上形成多个所述光电二极管；
在形成有所述多个光电二极管的衬底基板上形成多个所述透明驱动电极的图形；
所述在衬底基板上形成多个所述光电二极管，具体包括：
在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层的图形；其中，所述阳极形成于所述硅基衬底与所述光电转换层之间；
通过所述微转印工艺将所述多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在所述衬底基板上；其中，所述阳极形成于所述光电转换层与所述衬底基板之间；
在形成有所述多个光电二极管的阳极和光电转换层的衬底基板上形成第一平坦化层的图形；其中，所述第一平坦化层在所述衬底基板的正投影与各所述光电二极管的光电转换层在所述衬底基板的正投影无交叠；
在形成有所述第一平坦化层的衬底基板上形成公共透明阴极层，使各所述光电转换层与所述公共透明阴极电连接，以形成光电二极管；或者，
所述在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极，具体包括：
在衬底基板上形成多个透明驱动电极的图形；
在形成有所述多个透明驱动电极的衬底基板上形成多个所述光电二极管；
所述形成多个所述光电二极管，具体包括：
在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层；其中，所述光电转换层形成于所述硅基衬底与所述阳极之间；
通过所述微转印工艺将所述多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在所述衬底基板上；其中，所述光电转换层形成于所述阳极与所述衬底基板之间，且所述衬底基板预先形成有公共透明阴极，各所述光电转换层与所述公共透明阴极电连接，以形成各光电二极管。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层的图形，具体包括：
在第一硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层；
采用光刻工艺使所述阳极膜层形成多个阳极的图形；
在第二硅基衬底上形成多个导电粘合层的图形；其中，一个导电粘合层与一个所述阳极对应；
将所述第一硅基衬底上的阳极与所述第二硅基衬底上的导电粘合层对接后，去除所述第一硅基衬底；
采用光刻工艺使所述光电转换膜层形成各所述光电二极管中的光电转换层。
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在所述形成光电二极管之后，在形成多个所述透明驱动电极的图形之前，还包括：在形成有所述光电二极管的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的第二平坦化层；
所述形成多个所述透明驱动电极的图形，具体包括：在所述第二平坦化层背离所述衬底基板的一侧形成各所述透明驱动电极的图形。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层，具体包括：
在第三硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层；其中，光电转换膜层形成于第三硅基衬底与阳极膜层之间；
采用光刻工艺使所述光电转换膜层形成多个所述光电转换层的图形，以及使所述阳极膜层形成多个所述阳极的图形。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成多个透明驱动电极的图形，具体包括：在所述衬底基板背离所述光电二极管的一侧形成各所述透明驱动电极的图形。
6.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-5任一项所述的制备方法制备成。
7.一种数字微流控芯片，其特征在于，包括：如权利要求6所述的阵列基板。
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