CN109768694A - 一种具有熔断器的功率模块 - Google Patents

一种具有熔断器的功率模块 Download PDF

Info

Publication number
CN109768694A
CN109768694A CN201811544780.0A CN201811544780A CN109768694A CN 109768694 A CN109768694 A CN 109768694A CN 201811544780 A CN201811544780 A CN 201811544780A CN 109768694 A CN109768694 A CN 109768694A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power
bridge arm
electrode
conductive layer
power electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811544780.0A
Other languages
English (en)
Inventor
周卫国
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Huicheng Rate Electronics Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Huicheng Rate Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Huicheng Rate Electronics Co Ltd filed Critical Shenzhen Huicheng Rate Electronics Co Ltd
Publication of CN109768694A publication Critical patent/CN109768694A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

本发明提供一种具有熔断器的功率模块，包括：功率电极、第一绝缘基板、与功率电极连接的桥臂功率芯片；桥臂功率芯片分成多组，每组功率芯片分别连接独立的导电层，各独立的导电层通过熔断器与功率电极电连接。与现有技术相比，具有较低的寄生电感，并且在发生芯片短路时，熔断器会熔断，以保护整个系统的安全。

Description

一种具有熔断器的功率模块
技术领域
本发明涉及电力电子领域，具体涉及一种具有熔断器的功率模块。
背景技术
功率模块是功率电子电力器件如金属氧化物半导体（功率MOS管）、绝缘栅型场效应晶体管（IGBT），快恢复二极管（FRD）按一定的功能组合封装成的电力开关模块，其主要用于电动汽车，风力发电，工业变频等各种场合下的功率转换。
电动汽车的电机驱动电路通常包括三组分别具有上下桥臂的功率模块，图1为现有的一种功率模块的电路示意图，其示出的是一组具有上下桥臂的功率模块的电路示意图，其包括：作为上桥臂的绝缘栅型场效应晶体管Z1，以及与其反向并联的快恢复二极管D1，作为下桥臂的绝缘栅型场效应晶体管Z2，以及与其反向并联的快恢复二极管D2，其中绝缘栅型场效应晶体管Z1的集电极连接功率模块的正极p+，其发射极连接缘栅型场效应晶体管Z2的集电极，缘栅型场效应晶体管Z2的发射极连接功率模块的负极p-，绝缘栅型场效应晶体管Z1的发射极和Z2的集电极共同连接功率模块的输出端子。在实际应用中，通常使用三组该功率模块来为电机提供三相交流电；在此仅以一组功率模块的电路示意图来说明其工作原理：当绝缘栅型场效应晶体管Z1接通时，电流依次经功率模块的正极p+、绝缘栅型场效应晶体管Z1的集电极、发射极、功率模块输出端子OUTPUT输出至电机；当绝缘栅型场效应晶体管Z1关断时，由于电机为感性负载，为保证电流流向不变，续流电流需经其它组的功率模块经该功率模块的负极p-、二极管D2、功率模块输出端子OUTPUT输出至电机。
在某些较小功率的应用下，功率模块中的电子器件也可以采用功率MOS管，图2是另一种功率MOS管模块的电路示意图，其包括：作为上桥臂的功率MOS管M1、作为下桥臂的功率MOS管M2、其中功率MOS管M1的漏极连接功率模块的正极p+，功率MOS管M1的源极连接功率MOS管M2的漏极，功率MOS管M2的源极连接功率模块的负极p-，功率MOS管M1的源极和功率MOS管M2的漏极共同连接接功率模块的输出端子，其工作原理与采用绝缘栅型场效应晶体管的模块类似，其两者之间的区别主要在于功率MOS管内置反向二极管，因此不需要并联反向二极管。另外，逆导型IGBT与功率MOS有相同的结构和功能，由于内置二极管，不需反向并联二极管，模块设计及结构与功率MOS相似，在此不再赘述。
功率模块通常包含至少一个半桥结构，该功率半桥结构由两个桥臂以及用以为功率模块传导电流的第一功率电极、第二功率电极、输出电极组合而成，第一功率电极、第二功率电极以及输出电极与功率模块内相应的导电层连接，以实现半桥电路功能；在实际应用中，寄生电感一直以来都是功率电子器件应用中需要克服的主要难题，尤其是在高频和大功率的应用场合。模块内部的寄生电感会造成关断过程中的过电压，寄生参数会造成功率模块开关过程中的波形震荡，从而增加了电磁干扰和开关损耗，并且在模块内功率芯片发生短路过流状态时，无法进行有效保护。
发明内容
本发明为解决现有技术中存在的问题，提出一种具有熔断器的功率模块，包括：功率电极、第一绝缘基板、与功率电极连接的桥臂功率芯片；桥臂功率芯片分成多组，每组功率芯片分别连接独立的导电层，各独立的导电层通过熔断器与功率电极电连接。
进一步地，所述功率模块，还包括与各桥臂功率芯片控制端电连接的功率芯片控制导电层。
进一步地，所述功率电极包括：第一功率电极、第二功率电极；所述功率模块还包括：输出电极、分别与第一功率电极和输出电极电连接的第一桥臂、分别与第二功率电极和输出电极电连接的第二桥臂；第一桥臂包括：设置在第一绝缘基板上的多个第一桥臂导电层、分成多组的多个第一桥臂功率芯片、第一桥臂辅助导电层、多个第一熔断器，每组第一桥臂功率芯片设置在与其相对应的一个第一桥臂导电层上，每个第一桥臂功率芯片与第一桥臂辅助导电层电连接，每个第一桥臂导电层分别通过与其相对应的熔断器第一功率电极电连接，第一桥臂辅助导电层与输出电极电连接。
进一步地，所述功率模块还包括设置在第一绝缘基板上的第一功率电极导电层，第一功率电极导电层的一侧与第一功率电极连接，每个第一桥臂导电层分别通过与其相对应的第一熔断器与第一功率电极导电层的另一侧连接。
进一步地，所述第一熔断器为绑定线。
进一步地，所述第一熔断器为设置在第一绝缘基板上的线状导电层。
进一步地，还包括连接于第一桥臂功率芯片和第一桥臂辅助导电层之间的多个第一桥臂导电柱、以及连接于第一桥臂辅助导电层和第二桥臂之间的多个跨接导电柱。
进一步地，所述第二桥臂包括：设置在第一绝缘基板上，并与输出电极连接的第二桥臂导电层、设置在第二桥臂导电层上的第二桥臂功率芯片、分别与第二功率电极和第二桥臂功率芯片电连接的第二桥臂辅助导电层。
进一步地，所述功率模块还包括连接于第二桥臂功率芯片和第二桥臂辅助导电层之间的第二桥臂导电柱。
进一步地，所述功率模块还包括第二绝缘基板、第二功率电极导电层，第二绝缘基板包括与第一绝缘基板相对的第一表面，第二功率电极导电层覆盖在所述第一表面，第二功率电极导电层上设有第一桥臂辅助绝缘岛，所述第一桥臂辅助导电层设置在第一桥臂辅助绝缘岛内；第二功率电极导电层远离第二功率电极的一侧设有第二桥臂辅助绝缘岛，所述第二桥臂辅助导电层设置在第二桥臂辅助绝缘岛内，第二桥臂辅助导电层通过第二熔断器与第二功率电极导电层电连接。
进一步地，所述第二熔断器为绑定线。
进一步地，所述第二熔断器为设置在第二绝缘基板上的线状导电层。
进一步地，所述功率芯片包括功率MOS管以及反向并联二极管。
进一步地，所述功率芯片包括IGBT以及反向并联二极管。
进一步地，第一功率电极包括第一功率电极主体和第一功率电极第一连接部，第二功率电极包括第二功率电极主体和第二功率电极第一连接部，第一功率电极主体通过第一功率电极第一连接部与功率模块相应的导电层连接，第二功率电极主体通过第二功率电极第一连接部与功率模块相应的导电层连接，第一功率电极主体和第二功率电极主体均为片状且层叠隔开设置，第一功率电极主体设有沿第一方向向功率模块外延伸，且超出第二功率电极主体边缘的第一功率电极第二连接部；第二功率电极主体设有自其侧面向外延伸，且超出第一功率电极主体边缘的第二功率电极第二连接部。
进一步地，所述第一功率电极第二连接部和第二功率电极第二连接部均设有用以与螺栓配合固定的连接孔。
进一步地，所述第一功率电极第二连接部包括第二连接部主体，以及自第二连接部侧面向外延伸的第二辅助连接部，所述连接孔设置在第二辅助连接部上。
进一步地，第一功率电极第二连接部为金属片，该金属片与第一功率电极主体一体成型，金属片上设置有第一功率电极第一连接孔和第一功率电极第二连接孔；第二功率电极第二连接部为自第二功率电极主体相对的两个侧边延伸出的两片金属片，该两片金属片各设置有第二功率电极第一连接孔和第二功率电极第二连接孔。
本发明提供的一种具有熔断器的功率模块，包括：功率电极、第一绝缘基板、与功率电极连接的桥臂功率芯片；桥臂功率芯片分成多组，每组功率芯片分别连接独立的导电层，各独立的导电层通过熔断器与功率电极电连接。与现有技术相比，具有较低的寄生电感，并且在发生芯片短路时，熔断器会熔断，以保护整个系统的安全。
附图说明
图1是现有的一种功率模块的电路示意图；
图2是现有的另一种功率模块的电路示意图；
图3是本发明提供的一种具有熔断器的功率模块实施例一的结构图；
图4是本发明提供的一种具有熔断器的功率模块实施例一的侧剖结构图；
图5是本发明提供的一种具有熔断器的功率模块实施例一的展开结构图；
图6是本发明提供的一种具有熔断器的功率模块实施例二的结构图；
图7是本发明提供的一种具有熔断器的功率模块实施例三的结构图；
图8是本发明提供的一种具有熔断器的功率模块实施例四的结构图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例进行详细说明，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图3至图6一种具有熔断器的功率模块，包括：功率电极10、第一绝缘基板12、与功率电极连接的桥臂功率芯片；桥臂功率芯片分成多组，每组功率芯片分别连接独立的导电层，各独立的导电层通过熔断器与功率电极电连接。
具体地，在某些实施例中，所述功率模块，还包括与各桥臂功率芯片控制端电连接的功率芯片控制导电层。在实际应用中功率芯片控制导电层通常设置于第一绝缘基板上，用以传导控制桥臂功率芯片导通和关断的控制信号。
具体地，在某些实施例中，所述功率模块，包括：第一功率电极100、第二功率电极200，第一绝缘基板12、输出电极11、分别与第一功率电极和输出电极电连接的第一桥臂、分别与第二功率电极200和输出电极11电连接的第二桥臂；第一桥臂包括：设置在第一绝缘基板上的多个第一桥臂导电层14、分成多组的多个第一桥臂功率芯片15、第一桥臂辅助导电层22、多个第一熔断器31，每组第一桥臂功率芯片15设置在与其相对应的一个第一桥臂导电层14上，每个第一桥臂功率芯片15与第一桥臂辅助导电层22电连接，每个第一桥臂导电层14分别通过与其相对应的熔断器第一功率电极100电连接，第一桥臂辅助导电层22与输出电极11电连接。
具体地，在某些实施例中，所述功率模块还包括设置在第一绝缘基板上的第一功率电极导电层13，第一功率电极导电层的一侧与第一功率电极连接，每个第一桥臂导电层14分别通过与其相对应的第一熔断器31与第一功率电极导电层的另一侧连接。
具体地，在某些具体实施例中，如图5所述第一熔断器为绑定线。
具体地，在某些实施例中，如图6所示，所述第一熔断器为设置在第一绝缘基板上的线状导电层。
具体地，在某些实施例中，所述功率模块还包括连接于第一桥臂功率芯片和第一桥臂辅助导电层之间的多个第一桥臂导电柱16、以及连接于第一桥臂辅助导电层和第二桥臂之间的多个跨接导电柱17。
具体地，在某些实施例中，所述第二桥臂包括：设置在第一绝缘基板上，并与输出电极连接的第二桥臂导电层18、设置在第二桥臂导电层上的第二桥臂功率芯片19、分别与第二功率电极和第二桥臂功率芯片电连接的第二桥臂辅助导电层23。
具体地，在某些实施例中，所述功率模块还包括连接于第二桥臂功率芯片和第二桥臂辅助导电层之间的第二桥臂导电柱20。
具体地，在某些实施例中，所述功率模块还包括第二绝缘基板21、第二功率电极导电层24，第二绝缘基板包括与第一绝缘基板相对的第一表面，第二功率电极导电层覆盖在所述第一表面，第二功率电极导电层上设有第一桥臂辅助绝缘岛，所述第一桥臂辅助导电层设置在第一桥臂辅助绝缘岛内；第二功率电极导电层远离第二功率电极的一侧设有第二桥臂辅助绝缘岛，所述第二桥臂辅助导电层设置在第二桥臂辅助绝缘岛内，第二桥臂辅助导电层通过第二熔断器32与第二功率电极导电层电连接。本实施例可在模块第二桥臂功率芯片发生短路时，进行有效保护。
具体地，在某些实施例中，所述第二熔断器为绑定线。
具体地，在某些实施例中，所述第二熔断器为设置在第二绝缘基板上的线状导电层。
具体地，在某些实施例中，所述功率芯片包括功率MOS管以及反向并联二极管。
具体地，在某些实施例中，所述功率芯片包括IGBT以及反向并联二极管。
具体地，在某些实施例中，如图7所示，第一功率电极包括第一功率电极主体101和第一功率电极第一连接部102，第二功率电极包括第二功率电极主体201和第二功率电极第一连接部202，第一功率电极主体101通过第一功率电极第一连接部102与功率模块相应的导电层连接，第二功率电极主体201通过第二功率电极第一连接部202与功率模块相应的导电层连接，第一功率电极主体101和第二功率电极主体201均为片状且层叠隔开设置，第一功率电极主体设有沿第一方向向功率模块外延伸，且超出第二功率电极主体边缘的第一功率电极第二连接部；第二功率电极主体设有自其侧面向外延伸，且超出第一功率电极主体边缘的第二功率电极第二连接部203。在具体应用中，第一功率电极主体、第一功率电极第一连接部、第一功率电极第二连接部，通常采用一片金属片经过机械加工一体制成，还可以根据实际的需要采用多片结构连接制成；第二功率电极主体、第二功率电极第一连接部、第二功率电极第二连接部，通常采用一片金属片经过机械加工一体制成，还可以根据实际的需要采用多片结构连接制成；其中，第二功率电极主体的侧面，以第一方向为参照定义，即第二功率电极主体在第一方向两侧的部分，均可称之为第二功率电极主体的侧面。
具体地，在某些实施例中，所述第一功率电极第二连接部103和第二功率电极第二连接部203均设有用以与螺栓配合固定的连接孔。
具体地，在某些实施例中，如图8所示，所述第一功率电极第二连接部103包括第二连接部主体，以及自第二连接部侧面向外延伸的第二辅助连接部，所述连接孔设置在第二辅助连接部上。第二辅助连接部为沿第一功率模块第二连接部主体侧方向外延伸的两个金属片1033a、1034b，所述连接孔设置在第二辅助连接部上。
具体地，在某些实施例中，第一功率电极第二连接部103为金属片，该金属片与第一功率电极主体一体成型，金属片上设置有第一功率电极第一连接孔1031和第一功率电极第二连接孔1032；第二功率电极第二连接部为自第二功率电极主体相对的两个侧边延伸出的两片金属片，该两片金属片各设置有第二功率电极第一连接孔2031和第二功率电极第二连接孔2032。在具体应用中，也可根据实际的需要，设置数量更多的连接孔。
功率模块工作在驱动电流状态时，驱动电流从第一功率电极流入，依次流经第一电极导电层13、第一熔断器31、第一桥臂导电层14、第一桥臂功率芯片15、第一桥臂导电柱16、第一桥臂辅助导电层22、跨接导电柱17、第二桥臂导电层18流出至输出电极；当功率模块工作在续流状态时，续流电流从第二功率电极流入，依次流经第二电极导电层24、第二熔断器、第二桥臂辅助导电层23、第二桥臂导电柱20、第二桥臂功率芯片19、第二桥臂导电层18流出至输出电极。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (18)

1.一种具有熔断器的功率模块，包括：功率电极、第一绝缘基板、与功率电极连接的桥臂功率芯片；其特征在于：桥臂功率芯片分成多组，每组功率芯片分别连接独立的导电层，各独立的导电层通过熔断器与功率电极电连接。
2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于：还包括与各桥臂功率芯片控制端电连接的功率芯片控制导电层。
3.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于：所述功率电极包括：第一功率电极、第二功率电极；所述功率模块还包括：输出电极、分别与第一功率电极和输出电极电连接的第一桥臂、分别与第二功率电极和输出电极电连接的第二桥臂；第一桥臂包括：设置在第一绝缘基板上的多个第一桥臂导电层、分成多组的多个第一桥臂功率芯片、第一桥臂辅助导电层、多个第一熔断器，每组第一桥臂功率芯片设置在与其相对应的一个第一桥臂导电层上，每个第一桥臂功率芯片与第一桥臂辅助导电层电连接，每个第一桥臂导电层分别通过与其相应的第一熔断器与第一功率电极电连接，第一桥臂辅助导电层与输出电极电连接。
4.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于：还包括设置在第一绝缘基板上的第一功率电极导电层，第一功率电极导电层的一侧与第一功率电极连接，每个第一桥臂导电层分别通过与其相对应的熔断器与第一功率电极导电层的另一侧连接。
5.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于：所述第一熔断器为绑定线。
6.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于：所述第一熔断器为设置在第一绝缘基板上的线状导电层。
7.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于：还包括连接于第一桥臂功率芯片和第一桥臂辅助导电层之间的多个第一桥臂导电柱、以及连接于第一桥臂辅助导电层和第二桥臂之间的多个跨接导电柱。
8.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于：所述第二桥臂包括：设置在第一绝缘基板上，并与输出电极连接的第二桥臂导电层、设置在第二桥臂导电层上的第二桥臂功率芯片、分别与第二功率电极和第二桥臂功率芯片电连接的第二桥臂辅助导电层。
9.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于：还包括连接于第二桥臂功率芯片和第二桥臂辅助导电层之间的第二桥臂导电柱。
10.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于：还包括第二绝缘基板、第二功率电极导电层，第二绝缘基板包括与第一绝缘基板相对的第一表面，第二功率电极导电层覆盖在所述第一表面，第二功率电极导电层上设有第一桥臂辅助绝缘岛，所述第一桥臂辅助导电层设置在第一桥臂辅助绝缘岛内；第二功率电极导电层远离第二功率电极的一侧设有第二桥臂辅助绝缘岛，所述第二桥臂辅助导电层设置在第二桥臂辅助绝缘岛内，第二桥臂辅助导电层通过第二熔断器与第二功率电极导电层电连接。
11.根据权利要求10所述的功率模块，其特征在于：所述第二熔断器为绑定线。
12.根据权利要求10所述的功率模块，其特征在于：所述第二熔断器为设置在第一绝缘基板上的线状导电层。
13.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于：所述功率芯片包括功率MOS管以及反向并联二极管。
14.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于：所述功率芯片包括IGBT以及反向并联二极管。
15.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于：第一功率电极包括第一功率电极主体和第一功率电极第一连接部，第二功率电极包括第二功率电极主体和第二功率电极第一连接部，第一功率电极主体通过第一功率电极第一连接部与功率模块相应的导电层连接，第二功率电极主体通过第二功率电极第一连接部与功率模块相应的导电层连接，第一功率电极主体和第二功率电极主体均为片状且层叠隔开设置，第一功率电极主体设有沿第一方向向功率模块外延伸，且超出第二功率电极主体边缘的第一功率电极第二连接部；第二功率电极主体设有自其侧面向外延伸，且超出第一功率电极主体边缘的第二功率电极第二连接部。
16.根据权利要求15所述的功率模块，其特征在于：所述第一功率电极第二连接部和第二功率电极第二连接部均设有用以与螺栓配合固定的连接孔。
17.根据权利要求16所述的功率模块，其特征在于：所述第一功率模块第二电极连接部包括第二连接部主体，以及自第二连接部侧面向外延伸的第二辅助连接部，所述连接孔设置在第二辅助连接部上。
18.根据权利要求15所述的功率模块，其特征在于：第一功率电极第二连接部为金属片，该金属片与第一功率电极主体一体成型，金属片上设置有第一功率电极第一连接孔和第一功率电极第二连接孔；第二功率电极第二连接部为自第二功率电极主体相对的两个侧边延伸出的两片金属片，该两片金属片各设置有第二功率电极第一连接孔和第二功率电极第二连接孔。
CN201811544780.0A 2018-10-14 2018-12-17 一种具有熔断器的功率模块 Pending CN109768694A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811273655 2018-10-14
CN2018112736550 2018-10-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109768694A true CN109768694A (zh) 2019-05-17

Family

ID=66450901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811544780.0A Pending CN109768694A (zh) 2018-10-14 2018-12-17 一种具有熔断器的功率模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109768694A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110391215A (zh) * 2019-06-11 2019-10-29 全球能源互联网研究院有限公司 功率模块及其制造方法
WO2020078082A1 (zh) * 2018-10-14 2020-04-23 深圳市奕通功率电子有限公司 一种分边连接功率电极组合及功率模块
CN113032852A (zh) * 2021-03-12 2021-06-25 北京银联金卡科技有限公司 一种基于可编程电路的芯片防伪方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161903A (ja) * 1993-12-06 1995-06-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH08195411A (ja) * 1995-01-17 1996-07-30 Toshiba Fa Syst Eng Kk パワーモジュール素子
US20030122261A1 (en) * 2001-12-06 2003-07-03 Bo Bijlenga Power semiconductor submodule, and a power semiconductor module
CN202885838U (zh) * 2012-08-29 2013-04-17 王建国 一种电桥模块
CN103545305A (zh) * 2013-11-01 2014-01-29 徐员娉 一种功率模块
CN203562425U (zh) * 2013-11-01 2014-04-23 徐员娉 一种功率模块
CN107369657A (zh) * 2017-08-30 2017-11-21 扬州国扬电子有限公司 一种多区域并列排布的双面散热功率模块
CN206864452U (zh) * 2017-06-14 2018-01-09 扬州国扬电子有限公司 一种低寄生电感功率模块及双面散热低寄生电感功率模块
US9917065B1 (en) * 2016-09-09 2018-03-13 GM Global Technology Operations LLC Power module assembly with reduced inductance

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161903A (ja) * 1993-12-06 1995-06-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH08195411A (ja) * 1995-01-17 1996-07-30 Toshiba Fa Syst Eng Kk パワーモジュール素子
US20030122261A1 (en) * 2001-12-06 2003-07-03 Bo Bijlenga Power semiconductor submodule, and a power semiconductor module
CN202885838U (zh) * 2012-08-29 2013-04-17 王建国 一种电桥模块
CN103545305A (zh) * 2013-11-01 2014-01-29 徐员娉 一种功率模块
CN203562425U (zh) * 2013-11-01 2014-04-23 徐员娉 一种功率模块
US9917065B1 (en) * 2016-09-09 2018-03-13 GM Global Technology Operations LLC Power module assembly with reduced inductance
CN206864452U (zh) * 2017-06-14 2018-01-09 扬州国扬电子有限公司 一种低寄生电感功率模块及双面散热低寄生电感功率模块
CN107369657A (zh) * 2017-08-30 2017-11-21 扬州国扬电子有限公司 一种多区域并列排布的双面散热功率模块

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020078082A1 (zh) * 2018-10-14 2020-04-23 深圳市奕通功率电子有限公司 一种分边连接功率电极组合及功率模块
CN110391215A (zh) * 2019-06-11 2019-10-29 全球能源互联网研究院有限公司 功率模块及其制造方法
CN113032852A (zh) * 2021-03-12 2021-06-25 北京银联金卡科技有限公司 一种基于可编程电路的芯片防伪方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4277169B2 (ja) 電力用半導体モジュール
US8461623B2 (en) Power semiconductor module
CN110235244B (zh) 功率半导体模块以及电力转换装置
US11171122B2 (en) Semiconductor device
US11909327B2 (en) Half-bridge module for an inverter of an electric drive of an electric vehicle or a hybrid vehicle and an inverter for an electric drive of an electric vehicle or a hybrid vehicle
JP2004080993A (ja) パワー半導体モジュールのための低インダクタンスの回路装置
JP4164409B2 (ja) 半導体パワーモジュール
CN109768694A (zh) 一种具有熔断器的功率模块
JP6583072B2 (ja) 半導体モジュール
CN111106098B (zh) 一种低寄生电感布局的功率模块
US20160105004A1 (en) Power Module, Power Converter and Drive Arrangement With A Power Module
US20220311349A1 (en) Power module for an electric drive of an electric vehicle or a hybrid vehicle, inverter comprising such a power module
US10886202B2 (en) Semiconductor device
CN109768039A (zh) 一种双面散热功率模块
CN111696976B (zh) 功率半导体模块衬底及其所应用的电动机车
CN102857078A (zh) 一种基于焊接型igbt与压接型二极管反并联结构的换流单元
CN109768036A (zh) 一种具有回流导电层的功率模块
CN103151938A (zh) 基于焊接型igbt与压接型二极管反并联串联结构的换流单元
CN109585437A (zh) 一种多层功率模块
CN109560067A (zh) 一种分边连接功率电极组合及功率模块
CN109585436A (zh) 一种穿插分支布局的功率模块
JP2001238460A (ja) 電力変換装置
CN110176865A (zh) 一种具有分边连接电极的功率模组
CN110993516B (zh) 自钳位igbt器件及其制造方法
CN110868086B (zh) 智能功率模块及空调器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 518000 Zhenyeluan Valley, Baohe Road, Baolong Street, Longgang District, Shenzhen City, Guangdong Province, 3 buildings, 2 units, 10L

Applicant after: Shenzhen Yitong Power Electronics Co., Ltd.

Address before: 518000 Zhenyeluan Valley, Baohe Road, Baolong Street, Longgang District, Shenzhen City, Guangdong Province, 3 buildings, 2 units, 10L

Applicant before: Shenzhen Huicheng Rate Electronics Co., Ltd.

CB02 Change of applicant information