CN209517094U - 一种双通道模拟选择电路 - Google Patents

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吴翔龙
陈志军
李梓立
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Abstract

本实用新型公开了一种双通道模拟选择电路,包括:模拟信号量输入端POWER_1、POWER_2,通道选择信号SWITCH,三极管Q1、Q2、Q3,偏置电阻R1、R2、R7,限流电阻R4、R6、R9,调节电阻R3、R5、R8、R10,稳压二极管DZ1,采集芯片的采集端口IO、电容C1;当所述通道选择信号SWITCH为低电平时,采集芯片的采集端口IO分别采集模拟信号量输入端POWER_1的模拟量信号,当所述通道选择信号SWITCH为高电平时,采集芯片的采集端口IO分别采集模拟信号量输入端POWER_2的模拟量信号。本实用新型通过单一的信号位的高低电平对不同的模拟信号进行切换,使单一的IO采集端口采集不同模拟信号,通道切换时信号的稳定性,能够保持信号的处理,本实用新型结构简单,实用性强,响应速度快,稳定可靠。

Description

一种双通道模拟选择电路
技术领域
本实用新型涉及数据采集技术领域,尤其涉及一种通过单一的信号位的高低电平对不同的模拟信号进行切换的双通道模拟选择电路。
背景技术
随着电子产品的日益更新,自动化程度的提高,人工劳动强度将逐渐降低,可编程序控制器的广泛应用及大量的数字量模拟量信号的使用,电子产品要求必须具有极高的可靠性和灵活性,由于检测元件成本降低,检测元件被大量应用于电子产品。但是在MCU的IO口数量有限的情况下,必须采用一个模拟量输入端口实现多点采集,需要在电子产品中设计多路模拟选择的电路。
在现有技术中,大量的扩展MCU的IO口的芯片出现,但是针对性强,不便于实现采集到现有控制系统中,不但每个系统的兼容性不好,设计不够灵活,而且增设了外围电路,存在更多的风险,有的IO口扩展采集模块,造价高,通道数量少,扩展不易实现,在模拟量多的控制场合中应用受到限制。
因此,现有技术需要改进。
实用新型内容
本实用新型实施例所要解决的一个技术问题是:提供一种双通道模拟选择电路,以解决现有技术中存在的问题。本实用新型实施例的双通道模拟选择电路包括:
模拟信号量输入端POWER_1、POWER_2,通道选择信号SWITCH,三极管Q1、Q2、Q3,偏置电阻R1、R2、R7,限流电阻R4、R6、R9,调节电阻R3、R5、R8、R10,稳压二极管DZ1,采集芯片的采集端口IO、电容C1;
所述模拟信号量输入端POWER_1、POWER_2分别与所述三极管Q1、Q2的发射极连接;
所述通道选择信号SWITCH通过限流电阻R4与所述三极管Q2的基极连接,通过限流电阻R6与三极管Q3的基极连接;
所述通道选择信号SWITCH通过偏置电阻R1与模拟信号量输入端POWER_1连接;
所述模拟信号量输入端POWER_2通过偏置电阻R2与所述三极管Q1的基极连接;
所述三极管Q1、Q2的集电极分别连接调节电阻R5、R8并联后,通过连接调节电阻R10接地,通过连接限流电阻R9后连接采集芯片的采集端口IO,通过连接稳压二极管DZ1后接地;
所述三极管Q1的基极通过调节电阻R3与所述三极管Q3的集电极连接;
所述三极管Q3的发射极接地,基极通过偏置电阻R7后接地;
所述采集芯片的采集端口IO通过电容C1接地。
基于本实用新型上述双通道模拟选择电路的另一个实施例中,所述模拟信号量输入端POWER_1、POWER_2分别连接外部模拟信号输出设备,用于接收外部模拟信号输出设备输出的模拟信号量。
基于本实用新型上述双通道模拟选择电路的另一个实施例中,所述通道选择信号SWITCH通过输入高低电平选择模拟量输入通道,当所述通道选择信号SWITCH为低电平时,所述采集芯片的采集端口IO选择模拟信号量输入端POWER_1的输入模拟量信号,当所述通道选择信号SWITCH为高电平时,所述采集芯片的采集端口IO选择模拟信号量输入端POWER_2的输入模拟量信号。
基于本实用新型上述双通道模拟选择电路的另一个实施例中,所述三极管Q1、Q2为PNP三极管,所述三极管Q3为NPN三极管。
与现有技术相比,本实用新型具有如下优点:
本实用新型的双通道模拟选择电路通过单一的信号位的高低电平对不同的模拟信号进行切换,使用单一的IO采集端口采集不同模拟信号,选定的模拟量通道对应通道关系,通道切换时信号的稳定性,能够保持信号的处理,本实用新型结构简单,实用性强,响应速度快,稳定可靠。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所使用的附图做一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型的双通道模拟选择电路的一个实施例的电路图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例只是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
下面结合附图和实施例对本实用新型提供的一种双通道模拟选择电路进行更详细地说明。
图1是本实用新型的双通道模拟选择电路的一个实施例的电路图,如图1所示,该实施例的双通道模拟选择电路包括:
模拟信号量输入端POWER_1、POWER_2,通道选择信号SWITCH,三极管Q1、Q2、Q3,偏置电阻R1、R2、R7,限流电阻R4、R6、R9,调节电阻R3、R5、R8、R10,稳压二极管DZ1,采集芯片的采集端口IO、电容C1;
所述模拟信号量输入端POWER_1、POWER_2分别与所述三极管Q1、Q2的发射极连接;
所述通道选择信号SWITCH通过限流电阻R4与所述三极管Q2的基极连接,通过限流电阻R6与三极管Q3的基极连接;
所述通道选择信号SWITCH通过偏置电阻R1与模拟信号量输入端POWER_1连接;
所述模拟信号量输入端POWER_2通过偏置电阻R2与所述三极管Q1的基极连接;
所述三极管Q1、Q2的集电极分别连接调节电阻R5、R8并联后,通过连接调节电阻R10接地,通过连接限流电阻R9后连接采集芯片的采集端口IO,通过连接稳压二极管DZ1后接地;
所述三极管Q1的基极通过调节电阻R3与所述三极管Q3的集电极连接;
所述三极管Q3的发射极接地,基极通过偏置电阻R7后接地;
所述采集芯片的采集端口IO通过电容C1接地。
所述模拟信号量输入端POWER_1、POWER_2分别连接外部模拟信号输出设备,用于接收外部模拟信号输出设备输出的模拟信号量。
所述通道选择信号SWITCH通过输入高低电平选择模拟量输入通道,当所述通道选择信号SWITCH为低电平时,所述采集芯片的采集端口IO选择模拟信号量输入端POWER_1的输入模拟量信号,当所述通道选择信号SWITCH为高电平时,所述采集芯片的采集端口IO选择模拟信号量输入端POWER_2的输入模拟量信号。
所述三极管Q1、Q2为PNP三极管,所述三极管Q3为NPN三极管。
实施例1:
当通道选择信号SWITCH为低电平时,通过限流电阻R4和偏置电阻R1串联,通过调节电阻R8和调节电阻R10,使三极管Q2处于饱和导通,电路通过分压电阻R8和调节电阻R10分压,将调节电阻R10两端的电压通过限流电阻R9传输给采集芯片的采集端口IO,此时三极管Q3的基极电压为低电平,三极管Q3处于截止状态,三极管Q1的基极电压被拉高,三极管Q1处于截止状态,模拟信号量输入端POWER_1的信号传输给采集芯片的采集端口IO,模拟信号量输入端POWER_2的信号无法传输给采集芯片的采集端口IO。
当通道选择信号SWITCH为高电平时,三极管Q2处于截止状态,模拟信号量输入端POWER_1的信号无法传输给采集芯片的采集端口IO,此时,通过限流电阻R6和偏置电阻R7串联,调节电阻R3使三极管Q3处于饱和导通,模拟信号量输入端POWER_2的模拟信号通过偏置电阻R2和调节电阻R3使三极管Q1处于饱和导通状态,模拟信号量输入端POWER_2的模拟信号再通过调节电阻R5和调节电阻R10分压,分压后的调节电阻R10的电压通过限流电阻R9传输给采集芯片的采集端口IO,模拟信号量输入端POWER_1的信号无法传输给采集芯片的采集端口IO。从而实现了利用单一IO采集端口采集不同模拟信号的功能。
以上对本实用新型所提供的一种双通道模拟选择电路进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种双通道模拟选择电路,其特征在于,包括:
模拟信号量输入端POWER_1、POWER_2,通道选择信号SWITCH,三极管Q1、Q2、Q3,偏置电阻R1、R2、R7,限流电阻R4、R6、R9,调节电阻R3、R5、R8、R10,稳压二极管DZ1,采集芯片的采集端口IO、电容C1;
所述模拟信号量输入端POWER_1、POWER_2分别与所述三极管Q1、Q2的发射极连接;
所述通道选择信号SWITCH通过限流电阻R4与所述三极管Q2的基极连接,通过限流电阻R6与三极管Q3的基极连接;
所述通道选择信号SWITCH通过偏置电阻R1与模拟信号量输入端POWER_1连接;
所述模拟信号量输入端POWER_2通过偏置电阻R2与所述三极管Q1的基极连接;
所述三极管Q1、Q2的集电极分别连接调节电阻R5、R8并联后,通过连接调节电阻R10接地,通过连接限流电阻R9后连接采集芯片的采集端口IO,通过连接稳压二极管DZ1后接地;
所述三极管Q1的基极通过调节电阻R3与所述三极管Q3的集电极连接;
所述三极管Q3的发射极接地,基极通过偏置电阻R7后接地;
所述采集芯片的采集端口IO通过电容C1接地。
2.根据权利要求1所述的双通道模拟选择电路,其特征在于,所述模拟信号量输入端POWER_1、POWER_2分别连接外部模拟信号输出设备,用于接收外部模拟信号输出设备输出的模拟信号量。
3.根据权利要求1所述的双通道模拟选择电路,其特征在于,所述通道选择信号SWITCH通过输入高低电平选择模拟量输入通道,当所述通道选择信号SWITCH为低电平时,所述采集芯片的采集端口IO选择模拟信号量输入端POWER_1的输入模拟量信号,当所述通道选择信号SWITCH为高电平时,所述采集芯片的采集端口IO选择模拟信号量输入端POWER_2的输入模拟量信号。
4.根据权利要求1所述的双通道模拟选择电路,其特征在于,所述三极管Q1、Q2为PNP三极管,所述三极管Q3为NPN三极管。
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