CN1097848C - 制造集成电路的化学机械研磨方法及其装置 - Google Patents

Abstract

本发明一种制造集成电路的化学机械研磨方法，其步骤包括：a)提供一半导体衬底覆设有一含钨材料的薄膜；b)使用研磨垫和研浆研磨该薄膜；c)重复该等提供和研磨步骤，以制作一个以上的半导体衬底，而形成含钨氧化物材料的副产物残留于该研磨垫上；d)以含氢氧化铵的溶液调整该研磨垫，将大部分的钨氧化物材料从该研磨垫移除；以及e)回到该重复步骤。

Description

制造集成电路的化学机械研磨方法及其装置

本发明涉及一种制造半导体集成电路的化学机械平坦化的方法及其装置，特别是涉及一种使用化学机械研磨技术(一般称为CMP)以制造钨和/或插塞的制造集成电路的化学机械研磨方法及其装置。本发明具有广泛的应用性，也可以使用其他金属如铝和铜，或介电材料如二氧化硅、氮化硅和其他，以应用于不同的集成电路装置。

化学机械研磨是一种研磨材料包括半导体衬底和覆于衬底上的薄膜的技术，以提供高度的均匀性和平坦性。在衬底上制造微电子电路组件的过程中，用以移除薄膜上高出的部分，或移除一薄膜层以显露出埋在薄膜下的电路组件。在一些例子当中，甚至可以在制造微电子电路组件于其上之前将半导体部分平坦化。

现有传统的化学机械研磨过程，是使用一滚筒上的大研磨垫对着衬底位置研磨。当研磨垫转动时，研磨位于或倾斜于衬底的构件，一具有研磨性材料的化学研浆留在研磨垫上，借以改变研磨垫的研磨特性，以促进研磨衬底或薄膜。

不幸的是，化学机械研磨在制造集成电路上无法不受到限制，例如在研磨过程中，研磨垫常常堆积残余的副产物，致使研磨操作的研磨效率降低，而导致研磨过程不稳定，此不稳定的研磨过程造成薄膜或衬底表面不完美，且常常不均匀。因此，研磨垫必须经常进行清理或调整，以消除上述的这个限制。

目前已提出许多技术以清理或调整堆积在研磨垫上许多的残余副产物。其中一项技术就是简单换掉研磨垫，然而却造成使机器停止时间增加，以及如需要花费额外的时间以更换研磨垫等其他问题。此外，经常更换研磨垫，会导致制作成本更为增加和集成电路的成本更高。

因此，目前已提出许多其他技术用以调整研磨垫的表面。其中一项调整技术是，经常使用一转动轮以清理研磨垫表面或移除研磨垫上的薄层，以恢复研磨垫的性质。在一些例子中，设有一转动钻石轮，用于移除研磨垫表面所残余的副产物。在此过程中常使用去离子水作为一媒介物，将副产物带离。然而，上述这些技术经常消耗宝贵的生产时间，使制造集成电路的花费更为昂贵；再者，这些技术只能在研磨垫更换之前的有限次数中才用得上，因此，其只是消除上述限制的短暂的补救方法。

由上述可知，现有的化学机械研磨技术仍存在有诸多的缺陷，而丞待加以改进，发展提供一种新的化学机械研磨技术，使其既经济又有效，是产业界迫切需要解决的问题。

有鉴于上述现有的化学机械研磨技术存在的弊端，本发明人基于丰富的实务经验及专业知识，经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出本发明。

本发明的主要目的在于，克服现有的化学机械研磨技术存在的缺陷，而提供一种制造集成电路的化学机械研磨方法及其装置，使其提供一化学机械研磨过程中调整研磨垫的改进技术，成为化学机械平坦化的方法及其装置，使其使用一溶液如氢氧化铵水溶液作为钨制程中研磨垫的一调整溶液，以该溶液将任何不溶且黏附在研磨垫表面的残留副产物溶解。

本发明的目的是由以下技术方案实现的。依据本发明提出的一种制造集成电路的化学机械研磨方法，其步骤包括：提供一半导体衬底覆设有一含钨材料的薄膜；使用研磨垫和研浆研磨该薄膜；重复上述步骤，以制作一个以上的半导体衬底，而形成含有钨氧化物材料的副产物残留于该研磨垫上；以含氢氧化铵的溶液调整该研磨垫，将大部分的钨氧化物材料从该研磨垫移除；以及，回到该重复步骤。

本发明的目的还可以通过以下技术措施来进一步实现。

前述的化学机械研磨方法，其中该研磨垫含有聚氨基甲酸脂的材料。

前述的化学机械研磨方法，其中该钨氧化物材料是由含钨材料与研浆作用所形成的。

前述的化学机械研磨方法，其中该研浆是由研磨性粒子和氧化剂所组成。

前述的化学机械研磨方法，其中该含钨材料是一化学气相沉积钨。

前述的化学机械研磨方法，其中该含钨材料是一溅镀钨。

前述的化学机械研磨方法，其中该重复步骤是欲形成6000A厚的钨薄膜。

前述的化学机械研磨方法，其中该钨氧化物材料为三氧化钨。

前述的化学机械研磨方法，其中该含氢氧化铵溶液的pH值大于7。

前述的化学机械研磨方法，其中该含氢氧化铵溶液的pH值大于4。

前述的化学机械研磨方法，其中该研浆含一氧化剂。

前述的化学机械研磨方法，其中该研浆含一酸性氧化剂。

前述的化学机械研磨方法，其中该调整步骤由一旋转钻石轮执行。

前述的化学机械研磨方法，其中该调整步骤由一刷状调整器执行。

前述的化学机械研磨方法，其中在该调整步骤中提供去离子水于该研磨垫上。

本发明的目的还可由以下技术方案实现。依据本发明提出的一种制造集成电路的方法，其特征在于该方法是用来调整化学机械平坦化装置中覆有不溶性金属氧化物的研磨垫，该调整步骤包括：将一旋转调整垫装设于该研磨垫表面上，该旋转调整垫包含有一调整溶液于其上，该调整溶液为一含氢氧化铵化合物的水溶液；以及，用该调整溶液和该旋转调整垫移除大部分该不溶性的钨氧化物。

本发明的目的还可以通过以下技术措施来进一步实现。

前述的方法，其中该研磨垫为含有聚氨基甲酸脂的材料。

前述的方法，其中该调整溶液的pH值大于7。

前述的方法，其中该旋转调整垫可以是一刷状垫或一钻石垫。

本发明的目的还可由以下技术方案实现。依据本发明提出的一种用以制造集成电路的化学机械研磨装置，其特征在于其包括：一具有一研磨垫的旋转滚筒，该研磨垫具有一研磨表面随一固定轴转动；一牵转头用以握住有一钨薄膜的一晶片，该晶片具有该钨薄膜的一面对着该研磨表面；一含有酸溶液的研浆来源，该研浆与该钨薄膜作用形成不溶性的钨氧化物，该钨氧化物会黏附在该研磨垫上；以及，一调整元件设置于该研磨垫附近，该调整元件用于接收一调整溶液的注入，该调整溶液为一氢氧化铵溶液用以溶解该不溶性的钨氧化物。

本发明主要有以下方法及装置来支持上述技术方案。

在一特殊实施例中，本发明提供一种制造集成电路时使用一调整溶液的化学机械研磨方法。该方法应用于覆有含钨材料薄膜的半导体衬底上，其包括使用研磨垫和研浆研磨该薄膜的步骤。重复该等步骤以制作一个以上的半导体衬底而形成含钨氧化物材料的副产物残留于该研磨垫上。在钨化学机械研磨过程中，使用一化合物(化学溶液)如氢氧化铵溶液以调整该研磨垫，将大部分的钨氧化物材料自该研磨垫移除，藉移除钨氧化物材料，使研磨垫的寿命得以延长。

在另一特殊实施例中，本发明提供一种具有一改善的调整来源的化学机械研磨装置。该装置包括一具有一研磨垫的可转动平台，该研磨垫有一研磨表面随一固定轴转动。该装置也有一牵转头(carrier head)用以握住含一钨薄膜的一晶片，该晶片含该钨薄膜的一面对着该研磨表面。同时也提供一含酸溶液的研浆来源，该研浆与该钨薄膜作用形成不溶性的钨氧化物而黏附在该研磨垫上。该装置也包括一调整元件位于该研磨垫附近，该调整元件耦合于一调整溶液的来源，该调整溶液为一氢氧化铵溶液用以溶解在研磨表面的不溶性钨氧化物。此改进装置延长了研磨垫的寿命以及提升了元件的品质。

在较另一特殊实施例中，本发明提供一种制造集成电路包括在钨薄磨制程中调整化学机械平坦化装置的研磨垫的技术的方法。该调整步骤包括提供一表面覆有不溶性钨氧化物的一研磨垫以及将调整元件装设于该研磨垫表面上。另一步骤是提供一调整溶液于研磨表面上，该调整溶液为一pH值大于7的溶液，如氢氧化铵化合物，该调整溶液和调整元件依序移除该研磨垫表面上大部分不溶性的钨氧化物，以延长研磨垫的寿命以及控制制程的变数。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和积极效果。由以上技术方案可知，本发明方法具有许多好处。特别是使用本发明的研磨垫调整技术，可获得较均匀的研磨垫表面；此外，使用本发明的技术可延长研磨垫的寿命；还有其他好处，包括使用化学机械研磨的工具，可以减少事前维护替换垫子的时间；再者，可使现有传统加工方法及其装置存在的因残留副产物所造成的细微抓痕变少，因而可以省下移除这些细微抓痕的额外制程步骤。

综上所述，本发明提供了一种化学机械研磨过程中调整研磨垫的改进技术，成为化学机械平坦化的方法及其装置，其使用一溶液如氢氧化铵水溶液作为钨制程中研磨垫的一调整溶液，以该溶液将任何不溶且黏附在研磨垫表面的残留副产物溶解。其不论在方法、结构上或功能上皆有较大的改进，并产生了好用及实用的效果，而确实具有增进的功效，从而更加适于实用，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

本发明的具体结构由以下实施例及其附图详细给出。

图1是为本发明化学机械研磨装置的简单俯视图。

图2是本发明的调整垫一实施例的简单结构示意图。

图3是本发明的调整垫另一实施例的简单结构示意图。

图4是本发明的钨化学机械研磨制程的简单流程图。

图5是根据本发明所制作的半导体装置的侧面视图。

图6是说明本发明中钨在化学机械研磨制程中理论状况的简单图。

以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的制造集成电路的化学机械研磨方法及其装置其具体方法、结构、特征及其功效，详细说明如后。

图1是本发明化学机械研磨装置的一简单俯视图。此简单图只是一说明，不应用来限制申请的技术方案。本发明化学机械研磨装置10，包含各种不同结构特色用以研磨半导体晶片等的表面。该化学机械研磨装置10，包括一壳体11，其一般至少分为三部分。

这些部分，包括一研磨区25、一分度台(index table)区27、和一晶片装载和卸载区35。该研磨区25设有一平台，用以支撑一旋转的研磨垫19。该研磨垫19为一盘状体，具有一研磨表面26，可随一固定平面和轴转动。该研磨表面常用一聚氨基甲酸脂(polyurethane)材料作成。

在研磨表面26上设有一调整器握柄13，可随一轴17旋转，以一角度方向φ移动位于研磨表面上方的调整器头15。该调整器握柄13随研磨垫19的外围以该角度方向慢慢移动，用以调整较大研磨区，以对应于外面部分。当调整器握柄13对应于较小研磨区而移向研磨垫19中心，将会以较快速度移向研磨垫19中心。

在其他实施例中，该调整器握柄可以固定在一地方，但有一调整器头从研磨表面外围横移至研磨表面中心，此调整器头不能以一角度方向移动，但可以放射性方向由研磨表面外围至研磨表面中心。当然，这一类型的调整器握柄将随不同的应用而被使用。

该调整器头15握住一旋转表面如环形钻石轮或刷子，在调整过程中对着研磨垫19表面而转动。在旋转中，使用的调整器头15的旋转表面有一力量施于研磨垫19的表面。旋转表面在足够的力和速度下运作，以调整调整垫的表面。

根据本发明的技术构思，图2和图3为本发明的具有旋转表面的调整垫46、48的两个例子。图2为一钻石包埋的调整垫48的简单说明。如图2所示，调整垫48具有一内部55和一延伸于该内部55之外的外部53。该外部53在一表面覆设有研磨性材料，例如钻石、二氧化铝等。该研磨性材料是在移除调整过程中的研磨垫的材料。

图3为本发明的另一技术构思，是一刷状调整垫46的简单说明。该刷状调整垫具有一内部56和设有刚毛的一外部54，该刚毛延伸于内部56之外，而在调整过程中和调整垫相接触。

在一些实施例中，旋转表面具有一内孔(图未示)，在调整过程中可提供一调整溶剂于调整垫的表面。特别是，该内孔可与该调整溶剂的液体来源耦合，该调整溶剂可选择性地注入于具有控制液体工具如泵等的调整垫上，该调整溶剂可以帮助溶解在制程后残留在研磨垫上的任何副产物。当然，调整垫也有其他的方法将调整溶剂注入于调整垫中。

该化学机械研磨装置10，也包括一调整元件21，用以调整制程中沾在研磨垫上的残余副产物，所残余的副产物种类则随制程而定，例如在一些制程中，有化学机械研磨二氧化硅材料(或介电层)和化学机械研磨金属如钨、铝、铜等。而在钨制程中，主要的有害于钨制程的残余副产物为钨氧化物。

使用溶剂将调整元件21中调整垫上的残余副产物移除，在钨制程的实施例中，可使用任何酸碱值大于7的溶剂来溶解在制程中形成的钨氧化物。在钨制程的另一实施例中，可以硼酸溶液为溶剂。在钨制程的较佳实施例中，所用溶剂为氢氧化铝溶液。当然，所使用的溶剂随着不同的应用而定。

调整元件21也可以作为放置调整垫19的地方，也就是说，当调整垫19不用的时候，必须从制作的地区移去，位于主要研磨垫区域的外面的地方为理想放置不用的调整垫19的地方。当调整垫19一放置好，调整溶液即注入于调整垫19中，以溶解其中的残余副产物。

该化学机械研磨装置10，也设有一装载场所31，将晶片放在卡夹45中处理，并提供一行动机械臂29把晶片从卡夹45中移至一手臂47，该手臂47将晶片转送至分度台23处理，一多头单元(或载体)载送晶片至旋转中的研磨垫19中研磨，研磨后，晶片在分度台24内部中擦洗。在卸载位置33设有一手臂41，又将晶片从分度台24移至晶片的刷洗槽37，以进一步清洗晶片。一卸载运输装置(图中未示)最后将晶片由刷洗槽37移至设置在卸载位置33的两个卸载卡夹43之一。现在，晶片可以准备作下面的制程。

接下来的加工步骤是根据本发明来制作集成电路的简单化学机械研磨制程：

(1)提供一半导体衬底；

(2)利用区域氧化法(LOCOS)技术形成场氧化层；

(3)形成P型井和N型井；

(4)生长闸氧化层；

(5)植入包埋通道区域以调整阀电压；

(6)沉积闸多晶硅层(或多一层)并掺杂；

(7)光罩1：定义闸多晶硅层以形成多晶硅闸区；

(8)光罩2：定义N型轻掺杂汲区(LDD)并植入；

(9)光罩3：定义P型轻掺杂汲区并植入；

(10)在多晶硅闸区侧壁形成间隙壁；

(11)光罩4：定义N+型源/汲极区并植入；

(12)光罩5：定义P+型源/汲极区并植入；

(13)回火；

(14)形成硼磷硅玻璃层于半导体衬底之上，以覆盖源/汲极区和闸多晶硅层；

(15)用化学机械研磨和调整方法研磨硼磷硅玻璃层；

(16)光罩6：定义与源/汲极区接触的开口；

(17)在接触区形成金属化；

(18)光罩7：定义金属层；

(19)形成介电层于金属层上；

(20)光罩8：定义在介电层的开口，以定义出与多晶硅闸层的接触区；

(21)形成阻障金属层于多晶硅层之上；

(22)形成钨金属层于金属层之上；

(23)研磨钨金属层并调整；以及

(24)执行其余制程步骤。

这些步骤只是用在形成半导体集成电路中制程的例子。如所看到的，这制程至少使用两个化学机械研磨步骤(也就是步骤15和23)。这些利用调整技术的化学机械研磨步骤必须依赖溶液，以移除(也就是溶解)任何研磨所残余的副产物，步骤23的一较佳实施例中所使用的溶液之一为氢氧化铵溶液，以溶解研磨垫内的钨氧化物，而大大地增加研磨垫的使用寿命，也可改善化学机械研磨装置，此制程的详细内容说明如下。

图4是根据本发明的钨化学机械研磨制程的简单流程图。此流程图200只是用来说明，不应用来限定本发明技术方案的范围。流程图由步骤201开始，其提供一半导体衬底，具有须研磨的一薄膜，该薄膜可以是一介电层如二氧化硅、氮化硅、硼磷硅玻璃、氟磷硅玻璃和其他材料；该薄膜也可以是一金属如钨、铝、铜等。当然，该薄膜的种类应视其应用而定。

钨金属层常以如图5所示的简单剖面结构30的方式来内连接元件结构，此简单剖面结构30包括一半导体衬底31，该半导体衬底31包含有一场效应电晶体32。该半导体衬底31还设有主动区、图案化金属层33和其他元件。在大多数的例子中，钨是用于溅度或化学气体沉积技术沉积。

如图所示，金属层33夹设在二介电层37之间，许多这些金属层33和介电层37现在已用此研磨技术研磨，一般熟悉该技术的技术人员采用这个方法来制作的集成电路为应用于专用的集成电路(ASIC)、微处理器(MPUs)、记忆体电路和其他装置中的集成电路。当然，许多使用次微米大小的设计规则的其他形式的构造，也将依赖一些研磨制程如化学机械研磨等。

在形成接下来的任何层之前，需用这技术将钨薄膜研磨进行研磨薄膜205步骤。此研磨技术使用可旋转且应用在钨薄膜表面的研磨垫。具有一研磨表面的该研磨垫是由一种材料如聚氨基甲酸脂、聚酯、丙烯、丙烯酯共聚物、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚4-甲基戊烯、纤维素、纤维素酯、聚酰胺如耐纶、aramide、聚亚酰胺、聚亚酰胺酰胺、聚硅氧烷共聚物、聚碳酸盐、环氧化物、酚型树脂和其他所组成。当然，所用的材料视应用而定。

然而，在研磨之前，需进行注入研浆203步骤，研浆混合物直接注入于研磨表面。用一耦合于研浆来源的锐孔，将该研浆混合物转送至研磨垫。研浆通常含有一研磨性粒子和一氧化剂，该氧化剂可用如过氧化氢、碘酸钠、硝酸铁的溶液，该研磨性粒子通常为硼硅玻璃、二氧化钛、氮化钛、氧化铝、三氧化铝、硝酸铁、氧化铈、二氧化硅(硅胶)、氮化硅、石墨、钻石和任何混合物。在钨制程中，较佳研磨性粒子为氧化铝，该粒子与去离子水和氧化剂等溶液混合，最好是酸的溶液。

该酸溶液在研磨过程中用以移除钨薄膜的钨金属，钨金属与酸溶液作用形成如不溶的钨氧化物粒子，钨氧化物粒子常常黏附在研磨表面，而逐渐降低研磨制程的效率，钨氧化物也导致移除钨薄膜的困难度增加。

在许多钨氧化物黏附在研磨表面之前，以本发明技术调整研磨表面，即进行调整垫209步骤，本发明使用含氢氧化铵的调整溶液溶解黏附在调整垫上的钨氧化物粒子。

一般氢氧化铵会离解成铵离子和氢氧离子，如下式：

氢氧离子溶解不溶的三氧化钨，如下式：

可溶的钨氧化物离子(WO₄ ^2-)和水可以溶液去除之，同时也将研磨表面上任何不溶的三氧化钨移除，下列制程方式也会促使移除不溶的三氧化钨。

钨的研磨制程中较常使用聚氨基甲酸脂的研磨垫，研磨垫以每秒高于30rpm速度旋转，牵转头将压力设于半导体衬底后面，所以施于薄膜的力介于2psi至8psi，通常压力应大于4psi。在调整之前，研磨垫常移除6000埃厚的钨薄膜。

在一实施例中，将浓度大于2％的氢氧化铵的溶液注入于调整垫上以作调整，调整垫表面的氢氧化铵的浓度约为大于2％，该溶液也能经由调整垫内的锐孔，以原位形式注入于调整垫内，也就是说，调整溶液自溶液来源处经由调整垫内的锐孔注入于调整垫内。另外，该溶液也可用调整装置而注入于调整垫中。

较佳的调整垫为一刷状单元，该刷状单元可用一种材料如PVA制成。该刷状单元的刷子相当硬，可将钨氧化物(如三氧化钨)自调整垫上移除。此旋转轮以每分钟45rpm速度运转，将压力范围在0-2psi的压力施加于研磨垫上。较佳的压力为大于1ps。在调整过程中，可在促使调整溶液清除能力提高的温度下进行。该温度范围约介于20℃至50℃之间。较佳的温度为大于30℃，以促使钨氧化物可从研磨垫移除。

另外，浸有研磨性材料的旋转轮作用于研磨表面，以调整溶液将研磨表面的不溶的三氧化钨和其他物质移除。浸有研磨性材料的旋转轮作用于研磨表面，以调整溶液将研磨表面的不溶的三氧化钨和其他物质移除。浸有研磨性材料的旋转轮较刷状单元更会破坏研磨垫。当然，使用调整垫的形式视应用而定。

在最佳实施例中，每一具有钨薄膜的晶片皆使用化学机械研磨装置来处理。在研磨垫被更换之前，使用本发明调整技术，至少可处理1000个晶片。在其他实施例中，则更不知要该处理多久，以致研磨表面材料完全被磨掉。而在现有传统加工方法及其加工装置中，其制程无法突破如时间、移除效率等的限制，而研磨表面即要被更换。

调整溶液的酸度或pH值大大地影响不溶的钨氧化物的形成。例如pH值大于4的调整溶液会形成可溶性的钨氧化物，pH值小于4常会形成不溶性的钨氧化物。如图6所示，即说明了pH值对形成不溶性的钨氧化物的影响。如图所示，不溶性的钨氧化物在pH值小于4时出现。然而，在高pH值时，钨变成具有腐蚀性而形成可溶性的钨氧化物。当然，其他种类的混合物也可以用来溶解研磨表面的钨氧化物。

本发明方法具有许多好处。特别是使用本发明的研磨垫调整技术，可获得较均匀的研磨垫表面；此外，使用本发明的技术可延长研磨垫的寿命；还有其他好处，包括使用化学机械研磨的工具，可以减少事前维护替换垫子的时间；再者，可使现有传统加工方法及其装置存在的因残留副产物所造成的细微抓痕变少，因而可以省下移除这些细微抓痕的额外制程步骤。这些好处已在说明书中作出了进一步的描述。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。上述实施例可作诸般修饰，例如，以上所描述的是以研磨钨薄膜角度来看进行说明，而本发明仍可用在其他种类的薄膜，例如硼硅玻璃等的介电材料上。因此，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (20)

1.一种制造集成电路的化学机械研磨方法，其步骤包括：

提供一半导体衬底覆设有一含钨材料的薄膜；

使用研磨垫和研浆研磨该薄膜；

重复上述步骤，以制作一个以上的半导体衬底，而形成含有钨氧化物材料的副产物残留于该研磨垫上；

以含氢氧化铵的溶液调整该研磨垫，将大部分的钨氧化物材料从该研磨垫移除；以及

回到该重复步骤。

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该研磨垫含有聚氨基甲酸脂的材料。

3.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该钨氧化物材料是由含钨材料与研浆作用所形成的。

4.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该研浆是由研磨性粒子和氧化剂所组成。

5.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该含钨材料是一化学气相沉积钨。

6.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该含钨材料是一溅镀钨。

7.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该重复步骤是欲形成6000A厚的钨薄膜。

8.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该钨氧化物材料为三氧化钨。

9.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该含氢氧化铵溶液的pH值大于7。

10.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该含氢氧化铵溶液的pH值大于4。

11.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该研浆含一氧化剂。

12.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该研浆含一酸性氧化剂。

13.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该调整步骤由一旋转钻石轮执行。

14.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该调整步骤由一刷状调整器执行。

15.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中在该调整步骤中提供去离子水于该研磨垫上。

16.一种制造集成电路的方法，其特征在于该方法是用来调整化学机械平坦化装置中覆有不溶性金属氧化物的研磨垫，该调整步骤包括：

将一旋转调整垫装设于该研磨垫表面上，该旋转调整垫包含有一调整溶液于其上，该调整溶液为一含氢氧化铵化合物的水溶液；以及

用该调整溶液和该旋转调整垫移除大部分该不溶性的钨氧化物。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于其中该研磨垫为含有聚氨基甲酸脂的材料。

18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于其中该调整溶液的pH值大于7。

19.根据权利要求16所述的方法，其特征在于其中该旋转调整垫可以是一刷状垫或一钻石垫。

20.一种用以制造集成电路的化学机械研磨装置，其特征在于其包括：

一具有一研磨垫的旋转滚筒，该研磨垫具有一研磨表面随一固定轴转动；

一牵转头用以握住有一钨薄膜的一晶片，该晶片具有该钨薄膜的一面对着该研磨表面；

一含有酸溶液的研浆来源，该研浆与该钨薄膜作用形成不溶性的钨氧化物，该钨氧化物会黏附在该研磨垫上；以及

一调整元件设置于该研磨垫附近，该调整元件用于接收一调整溶液的注入，该调整溶液为一氢氧化铵溶液用以溶解该不溶性的钨氧化物。

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