CN109818487A - H桥电路及具有其的神经肌肉电刺激装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种H桥电路及具有其的神经肌肉电刺激装置，H桥电路包括：第一、第二、第三和第四控制模块、H桥控制单元、控制信号端和供电电源，控制信号端能够向第一、第二、第三和第四控制模块发送控制信号；H桥控制单元包括上臂左桥、上臂右桥、下臂左桥和下臂右桥；第一、第二、第三和第四控制模块分别连接到上臂左桥、上臂右桥、下臂左桥和下臂右桥；控制信号端接收到的电平小于第一预设电平值时，同时接通上臂右桥和下臂左桥，其中，第一预设电平值小于零；大于第二预设电平值时，同时接通上臂左桥和下臂右桥，其中，第二预设电平值大于零。在该H桥电路中，控制信号的电压的正负能够改变电流方向、电压大小能够控制电流大小。

Description

H桥电路及具有其的神经肌肉电刺激装置

技术领域

本发明涉及电气技术领域，尤其涉及一种H桥电路及具有其的神经肌肉电刺激装置。

背景技术

H桥电路是电气工程中的一种常用的电路结构，其通常结构如图1所示，其中，上臂左桥Q’1、下臂右桥Q’4为一组，上臂右桥Q’2、下臂左桥Q’3为一组，这两组状态互补，即当一组导通时，另一组必须关断，即：(1)当上臂左桥Q’1与下臂右桥Q’4导通时，负载的电流从电源HD’流出，并经连接点A’流向连接点B’；(2)反之，当上臂右桥Q’2与下臂左桥Q’3导通时，负载的电流从电源HD’流出经连接点B’流向连接点A’，从而完成输入负载的电流的方向的切换。可以理解的是，这需要四组控制信号(即需要分别给上臂左桥Q’1、上臂右桥Q’2、下臂左桥Q’3和下臂右桥Q’4各一组控制信号)，从而不便于使用。

因此，如何设计一种需要的控制信号少的H桥电路，就成为一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种H桥电路及具有其的神经肌肉电刺激装置。

为了实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供了一种H桥电路，包括：第一控制模块、第二控制模块、第三控制模块、第四控制模块、H桥控制单元、控制信号端和供电电源，所述控制信号端能够向第一、第二、第三和第四控制模块发送控制信号；所述H桥控制单元包括处于高端的上臂左桥和上臂右桥、以及处于低端的下臂左桥和下臂右桥，所述供电电源连接到H桥控制单元的高端；第一控制模块连接到上臂左桥，第二控制模块连接到上臂右桥，第三控制模块连接到下臂左桥，第四控制模块连接到下臂右桥；所述控制信号端接收到的电平小于第一预设电平值时，第二和第三控制模块能够在同一时刻接通上臂右桥和下臂左桥，第一和第四控制模块能够同时断开上臂左桥和下臂右桥，其中，第一预设电平值小于零；所述控制信号端接收到的电平大于第二预设电平值时，第一、和第四控制模块能够在同一时刻接通上臂左桥和下臂右桥，第二和第三控制模块能够同时断开上臂右桥和下臂左桥，其中，第二预设电平值大于零。

作为本发明一实施方式的进一步改进，第一控制模块包括：第一比较器和第一分压电路，第一分压电路分别连接到第一比较器的输出端、供电电源和上臂左桥；第一比较器的负输入端所输入的电压值为第二预设电平值、正输入端连接到控制信号端，当控制信号端所输入的电压值大于第二预设值时，第一比较器的输出端输出高电平，否则输出低电平；第一分压电路在接收到高电平时，导通所述上臂左桥，接收到低电平时，断开上臂左桥。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述上臂左桥为PMOS管，所述PMOS管的源极连接到供电电源、漏极连接到下臂左桥；第一分压电路包括：第一NPN三极管、第一分压电阻、第二限流电阻和第三分压电阻，第一分压电阻的一端连接到供电电源、另一端连接到第二限流电阻，第二限流电阻的另一端连接到PMOS管的栅极；第一NPN三极管的基极通过第一限流电阻连接到第一比较器的输出端、发射极接地且集电极通过第三分压电阻连接到第一分压电阻和第二限流电阻的连接处。

作为本发明一实施方式的进一步改进，第二控制模块包括：第二比较器和第二分压电路，第二分压电路分别连接到第二比较器的输出端、供电电源和上臂右桥；第二比较器的正输入端所输入的电压值为第一预设电平值、负输入端连接到控制信号端，当控制信号端所输入的电压值大于第一预设值时，第一比较器的输出端输出低电平、否则输出高电平；第二分压电路在接收到高电平时，导通所述上臂右桥，否则断开上臂右桥。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述上臂右桥为PMOS管，所述PMOS管的源极连接到供电电源、漏极连接到下臂右桥；第二分压电路包括：第二NPN三极管、第四分压电阻、第五限流电阻和第六分压电阻，第四分压电阻的一端连接到供电电源、另一端连接到第五限流电阻，第五限流电阻的另一端连接到PMOS管的栅极；第二NPN三极管的基极通过第三限流电阻连接到第二比较器的输出端、发射极接地且集电极通过第六分压电阻连接到第四分压电阻和第五限流电阻的连接处。

作为本发明一实施方式的进一步改进，第三控制模块包括：反向放大器；所述下臂左桥为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂左桥、源极接地；所述反向放大器的输入端连接到控制信号端、输出端连接到所述NMOS管的栅极。

作为本发明一实施方式的进一步改进，第三控制模块包括：反向放大器、第一运算放大器、第七限流电阻和第八反馈电阻；所述下臂左桥为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂左桥、源极通过第九电流采样电阻接地；所述反向放大器的输入端连接到控制信号端、输出端连接到第一运算放大器的正输入端；第一运算放大器的输出端通过第七限流电阻连接到NMOS管的栅极、负输入端通过第八反馈电阻连接到NMOS管的源极。

作为本发明一实施方式的进一步改进，第四控制模块包括：电压跟随器；所述下臂右桥为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂右桥、源极接地；所述电压跟随器的输入端连接到控制信号端、输出端连接到所述NMOS管的栅极。

作为本发明一实施方式的进一步改进，第四控制模块包括：电压跟随器、第三运算放大器、第十限流电阻和第十一反馈电阻；所述下臂右桥为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂右桥、源极通过第十二电流采样电阻接地；所述电压跟随器的输入端连接到控制信号端、输出端连接到第三运算放大器的正输入端；第三运算放大器的输出端通过第十限流电阻连接到NMOS管的栅极、负输入端通过第十一反馈电阻连接到NMOS管的源极。

本发明实施例还提供了一种神经肌肉电刺激装置，其中：所述神经肌肉电刺激装置包含上述的H桥电路和两个电极，其中，一个电极电连接到所述H桥电路中上臂左桥和下臂左桥的连接处，另一个电极电连接到所述H桥电路中的上臂右桥和下臂右桥的连接处。

相对于现有技术，本发明的技术效果在于：在现有技术的H桥，通常需要四个控制信号来分别控制上臂左桥、上臂右桥，下臂左桥和下臂右桥的通断，而在本发明实施例中的H桥电路中，只需要一个信号，就能够控制上臂左桥、上臂右桥，下臂左桥和下臂右桥的通断，并该信号的电压的大小与该H桥电路所输出的电路大小呈正比。

附图说明

图1是现有技术中的H桥电路的电路图；

图2是本发明实施例中的H桥电路的第一电路图；

图3是本发明实施例中的H桥电路的第二电路图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。

本文使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“之下”的单元将位于其他单元或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括上方和下方这两种方位。设备可以以其他方式被定向(旋转90度或其他朝向)，并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。

并且，应当理解的是尽管术语第一、第二等在本文中可以被用于描述各种元件或结构，但是这些被描述对象不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将这些描述对象彼此区分开。例如，第一电阻可以被称为第二电阻，并且类似地第二电阻也可以被称为第一电阻，这并不背离本申请的保护范围。

这里，在本发明中，高电平和低电平是两个相对的词，即高电平的电压大于低电平的电压，可选的，高电平的电压大于零，低电平的电压等于零。

本发明实施例一提供了一种H桥电路，如图2所示，包括：

第一控制模块1、第二控制模块2、第三控制模块3、第四控制模块4、H桥控制单元5、控制信号端Vin和供电电源HD，所述控制信号端Vin能够向第一、第二、第三和第四控制模块发送控制信号；所述H桥控制单元5包括处于高端的上臂左桥51和上臂右桥52、以及处于低端的下臂左桥53和下臂右桥54，所述供电电源HD连接到H桥控制单元5的高端；第一控制模块1连接到上臂左桥51，第二控制模块2连接到上臂右桥52，第三控制模块3连接到下臂左桥53，第四控制模块4连接到下臂右桥54；

所述控制信号端Vin接收到的电平小于第一预设电平值时，第二和第三控制模块能够在同一时刻接通上臂右桥52和下臂左桥53，第一和第四控制模块能够同时断开上臂左桥51和下臂右桥54，其中，第一预设电平值小于零；

所述控制信号端Vin接收到的电平大于第二预设电平值时，第一、和第四控制模块能够在同一时刻接通上臂左桥51和下臂右桥54，第二和第三控制模块能够同时断开上臂右桥52和下臂左桥53，其中，第二预设电平值大于零。

这里，如图2所示，在上臂左桥51和下臂左桥53之间设置有连接点A，在上臂右桥52和下臂右桥54之间设置有连接点B，在实际使用时，可以在连接点A与B之间设置负载7。

这里，该H桥电路只有一个控制信号端Vin，当向该控制信号端Vin输入的电平小于第一预设电平值时，上臂右桥52和下臂左桥53接通，因此，负载7上的电流的方向为从上臂右桥52流经连接点B，流向负载7、经过连接点A再流向下臂左桥53；当输入的电平大于第二预设电平值时，上臂左桥51和下臂右桥54接通，因此，负载7上的电流的方向为从上臂左桥51经过连接点A，流向负载7、经过连接点B再流向下臂右桥54。从而只需要改变输入电压的正负，就能够改变该H桥电路的电流流向。

优选的，如图3所述，第一控制模块1包括：

第一比较器CP1和第一分压电路12，第一分压电路12分别连接到第一比较器CP1的输出端、供电电源HD和上臂左桥51；

第一比较器CP1的负输入端所输入的电压值为第二预设电平值、正输入端连接到控制信号端Vin，当控制信号端Vin所输入的电压值大于第二预设值时，第一比较器CP1的输出端输出高电平，否则输出低电平；第一分压电路12在接收到高电平时，导通所述上臂左桥51，接收到低电平时，断开上臂左桥51。

这里，可选的，高电平的电压大于零，低电平的电压等于零。

如图3所示，在第一控制模块1中还可以包括电阻R16和电阻R17，电阻R16的一端连接到电压为+Vcc的电压源、另一端连接电阻R17，电阻R17的另一端接地，第一比较器CP1的负输入端连接到电阻R16和R17的连接处，即+Vcc的电压经过电阻R16和R17的分压之后，输入第一比较器CP1的负输入端，其中，+Vcc>0。

可选的，在控制信号端Vin与第一比较器CP1的正输入端之间串联有电阻R15。

优选的，所述上臂左桥51为PMOS管，所述PMOS管的源极连接到供电电源HD、漏极连接到下臂左桥53；

第一分压电路12包括：第一NPN三极管Q1、第一分压电阻R11、第二限流电阻R12和第三分压电阻R13，第一分压电阻R11的一端连接到供电电源HD、另一端连接到第二限流电阻R12，第二限流电阻R12的另一端连接到PMOS管的栅极；

第一NPN三极管Q1的基极通过第一限流电阻R14连接到第一比较器CP1的输出端、发射极接地且集电极通过第三分压电阻R13连接到第一分压电阻R11和第二限流电阻R12的连接处。

这里，如图3所示，当向控制信号端Vin输入大于第二预设电压值的电压时，第一比较器CP1输出高电平，第一NPN三极管Q1导通，因此，会存在电流从供电电源HD流经第一分压电阻R11，第三分压电阻R13，之后经过第一NPN三极管Q1流入地，可以理解的是，PMOS管的栅极的电压小于源极的电压，因此，该PMOS管导通。

这里，如图3所示，当向控制信号端Vin输入小于第一预设电压值的电压时，第一比较器CP1输出低电平，第一NPN三极管Q1断开，因此，PMOS管的栅极的电压等于源极的电压，因此，该PMOS管断开。

优选的，第二控制模块2包括：第二比较器CP2和第二分压电路22，第二分压电路22分别连接到第二比较器CP2的输出端、供电电源HD和上臂右桥52；第二比较器CP2的正输入端所输入的电压值为第一预设电平值、负输入端连接到控制信号端Vin，当控制信号端Vin所输入的电压值大于第一预设值时，第一比较器CP1的输出端输出低电平、否则输出高电平；第二分压电路22在接收到高电平时，导通所述上臂右桥52，否则断开上臂右桥52。

如图3所示，在第二控制模块2中还可以包括电阻R26和电阻R27，电阻R26的一端连接到电压为-Vcc的电压源、另一端连接电阻R27，电阻R27的另一端接地，第二比较器CP2的正输入端连接到电阻R26和R27的连接处，即-Vcc的电压经过电阻R26和R27的分压之后，输入第二比较器CP2的正输入端，其中，-Vcc<0。

可选的，在控制信号端Vin与第一比较器CP1的正输入端之间串联有电阻R25。

优选的，所述上臂右桥52为PMOS管，所述PMOS管的源极连接到供电电源HD、漏极连接到下臂右桥54；

第二分压电路22包括：第二NPN三极管Q2、第四分压电阻R21、第五限流电阻R22和第六分压电阻R23，第四分压电阻R21的一端连接到供电电源HD、另一端连接到第五限流电阻R22，第五限流电阻R22的另一端连接到PMOS管的栅极；

第二NPN三极管Q2的基极通过第三限流电阻R24连接到第二比较器CP2的输出端、发射极接地且集电极通过第六分压电阻R23连接到第四分压电阻R21和第五限流电阻R22的连接处。

这里，如图3所示，当向控制信号端Vin输入小于第一预设电压值的电压时，第二比较器CP1输出高电平，第二NPN三极管Q2导通，因此，会存在电流从HD流经第四分压电阻R21，第六分压电阻R23，之后经过第二NPN三极管Q2流入地，可以理解的是，PMOS管的栅极的电压小于源极的电压，因此，该PMOS管导通。

这里，如图3所示，当向控制信号端Vin输入大于第二预设电压值的电压时，第二比较器CP2输出低电平，第二NPN三极管Q2断开，因此，PMOS管的栅极的电压等于源极的电压，因此，该PMOS管断开。

优选的，第三控制模块3包括：反向放大器31；

所述下臂左桥53为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂左桥51、源极接地；所述反向放大器31的输入端连接到控制信号端Vin、输出端连接到所述NMOS管的栅极。

这里，如图3所示，反向放大器31包括：电阻R34、电阻R35、电阻R36和第二运算放大器OP2，电阻R35的一端连接到控制信号端Vin，另一端连接到第二运算放大器OP2的负输入端，第二运算放大器OP2的正输入端通过电阻R36接地，第二运算放大器OP2的输出端和负输入端通过电阻R34连接，第二运算放大器OP2的输出端即为该反向放大器31的输出端。可以理解的是，该反向放大器31的反向放大倍数＝-R34/R35。

这里，如图3所示，当向控制信号端Vin输入小于第一预设电压值的电压时，经过反向放大器31之后，输出大于零的电压值，该电压值大于NMOS管的源极电压，因此，NMOS管导通。

这里，如图3所示，当向控制信号端Vin输入大于第二预设电压值的电压时，经过反向放大器31之后，输出小于零的电压值，该电压值小于NMOS管的源极电压，因此，NMOS管断开。

优选的，第三控制模块3包括：反向放大器31、第一运算放大器OP1、第七限流电阻R31和第八反馈电阻R32；所述下臂左桥53为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂左桥51、源极通过第九电流采样电阻R55接地；所述反向放大器31的输入端连接到控制信号端Vin、输出端连接到第一运算放大器OP1的正输入端；第一运算放大器OP1的输出端通过第七限流电阻R31连接到NMOS管的栅极、负输入端通过第八反馈电阻R32连接到NMOS管的源极。

可选的，反向放大器31的输出端通过电阻R33连接到第一运算放大器OP1的正输入端。

这里，如图3所示，当向控制信号端Vin输入小于第一预设电压值的电压时，经过反向放大器31之后，输出大于零的电压值V+，经过电阻R33，输入第一运算放大器OP1的正输入端，第一运算放大器OP1输出相应幅值的正电压，经过第七限流电阻R31，该NMOS管的栅极的电压Vg大于源极电压Vs，且栅极源极之间的电压差Vgs大于阀值电压，从而该NMOS管导通。依据运算放大器的特性，第一运算放大器OP1的正输入端的电压为V+、负输入端的电压为V-，且V+＝V-，该NMOS管的源极电压Vs＝源极电流Is×R55＝V-＝V+，即第一运算放大器OP1与该NMOS管构成了一个由输入电压V+决定NMOS管上导通电流大小的恒流源，又由于此时上臂右桥52处于导通状态，因此上臂右桥52，负载7，下臂左桥53形成了一个通路，通路上电流I负载为该NMOS管的源极电流Is。

综上所述，当R34＝R35时，

优选的，第四控制模块4包括：电压跟随器41；

所述下臂右桥54为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂右桥52、源极接地；

所述电压跟随器41的输入端连接到控制信号端Vin、输出端连接到所述NMOS管的栅极。

这里，如图3所示，电压跟随器41包括：电阻R44和第四运算放大器OP4，第四运算放大器OP4的正输入端与输出端之间通过电阻R44连接，第四运算放大器OP4的负输入端与输出端之间通过导线连接。

这里，如图3所示，当向控制信号端Vin输入小于第一预设电压值的电压时，经过电压跟随器41之后，输出低电平，该电压值小于NMOS管的源极电压，因此，NMOS管断开。

这里，如图3所示，当向控制信号端Vin输入大于第二预设电压值的电压时，经过反向放大器31之后，输出高电平，该电压值大于NMOS管的源极电压，因此，NMOS管导通。

优选的，第四控制模块4包括：电压跟随器41、第三运算放大器OP3、第十限流电阻R41和第十一反馈电阻R42；

所述下臂右桥54为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂右桥52、源极通过第十二电流采样电阻R56接地；

所述电压跟随器41的输入端连接到控制信号端Vin、输出端连接到第三运算放大器OP3的正输入端；

第三运算放大器OP3的输出端通过第十限流电阻R41连接到NMOS管的栅极、负输入端通过第十一反馈电阻R42连接到NMOS管的源极。

这里，如图3所示，当向控制信号端Vin输入大于第二预设电压值的电压时，经过电压跟随器41之后，输出大于零的电压值V’+，经过电阻R43，输入值第三运算放大器OP3的正输入端，第三运算放大器OP3输出相应幅值的正电压，经过第十限流电阻R41，该NMOS管的栅极的电压Vg大于源极电压Vs，且栅极源极之间的电压差Vgs大于阀值电压，从而该NMOS管导通。依据运算放大器的特性，第三运算放大器OP3的正输入端的电压为V’+、负输入端的电压为V’-，且V’+＝V’-，该NMOS管的源极电源Vs＝源极电流Is×R56＝V’-＝V’+，即第三运算放大器OP3与该NMOS管构成了一个由输入电压V’+决定NMOS管上导通电流的恒流源，又由于此时上臂左桥51处于导通状态，因此上臂左桥51，负载，下臂右桥54形成了一个通路，通路上电流I负载为该NMOS管的源极电流Is。

综上所述，

本发明实施例二提供了一种神经肌肉电刺激装置，其中：所述神经肌肉电刺激装置包含实施例一中的H桥电路和两个电极，其中，一个电极电连接到所述H桥电路中上臂左桥51和下臂左桥53的连接处，另一个电极电连接到所述H桥电路中的上臂右桥52和下臂右桥54的连接处。

应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种H桥电路，其特征在于，包括：

第一控制模块(1)、第二控制模块(2)、第三控制模块(3)、第四控制模块(4)、H桥控制单元(5)、控制信号端(Vin)和供电电源(HD)，所述控制信号端(Vin)能够向第一、第二、第三和第四控制模块发送控制信号；所述H桥控制单元(5)包括处于高端的上臂左桥(51)和上臂右桥(52)、以及处于低端的下臂左桥(53)和下臂右桥(54)，所述供电电源(HD)连接到H桥控制单元(5)的高端；第一控制模块(1)连接到上臂左桥(51)，第二控制模块(2)连接到上臂右桥(52)，第三控制模块(3)连接到下臂左桥(53)，第四控制模块(4)连接到下臂右桥(54)；

所述控制信号端(Vin)接收到的电平小于第一预设电平值时，第二和第三控制模块能够在同一时刻接通上臂右桥(52)和下臂左桥(53)，第一和第四控制模块能够同时断开上臂左桥(51)和下臂右桥(54)，其中，第一预设电平值小于零；

所述控制信号端(Vin)接收到的电平大于第二预设电平值时，第一、和第四控制模块能够在同一时刻接通上臂左桥(51)和下臂右桥(54)，第二和第三控制模块能够同时断开上臂右桥(52)和下臂左桥(53)，其中，第二预设电平值大于零。

2.根据权利要求1所述的H桥电路，其特征在于，第一控制模块(1)包括：

第一比较器(CP1)和第一分压电路(12)，第一分压电路(12)分别连接到第一比较器(CP1)的输出端、供电电源(HD)和上臂左桥(51)；

第一比较器(CP1)的负输入端所输入的电压值为第二预设电平值、正输入端连接到控制信号端(Vin)，当控制信号端(Vin)所输入的电压值大于第二预设值时，第一比较器(CP1)的输出端输出高电平，否则输出低电平；第一分压电路(12)在接收到高电平时，导通所述上臂左桥(51)，接收到低电平时，断开上臂左桥(51)。

3.根据权利要求2所述的H桥电路，其特征在于：

所述上臂左桥(51)为PMOS管，所述PMOS管的源极连接到供电电源(HD)、漏极连接到下臂左桥(53)；

第一分压电路(12)包括：第一NPN三极管(Q1)、第一分压电阻(R11)、第二限流电阻(R12)和第三分压电阻(R13)，第一分压电阻(R11)的一端连接到供电电源(HD)、另一端连接到第二限流电阻(R12)，第二限流电阻(R12)的另一端连接到PMOS管的栅极；

第一NPN三极管(Q1)的基极通过第一限流电阻(R14)连接到第一比较器(CP1)的输出端、发射极接地且集电极通过第三分压电阻(R13)连接到第一分压电阻(R11)和第二限流电阻(R12)的连接处。

4.根据权利要求1所述的H桥电路，其特征在于，第二控制模块(2)包括：

第二比较器(CP2)和第二分压电路(22)，第二分压电路(22)分别连接到第二比较器(CP2)的输出端、供电电源(HD)和上臂右桥(52)；

第二比较器(CP2)的正输入端所输入的电压值为第一预设电平值、负输入端连接到控制信号端(Vin)，当控制信号端(Vin)所输入的电压值大于第一预设值时，第一比较器(CP1)的输出端输出低电平、否则输出高电平；

第二分压电路(22)在接收到高电平时，导通所述上臂右桥(52)，否则断开上臂右桥(52)。

5.根据权利要求4所述的H桥电路，其特征在于：

所述上臂右桥(52)为PMOS管，所述PMOS管的源极连接到供电电源(HD)、漏极连接到下臂右桥(54)；

第二分压电路(22)包括：第二NPN三极管(Q2)、第四分压电阻(R21)、第五限流电阻(R22)和第六分压电阻(R23)，第四分压电阻(R21)的一端连接到供电电源(HD)、另一端连接到第五限流电阻(R22)，第五限流电阻(R22)的另一端连接到PMOS管的栅极；

第二NPN三极管(Q2)的基极通过第三限流电阻(R24)连接到第二比较器(CP2)的输出端、发射极接地且集电极通过第六分压电阻(R23)连接到第四分压电阻(R21)和第五限流电阻(R22)的连接处。

6.根据权利要求1所述的H桥电路，其特征在于，

第三控制模块(3)包括：反向放大器(31)；

所述下臂左桥(53)为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂左桥(51)、源极接地；

所述反向放大器(31)的输入端连接到控制信号端(Vin)、输出端连接到所述NMOS管的栅极。

7.根据权利要求1所述的H桥电路，其特征在于：

第三控制模块(3)包括：反向放大器(31)、第一运算放大器(OP1)、第七限流电阻(R31)和第八反馈电阻(R32)；

所述下臂左桥(53)为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂左桥(51)、源极通过第九电流采样电阻(R55)接地；

所述反向放大器(31)的输入端连接到控制信号端(Vin)、输出端连接到第一运算放大器(OP1)的正输入端；

第一运算放大器(OP1)的输出端通过第七限流电阻(R31)连接到NMOS管的栅极、负输入端通过第八反馈电阻(R32)连接到NMOS管的源极。

8.根据权利要求1所述的H桥电路，其特征在于，

第四控制模块(4)包括：电压跟随器(41)；

所述下臂右桥(54)为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂右桥(52)、源极接地；

所述电压跟随器(41)的输入端连接到控制信号端(Vin)、输出端连接到所述NMOS管的栅极。

9.根据权利要求1所述的H桥电路，其特征在于：

第四控制模块(4)包括：电压跟随器(41)、第三运算放大器(OP3)、第十限流电阻(R41)和第十一反馈电阻(R42)；

所述下臂右桥(54)为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接到上臂右桥(52)、源极通过第十二电流采样电阻(R56)接地；

所述电压跟随器(41)的输入端连接到控制信号端(Vin)、输出端连接到第三运算放大器(OP3)的正输入端；

第三运算放大器(OP3)的输出端通过第十限流电阻(R41)连接到NMOS管的栅极、负输入端通过第十一反馈电阻(R42)连接到NMOS管的源极。

10.一种神经肌肉电刺激装置，其特征在于：

所述神经肌肉电刺激装置包含权利要求1-9任一项所述的H桥电路和两个电极，其中，一个电极电连接到所述H桥电路中上臂左桥(51)和下臂左桥(53)的连接处，另一个电极电连接到所述H桥电路中的上臂右桥(52)和下臂右桥(54)的连接处。