CN109860202B - 阵列基板及其制造方法及显示屏 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种阵列基板，包括显示区、以及位于所述显示区外侧的非显示区；所述非显示区包括：外围金属走线层，包括若干外围金属走线；应力吸收框，围绕在所述外围金属走线外；所述应力吸收框的底边由位于所述外围金属走线层下方的金属层或非晶硅层构成；所述应力吸收框的盖边由位于所述外围金属走线层上方的金属层构成；所述应力吸收框的侧边由位于构成所述底边的金属层或非晶硅层上方的金属层构成。上述阵列基板，应力吸收框可以吸收非显示区弯折时的弯曲应力，从而防止围绕在应力吸收框内的无机膜层断裂，进而防止外围金属走线断裂。本发明还提供一种阵列基板的制造方法和一种显示屏。

Description

阵列基板及其制造方法及显示屏

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是一种阵列基板及其制造方法及显示屏。

背景技术

显示屏包括显示区(AA区)以及非显示区(非AA区)，为了达到某些功能，会要求非显示区能够弯折。例如为了实现窄边框化，将非显示区弯折到屏体的背面，从而减少边框宽度。

但是，目前的显示屏，在非显示区的弯折过程中，非显示区中的外围金属走线易断裂，从而造成屏体不良。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够有效防止外围金属走线断裂的阵列基板。

一种阵列基板，包括显示区、以及位于所述显示区外侧的非显示区；

所述非显示区包括：

外围金属走线层，包括若干外围金属走线；

应力吸收框，围绕在所述外围金属走线外；所述应力吸收框的底边由位于所述外围金属走线层下方的金属层或非晶硅层构成；所述应力吸收框的盖边由位于所述外围金属走线层上方的金属层构成；所述应力吸收框的侧边由位于构成所述底边的金属层或非晶硅层上方的金属层构成。

上述阵列基板，应力吸收框可以吸收非显示区弯折时的弯曲应力，从而防止围绕在应力吸收框内的无机膜层断裂，进而防止外围金属走线断裂。

在其中一个实施例中，所述应力吸收框的截面呈矩形。

在其中一个实施例中，所述应力吸收框的底边由位于所述外围金属走线层下方的金属层或非晶硅层中至少两层构成；

或所述应力吸收框的盖边由位于所述外围金属走线层上方的至少两层金属层构成；

或所述应力吸收框的侧边包括外侧边和至少一个内侧边，所述外侧边和内侧边均由位于构成所述底边的金属层或非晶硅层上方的金属层构成。

在其中一个实施例中，所述应力吸收框的截面呈目型或横置的目型。

在其中一个实施例中，所述应力吸收框的截面呈回型。

在其中一个实施例中，所述外围金属走线的截面呈框状；所述外围金属走线由至少两层金属层构成。

在其中一个实施例中，所述外围金属走线的截面呈矩形。

在其中一个实施例中，所述外围金属走线包括第一金属走线、第二金属走线和第三金属走线；所述外围金属走线由三层金属层构成；三层金属层分别构成所述外围金属走线的第一金属走线、第二金属走线和第三金属走线。

本发明还提供一种显示屏。

一种显示屏，包括本发明提供的阵列基板。

上述显示屏包括本发明提供的阵列基板，阵列基板的非显示区的结构可以有效防止外围金属走线的断裂，从而能够更好的保证讯号的传递，延长显示屏的使用寿命。

本发明还提供一种阵列基板的制造方法。

一种本发明的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的非显示区的制造方法包括：

S1、形成所述应力吸收框的底边；

S2、在步骤S1之后形成所述外围金属走线层；

S3、在步骤S2之后形成所述应力吸收框的盖边；

Sx、形成所述应力吸收框的侧边；所述应力吸收框的侧边通过挖孔与所述应力吸收框的底边接触连接；

所述步骤Sx在步骤S1之后且在步骤S3之前进行；或所述步骤Sx与步骤 S3同时进行。

通过上述阵列基板的制造方法制得的阵列基板，应力吸收框具有延展性，可以吸收非显示区弯折时的弯曲应力，从而防止围绕在应力吸收框内的无机膜层断裂，进而防止外围金属走线断裂。

附图说明

图1为本发明实施例一的阵列基板的结构示意图。

图2为图1所述阵列基板的非显示区的截面示意图。

图3为本发明实施例二的阵列基板的非显示区的截面示意图。

图4为本发明实施例三的阵列基板的非显示区的截面示意图。

图5为本发明实施例四的阵列基板的非显示区的截面示意图。

图6为本发明实施例五的阵列基板的非显示区的截面示意图。

图7为本发明实施例六的阵列基板的非显示区的截面示意图。

图8为本发明实施例七的阵列基板的非显示区的截面示意图。

图9为本发明实施例八的阵列基板的非显示区的截面示意图。

图10为本发明实施例九的阵列基板的非显示区的截面示意图。

图11为本发明实施例十的阵列基板的非显示区的截面示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1至图2所示，本发明实施例一提供的阵列基板100，包括显示区110、以及位于显示区外侧的非显示区120。

其中，显示区110(即AA区)为阵列基板100中与像素单元对应的区域，在显示区110中设有薄膜晶体管以及电容器等用于驱动像素单元的电子元件。本发明对于显示区110的具体结构没有特殊限制，可以采用本领域技术人员认为合适的各种结构，在此不再赘述。

非显示区120(即非AA区)位于显示区110外侧。当然，非显示区120也存在于显示区110的一个及以上侧边的外侧。

非显示区120包括外围金属走线层以及应力吸收框127。其中，外围金属走线层包括若干外围金属走线125。应力吸收框127围绕在外围金属走线125外，且应力吸收框127与外围金属走线125之间被无机膜层123间隔开。

在阵列基板100中，除了无机膜层之外，还包括金属层以及非晶硅层，可以理解的是，金属层以及非晶硅层均为图案层。金属层具体由依次远离柔性衬底的第一金属层(M1层)、第二金属层(M2层)、第三金属层(M3层)、阳极层组成。

应力吸收框127的底边1271由位于外围金属走线层下方的金属层或非晶硅层构成。应力吸收框127的盖边1275由位于外围金属走线层上方的金属层构成；应力吸收框127的侧边1273由位于构成底边1271的金属层或非晶硅层上方的金属层构成。也就是说，在非显示区先选定一金属层(例如M3层)作为外围金属走线层，则位于其上方的阳极层则可以作为应力吸收框127的盖边，位于下方的M2层、M1层、非晶硅层中的至少一个可以作为应力吸收框127的底边。

需要说明的是，本发明所述的非晶硅为半金属，相较于无机膜层123具有耐弯折的特点。

本实施例中，非显示区120还包括柔性衬底121以及设于柔性衬底121上方的无机膜层123。无机膜层123包括栅绝缘层1231(GI层)、电介质层1233 (CI)以及层间绝缘层1235(ILD层)。

具体的，本实施例中，外围金属走线由位于电介质层1233和层间绝缘层1235 之间的第二金属层构成。

具体的，本实施例中，应力吸收框127的底边1271由位于栅绝缘层1231 和电介质层1233之间的第一金属层构成。应力吸收框127的盖边1275由位于层间绝缘层1235上的第三金属层构成。应力吸收框127的侧边1273由第三金属层构成。具体的，通过在电介质层1233以及层间绝缘层1235上设过孔，第三金属在过孔内沉积形成侧边1273，即侧边1273和盖边1275同时形成，且均由第三金属层构成。第三金属层与第一金属层接触连接，从而形成应力吸收框 127。

应力吸收框127因其具有延展性，可以吸收非显示区120弯折时的弯曲应力，从而防止围绕在应力吸收框127内的无机膜层123断裂，进而防止外围金属走线125断裂。

本实施例中，应力吸收框127的截面呈矩形。结构简单，易加工。

本实施例中，应力吸收框127的侧边1273关于外围金属走线125对称，从而使得应力吸收框127均匀的吸收外围金属走线125周围的无机膜层123的弯曲应力，使得非显示区120弯曲时，外围金属走线125周围的无机膜层123受力均匀，进一步防止无机膜层123断裂，防止外围金属走线125断裂。

在另外的实施例中，应力吸收框的底边由位于外围金属走线层下方的金属层或非晶硅层中至少两层构成；或应力吸收框的盖边由位于外围金属走线层上方的至少两层金属层构成；或应力吸收框的侧边包括外侧边和至少一个内侧边，外侧边和内侧边均由位于构成底边的金属层或非晶硅层上方的金属层构成，从而能够多次吸收外围金属走线周围的无机层的弯曲应力，使得外围金属走线周围的无机层受力更小，更不易断裂，进而外围金属走线也不易断裂。

如图3所示，本发明实施例二提供的阵列基板的非显示区220，应力吸收框 227的侧边包括外侧边2273a和内侧边2273b，从而使得应力吸收框227的截面横置的目型。

应力吸收框227的侧边分别为位于外侧的外侧边2273a和位于内侧的内侧边2273b。具体的，可以通过在外围金属走线225两侧电介质层2233以及层间绝缘层2235上分别设两个过孔，再将第三金属层在过孔内沉积形成。

本实施例中，应力吸收框227的外侧边2273a和内侧边2273b平行，且均垂直于底边2271，便于加工。

非显示区220与非显示区120的其他结构均相同，此处不再赘述。

当然，应力吸收框的截面还可以呈目型。此时，应力吸收框的底边和盖边为双层结构。

如图4所示，本发明实施例三提供的阵列基板的非显示区320，应力吸收框 321的截面呈回型。

本实施例中，应力吸收框327的底边分别为位于外侧的外底边3271a和位于内侧的内底边3271b；侧边分别为位于外侧的外侧边3273a和位于内侧的内侧边3273b；盖边分别为位于外侧的外盖边3275a和位于内侧的内盖边3275b。

具体的，外底边3271a由位于柔性衬底321和栅绝缘层3231之间的非晶硅构成。内底边3271b由位于栅绝缘层3231和电介质层3233之间的第一金属层构成。外侧边3273a和内侧边3273b均由位于层间绝缘层3235和平坦化层328 之间的第三金属层构成。外盖边3275a由位于平坦化层328上的阳极层构成，内盖边3275b由第三金属层构成。外围金属走线325由位于电介质层3233和层间绝缘层3235之间的第二金属层构成。

如图5所示，本发明实施例四提供的阵列基板的非显示区420，应力吸收框 427的底边包括位于外侧的外底边4271a和位于内侧的内底边4271b；侧边包括位于外侧的外侧边4273a和位于内侧的内侧边4273b。

具体的，外底边4271a由位于栅绝缘层4231和电介质层4233之间的第一金属层构成，内底边4271b由位于电介质层4233和层间绝缘层4235之间的第二金属层构成。外侧边4273a和内侧边4273b均由位于层间绝缘层4235和平坦化层428之间的第三金属层构成。盖边4275由位于平坦化层428上的阳极层构成。外围金属走线425由位于层间绝缘层4235和平坦化层428之间的第三金属层构成。

需要说明的是，应力吸收框可以由非晶硅层、第一金属层、第二金属层、第三金属层以及阳极层的至少两种形成即可，不限于上述组合方式。

本发明的实施例一至实施例四提供的外围金属走线均由一层金属层构成，结构简单。然而，外围金属走线的还可以由多层金属层共同构成，以下将具体说明。

如图6所示，本发明实施例五提供的阵列基板的非显示区520，应力吸收框 527的截面呈矩形，外围金属走线525的截面呈框状。

外围金属走线525由至少两层金属层构成。优选的，外围金属走线525的截面呈矩形。

具体的，应力吸收框527的底边由位于柔性衬底521和栅绝缘层5231之间的非晶硅构成。应力吸收框527的侧边5273和盖边5275均由位于层间绝缘层 4235上的第三金属层构成。

具体的，外围金属走线525包括第一金属走线5251和第二金属走线5253。第一金属走线5251由位于电介质层5233和层间绝缘层5235之间的第二金属层构成，第二金属走线5253由位于栅绝缘层5231和电介质层5233之间的第一金属层构成。同样的，通过在电介质层5233上设过孔并在过孔内沉积第二金属层的方式，实现第二金属层和第一金属层的接触连接。

一方面，矩形的外围金属走线525更易变形，因此，在弯曲应力的作用下，外围金属走线525不会因为变形而断裂；另一方面，外围金属走线525为信号的传递提供了两个通路，分别为第一金属走线5251和第二金属走线5253，只要任何一个通路导通，即可完成信号的传递。

当然，使得外围金属走线525呈矩形的方式不限于此，还可以由其他金属层任意组合而成，如图7至图10所示的阵列基板的非显示区的外围金属走线等。

具体的，图7所示，为本发明实施例六提供的阵列基板的非显示区620。应力吸收框627的底边6271由位于栅绝缘层6231和电介质层6233之间的第一金属层构成。侧边6273由位于层间绝缘层6235和平坦化层628之间的第三金属层构成。盖边6275由平坦化层628上的阳极层构成。

外围金属走线625的第一金属走线6251由位于层间绝缘层6235和平坦化层628之间的第三金属层构成。第二金属走线6253由位于电介质层6233和层间绝缘层6235之间的第二金属层构成。

如图8所示，本发明实施例七提供的阵列基板的非显示区720。应力吸收框 727的底边7271由位于柔性衬底721和栅绝缘层7231之间的非晶硅构成。侧边 7273由位于层间绝缘层7235和平坦化层728之间的第三金属层构成。盖边7275 由位于平坦化层728上的阳极层构成。

外围金属走线725的第一金属走线7251由位于层间绝缘层7235和平坦化层728之间的第三金属层构成。第二金属走线7253由位于栅绝缘层7231和电介质层7233之间的第一金属层构成。

如图9所示，本发明实施例八提供的阵列基板的非显示区820。与非显示区 720不同的是，外围金属走线825的构成不同。具体的，第一金属走线8251与第一金属走线7251的构成相同，而第二金属走线8253由位于电介质层8233和层间绝缘层8235之间的第二金属层构成。

如图10所示，本发明实施例九提供的阵列基板的非显示区920。应力吸收框927的外底边9271a由位于柔性衬底921和栅绝缘层9231之间的非晶硅构成。内底边9271b由位于栅绝缘层9231和电介质层9233之间的第一金属层构成。外侧边9273a和内侧边9273b均由位于层间绝缘层9235和平坦化层928之间的第三金属层构成。盖边9275由位于平坦化层928上的阳极层构成。

外围金属走线925与外围金属走线825的构成相同，此处不再赘述。

同样的，在另外的实施例中，外围金属走线还可以由三层金属层构成，三层金属层分别构成外围金属走线的第一金属走线、第二金属走线以及第三金属走线，以形成更多个用以传递信号的通路，或更易形变。具体的，可以通过第一金属走线与第二金属走线接触连接，且/或第一金属走线与第三金属走线接触连接，且/或第二金属走线与第三金属走线接触连接的方式使得外围金属走线呈框状。此处，外围金属走线的顶边或底边为双层结构。

如图11所示，为本发明实施例十提供的阵列基板的非显示区1020。其中，应力吸收框的构成与应力吸收框727相同。外围金属走线1025包括第一金属走线10251、第二金属走线10253以及第三金属走线10255，三层金属层分别构成外围金属走线的第一金属走线10251、第二金属走线10253以及第三金属走线 10255。

具体的，第一金属走线10251由位于层间绝缘层10235和平坦化层1028之间的第三金属层构成；第二金属走线10253由位于电介质层10233和层间绝缘层10235之间的第二金属层构成；第三金属走线10255由位于栅绝缘层10231 和电介质层10233之间的第一金属层构成。同样的，通过在无机膜层1023上设过孔并在孔内沉积第二金属层、第三金属层的方式，实现第二金属层和第三金属层分别与第一金属层的接触连接。

另外的实施例中，也可以通过在无机膜层上设过孔并在孔内沉积第三金属层的方式，实现第三金属层与第一金属层接触连接，第三金属层与第二金属层接触连接。

需要说明的是，外围金属走线的截面不限于矩形。还可以呈其它规则或不规则的形状，如呈横置的目型等，以形成更多个用以传递信号的通路，或更易形变。

需要说明的是，外围金属走线可以由第一金属层、第二金属层以及第三金属层的至少一种形成即可，不限于上述组合方式。

本发明提供一种显示屏，包括本发明提供的阵列基板。

需要说明的是，显示屏除了阵列基板，还包括其它器件，其它器件的具体结构以及器件之间的连接关系均可以采用本领域技术人员所公知的结构，此处不再赘述。

本发明提供的阵列基板的非显示区的结构可以有效防止外围金属走线的断裂，从而能够更好的保证讯号的传递，延长显示屏的使用寿命。

本发明提供了一种阵列基板的制造方法。阵列基板的非显示区的制造方法具体的包括如下步骤：

S1、形成应力吸收框的底边；

S2、在步骤S1之后形成外围金属走线层；

S3、在步骤S2之后形成应力吸收框的盖边；

Sx、形成应力吸收框的侧边；应力吸收框的侧边通过挖孔与应力吸收框的底边接触连接；

步骤Sx在步骤S1之后且在步骤S3之前进行；或步骤Sx与步骤S3同时进行。

以下以实施例一为例，具体说明阵列基板的非显示区的制造方法，具体包括如下步骤：

S11、在柔性衬底121上沉积栅绝缘层1231；

S12、在栅绝缘层1231上沉积/刻蚀第一金属层，以形成应力吸收框127的底边1271；

S13、在第一金属层上沉积电介质层1233；

S14、在电介质层1233上沉积/刻蚀第二金属层，以形成外围金属走线125；

其中，外围金属走线125的宽度小于应力吸收框127的底边1271的宽度。

S15、在第二金属层上沉积层间绝缘层1235；

S16、在电介质层1233和层间绝缘层1235上刻蚀挖孔129至应力吸收框127 的底边1271；

S17、在层间绝缘层1235上沉积/刻蚀第三金属层，以形成应力吸收框127 的侧边1273和盖边1275，侧边1273与底板1271接触相连。

需要说明的是，阵列基板包括显示区和非显示区，显示区的制造方法可采用本领域技术人员所公知的制造方法，此处不再赘述。

通过上述阵列基板的制造方法制得的阵列基板，应力吸收框具有延展性，可以吸收非显示区弯折时的弯曲应力，从而防止围绕在应力吸收框内的无机膜层断裂，进而防止外围金属走线断裂。

上述阵列基板，应力吸收框可以吸收非显示区弯折时的弯曲应力，从而防止围绕在应力吸收框内的无机膜层断裂，进而防止外围金属走线断裂。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区、以及位于所述显示区外侧的非显示区；

所述非显示区包括：

外围金属走线层，包括若干外围金属走线；

应力吸收框，围绕在所述外围金属走线外；所述应力吸收框的底边由位于所述外围金属走线层下方的金属层或非晶硅层构成；所述应力吸收框的盖边由位于所述外围金属走线层上方的金属层构成；所述应力吸收框的侧边由位于构成所述底边的金属层或非晶硅层上方的金属层构成；

无机膜层，所述无机膜层间隔开所述外围金属走线和所述应力吸收框。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述应力吸收框的截面呈矩形。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述应力吸收框的底边由位于所述外围金属走线层下方的金属层或非晶硅层中至少两层构成；

或所述应力吸收框的盖边由位于所述外围金属走线层上方的至少两层金属层构成；

或所述应力吸收框的侧边包括外侧边和至少一个内侧边，所述外侧边和内侧边均由位于构成所述底边的金属层或非晶硅层上方的金属层构成。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述应力吸收框的截面呈目型或横置的目型。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述应力吸收框的截面呈回型。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述外围金属走线的截面呈框状；所述外围金属走线由至少两层金属层构成。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述外围金属走线的截面呈矩形。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述外围金属走线包括第一金属走线、第二金属走线和第三金属走线；所述外围金属走线由三层金属层构成；三层金属层分别构成所述外围金属走线的第一金属走线、第二金属走线和第三金属走线。

9.一种显示屏，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的阵列基板。

10.一种权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的非显示区的制造方法包括：

S1、形成所述应力吸收框的底边；

S2、在步骤S1之后形成所述外围金属走线层；

S3、在步骤S2之后形成所述应力吸收框的盖边；

Sx、形成所述应力吸收框的侧边；所述应力吸收框的侧边通过挖孔与所述应力吸收框的底边接触连接；

所述步骤Sx在步骤S1之后且在步骤S3之前进行；或所述步骤Sx与步骤S3同时进行。

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