CN109786194B - 一种改变离子束方向的装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改变离子束方向的装置及方法，包括离子源，用于发射离子束；金属整体，用于调整所述离子束的反射方向，使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ，0°≤第一夹角θ＜90°。本发明极大程度上提高了产品性能，使用率得到极大的延长，减少成本，符合现代化工业需求，在金属整体表面均匀设置球孔，增加了表面积，提高对此工艺产生的副产品的吸附并且可以有效的散热，更适合长时间工作。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工制造领域，具体为一种改变离子束方向的装置。
背景技术
在芯片制造加工过程中，芯片表面需要进行离子束处理，离子束在最中间能量是均匀分布的，但是在边缘处离子束会分散出现不规则运动状况，能量分布不均匀，导致产品的边缘处表面分布不够理想，并且表面由离子撞击的产生的副产品吸附力较差，影响到工艺精度，使用周期，减弱产品的实际使用效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改变离子束方向的装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种改变离子束方向的装置，包括离子源，用于发射离子束；金属整体，用于调整所述离子束的反射方向，使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ，0°≤第一夹角θ＜90°。
优选的，金属整体表面均匀分布有球孔，其边缘处具有一定角度，其与金属整体所在平面之间的夹角为β。
优选的，离子源具有离子偏离角度α，离子偏离角度α为离子束与金属整体之间的夹角，离子偏离角度α与金属整体对应设置。
一种改变离子束方向的方法，其操作步骤包括：
S1：离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体；
S2：检测当前离子束与夹角β之间的撞击力度，获取检测数值x1；
S21：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β1，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β1之间的撞击力度，获取检测数值x2；
S22：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β2，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β2之间的撞击力度，获取检测数值x3；
S2n：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为βn，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角βn之间的撞击力度，获取检测数值xn；
S3：对比x1、x2、x3……xn的撞击力度数值大小，确定最终离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的第一夹角θ的大小。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、本发明极大程度上提高了产品性能，使用率得到极大的延长，减少成本，符合现代化工业需求。
2.本发明金属整体表面均匀分布的球孔，增加了表面积，提高对此工艺产生的副产品的吸附并且可以有效的散热，更适合长时间工作。
附图说明
图1为本发明原理示意图1；
图2为本发明金属整体的结构示意图；
图3为本发明的原理框图；
图4为本发明原理示意图2。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“竖直”、“上”、“下”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
请参阅图1-4，本发明提供一种技术方案：一种改变离子束方向的装置及方法，包括离子源，用于发射离子束；金属整体，用于调整所述离子束的反射方向，使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ，0°≤第一夹角θ＜90°。
金属整体表面均匀分布有球孔，其边缘处具有一定角度，其与金属整体所在平面之间的夹角为β。
离子源具有离子偏离角度α，离子偏离角度α为离子束与金属整体之间的夹角，离子偏离角度α与金属整体对应设置。
工作原理：
S1：离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体；
S2：检测当前离子束与夹角β之间的撞击力度，获取检测数值x1；
S21：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β1，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β1之间的撞击力度，获取检测数值x2；
S22：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β2，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β2之间的撞击力度，获取检测数值x3；
S2n：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为βn，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角βn之间的撞击力度，获取检测数值xn；
S3：对比x1、x2、x3……xn的撞击力度数值大小，确定最终离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的第一夹角θ的大小。
值得注意的是：整个装置通过总控制按钮对其实现控制，由于控制按钮匹配的设备为常用设备，属于现有常熟技术，在此不再赘述其电性连接关系以及具体的电路结构。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (1)
1.一种改变离子束方向的装置，其特征在于，包括：
离子源，用于发射离子束；
金属整体，用于调整所述离子束的反射方向，使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ，0°≤第一夹角θ＜90°；
所述金属整体表面均匀分布有球孔，其边缘处具有一定角度，其与金属整体所在平面之间的夹角为β；
所述离子源具有离子偏离角度α，离子偏离角度α为离子束与金属整体之间的夹角，离子偏离角度α与金属整体对应设置；
所述改变离子束方向的装置的操作方法，其操作步骤包括：
S1：离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体；
S2：检测当前离子束与夹角β之间的撞击力度，获取检测数值x1；
S21：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β1，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β1之间的撞击力度，获取检测数值x2；
S22：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β2，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β2之间的撞击力度，获取检测数值x3；
S2n：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为βn，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角βn之间的撞击力度，获取检测数值xn；
S3：对比x1、x2、x3……xn的撞击力度数值大小，确定最终离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的第一夹角θ的大小。
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| CN201811563816.XA CN109786194B (zh) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | 一种改变离子束方向的装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| CN109786194A CN109786194A (zh) | 2019-05-21 |
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Family Applications (1)
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