CN109801662B - 一种上电选参考电流的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种上电选参考电流的方法，包括以下步骤：对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作；上电时依次读取所述两条字线上连接着的位线的电流；通过灵敏放大器对所述位线的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流，利用上电时选不同温度系数的电流来提高读取的可靠性。

Description

一种上电选参考电流的方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是一种上电选参考电流的方法。
背景技术
目前，flash存储单元的电子迁移率与温度相关，闪存的读取往往需要参考电流，采用固定温度系数的电流不能保证闪存信息正确读取，当闪存温度变化很大的时候，固定温度的参考电流会与实际情况存在偏差，导致闪存中的存储的信息无法正确读取，信息读取的正确率低。
发明内容
为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种上电选参考电流的方法，达到利用上电时选不同温度系数的电流来提高读取的可靠性的目的。
本发明解决其问题所采用的技术方案是：
本发明的提供了一种上电选参考电流的方法，包括以下步骤：
对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作；
上电时依次读取所述两条字线上连接着的位线的电流；
通过灵敏放大器对所述位线的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；
逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流。
进一步，所述步骤对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作表现为所述编码操作和所述删除操作的工作电压比阈值电压低。
进一步，所述步骤对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作表现为所述步骤在存储阵列的字线边缘至少对一条字线进行编码操作和至少对一条字线进行删除操作。
进一步，所述步骤逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流表现为计算错误最少的参考电流时需依次对比所有的参考电流阵列的参考电流。
进一步，所述步骤逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列单靠中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流表现为，所述参考电流阵列存储所述编码操作和所述删除操作的工作电压下不同温度系数的参考参考电流。
一种应用上电参考电流方法的存储设备，包括以下单元：
存储阵列单元，用于对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作；
电流读取单元，上电时依次读取所述两条字线上连接着的位线的电流；
放大比较单元，用于通过灵敏放大器对所述位线的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；
逻辑控制单元，用于逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流。
进一步，所述存储阵列单元，包括横向设置的字线、纵向设置的位线；
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：
根据本发明提供的一种上电选参考电流的方法，包括以下步骤：对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作；上电时依次读取所述两条字线上连接着的位线的电流；通过灵敏放大器对所述位线的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流，利用上电时选不同温度系数的参考电流来提高读取的可靠性。
附图说明
下面结合附图和实例对本发明作进一步说明。
图1是本发明一个实施例所提供的一种上电选参考电流的方法的流程图。
具体实施方式
目前，flash存储单元的电子迁移率与温度相关，闪存的读取往往需要参考电流，采用固定温度系数的电流不能保证闪存信息正确读取，当闪存温度变化很大的时候，固定温度的参考电流会与实际情况存在偏差，导致闪存中的存储的信息无法正确读取，信息读取的正确率低。
利用一种上电选参考电流的方法，包括以下步骤：对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作；上电时依次读取所述两条字线上连接着的位线的电流；通过灵敏放大器对所述位线的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流，利用上电时选不同温度系数的参考电流来提高读取的可靠性，解决因为温度导致闪存中的存储的信息无法正确读取的问题。
下面结合附图，对本发明实施例作进一步阐述。
参照图1，本发明提供一种上电选参考电流的方法，包括以下步骤：对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作；上电时依次读取所述两条字线上连接着的位线的电流；通过灵敏放大器对所述位线的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流，利用上电时选不同温度系数的电流来提高读取的可靠性。
进一步地，基于上述实施例，本发明的另一实施例还提供一种上电选参考电流的方法，所述步骤对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作表现为所述编码操作和所述删除操作的工作电压比阈值电压低。
进一步，基于上述实施例，本发明的另一实施例还提供一种上电选参考电流的方法，所述步骤对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作表现为所述步骤在存储阵列的字线边缘至少对一条字线进行编码操作和至少对一条字线进行删除操作。
进一步，基于上述实施例，本发明的另一实施例还提供一种上电选参考电流的方法，所述步骤逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流，表现为计算错误最少的参考电流时，需依次对比所有的参考电流阵列的参考电流。
进一步，基于上述实施例，本发明的另一实施例还提供一种上电选参考电流的方法，所述步骤逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流表现为，所述参考电流阵列存储所述编码操作和所述删除操作的工作电压下不同温度系数的参考电流。
进一步，基于上述实施例，本发明的另一实施例还提供一种上电选参考电流的方法，在电路中设置温度系数不同、绝对值大小不同的参考电流阵列，所述存储阵列单元中在横向设置字线、纵向设置位线，在存储阵列单元的边缘放置二条字线，对该2条字线分别进行编码操作和删除操作，所述编码操作和所述删除操作可以通过控制具体的操作时间和操作电压来控制，所述编码操作和所述删除操作的工作电压比阈值电压低。在上电时，依次读取编码操作字线和删除操作字线，通过放大比较单元中的灵敏放大器比较输出结果，并传输到逻辑控制电路，通过逻辑控制电路计算出的错误的个数，依次遍历所有的参考电流阵列单元中的参考电流，再利用逻辑控制电路找出错误数最少的参考电流。
本发明提供一种应用上电参考电流方法的存储设备，包括以下单元：
存储阵列单元，用于对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作；
电流读取单元，用于上电时依次读取所述两条字线上连接着的位线的电流；
放大比较单元，用于通过灵敏放大器对所述位线的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；
逻辑控制单元，用于逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流。
进一步，基于上述实施例，本发明的另一实施例还提供一种应用上电参考电流方法的存储设备，所述存储阵列单元，包括横向设置的字线、纵向设置的位线；
以上所述，只是本发明的较佳实施例而已，本发明并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本发明的技术效果，都应属于本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种上电选参考电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：
对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作；
上电时依次读取所述两条字线上连接着的位线的电流；
通过灵敏放大器对所述位线的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；
逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流；所述参考电流阵列存储所述编码操作和所述删除操作的工作电压下不同温度系数的参考电流。
2.根据权利要求1所述的一种上电选参考电流的方法，其特征在于：所述步骤对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作表现为所述编码操作和所述删除操作的工作电压比阈值电压低。
3.根据权利要求1所述的一种上电选参考电流的方法，其特征在于：所述步骤对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作表现为所述步骤在存储阵列的字线边缘至少对一条字线进行编码操作和至少对一条字线进行删除操作。
4.根据权利要求1所述的一种上电选参考电流的方法，其特征在于：所述步骤逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流表现为计算错误最少的参考电流时需依次对比所有的参考电流阵列的参考电流。
5.一种应用权利要求1-4任一所述的上电参考电流方法的存储设备，其特征在于，包括以下单元：
存储阵列单元，用于对存储阵列边缘的两条字线分别进行编码操作和删除操作；
电流读取单元，用于上电时依次读取所述两条字线上连接着的位线的电流；
放大比较单元，用于通过灵敏放大器对所述位线的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；
逻辑控制单元，用于逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考电流进行比对，得出错误最少的参考电流；所述参考电流阵列存储所述编码操作和所述删除操作的工作电压下不同温度系数的参考电流。
6.根据所述权利要求5的一种应用上电参考电流方法的存储设备，其特征在于，所述存储阵列单元，包括横向设置的字线、纵向设置的位线。
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