CN109860233A - 电致发光显示设备 - Google Patents

Abstract

公开了一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：基板；第一电极，该第一电极设置在所述基板上；堤部，该堤部被构造成覆盖所述第一电极的端部并限定发射区域，且设置有第一容纳凹槽；发射层，该发射层在由所述堤部限定的发射区域中设置在所述第一电极上；以及光吸收层，该光吸收层设置在所述堤部的所述第一容纳凹槽中，其中，所述第一容纳凹槽形成在所述堤部中，并且所述光吸收层形成在所述第一容纳凹槽中，从而在所述光吸收层中吸收外部光，以由此防止相邻像素之间的颜色干扰和模糊现象。

Description

电致发光显示设备

技术领域

本公开涉及电致发光显示设备，更具体而言，涉及能够防止由外部光反射引起的问题的电致发光显示设备。

背景技术

电致发光显示设备以在两个电极之间形成发射层的方式设置。根据发射层通过两个电极之间产生的电场发光，在电致发光显示设备上显示图像。

发射层可以由在通过电子和空穴结合产生激子且该激子从激发态下降到基态时发光的有机材料形成，或者可以由诸如量子点之类的无机材料形成。

下面将参照附图描述现有技术的电致发光显示设备。

图1是示出现有技术的电致发光显示设备的截面图。

如图1所示，现有技术的电致发光显示设备可以包括基板10、电路器件层20、第一电极30、堤部40、发射层50、第二基板60和滤色器70。

电路器件层20形成在第一基板10上。电路器件层20设有各种信号线、薄膜晶体管和电容器。

第一电极30形成在电路器件层20上。针对每个像素构图第一电极30，其中第一电极30用作阳极。

堤部40以矩阵构造形成，该矩阵构造限定发射区域。

发射层50形成在由堤部40限定的发射区域中。

滤色器70形成在第二基板60上。滤色器70可以包括由每个像素构图的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤色器70。因此，当从发射层50发出的光通过滤色器70时，只有具有预定波长的光通过该滤色器。预定波长可以被认为是滤色器70所传输的波长范围。例如，红色滤光器具有对应于红光的相关预定波长。

在现有技术的电致发光显示设备的情况下，在从第二基板60的上侧提供的外部光通过堤部40之后，该光可以在电路器件层20上被反射。如上所述，电路器件层20包括诸如多条电路线路、薄膜晶体管和电容器的电路器件。因此，当外部光入射到电路器件层20上时，外部光可以在包括在电路器件层20中的电路器件上被反射。

在这种情况下，在外部光通过任何一个像素的滤色器70之后，外部光都可以经由堤部40在电路器件层20上被反射，然后被发射至与对应像素相邻的另一个相邻像素。

如果外部光通过任何一个像素的滤色器70，则只有具有预定波长的光通过该滤色器。如果具有预定波长的光在电路器件层20上被反射，然后被发射至与对应像素相邻的另一个相邻像素，则会在相邻像素之间产生颜色干扰，从而可能导致模糊现象。

发明内容

鉴于上述问题提出了本公开，并且本公开的目的是提供一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备能够防止相邻像素之间的颜色干扰，此外还能够防止由外部光的反射而引起的模糊现象。

根据本公开的一个方面，上述和其它目的可以通过提供一种电致发光显示设备实现，该电致发光显示设备包括：基板；设置在所述基板上的第一电极；堤部，该堤部被构造成覆盖所述第一电极的端部并限定发射区域，并且设有第一容纳凹槽；发射层，该发射层在由所述堤部限定的发射区域中设置在所述第一电极上；设置在所述堤部的第一容纳凹槽中的光吸收层；和设置在所述发射层上的第二电极。

根据本发明的另一个方面，提供了一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：基板，该基板包括有效显示区域和在所述有效显示区域的外周制备的虚拟区域；堤部，该堤部布置在所述基板的所述有效显示区域和虚拟区域上并且被构造成限定发射区域，并且设有第一容纳凹槽；设置在由所述堤部限定的发射区域中的发射层；以及设置在所述堤部的第一容纳凹槽中的光吸收层，其中设置在所述有效显示区域中的堤部的图案不同于设置在所述虚拟区域中的堤部的图案。

根据本公开的又一方面，提供了一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：基板，该基板包括有效显示区域以及在所述有效显示区域的外周制备的虚拟区域；设置在所述有效显示区域中的多个像素；设置在所述虚拟区域中的多个虚拟像素；以及堤部，所述堤部在所述多个像素中的每个像素之间以及所述多个虚拟像素中的每个虚拟像素之间的边界处制备，其中所述堤部包括设置在所述多个像素当中的发出不同颜色光的像素的边界线中的第一容纳凹槽，并且在所述第一容纳凹槽中设置光吸收层。

附记：

附记1.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：

基板；

第一电极，所述第一电极设置在所述基板上；

堤部，所述堤部被构造成覆盖所述第一电极的端部并限定发射区域；

发射层，所述发射层在由所述堤部限定的所述发射区域中设置在所述第一电极上；

第二电极，所述第二电极设置在所述发射层上；

其中，所述堤部被构造成吸收光。

附记2.根据附记1所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部设有第一容纳凹槽，并且在所述堤部的所述第一容纳凹槽中设有光吸收层。

附记3.根据附记1或2所述的电致发光显示设备，其中，所述发射区域在所述发射区域的中心处的高度比在所述发射区域的边缘处的高度低。

附记4.根据附记1至3中任一项所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括在所述发射层上方的滤色器。

附记5.根据附记2-4中任一项所述的电致发光显示设备，其中，在所述堤部的所述第一容纳凹槽中设有气体吸收层，并且所述气体吸收层设置成与所述光吸收层的下表面和上表面中的至少一个接触。

附记6.根据附记2-5中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述第一容纳凹槽被设置成穿透所述堤部，使得所述光吸收层的下表面与设置在所述堤部下方的平整层接触。

附记7.根据附记2-6中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述光吸收层在所述中心处的厚度比所述光吸收层在所述边缘处的厚度小。

附记8.根据附记2-7中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部的区域的一部分具有第一高度，并且所述第一容纳凹槽具有小于所述第一高度的第一深度。

附记9.根据附记2-8中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部的所述区域的其余部分具有比所述第一高度低的第二高度，并且所述光吸收层的下表面与所述堤部的所述区域的其余部分接触。

附记10.根据附记2-9中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述发射层在所述发射区域的中心处的高度比所述发射层在所述发射区域的边缘处的高度低；并且

其中，所述堤部包括第一堤部和设置在所述第一堤部上的第二堤部，其中，所述第二堤部具有比所述第一堤部小的宽度并且具有比所述第一堤部大的厚度。

附记11.根据附记10所述的电致发光显示设备，其中，所述第二电极设置在所述发射层、所述第二堤部和光吸收层上。

附记12.根据附记10或11所述的电致发光显示设备，其中，所述第二堤部在有效显示区域中形成为线性结构。

附记13.根据前述附记中任一项所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括与所述第二电极电连接的辅助电极，

其中，所述堤部包括用于暴露所述辅助电极的接触孔，并且所述第二电极经由所述接触孔与所述辅助电极连接。

附记14.根据附记2-13中任一项所述的电致发光显示设备，

其中，所述堤部限定多个发射区域；

其中，所述电致发光显示设备还包括多个滤色器，每个滤色器都位于相应的发射区域上方；并且

其中，所述光吸收层被设置成与所述多个滤色器中的滤色器不交叠。

附记15.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：

基板，所述基板包括有效显示区域和设置在所述有效显示区域的外周处的虚拟区域；

多个像素，所述多个像素设置在所述有效显示区域中；

多个虚拟像素，所述多个虚拟像素设置在所述虚拟区域中；以及

堤部，所述堤部设置在所述多个像素中的每个像素之间以及所述多个虚拟像素中的每个虚拟像素之间的边界处；

其中，所述堤部被构造成吸收被构造成发出不同颜色光的像素之间的边界处的光。

附记16.根据附记15所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部布置在所述基板的所述有效显示区域和所述虚拟区域上，并且所述堤部被构造成限定发射区域；

其中，所述堤部的布置在所述有效显示区域上的图案不同于所述堤部的布置在所述虚拟区域上的图案；并且

其中，所述电致发光显示设备还包括设置在由所述堤部限定的所述发射区域中的发射层。

附记17.根据附记16所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括在所述有效显示区域的所述发射层上方的滤色器。

附记18.根据附记15至17中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部设有位于被构造成发射不同颜色光的像素之间的边界处的第一容纳凹槽，并且在所述堤部的所述第一容纳凹槽中设有光吸收层。

附记19.根据附记18所述的电致发光显示设备，其中，所述第一容纳凹槽设置在所述有效显示区域中，而没有设置在所述虚拟区域中。

附记20.根据附记18或19所述的电致发光显示设备，其中，在所述堤部的所述第一容纳凹槽中设有气体吸收层，并且所述气体吸收层被设置成与所述光吸收层的上表面和下表面中的至少一个接触。

附记21.根据附记18至20中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述第一容纳凹槽没有设置在被构造成发射相同颜色光的像素之间的边界处。

附记22.根据附记18至21中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述多个像素包括用于发射第一颜色光的多个第一像素和用于发射第二颜色光的多个第二像素，

其中，所述第一容纳凹槽和所述光吸收层被设置成包括沿着所述多个第一像素之间和所述多个第二像素之间的边界在第一方向上延伸的第一连续直线结构。

附记23.根据附记22所述的电致发光显示设备，其中，所述多个像素包括用于发射第三颜色光的多个第三像素；

所述第一容纳凹槽和所述光吸收层被设置成包括沿着所述多个第一像素之间和所述多个第三像素之间的边界在第二方向上延伸的第二连续直线结构；并且

所述第二连续直线结构与所述第一连续直线结构连接。

附记24.根据附记18至23中任一项所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括：

电极，所述电极设置在所述发射层上；和

辅助电极，所述辅助电极与所述电极电连接并设置在所述堤部下方，

其中，所述堤部包括用于暴露所述辅助电极的接触孔，并且所述电极经由所述接触孔与所述辅助电极连接；并且

所述第一容纳凹槽和所述接触孔不交叠。

附记25.根据附记18至24中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述第一容纳凹槽设有沿着所述多个像素中的多组像素之间的边界以固定间隔设置的多个直线结构，并且所述接触孔形成在所述多个直线结构中的两个直线结构之间。

附记26.根据附记18至25中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述第一容纳凹槽以连续直线结构形成在所述多个像素的边界处。

附记27.根据附记18至26中任一项所述的电致发光显示设备，其中，在形成在所述虚拟区域中的堤部中设置第二容纳凹槽，并且

在所述第二容纳凹槽中设置气体吸收层。

附记28.根据附记27所述的电致发光显示设备，其中，所述第二容纳凹槽设置在所述多个虚拟像素中的像素之间的边界处。

附记29.根据附记18至28中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述多个像素包括用于发射第一颜色光的多个第一像素和用于发射第二颜色光的多个第二像素；

其中，所述第一容纳凹槽和所述光吸收层设置成包括沿着所述多个第一像素之间和所述多个第二像素之间的第一边界在第一方向上延伸的第一连续直线结构。

附记30.根据附记29所述的电致发光显示设备，其中，所述多个像素包括用于发射第三颜色光的多个第三像素；

所述第一容纳凹槽和所述光吸收层设置成包括沿着所述多个第一像素之间和所述多个第三像素之间的第二边界在第二方向上延伸的第二连续直线结构；并且

所述第二连续直线结构与所述第一连续直线结构连接。

附记31.根据附记30所述的电致发光显示设备，其中，所述第一容纳凹槽包括沿着所述第一边界和所述第二边界以固定间隔设置的多个直线结构，并且在所述多个直线结构之间形成用于连接至设置在所述堤部下方的辅助电极的接触孔。

附记32.根据附记30所述的电致发光显示设备，其中，所述第一容纳凹槽包括位于所述第一边界和所述第二边界处的连续直线结构。

附记33.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：

基板，所述基板包括有效显示区域；

多个第一电极，所述多个第一电极设置在所述基板上；

第一堤部，所述第一堤部被构造成覆盖所述多个第一电极中的两个或更多个；

第二堤部，所述第二堤部布置在所述第一堤部上；

其中，所述第一堤部和所述第二堤部被构造成限定多个发射区域；

其中，每个发射区域具有设置在对应的第一电极上的发射层；并且

其中，所述第二堤部具有位于所述有效显示区域中的线性结构。

附记34.根据附记33所述的电致发光显示设备，其中，对于所述多个发射区域中的每个发射层，所述发射层在所述发射区域的中心处的高度比在所述发射区域的边缘处的高度低。

附记35.根据附记33或34所述的电致发光显示设备，其中，对于所述多个发射区域中的每个发射层，在所述发射层上方设有相关滤色器。

附记36.根据附记33至35中任一项所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括设置在所述有效显示区域的外周处的虚拟区域；

其中，所述第二堤部的设置在所述有效显示区域中的图案不同于所述第二堤部的设置在所述虚拟区域中的图案。

附记37.根据附记33至36中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述第二堤部比所述第一堤部厚。

附记38.根据附记33至37中任一项所述的电致发光显示设备，其中，在所述有效显示区域中，所述第二堤部在与所述第一堤部延伸的方向垂直的方向上延伸。

附记39.根据附记33至38中任一项所述的电致发光显示设备，其中，排列在沿着所述第二堤部的方向上的发射层的厚度与它们各自的发射区域的中心的厚度相同。

附记40.根据附记33至39中任一项所述的电致发光显示设备，其中，

每个发射区域具有设置在对应发射层上的对应第二电极以及在所述第一堤部中的相关接触孔；

每个发射区域具有设置在所述堤部下方的相关辅助电极，并且所述相关辅助电极经由所述相关接触孔与对应第二电极电连接；并且

其中，所述第二堤部和所述相关接触孔不交叠。

附记41.根据附记33至40中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述第二堤部被构造成吸收光。

附记42.根据附记33至41中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述第二堤部包括位于所述第二堤部中的凹槽中的光吸收层。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他目的、特征和其他优点，在附图中：

图1是示出了现有技术的电致发光显示设备的截面图；

图2是示出了根据本公开的一个实施方式的电致发光显示设备的平面图；

图3是示出了根据本公开的一个实施方式的电致发光显示设备的截面图；

图4是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的截面图；

图5A和图5B是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的截面图；

图6是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的截面图；

图7是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的截面图；

图8是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的平面图；

图9是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的平面图；

图10是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的截面图；

图11是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的平面图；

图12是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的截面图；

图13是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的平面图；

图14是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的截面图；

图15是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的平面图；以及

图16是示出了根据本公开的另一个实施方式的电致发光显示设备的平面图。

具体实施方式

本公开的优点和特征及其实现方法将通过参照附图描述的以下实施方式来阐述。然而，本公开可以以不同的形式体现，并且不应被解释为仅限于本文所述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使得本公开彻底和完整，并且将本公开的范围完全传达给本领域的技术人员。此外，本公开仅由权利要求的范围来限定。

为了描述本公开的实施方式而在附图中公开的形状、大小、比率、角度和数量仅仅是示例，因此本公开不限于图示的细节。相同的附图标记自始至终都表示相同的元件。在以下描述中，当确定有关已知功能或构造的详细描述将不必要地使本公开的要点模糊不清时，将省略该详细描述。

在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅仅”，否则也可能存在另一个部件。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。

在解释一个元件时，该元件被解释为包括误差范围，尽管没有对误差范围进行明确描述。

在描述位置关系时，例如，当位置顺序被描述为“在……上”、“在……之上”、“在……下”和“挨着”时，除非使用了“正好”或“直接”，否则可以包括两者之间不接触的情况。如果提到第一元件“位于”第二元件“上”，则这并不意味着第一元件在附图中基本上位于第二元件上方。根据对象的取向，有关对象的上部和下部可以发生改变。因此，第一元件“位于”第二元件“上”的情况包括在附图中或在实际配置中第一元件“位于”第二元件“下方”的情况以及第一元件位于第二元件“上方”的情况。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在…之后”、随后”、“接着”和“在……之前”时，除非使用了“正好”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。

可以理解，虽然这里可能使用“第一”、“第二”等术语来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅仅用于区分一种元件和另一种元件。例如，第一元件可以称为第二元件，同样，第二元件也可以称为第一元件，而不脱离本公开的范围。

术语“第一水平轴向方向”、“第二水平轴向方向”和“竖直轴向方向”不应仅仅基于各个方向相互垂直的几何关系来解释，而是可以指在本公开的各组成部分能够发挥作用的范围内具有更宽方向性的方向。

应当理解，术语“至少一个”包括与任何一个项目有关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”可以包括从第一元件、第二元件和第三元件中选择的两个或更多个元件的所有组合以及第一元件、第二元件和第三元件的每个元件。

本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地相互联接或组合，并且可以如本领域技术人员能够充分理解的那样不同地相互操作和在技术上被驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。

以下，将参照附图详细描述根据本公开的实施方式的电致发光显示设备。

图2是示出了根据本公开的一个实施方式的电致发光显示设备的平面图。

如图2所示，根据本公开的一个实施方式的电致发光显示设备可以包括有效显示区域AA、虚拟区域DA和焊盘区域PA。

有效显示区域AA用作显示图像的显示区域。在有效显示区域AA中设有多个像素。

详细地说，在有效显示区域AA的像素中设置诸如选通线、数据线、电源线和参考线的信号线。此外，在有效显示区域AA的像素中设置用于切换通过信号线供应的信号的传输的多个薄膜晶体管，并且在有效显示区域AA的像素中设置根据所述多个薄膜晶体管被驱动以发光的发射器件。

虚拟区域DA设置成包围有效显示区域AA。

详细地说，虚拟区域DA设置在有效显示区域AA的左外周侧、右外周侧、下外周侧和上外周侧。以与有效显示区域AA相同的方式，在虚拟区域DA中设置多个像素。然而，虚拟区域DA不是用于显示图像的显示区域，从而设置在虚拟区域DA中的像素的结构不同于设置在有效显示区域AA中的像素的结构。例如，信号线、薄膜晶体管和发射器件中的至少任何一个没有设置在虚拟区域DA的像素中或没有完全设置在虚拟区域DA的像素中，从而不从设置在虚拟区域DA中的像素发光。

虚拟区域DA防止有效显示区域AA的中心部分和有效显示区域AA的外周部分之间的制造误差。这将详细说明如下。

可以执行多个沉积过程和掩模过程，以便在有效显示区域AA中形成多个像素。沉积过程可以通过使用物理沉积过程、化学沉积过程、涂覆过程或喷墨过程来执行，从而形成绝缘层、金属层或有机层。掩模过程可以通过使用光刻过程执行，从而在由沉积过程形成的绝缘层、金属层或有机层中形成具有预定形状的预定图案。

如果对有效显示区域AA执行沉积过程和掩模过程中的多个过程，则在有效显示区域AA的中心部分和有效显示区域AA的外周部分之间存在制造误差的可能性。根据在有效显示区域AA的外周设有虚拟区域DA，可以在虚拟区域DA而不是在有效显示区域AA中产生制造误差。

特别是，如果通过喷墨过程在发射器件内部形成发射层，则基板的中心部分中的发射层的干燥度可能不同于基板的外周部分中的发射层的干燥度。在这种情况下，如果不设置虚拟区域DA，则可能导致与有效显示区域AA的中心部分和有效显示区域AA的外周部分之间的光发射不均匀有关的问题。

因而，在有效显示区域AA的外周设置虚拟区域DA。如果用喷墨过程在发射器件中形成发射层，则在有效显示区域AA和虚拟区域DA之间的发射层的干燥度可能不均匀。即使在这种情况下，由于在有效显示区域AA的外周设置的虚拟区域DA，发射层的干燥度在有效显示区域AA内也可以是完全均匀的。

焊盘区域PA设置在虚拟区域DA的外周。

诸如选通驱动器或数据驱动器的电路驱动器可以在焊盘区域PA中制备。电路驱动器可以设置在虚拟区域DA的左侧、右侧、下侧和上侧中的至少一侧的外周。在焊盘区PA中制备的电路驱动器经由虚拟区域DA与有效显示区域AA内的电路器件连接。

图3是示出了根据本公开的一个实施方式的电致发光显示设备的截面图，所述截面图与电致发光显示设备的有效显示区域有关。

如图3所示，根据本公开的一个实施方式的电致发光显示设备可以包括第一基板100、电路器件层200、第一电极300、堤部400、光吸收层450、发射层500、第二电极600、封装层700、粘附层750、第二基板800、黑底850和滤色器900。

第一基板100可以由玻璃或塑料材料构成，但不限于该材料。第一基板100可以由透明材料或不透明材料形成。根据本公开的一个实施方式的电致发光显示设备与从发射层500发射的光朝向上侧前进的顶部发射型对应。因此，第一基板100可以由不透明材料和透明材料形成。

电路器件层200形成在第一基板100上。电路器件层200可以包括有源层210、栅绝缘膜220、栅极230、绝缘夹层240、源极250a、漏极250b、钝化层260和平整层270。

有源层210形成在第一基板100上。有源层210可以由硅基半导体材料或氧化物基半导体材料(oxide-based semiconductor material)构成，但不限于该材料。尽管未示出，但可以在第一基板100和有源层210之间另外设置光屏蔽层，以便可以防止光前进到有源层210，从而防止有源层210的劣化。

栅绝缘膜220形成在有源层210上，其中栅绝缘膜220使有源层210和栅极230彼此绝缘。

栅极230形成在栅绝缘膜220上。

绝缘夹层240形成在栅极230上，其中绝缘夹层240使栅极230与源极250a/漏极250b绝缘。

源极250a以与漏极250b间隔开预定间隔的方式设置，其中源极250a和漏极250b彼此相对地设置在绝缘夹层240上。源极250a和漏极250b分别经由设置在绝缘夹层240和栅绝缘膜220中的接触孔与有源层210的一端和另一端连接。

钝化层260设置在源极250a和漏极250b上，以由此保护薄膜晶体管。

平整层270形成在钝化层260上，以由此使第一基板100的上表面平整。

因而，电路器件层200包括具有栅极230、有源层210、源极250a和漏极250b的薄膜晶体管。图3示出了具有顶栅结构的薄膜晶体管，在顶栅结构中，栅极230设置在有源层210上方，但不限于这种类型。例如，可以在电路器件层200中设置具有底栅结构的薄膜晶体管，在底栅结构中，栅极230设置在有源层210下方。

在电路器件层200中，由每个像素设置包括各种信号线、薄膜晶体管和电容器的电路器件。信号线可以包括选通线、数据线、电源线和参考线。薄膜晶体管可以包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和感测薄膜晶体管。图3中所示的薄膜晶体管对应于驱动薄膜晶体管。

根据开关薄膜晶体管按照供应给选通线的选通信号进行开关，从数据线提供的数据电压供应给驱动薄膜晶体管。

根据驱动薄膜晶体管按照从开关薄膜晶体管提供的数据电压进行开关，由从电源线供应的电力产生数据电流，并将产生的数据电流供应给第一电极300。

感测薄膜晶体管感测驱动薄膜晶体管的阈值电压偏差，该阈值电压偏差导致图像质量的下降。感测薄膜晶体管响应于从选通线或附加感测线供应的感测控制信号而将驱动薄膜晶体管的电流供应给参考线。

电容器将供应给驱动薄膜晶体管的数据电压维持一个帧时段。电容器与驱动薄膜晶体管的栅极和源极中的每一个连接。

图3的电致发光显示设备对应于顶部发射型。也就是说，即使薄膜晶体管布置在发射层500下方，光发射也不会受到薄膜晶体管的影响。因此，薄膜晶体管可以布置在发射层500下方。

第一电极300形成在电路器件层200上。

第一电极300由每个像素构图，其中第一电极300用作电致发光显示设备的阳极。根据本公开的一个实施方式的电致发光显示设备对应于顶部发射型。第一电极300可以包括用于向上反射从发射层500发射的光的反射材料。在这种情况下，第一电极300可以形成为包括透明导电材料和上述反射材料的沉积结构。

第一电极300经由设置在平整层270和钝化层260中的接触孔与薄膜晶体管的漏极250b连接。如果需要，第一电极300可以经由设置在平整层270和钝化层260中的接触孔与薄膜晶体管的源极250a连接。

堤部400形成在相邻像素之间的边界线上。即，堤部400形成为矩阵构造以限定发射区域。

堤部400设置在平整层270上，同时被构造为覆盖第一电极300的两端。因此，由每个像素形成的多个第一电极300可以通过堤部400绝缘。

在堤部400中设有第一容纳凹槽401。第一容纳凹槽401从堤部400的上端设置到堤部400的下端，由此第一容纳凹槽401穿过堤部400的预定部分。因此，平整层270可以被第一容纳凹槽401暴露。第一容纳凹槽401与第一电极300不交叠，从而第一电极300不会被第一容纳凹槽401暴露。

光吸收层450设置在堤部400的第一容纳凹槽401中。光吸收层450防止外部提供的入射光向电路器件层200前进，或防止外部提供的入射光在电路器件层200上被反射而向上前进。

在所描述的光吸收层450位于堤部的凹槽中的所有实施方式中，作为另选方案，堤部可以被构造成吸收光，因为该堤部是由吸收光的材料形成的。这种类型的光吸收堤部可以被认为是黑色堤部。可以使用防止外部提供的入射光向电路器件层200前进或防止外部提供的入射光在电路器件层200上被反射而向上前进的任何形式的黑色堤部，而不管所述黑色堤部是否包括凹槽。

如果从第二基板800的上侧提供的外部提供的入射光通过任何一个像素的滤色器900，则只有具有预定波长的光通过该滤色器。具有预定波长的通过滤色器900的光依次通过粘附层750、封装层700、第二电极600和堤部400，然后光到达电路器件层200。此后，光在电路器件层200内的电路器件上被反射，然后被发射至另一个像素。在这种情况下，在相邻像素中发生颜色干扰，从而产生模糊现象。

因而，在根据本公开的一个实施方式的电致发光显示设备的情况下，在堤部400中形成第一容纳凹槽401，并且在第一容纳凹槽401中形成光吸收层450，由此在光吸收层450中吸收外部提供的光。特别地，当第一容纳凹槽401从堤部400的上端穿透到堤部400的下端时，增加了容纳在第一容纳凹槽401中的光吸收层450的量，从而也增加了被吸收的光量。

因而，光吸收层450防止外部提供的光向电路器件层200前进，或防止光在电路器件层200上被反射并向上前进，以便可以防止相邻像素之间的颜色干扰，而且还防止模糊现象。

光吸收层450可以包括具有黑基颜色的无机材料或有机材料，但不必如此。例如，光吸收层450可以包括本领域中通常已知的各种光吸收剂。

发射层500形成在第一电极300上。特别地，发射层500形成在由堤部400限定的发射区域中。发射层500可以发射红(R)光、绿(G)光或蓝(B)光，但不限于这些颜色。如果需要，发射层500可以发射白光。

发射层500可以使用掩模在蒸发法中由每个像素构图，或者可以使用不带掩模的喷墨设备在液态制程中由每个像素构图。

发射层500可以包括空穴注射层、空穴传输层、有机发射层、电子传输层和电子注射层当中的至少一个有机层。

第二电极600形成在发射层500上，其中第二电极600可以用作电致发光显示设备的阴极。

第二电极600可以设置在堤部400和光吸收层450以及发射层500上，其中第二电极600可以形成在多个发射区域中。第二电极600可以形成在有效显示区域的整个区域中。因此，第二电极600可以用作用于向多个像素施加公共电压的公共电极。

封装层700形成在第二电极600上。封装层700防止外部水分渗透到发射层500中。封装层700可以由无机绝缘材料形成，或者可以形成为通过交替沉积无机绝缘材料和有机绝缘材料而获得的沉积结构，但不限于这些结构。

设置粘附层750以将第一基板100和第二基板800相互粘附。粘附层750形成在第一基板100的封装层700和第二基板800的黑底850之间以及第一基板100的封装层700和第二基板800的滤色器900之间。粘附层750可以包括用于防止外部水分渗透的成分。

图像显示在第二基板800上。因此，第二基板800可以由诸如玻璃或塑料的透明材料形成。

黑底850形成在第二基板800的内表面上，即形成在第二基板800的面对第一基板100的下表面上。黑底850可以设置在多个像素的边界中，以由此防止在多个像素的边界中发生光泄漏。黑底850形成为与堤部400对应的矩阵构造。

滤色器900设置在未设置黑底850的像素区域中。滤色器900可以与黑底850部分交叠。滤色器900可以位于发射层500上方。当从发射层500发出的光通过滤色器900时，只有具有预定波长的光可以穿透该滤色器。滤色器900可以包括由每个像素构图的红色(R)滤色器、绿色(G)滤色器和蓝色(B)滤色器。

光吸收层450防止通过任何一个像素区域的滤色器900的外部光被反射并向另一个像素区域前进，以由此防止相邻像素区域之间的颜色干扰和模糊现象。在没有设置滤色器900的实施方式中，仍然存在相邻像素区域之间发生颜色干扰和由外部光的反射引起模糊现象的可能性。因此，即使没有滤色器900，也可以设置光吸收层450。也就是说，根据本公开的电致发光显示设备可以包括没有滤色器900的实施方式和具有滤色器900的实施方式。光吸收层450特别有利于具有滤色器900的实施方式。

图4是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的截面图。除黑底850和滤色器900外，图4的电致发光显示设备与图3的电致发光显示设备在结构上相同，由此在所有附图中将使用相同的附图标记来表示相同的部件。下面，只对不同的结构作如下详细描述。

参照图3，在第二基板800上形成黑底850和滤色器900，由此在第一基板100的封装层700和第二基板800的黑底850之间以及在第一基板100的封装层700和第二基板800的滤色器900之间设置粘附层750。

另外，参照图4，在第一基板100的封装层700上设置黑底850和滤色器900。因此，在第一基板100的黑底850和第二基板800之间以及在第一基板100的滤色器900和第二基板800之间形成粘附层750。

图5A和图5B是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的截面图。除了在堤部400的第一容纳凹槽401中另外设置气体吸收层460外，图5A和图5B中的电致发光显示设备在结构上与图3的电致发光显示设备相同，由此在所有附图中将使用相同的附图标记来表示相同的部件。下面，只对不同的结构作如下详细描述。

如图5A所示，根据本公开的另一实施方式，在堤部400的第一容纳凹槽401中设置光吸收层450，并且在光吸收层450的上表面上设置气体吸收层460。即，气体吸收层460和光吸收层450依次设置在堤部400的第一容纳凹槽401中。

气体吸收层460形成在平整层270上，光吸收层450形成在气体吸收层460上。

气体吸收层460吸收由平整层270中的放气现象产生的气体，以由此防止器件的使用寿命由于所产生的气体而缩短。

如果发射层500通过液体过程(liquid process)形成在发射区域中，则利用烘烤过程以高温处理发射层500。对于烘烤过程，在平整层270中产生放气现象，由此气体可以渗透到发射层500中，从而导致器件的使用寿命缩短。根据本公开的另一实施方式，气体吸收层460附加地设置在光吸收层450下方，以便可以防止由放气现象产生的气体渗透到发射层500中。

气体吸收层460可以包括本领域中普遍公知的各种气体吸收剂。

如图5B所示，根据本公开的另一实施方式，在堤部400的第一容纳凹槽401中形成光吸收层450，并且在光吸收层450的上表面上形成气体吸收层460。即，光吸收层450和气体吸收层460依次设置在堤部400的第一容纳凹槽401中。

如以上图5A所示，气体吸收层460设置在光吸收层450下面，同时与平整层270接触，由此气体吸收层460直接吸收在平整层270中产生的气体。

另外，如以上图5B所示，气体吸收层460设置在光吸收层450的上方，同时与平整层270不接触。因此，在平整层270中产生的气体可以通过平整层270的内部而排放到第一基板100的端部，并且排放到第一基板100的端部的气体可以移动到发射层500的上侧和堤部400。在图5B的实施方式中，气体吸收层460布置在光吸收层450上，从而吸收移动到发射层500上侧和堤部400的气体。

尽管未示出，但是气体吸收层460可以设置在光吸收层450的下表面和上表面中的每一个上。另外，代替图5A和5B所示的附加设置的气体吸收层460，光吸收层450可以包括气体吸收剂。此外，光吸收层450可以包括气体吸收层460以及气体吸收剂。

在图5A和5B中，可以将黑底850和滤色器900改变为图4的结构。

图6是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的截面图。除堤部400的第一容纳凹槽401外，图6的电致发光显示设备与图3的电致发光显示设备在结构上相同。由此在所有附图中将使用相同的附图标记来表示相同的部件。下面，只对不同的结构作如下详细描述。

参照以上图3，第一容纳凹槽401从堤部400的上端设置到堤部400的下端，由此第一容纳凹槽401穿透堤部400的一部分，从而使得光吸收层450形成在由第一容纳凹槽401暴露的平整层270上。

另外，参照图6，当在堤部400中设置第一容纳凹槽401时，第一容纳凹槽401不从堤部400的上端穿透到堤部400的下端。堤部400的上端是堤部400的顶部，并且堤部的下端是堤部400的底部。因此，堤部400保持在第一容纳凹槽401中，由此在第一容纳凹槽401内在堤部400上形成光吸收层450的下表面。

即，堤部400的没有设置第一容纳凹槽401的一些区域具有第一高度k1，而堤部400的设置有第一容纳凹槽401的其余区域具有第二高度k2。在这种情况下，第二高度k2低于第一高度k1。因此，第一容纳凹槽401具有小于第一高度k1的第一深度s1。因此，光吸收层450的下表面与堤部400的设置有第一容纳凹槽401的其余区域接触。

如果发射层500是由喷墨过程形成的，则堤部400的下侧具有亲水性，而堤部400的上侧优选具有疏水性。这是因为发射层500容易扩展到堤部400的具有亲水性的下侧，而发射层500不扩展到堤部400的具有疏水性的上侧。因此，可以防止发射层500渗透到另一个邻近的发射区域内。参考以下与图7的另一实施方式相关的描述将容易理解这一点。

在这种情况下，可以通过喷墨过程形成光吸收层。在这种情况下，如图6所示，如果光吸收层450形成在堤部400的具有亲水性的下侧，则光吸收层450平滑地扩展到堤部400的具有亲水性的下侧，而光吸收层450不会扩展到堤部400的具有疏水性的上侧，从而可以防止光吸收层450被渗透到发射区域内。

另外，尽管没有示出，但是在图6所示的结构的情况下，可以将黑底850和滤色器900改变为图4的结构。另外，在图6所示的结构的情况下，气体吸收层460可以附加地形成在图5A和图5B所示的第一容纳凹槽401中。

图7是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的截面图。除了堤部400、发射层500和光吸收层450的结构外，图7的电致发光显示设备在结构上与图3的电致发光显示设备相同，由此将在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同的部件。下面，只对不同的结构做如下详细描述。

如图7所示，在根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的情况下，堤部400包括第一堤部410和第二堤部420。

覆盖第一电极300的端部的第一堤部410形成在电路器件层200上。与第二堤部420相比，第一堤部410具有相对较小的厚度，并且与第二堤部420相比具有相对较大的宽度。以与发射层500相同的方式，具有上述结构的第一堤部410具有亲水性。具有亲水性的第一堤部410可以由诸如硅氧化物的无机绝缘材料形成。因此，如果发射层500是由喷墨过程形成的，则用于形成发射层500的溶液可以在第一堤部410上容易地扩展。高度是在垂直于基板表面的方向上测量的，而宽度是在与基板表面平行的方向上测量的。从第一电极300的上表面测量发射区域的高度。还从第一电极300的上表面测量第二电极600的高度。从平整层270的上表面测量堤部400的高度。发射区域的边缘可以被认为是发射区域的与堤部直接接触的上表面。特征的上表面是该特征的距离第一基板最远且平行于基板表面的表面。

第二堤部420形成在第一堤部410上。第二堤部420的宽度相对小于第一堤部410的宽度。第二堤部420可以通过涂覆具有亲水性的有机绝缘材料和疏水材料(如氟)的混合溶液，并通过使用光刻过程对涂覆的混合溶液进行构图来获得。通过光刻过程所照射的光，诸如氟的疏水材料可以移动到第二堤部420的上部，从而第二堤部420的上部具有疏水性，而第二堤部420的其余部分具有亲水性。即，第二堤部420的与第一堤部410接触的下部具有亲水性，而第二堤部420的上部具有疏水性，但不限于该结构。第二堤部420的整个部分可以具有疏水性。

这里，用于形成发射层500的溶液的可扩展性可由于第一堤部410具有亲水性并且第二堤部420的下部具有亲水性而提高。特别地，由于第一堤部410相比于第二堤部420具有相对较小的厚度和相对较大的宽度，因此可以通过第一堤部410和第二堤部420的组合而制备亲水性的两步结构，由此用于形成发射层500的溶液可以容易地扩展到发射区域的左端和右端。

此外，第二堤部420的具有疏水性的上部防止用于形成发射层500的溶液扩展到另一个相邻发射区域，从而可以防止一个发射区域的发射层500与另一个相邻发射区域的发射层500混合。

第一堤部或第二堤部可以具有线性结构。线性结构是一种直线结构，即所述堤部沿第一方向延伸并具有垂直于第一方向的恒定截面。所述第一堤部可以形成为网状结构，该网状结构是包括提供多个规则孔口的单层的结构，所述规则孔口通常是以矩形阵列形式布置的矩形孔口，所述矩形孔口限定有效显示区域中的发射区域的规则图案。一种电致发光显示设备可以包括相互平行的多个线性结构的第二堤部，这些第二堤部形成在具有网状结构的第一堤部上方。一种电致发光显示设备可以包括相互平行的多个线性结构的第二堤部，这些第二堤部形成在相互平行并垂直于第二堤部的线性结构的多个线性结构的第一堤部上方。具有线性结构的堤部只能在有效显示区域具有这样的结构。在某些情况下，堤部可以由相互平行的多个线性结构形成，并且这些线性结构连接在有效显示区域周围的虚拟区域中，从而形成蛇形图案。

发射层500形成在第一电极300上。发射层500可以通过喷墨过程形成。如果发射层500是由喷墨过程形成的，则在将用于形成发射层500的溶液干燥的干燥过程之后，在发射区域中心处发射层500的上端的高度h1低于在发射区域的端部处发射层500的上端的高度h2。特别地，如图所示，随着发射层500的高度从发射区域的端部向发射区域的中心逐渐降低，可以实现逐渐降低的轮廓形状。因而，第二电极600的形成在发射层500上的预定部分具有与发射层500的轮廓对应的轮廓。

在堤部400的第一容纳凹槽401中设置光吸收层450。第一容纳凹槽401穿过第一堤部410和第二堤部420。

以与发射层500相同的方式，可以通过喷墨过程形成光吸收层450。如果光吸收层450通过喷墨形成，则在将用于形成光吸收层450的溶液干燥的干燥过程之后，在第一容纳凹槽401内的中心处光吸收层450的上端的高度d1低于在第一容纳凹槽401内的端部(该端部可以被认为是光吸收层450的边缘)处光吸收层450的上端的高度d2。特别地，如图所示，随着光吸收层450的高度从第一容纳凹槽401内的端部向第一容纳凹槽401内的中心逐渐降低，可以实现逐渐降低的轮廓形状。光吸收层的高度是从平整层270测量的。

如果光吸收层450是通过喷墨过程形成的，则可以使用通过将光吸收剂(包括黑色无机或有机材料)溶解在碳氢化合物类、乙醚类或酯类溶剂中得到的溶液。

另外，尽管没有示出，但是在图7所示的结构的情况下，可以将黑底850和滤色器900改变为图4的结构。在图7的结构中，可以在第一容纳凹槽401中附加地形成气体吸收层460，如图5A和图5B所示。在图7的结构中，第一容纳凹槽401没有如图6所示那样穿透堤部400。在这种情况下，第一容纳凹槽401可以穿透第二堤部420，但不穿透第一堤部410，或者第一容纳凹槽401可以不穿透第一堤部410和第二堤部420。

图8是示出了根据本公开的一个实施方式的电致发光显示设备的平面图，该平面图示出了有效显示区域AA。

如图8所示，在第一基板100上设置多个像素P1、P2、P3，并且在所述多个像素P1、P2、P3中的每一个之间的区域中设置堤部400。堤部400沿着多个像素P1、P2、P3之间的边界被形成为矩阵构造。

多个像素P1、P2、P3可以包括第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。第一像素P1发射第一颜色的光，例如红(R)光，第二像素P2发射第二颜色的光，例如绿(G)光，而第三像素P3发射第三颜色的光，例如蓝(B)光。

第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3排列成列。例如，多个第一像素P1排列成第一列C1和第四列C4，多个第二像素P2排列成第二列C2和第五列C5，并且多个第三像素P3排列成第三列C3和第六列C6。

在图8所示的结构中，如果入射到第一列C1的第一像素P1上的外部光被反射，然后向第二列C2的第二像素P2前进，则可能在第二像素P2中引起颜色干扰和模糊现象。另外，如果入射到第二列C2的第二像素P2上的外部光被反射，然后向第一列C1的第一像素P1或第三列C3的第三像素P3反射，则可能在第一像素P1或第三像素P3中引起颜色干扰和模糊现象。

因而，堤部400在设置有多个第一像素P1的第一列C1的像素列与设置有多个第二像素P2的第二列C2的像素列之间的区域中设置有第一容纳凹槽401，并且在第一容纳凹槽401中设置光吸收层450。也就是说，根据光吸收层450设置在第一列C1的像素列和第二列C2的像素列之间的区域中，可以防止第一像素P1和第二像素P2之间的颜色干扰和模糊现象。

另外，堤部400在第二列C2的像素列与第三列C3的像素列之间的区域中设置有第一容纳凹槽401，并且在第一容纳凹槽401中设置光吸收层450，从而可以防止第二像素P2和第三像素P3之间的颜色干扰和模糊现象。

此外，堤部400在第三列C3的像素列和第四列C4的像素列之间的区域中设置有第一容纳凹槽401，并且在所述第一容纳凹槽401设置光吸收层450，从而可以防止第三像素P3和第一像素P1之间的颜色干扰和模糊现象。

然而，在包括在同一列C1、C2、C3中的多个像素P1、P2、P3中的每个像素之间的区域中没有形成第一容纳凹槽401和光吸收层450。也就是说，在第一列C1中排列的多个第一像素P1发射第一颜色光的同色光。因此，即使有外部光的反射，也不会产生与颜色干扰和模糊现象有关的问题。因此，在排列在第一列C1中的多个第一像素P1中的每一个之间的区域中没有形成第一容纳凹槽401和光吸收层450。同样地，在第二列C2中排列的多个第二像素P2中的每一个之间的区域中不形成第一容纳凹槽401和光吸收层450，并且在第三列C3中排列的多个第三像素P3中的每一个之间的区域中也不形成第一容纳凹槽401和光吸收层450。

最终，根据本公开的一个实施方式，在发射不同颜色光的相邻像素P1、P2、P3之间的边界线上形成第一容纳凹槽401和光吸收层450，从而可以防止发出不同颜色光的相邻像素P1、P2、P3之间的颜色干扰和模糊现象。特别地，第一容纳凹槽401和光吸收层450形成为在相邻像素列之间的边界线上沿第一方向延伸的直线结构，以由此通过重复提供上述直线结构来实现条纹结构。

图9是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的平面图，该平面图示出了有效显示区域AA。

如图9所示，可以在第一基板100上设置用于发射红(R)光的第一颜色光的多个第一像素P1、用于发射绿(G)光的第二颜色光的多个第二像素P2以及用于发射蓝(B)光的第三颜色光的多个第三像素P3，并且堤部400形成为沿着所述多个像素P1、P2、P3之间的边界线的矩阵构造。

在这种情况下，发射不同颜色光的第一像素P1和第三像素P3交替地设置在奇数列中，例如设置在第一列C1、第三列C3和第五列C5中，而发射相同颜色光的多个第二像素P2设置在偶数列中，例如设置在第二列C2、第四列C4和第六列C6中。

在这种像素结构中，堤部400在相邻像素列之间的区域中(例如，在第一列C1和第二列C2之间的区域中、在第二列C2和第三列C3之间的区域中以及在第三列C3和第三列C3之间的区域中)设有第一容纳凹槽401，并且在第一容纳凹槽401中设置光吸收层450。因此，可以通过使用光吸收层450来防止相邻像素列之间的颜色干扰和模糊现象。

此外，堤部400在包含在第一列C1、第三列C3和第五列C5的奇数像素列中的的相邻像素P1、P3之间的区域中设置有第一容纳凹槽401，并且在该第一容纳凹槽401中设置光吸收层450。因此，可以通过使用光吸收层450来防止相邻像素P1、P3之间的颜色干扰和模糊现象。

然而，在包含在第二列C2、第四列C4和第六列C6的偶数像素列中的相邻像素P2之间的区域中没有产生与颜色干扰和模糊现象有关的问题，由此没有在该区域中形成第一容纳凹槽401和光吸收层450。

最后，根据本公开的另一实施方式，在发射不同颜色光的相邻像素P1、P2、P3之间的边界线上形成第一容纳凹槽401和光吸收层450。特别地，第一容纳凹槽401和光吸收层450被设置成包括第一直线结构401a和450a以及第二直线结构401b和450b，第一直线结构401a和450a在相邻像素列之间的边界线上沿着第一方向延伸，第二直线结构401b和450b在被包含在同一列中并且被构造成发出不同颜色光的像素P1、P3之间的边界线上沿第二方向延伸。在这种情况下，第二直线结构401b和450b被形成为将相邻的第一直线结构401a和450a相互连接。

图8和图9示出了根据本公开的各种像素结构的一些实施方式，但不限于图8和图9的像素结构。也就是说，可以基于本公开的技术思想包括普遍公知的各种像素结构。

图10是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的截面图，该截面图示出了图2的虚拟区域DA和有效显示区域AA。

如图10所示，第一基板100、电路器件层200、第一电极300、堤部400、光吸收层450、发射层500、第二电极600、封装层700、粘附层750、第二基板800、黑底850和滤色器900形成在有效显示区域AA中。

形成在有效显示区域AA中的第一基板100、电路器件层200、第一电极300、堤岸400、光吸收层450、发光层500、第二电极600、封装层700、粘附层750、第二基板800、黑底850和滤色器900在结构上与图3的相同，然而，它们可以形成为与图4至图9的结构相同的结构。特别地，如图5A和图5B所示，可以在光吸收层450的上方或下方附加地形成气体吸收层460。

在虚拟区域DA中，存在第一基板100、电路器件层200、第一电极300、堤部400、发射层500、第二电极600、封装层700、粘附层750、第二基板800和黑底850。

形成在虚拟区域DA中的电路器件层200可以与形成在有效显示区域AA中的电路器件层200在结构上相同，并且形成在虚拟区域DA中的电路器件层200和形成在有效显示区域AA中的电路器件层200可以通过相同的过程制造，但不必一定如此。也就是说，诸如选通线、数据线、电源线和参考线之类的一些信号线可以不包括在虚拟区域DA中形成的电路器件层200中，或者开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管中的一些可以不包括在虚拟区域DA中形成的电路器件层200中，由此可以不在在虚拟区域DA中产生光发射。如果需要，形成在虚拟区域DA中的电路器件层200可以不完全地构造，以便不操作开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管中的任一个。

形成在虚拟区域DA中的第一电极300可以与形成在有效显示区域AA中的第一电极300在结构上相同，并且形成在虚拟区域DA中的第一电极300和形成在有效显示区域AA中的电路第一电极300可以用相同的过程制造。第一电极300可以不在虚拟区域DA中形成，由此可以不在虚拟区域DA中产生光发射。

形成在虚拟区域DA中的堤部400可以与形成在有效显示区域AA中的堤部400在结构上不同。也就是说，第一容纳凹槽401设置在有效显示区域AA中形成的堤部400中，并且光吸收层450设置在该第一容纳凹槽401中。然而，形成在虚拟区域DA中的堤部400中没有设置第一容纳凹槽401，因此在虚拟区域DA中没有设置光吸收层450。在虚拟区域DA中不显示图像，由此在虚拟区域DA中的相邻像素之间不产生与颜色干扰和模糊现象有关的问题。

形成在虚拟区域DA中的发射层500可以与形成在有效显示区域AA中的发射层500在结构上相同，并且形成在虚拟区域DA中的发射层500和形成在有效显示区域AA中的发射层500可以通过相同的过程制造。与形成在有效显示区域AA中的发射层500不同，可以从形成在虚拟区域DA中的发射层500去除一些有机层，从而可以不在虚拟区域DA中产生光发射。

形成在虚拟区域DA中的第二电极600可以从形成在有效显示区域AA中的第二电极600延伸。第二电极600可以不形成在虚拟区域DA中，由此可以不在虚拟区域DA中产生光发射。

形成在虚拟区域DA中的封装层700和粘附层750中的每一个都可以从形成在有效显示区域AA中的封装层700和粘附层750中的每一个延伸。

在虚拟区域DA中不显示图像，由此不在虚拟区域DA中设置滤色器900。相反，在虚拟区域DA的第二基板800内形成黑底850，以便能够防止光被发射至虚拟区域DA。如在图4的有效显示区域AA中所示，形成在虚拟区域DA中的黑底850可以布置在封装层700和粘附层750之间。

图11是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的平面图，该平面图示出了如图10所示的电致发光显示设备的平面结构。

如图11所示，在第一基板100上设置有效显示区域AA，并且在有效显示区域AA的外周设置虚拟区域DA。

在有效显示区域AA中可以设置用于发射红(R)光的第一颜色光的多个第一像素P1、用于发射绿(G)光的第二颜色光的多个第二像素P2以及用于发射蓝(B)光的第三颜色光的多个第三像素P3，并且堤部400沿着所述多个像素P1、P2、P3之间的边界线形成为矩阵构造。

第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3排列成列。例如，多个第一像素P1排列在任一列中，多个第二像素P2排列在另一列中，并且多个第三像素P3排列在另一列中。

堤部400在相邻像素列之间的区域中设置有第一容纳凹槽401，并且在第一容纳凹槽401中设置光吸收层450。因此，可以通过使用光吸收层450来防止与相邻像素列之间的颜色干扰和模糊现象有关的问题。

有效显示区域AA中的像素结构、堤部400和第一容纳凹槽401的结构以及光吸收层450的结构与图8中的结构相同，但不必一定如此。上述结构可以与图9的结构相同，或者可以改变为各种类型。

虚拟区域DA设有不发光的多个虚拟像素D，并且堤部400沿着所述多个虚拟像素D之间的边界线形成为矩阵构造。然而，在设置在虚拟区域DA中的堤部400中不形成第一容纳凹槽401，因此不在虚拟区域DA中形成光吸收层450。

图12是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的截面图。除了虚拟区域DA中的堤部400和附加地设置在虚拟区域DA中的气体吸收层460的结构外，图12的电致发光显示设备与图10的电致发光显示设备在结构上相同，因此在所有附图中将使用相同的附图标记来表示相同的部件，并且将省略对相同部件的详细描述。

如图12所示，在虚拟区域DA的堤部400中设置第二容纳凹槽402，并且在第二容纳凹槽402中设置气体吸收层460。

如以上在图5B中所述，在平整层270中产生的气体可以通过平整层270的内部而排放到第一基板100的端部，也就是说，可以排放到虚拟区域DA的端部。然后，排放到虚拟区域DA的端部的气体可以移动到发射层500和堤部400的上侧。

在图12的实施方式中，在虚拟区域DA中设置气体吸收层450，从而吸收移动到虚拟区域DA中的堤部400和发射层500的上侧的气体。特别是，第二容纳凹槽402形成在虚拟区域DA中设置的堤部400中，并且在第二容纳凹槽402中形成气体吸收层460。

按照与上述第一容纳凹槽401相同的方式，第二容纳凹槽402可以穿透设置在虚拟区域DA中的堤部400。然而，第二容纳凹槽402可以不穿透设置在虚拟区域DA中的堤部400。

图13是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的平面图，该平面图示出了图12的电致发光显示设备的平面结构。

如图13所示，在第一基板100上设置有效显示区域AA，并且在有效显示区域AA的外周设置虚拟区域DA。

有效显示区域AA的结构与图11中所示的有效显示区域AA的结构相同，据此将省略对有效显示区域AA的详细描述。

虚拟区域DA设有不发光的多个虚拟像素D，并且堤部400沿着所述多个虚拟像素D之间的边界线形成为矩阵构造。

形成在虚拟区域DA中的堤部400在相邻虚拟像素D之间的边界线中设有第二容纳凹槽402，并且气体吸收层460设置在第二容纳凹槽402中。第二容纳凹槽402和气体吸收层460可以沿着整个虚拟区域DA上的多个虚拟像素D之间的边界线形成为矩阵构造，但不必一定如此。为了提高平整层270中产生的气体的吸收率，优选地，第二容纳凹槽402和气体吸收层460沿着多个虚拟像素D之间的整个边界线形成为矩阵构造。

图14是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的截面图。图14的电致发光显示设备与图3的电致发光显示设备在结构上不同，这是因为图14的电致发光显示设备设有附加辅助电极350。以下，将在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同的部件，并且在下文中将只详细描述不同的结构。

如图14所示，根据本公开的另一实施方式，在电路器件层200的平整层270上形成辅助电极350。

辅助电极350被设置为距离第一电极预定间隔。辅助电极350和第一电极300可以用相同的材料形成，并且可以用相同的过程制造。

设置辅助电极350是为了降低第二电极600的电阻。在顶部发射型电致发光显示设备的情况下，第二电极600可以由透明导电材料形成。然而，透明导电材料的不利之处在于，它的电阻大。因此，透明导电材料的第二电极600与辅助电极350连接，并且辅助电极350由导电性良好的材料形成，以由此减小第二电极600的电阻。

为了将辅助电极350与第二电极600连接，在堤部400中设置接触孔403。因此，辅助电极350经由接触孔403暴露。在这种情况下，堤部400可以设置为覆盖辅助电极350的两端。如上文在图7中所述，如果堤部400包括第一堤部410和第二堤部420，则在第一堤部410和第二堤部420的每一个中都设置接触孔403，并且经由接触孔403暴露辅助电极350。因此，第二电极600经由在堤部400中制备的接触孔403与辅助电极350连接。

另外，尽管未示出，但是辅助电极350可以应用于电致发光显示设备的各种实施方式。

图15是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的平面图，该平面图示出了图4中所示的电致发光显示设备的平面结构。

如图15所示，多个第一像素P1、多个第二像素P2和多个第三像素P3设置在第一基板100上，并且堤部400沿着多个像素P1、P2、P3之间的边界线设置成矩阵构造。

在堤部400中设置第一容纳凹槽401和接触孔403。

由于第一容纳凹槽401和接触孔403彼此不交叠，因此可以防止设置在第一容纳凹槽401中的光吸收层450形成在接触孔403中。如果光吸收层450形成在接触孔403中，则可能导致与辅助电极350和第二电极600之间的电连接有关的问题。

第一容纳凹槽401和接触孔403设置在相邻像素列C1、C2、C3之间的边界线中。特别地，第一容纳凹槽401面对沿水平方向相邻的像素P1、P2、P3之间的边界线中的像素P1、P2、P3，接触孔403设置在面向对角线方向的像素P1、P2、P3之间的边界线中。

第一容纳凹槽401和接触孔403设置在相邻像素列C1、C2、C3之间的边界线中的直线上。第一容纳凹槽401形成为不连续的直线结构。因此，在相邻像素列C1、C2、C3之间的边界线上交替设置多个第一容纳凹槽401和多个接触孔403。也就是说，第一容纳凹槽401具有以固定间隔设置的多个直线结构，接触孔403位于以固定间隔设置的多个直线结构401中的每一个之间。

因而，形成在第一容纳凹槽401中的光吸收层450设有以固定间隔设置的多个直线结构，接触孔403位于以固定间隔设置的多个直线结构450中的每一个之间。

图16是示出了根据本公开的另一实施方式的电致发光显示设备的平面图。除了接触孔403的位置以及第一容纳凹槽401和光吸收层450的结构外，图16的电致发光显示设备在结构上与图15的电致发光显示设备相同。下面，只对不同的结构进行详细描述如下。

如图16所示，第一容纳凹槽401和光吸收层450沿着相邻像素列C1、C2、C3之间的边界线设置为连续的直线结构。

接触孔403位于连续直线结构外，同时与形成为连续直线结构的第一容纳凹槽401和光吸收层405不交叠。特别地，接触孔403可以位于相邻像素列C1、C2、C3之间的边界线外。

根据本公开，在堤部中形成第一容纳凹槽，并且在第一容纳凹槽中形成光吸收层，从而使得外部光在光吸收层中被吸收，以由此防止相邻像素之间的颜色干扰和模糊现象。

本领域技术人员将清楚，上述本公开不受上述实施方式和附图的限制，并且可以在不脱离本公开范围的情况下对本公开进行各种替换、修改和改变。因此，本公开的范围由所附权利要求限定。从本公开的含义、范围和同等概念衍生的所有变化或修改都意在落入所附权利要求的范围内。

可以组合上述各种实施方式以提供另外的实施方式。如果有必要，可以修改这些实施方式的各个方面，以使用各种专利、应用和公告的概念来提供更进一步的实施方式。

可以根据上述详细描述对实施方式进行这些和其他改变。一般而言，在以下权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求局限于说明书中公开的特定实施方式，而应被解释为包括此类权利要求有权享有的全部范围。

以下列表提供了本公开的各个方面，并形成说明书的一部分。

这些方面可以以超过所明确阐述的任何相容的组合进行组合。这些方面还可以与这里描述的任何相容特征进行组合：

方面1.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：

基板；

第一电极，所述第一电极设置在所述基板上；

堤部，所述堤部被构造成覆盖所述第一电极的端部并限定发射区域，并且设有第一容纳凹槽；

发射层，所述发射层在由所述堤部限定的发射区域中设置在所述第一电极上；

光吸收层，所述光吸收层设置在所述堤部的第一容纳凹槽中；以及

第二电极，所述第二电极设置在所述发射层上。

方面2.根据方面1所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备进一步包括面对所述发射层的滤色器。

方面3.根据方面1所述的电致发光显示设备，其中，在所述堤部的所述第一容纳凹槽中附加地设置气体吸收层，并且所述气体吸收层设置在所述光吸收层的下表面和上表面中的至少一个中。

方面4.根据方面1所述的电致发光显示设备，其中，所述第一容纳凹槽从所述堤部的上端设置到所述堤部的下端，从而穿透所述堤部，使得所述光吸收层的下表面与设置在所述堤部下方的平整层接触。

方面5.根据方面1所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部的一些区域具有第一高度，并且所述第一容纳凹槽具有比所述第一高度低的第一深度。

方面6.根据方面5所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部的设有所述第一容纳凹槽的其余区域具有低于所述第一高度的第二高度，并且所述光吸收层的下表面与所述堤部的其余区域接触。

方面7.根据方面1所述的电致发光显示设备，其中，所述发射层的上端在所述发射区域的中心中的高度低于所述发射层的上端在所述发射区域的端部处的高度，并且其中所述堤部包括第一堤部和设置在所述第一堤部上的第二堤部，其中所述第二堤部相比于比所述第一堤部具有相对较小的宽度，并且相比于所述第一堤部具有相对较大的厚度。

方面8.根据方面1所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备进一步包括与所述第二电极电连接并且也设置在所述堤部下方的辅助电极，

其中，所述堤部包括用于暴露所述辅助电极的接触孔，并且所述第二电极经由所述接触孔与所述附装电极连接；并且

所述第一容纳凹槽和所述接触彼此不交叠。

方面9.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：

基板，所述基板包括有效显示区域和在所述有效显示区域的外周制备的虚拟区域；

堤部，所述堤部布置在所述基板的所述有效显示区域和所述虚拟区域上并且被构造成限定发射区域，并且设有第一容纳凹槽；

发射层，所述发射层设置在由所述堤部限定的发射区域中的；以及

光吸收层，所述光吸收层设置在所述堤部的第一容纳凹槽中，

其中，所述堤部的设置在所述有效显示区域中的图案不同于所述堤部的设置在所述虚拟区域中的图案。

方面10.根据方面9所述的电致发光显示设备，其中，所述第一容纳凹槽设置在所述有效显示区域中，但是没有设置在所述虚拟区域中。

方面11.根据方面9所述的电致发光显示设备，其中，在形成在所述虚拟区域中的堤部中设置第二容纳凹槽，并且在所述第二容纳凹槽中设置气体吸收层。

方面12.根据方面9所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备进一步包括面对所述有效显示区域的发射层的滤色器。

方面13.根据方面9所述的电致发光显示设备，其中，在所述堤部的第一容纳凹槽中附加地设置气体吸收层，并且所述气体吸收层设置在所述光吸收层的上表面和下表面中的至少一个中。

方面14.根据方面9所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备进一步包括：

第二电极，所述第二电极设置在所述发射层上；和

辅助电极，所述辅助电极与所述第二电极电连接并设置在所述堤部下方，

其中，所述堤部包括用于暴露所述辅助电极的接触孔，并且所述第二电极经由所述接触孔与所述辅助电极连接；并且

所述第一容纳凹槽和所述接触孔彼此不交叠。

方面15.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：

基板，所述基板包括有效显示区域以及在所述有效显示区域的外周制备的虚拟区域；

多个像素，所述多个像素设置在所述有效显示区域中；

多个虚拟像素，所述多个虚拟像素设置在所述虚拟区域中；以及

堤部，所述堤部在所述多个像素中的每个像素之间以及所述多个虚拟像素中的每个虚拟像素之间的边界处制备；

其中，所述堤部包括设置在所述多个像素当中的发出不同颜色光的像素的边界线中的第一容纳凹槽；并且

在所述第一容纳凹槽中设置光吸收层。

方面16.根据方面15所述的电致发光显示设备，其中，在所述多个像素当中的发出相同颜色光的像素之间的边界线中不设置所述第一容纳凹槽。

方面17.根据方面15所述的电致发光显示设备，其中，所述多个像素包括用于发射第一颜色光的多个第一像素和用于发射第二颜色光的多个第二像素，

其中，所述第一容纳凹槽和所述光吸收层被设置成包括沿着所述多个第一像素之间和所述多个第二像素之间的边界线在第一方向上延伸的第一连续直线结构。

方面18.根据方面17所述的电致发光显示设备，其中，所述多个像素包括用于发射第三颜色光的多个第三像素；

所述第一容纳凹槽和所述光吸收层被设置成包括沿着所述多个第一像素之间和所述多个第三像素之间的边界线在第二方向上延伸的第二连续直线结构；并且

所述第二连续直线结构与所述第一连续直线结构连接。

方面19.根据方面15所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部包括设置在所述多个虚拟像素之间的边界线中的第二容纳凹槽；并且

在所述第二容纳凹槽中设置气体吸收层。

方面20.根据方面15所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部包括附加地设置在与所述第一容纳凹槽不交叠的区域中的接触孔，所述第一容纳凹槽设有在所述多个像素中的每个像素之间的边界线中以固定间隔设置的多个直线结构，并且所述接触孔形成在所述多个直线结构中的每个直线结构之间。

方面21.根据方面15所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部包括附加地设置在与所述第一容纳凹槽不交叠的区域中的接触孔，所述第一容纳凹槽在所述多个像素中的每个像素之间的边界线中形成为连续直线结构，并且所述接触孔位于所述连续直线结构外。

Claims (10)

1.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：

基板；

第一电极，所述第一电极设置在所述基板上；

堤部，所述堤部被构造成覆盖所述第一电极的端部并限定发射区域；

发射层，所述发射层在由所述堤部限定的所述发射区域中设置在所述第一电极上；

第二电极，所述第二电极设置在所述发射层上；

其中，所述堤部被构造成吸收光。

2.根据权利要求1所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部设有第一容纳凹槽，并且在所述堤部的所述第一容纳凹槽中设有光吸收层。

3.根据权利要求1或2所述的电致发光显示设备，其中，所述发射区域在所述发射区域的中心处的高度比在所述发射区域的边缘处的高度低。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电致发光显示设备，该电致发光显示设备还包括在所述发射层上方的滤色器。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的电致发光显示设备，其中，在所述堤部的所述第一容纳凹槽中设有气体吸收层，并且所述气体吸收层设置成与所述光吸收层的下表面和上表面中的至少一个接触。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述第一容纳凹槽被设置成穿透所述堤部，使得所述光吸收层的下表面与设置在所述堤部下方的平整层接触。

7.根据权利要求2-6中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述光吸收层在所述中心处的厚度比所述光吸收层在所述边缘处的厚度小。

8.根据权利要求2-7中任一项所述的电致发光显示设备，其中，所述堤部的区域的一部分具有第一高度，并且所述第一容纳凹槽具有小于所述第一高度的第一深度。

9.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：

基板，所述基板包括有效显示区域和设置在所述有效显示区域的外周处的虚拟区域；

多个像素，所述多个像素设置在所述有效显示区域中；

多个虚拟像素，所述多个虚拟像素设置在所述虚拟区域中；以及

堤部，所述堤部设置在所述多个像素中的每个像素之间以及所述多个虚拟像素中的每个虚拟像素之间的边界处；

其中，所述堤部被构造成吸收被构造成发出不同颜色光的像素之间的边界处的光。

10.一种电致发光显示设备，该电致发光显示设备包括：

基板，所述基板包括有效显示区域；

多个第一电极，所述多个第一电极设置在所述基板上；

第一堤部，所述第一堤部被构造成覆盖所述多个第一电极中的两个或更多个；

第二堤部，所述第二堤部布置在所述第一堤部上；

其中，所述第一堤部和所述第二堤部被构造成限定多个发射区域；

其中，每个发射区域具有设置在对应的第一电极上的发射层；并且

其中，所述第二堤部具有位于所述有效显示区域中的线性结构。