CN109760219A - 一种硅块头尾部去除方法及去除装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种硅块头尾部去除方法，包括：扫描硅块，得到所述硅块四个侧面的少子寿命分布图；设定少子寿命阈值，根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置；根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置；根据所述硅块头部的切割位置和所述硅块尾部的切割位置对所述硅块头尾部进行切除。该方法操作简单、效率高，尽可能减少硅块损失，并有效去除硅块头尾部缺陷区域，使得去除后的硅块质量显著提高。
Description
技术领域
本发明涉及光伏或半导体技术领域，特别涉及一种硅块头尾部去除方法及去除装置
背景技术
现有的铸锭工艺制得的硅块头尾部中含有较多杂质，为确保硅块切割成的硅片质量符合制作电池要求，需要在切割成前将硅块头尾去除，以除去缺陷和不良区域。在硅块的检测中，少子寿命是非常重要的检测指标，其大小表征了硅块的电学性能。由于硅块四个侧面的少子寿命分布图的差异很大，单独测试其中一个或两个侧面的少子寿命分布图来判定头尾部去除部位会带来很大的误差。而硅块的尾部一般具有较少的晶界和位错，该区域切割得到的硅片在太阳能电池制备环节吸杂效果好，因此，硅块尾部去除标准又与头部的去除标准不同。因此，需要一种操作简单、效率高的硅块头尾部去除方法。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种硅块头尾部去除方法，根据硅块四个侧面的少子寿命分布图，综合判定硅块头尾部的切割位置，该方法操作简单、效率高，尽可能减少硅块损失，并有效去除硅块头尾部的缺陷，使得去除后的硅块质量显著提高。
第一方面，本发明提供了一种硅块头尾部去除方法，包括：
扫描硅块，得到所述硅块四个侧面的少子寿命分布图；
设定少子寿命阈值，根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置；
根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置；
根据所述硅块头部的切割位置和所述硅块尾部的切割位置对所述硅块头尾部进行切除。
在本发明中，通过扫描硅块，得到硅块四个侧面的少子寿命分布图，综合分析计算得到硅块头部和尾部切除位置，尽可能减少硅块损失，并有效去除硅块头尾部缺陷，使得去除后的硅块质量显著提高。
在本发明提供的硅块头尾部去除方法适用于单晶硅锭和多晶硅锭的头尾部去除，尤其适用于单晶硅锭头尾部的切除，从而有利于后续高质量的单晶硅片等的制备。
可选的，所述根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置，包括：
将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块头部边缘最远的位置作为所述第一预设切割位置；以及将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块尾部边缘最远的位置作为所述第二预设切割位置。
在本发明中，根据硅块的四个侧面的少子寿命分布图，分析得到每张图中的第一预设切割位置和第二预设切割位置，进而得到了四个第一预设切割位置和四个第二预设切割位置。
可选的，所述少子寿命阈值为1μs-4μs。具体的，所述少子寿命阈值可以但不限于为1μs、2μs、3μs或4μs。
可选的，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，包括：
根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的第一距离；
所述少子寿命分布图中，到所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的距离为多个所述第一距离的平均值的位置，作为所述硅块头部的切割位置。
可选的，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，包括：
根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的第一距离；
设定第一修剪距离，多个所述第一距离的平均值与所述第一修剪距离的差值，与所述硅块头部的切割位置到所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的距离相等。
进一步的，所述第一修剪距离为3-10mm。具体的，所述第一修剪距离可以但不限于为4mm、5mm、7mm或9mm。
在本发明中，当四个第一距离的平均偏差与四个第一距离的平均值的比例大于1:4时，可以设定第一修剪距离，分析确定所述硅块头部的切割位置，以减少硅块损失。
可选的，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置，包括：
根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的第二距离；
所述少子寿命分布图中，到所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的距离为多个所述第二距离的平均值的位置，作为所述硅块尾部的切割位置。
可选的，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置，包括：
根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的第二距离；
设定第二修剪距离，多个所述第二距离的平均值与所述第二修剪距离的差值，与所述硅块尾部的切割位置到所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的距离相等。
进一步的，所述第二修剪距离为3-10mm。具体的，所述第二修剪距离可以但不限于为4mm、5mm、7mm或9mm。其中，所述第一修剪距离和所述第二修剪距离可以相同，也可以不同，对此不作限定。
在本发明中，当四个第二距离的平均偏差与四个第二距离的平均值的比例大于1:4时，可以设定第二修剪距离，分析确定所述硅块尾部的切割位置，以减少硅块损失。
第二方面，本发明提供了一种硅块头尾部去除装置，包括：
扫描模块，用于扫描硅块，得到所述硅块四个侧面的少子寿命分布图；
判断模块，用于设定少子寿命阈值，根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置；
分析模块，用于根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置；
切除模块，用于根据所述硅块头部的切割位置和所述硅块尾部的切割位置对所述硅块头尾部进行切除。
可选的，所述判断模块进一步用于将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块头部边缘最远的位置作为所述第一预设切割位置；以及将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块尾部边缘最远的位置作为所述第二预设切割位置。
可选的，所述少子寿命阈值为1μs-4μs。具体的，所述少子寿命阈值可以但不限于为1μs、2μs、3μs或4μs。
可选的，所述分析模块进一步用于根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的第一距离；所述少子寿命分布图中，到所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的距离为多个所述第一距离的平均值的位置，作为所述硅块头部的切割位置。
可选的，所述分析模块进一步用于根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的第一距离；设定第一修剪距离，多个所述第一距离的平均值与所述第一修剪距离的差值，与所述硅块头部的切割位置到所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的距离相等。
进一步的，所述第一修剪距离为3-10mm。具体的，所述第一修剪距离可以但不限于为4mm、5mm、7mm或9mm。
可选的，所述分析模块进一步用于根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的第二距离；所述少子寿命分布图中，到所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的距离为多个所述第二距离的平均值的位置，作为所述硅块尾部的切割位置。
可选的，所述分析模块进一步用于根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的第二距离；设定第二修剪距离，多个所述第二距离的平均值与所述第二修剪距离的差值，与所述硅块尾部的切割位置到所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的距离相等。
进一步的，所述第二修剪距离为3-10mm。具体的，所述第二修剪距离可以但不限于为4mm、5mm、7mm或9mm。其中，所述第一修剪距离和所述第二修剪距离可以相同，也可以不同，对此不作限定。
可选的，所述分析模块包括第一分析子模块和第二分析子模块。进一步的，所述第一分析子木块用于根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，所述第二分析子模块用于根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置。
本发明的有益效果：
本发明提供了一种硅块头尾部去除方法和去除装置，通过扫描得到硅块四个侧面的少子寿命分布图，再进行综合分析计算得到硅块头尾部的切除范围；该方法操作简单、效率高，尽可能减少硅块损失，并有效去除硅块头尾部的缺陷，使得去除后的硅块质量显著提高，应用范围广。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图1为本发明一实施例提供的一种硅块头尾部去除方法的流程图；
图2为本发明一实施例提供的硅块头尾部去除方法中步骤S101示意图；
图3为本发明一实施例提供的硅块头尾部去除方法中步骤S102示意图；
图4为本发明一实施例提供的硅块头尾部去除方法中步骤S103示意图；
图5为本发明一实施例提供的硅块头尾部去除方法中步骤S104示意图；
图6为本发明一实施例提供的一种硅块头尾部去除装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，为本发明一实施例提供的一种硅块头尾部去除方法的流程图，包括如下步骤：
步骤S101：扫描硅块，得到所述硅块四个侧面的少子寿命分布图。
请参阅图2，为本发明一实施例提供的硅块头尾部去除方法中步骤S101示意图。通过扫描硅块得到了硅块四个侧面的少子寿命分布图A1、A2、A3和A4，其中每个少子寿命分布图中中部深色区域为高少子寿命区域，偏白色部分为相对低少子寿命区域。
步骤S102：设定少子寿命阈值，根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置。
可选的，少子寿命阈值为1μs-4μs。具体的，少子寿命阈值可以但不限于为1μs、2μs、3μs或4μs。
可选的，根据少子寿命阈值判断每个少子寿命分布图中，对应于硅块头部的第一预设切割位置和对应于硅块尾部的第二预设切割位置，包括：
将每个少子寿命分布图中对应硅块头部的区域内，少子寿命低于少子寿命阈值，且距离少子寿命分布图对应硅块头部边缘最远的位置作为第一预设切割位置；以及将每个少子寿命分布图中对应硅块尾部的区域内，少子寿命低于少子寿命阈值，且距离少子寿命分布图对应硅块尾部边缘最远的位置作为第二预设切割位置。
也就是说，将每个少子寿命分布图上半部分中少子寿命低于少子寿命阈值，且距离每个少子寿命分布图顶部最远的位置；以及将每个少子寿命分布图下半部分中少子寿命低于少子寿命阈值，且距离每个少子寿命分布图底部最远的位置作为第一预设切割位置和第二预设切割位置，具体对应关系的根据少子寿命分布图上半部分或下半部分对应硅块头部或尾部进行确定。
在本发明中，根据硅块的四个侧面的少子寿命分布图，分析得到每张图中的第一预设切割位置和第二预设切割位置，进而得到了四个第一预设切割位置和四个第二预设切割位置。
请参阅图3，为本发明一实施例提供的硅块头尾部去除方法中步骤S102示意图。根据设定的少子寿命阈值，每个少子寿命分布图中对应硅块头部的区域内，少子寿命低于少子寿命阈值，且距离少子寿命分布图对应硅块头部边缘最远的位置作为第一预设切割位置；每个少子寿命分布图中对应硅块尾部的区域内，少子寿命低于少子寿命阈值，且距离少子寿命分布图对应硅块尾部边缘最远的位置作为第二预设切割位置，可以得到，A1中的第一预设切割位置为B1，第二预设切割位置为C1；A2中的第一预设切割位置为B2，第二预设切割位置为C2；A3中的第一预设切割位置为B3，第二预设切割位置为C3；A4中的第一预设切割位置为B4，第二预设切割位置为C4。
步骤S103：根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置。
可选的，根据每个少子寿命分布图中的第一预设切割位置确定硅块头部的切割位置，包括：
根据每个少子寿命分布图中的第一预设切割位置，计算得到与少子寿命分布图中对应硅块头部边缘的第一距离；
少子寿命分布图中，到少子寿命分布图中对应硅块头部边缘的距离为多个第一距离的平均值的位置，作为硅块头部的切割位置。
可选的，根据每个少子寿命分布图中的第一预设切割位置确定硅块头部的切割位置，包括：
根据每个少子寿命分布图中的第一预设切割位置，计算得到与少子寿命分布图中对应硅块头部边缘的第一距离；
设定第一修剪距离，多个第一距离的平均值与第一修剪距离的差值，与硅块头部的切割位置到少子寿命分布图中对应硅块头部边缘的距离相等。
进一步的，第一修剪距离为3-10mm。具体的，第一修剪距离可以但不限于为4mm、5mm、7mm或9mm。
在本发明中，当四个第一距离的平均偏差与四个第一距离的平均值的比例大于1:4时，可以设定第一修剪距离，分析确定硅块头部的切割位置，以减少硅块损失。
可选的，根据每个少子寿命分布图中的第二预设切割位置确定硅块尾部的切割位置，包括：
根据每个少子寿命分布图中的第二预设切割位置，计算得到与少子寿命分布图中对应硅块尾部边缘的第二距离；
少子寿命分布图中，到少子寿命分布图中对应硅块尾部边缘的距离为多个第二距离的平均值的位置，作为硅块尾部的切割位置。
可选的，根据每个少子寿命分布图中的第二预设切割位置确定硅块尾部的切割位置，包括：
根据每个少子寿命分布图中的第二预设切割位置，计算得到与少子寿命分布图中对应硅块尾部边缘的第二距离；
设定第二修剪距离，多个第二距离的平均值与第二修剪距离的差值，与硅块尾部的切割位置到少子寿命分布图中对应硅块尾部边缘的距离相等。
进一步的，第二修剪距离为3-10mm。具体的，第二修剪距离可以但不限于为4mm、5mm、7mm或9mm。其中，第一修剪距离和第二修剪距离可以相同，也可以不同，对此不作限定。
在本发明中，当四个第二距离的平均偏差与四个第二距离的平均值的比例大于1:4时，可以设定第二修剪距离，分析确定硅块尾部的切割位置，以减少硅块损失。
请参阅图4，为本发明一实施例提供的硅块头尾部去除方法中步骤S103示意图。根据多个第一预设切割位置，计算与少子寿命分布图中对应硅块头部边缘的第一距离，其中，A1中第一预设切割位置B1对应的第一距离为L1，A2中第一预设切割位置B2对应的第一距离为L2，A3中第一预设切割位置B3对应的第一距离为L3，A4中第一预设切割位置B4对应的第一距离为L4。少子寿命分布图中，到少子寿命分布图中对应硅块头部边缘的距离为多个第一距离的平均值的位置，作为硅块头部的切割位置，即硅块头部的切割位置至少子寿命分布图中对应硅块头部边缘的距离为L1、L2、L3和L4的平均值，也可以设定第一修剪距离，L1、L2、L3和L4的平均值与第一修剪距离的差值与硅块头部的切割位置到少子寿命分布图中对应硅块头部边缘的距离相等。在一具体实施例中，当L1、L2、L3和L4的平均偏差与L1、L2、L3和L4的平均值的比例大于1:4时，可以设定第一修剪距离，分析确定硅块头部的切割位置，以减少硅块损失。类似的，根据多个第二预设切割位置，计算其与少子寿命分布图中对应硅块尾部边缘的第二距离，其中，A1中第二预设切割位置C1对应的第二距离为H1，A2中第二预设切割位置C2对应的第二距离为H2，A3中第二预设切割位置C3对应的第二距离为H3，A4中第二预设切割位置C4对应的第二距离为L4。少子寿命分布图中，到少子寿命分布图中对应硅块尾部边缘的距离为多个第二距离的平均值的位置，作为硅块尾部的切割位置，即硅块尾部的切割位置至少子寿命分布图中对应硅块尾部边缘的距离为H1、H2、H3和H4的平均值，也可以设定第二修剪距离，H1、H2、H3和H4的平均值与第二修剪距离的差值与硅块尾部的切割位置到少子寿命分布图中对应硅块尾部边缘的距离相等。在一具体实施例中，当H1、H2、H3和H4的平均偏差与H1、H2、H3和H4的平均值的比例大于1:4时，可以设定第二修剪距离，分析确定硅块尾部的切割位置，以减少硅块损失。
步骤S104：根据所述硅块头部的切割位置和所述硅块尾部的切割位置对所述硅块头尾部进行切除。
请参阅图5，为本发明一实施例提供的硅块头尾部去除方法中步骤S104示意图。根据上述的块头部的切割位置和硅块尾部的切割位置对硅块进行切割，以尽可能去除缺陷，并减少硅块损失，切除后的硅块可以进行后续硅片的制备等。
在本发明中，通过扫描硅块，得到硅块四个侧面的少子寿命分布图，综合分析计算得到硅块头部和尾部实际切除位置，尽可能减少硅块损失，并有效去除硅块头尾部缺陷，使得去除后的硅块质量显著提高。
参阅图6，为本发明实施例提供的一种硅块头尾部去除装置的结构示意图。硅块头尾部去除装置600包括：
扫描模块601，用于扫描硅块，得到硅块四个侧面的少子寿命分布图；
判断模块602，用于设定少子寿命阈值，根据少子寿命阈值判断每个少子寿命分布图中，对应于硅块头部的第一预设切割位置和对应于硅块尾部的第二预设切割位置；
分析模块603，用于根据每个少子寿命分布图中的第一预设切割位置确定硅块头部的切割位置，根据每个少子寿命分布图中的第二预设切割位置确定硅块尾部的切割位置；
切除模块604，用于根据硅块头部的切割位置和硅块尾部的切割位置对硅块头尾部进行切除。
可选的，所述分析模块包括第一分析子模块和第二分析子模块。进一步的，所述第一分析子木块用于根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，所述第二分析子模块用于根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置。
实施例1
将铸造单晶硅块的4个侧面分别测试少子寿命，得到四个少子寿命分布图。
选用3μs作为少子寿命阀值，将每个少子寿命分布图中对应硅块头部区域中少子寿命低于3μs，且距离少子寿命分布图对应硅块头部边缘最远的位置作为第一预设切割位置，计算每张图中第一预设切割位置到少子寿命分布图中对应硅块头部边缘的距离为108mm、166mm、144mm和62mm，108mm、166mm、144mm和62mm的平均值为120mm，将少子寿命分布图中距离少子寿命分布图中对应硅块头部边缘的距离为120mm的位置作为硅块头部的切割位置。
将每个少子寿命分布图中对应硅块尾部区域中少子寿命低于3μs，且距离少子寿命分布图对应硅块尾部边缘最远的位置作为第二预设切割位置，计算每张图中第二预设切割位置到少子寿命分布图中对应硅块尾部边缘的距离为54mm，52mm，56mm和50mm，54mm，52mm，56mm和50mm的平均值为53mm；设定第二修剪距离为5mm，将少子寿命分布图中距离少子寿命分布图中对应硅块头部边缘的距离为48mm的位置作为硅块尾部的切割位置。
根据硅块头部的切割位置和硅块尾部的切割位置对硅块头尾部进行切除。
将切除后的硅块切割成硅片并应用至电池中，其平均电池转换效率达到20％以上，低效比率5％。
本发明提供的硅块头尾部去除方法和去除装置可以有效去除硅块头尾部的缺陷，尽可能减少硅块损失，使得去除后的硅块质量显著提高。
以上所述是本发明的优选实施方式，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种硅块头尾部去除方法，其特征在于，包括：
扫描硅块，得到所述硅块四个侧面的少子寿命分布图；
设定少子寿命阈值，根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置；
根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置；
根据所述硅块头部的切割位置和所述硅块尾部的切割位置对所述硅块头尾部进行切除。
2.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置，包括：
将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块头部边缘最远的位置作为所述第一预设切割位置；以及将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块尾部边缘最远的位置作为所述第二预设切割位置。
3.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述少子寿命阈值为1μs-4μs。
4.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，包括：
根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的第一距离；
所述少子寿命分布图中，到所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的距离为多个所述第一距离的平均值的位置，作为所述硅块头部的切割位置。
5.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，包括：
根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的第一距离；
设定第一修剪距离，多个所述第一距离的平均值与所述第一修剪距离的差值，与所述硅块头部的切割位置到所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部边缘的距离相等。
6.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置，包括：
根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的第二距离；
所述少子寿命分布图中，到所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的距离为多个所述第二距离的平均值的位置，作为所述硅块尾部的切割位置。
7.如权利要求1所述的硅块头尾部去除方法，其特征在于，所述根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置，包括：
根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置，计算得到与所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的第二距离；
设定第二修剪距离，多个所述第二距离的平均值与所述第二修剪距离的差值，与所述硅块尾部的切割位置到所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部边缘的距离相等。
8.一种硅块头尾部去除装置，其特征在于，包括：
扫描模块，用于扫描硅块，得到所述硅块四个侧面的少子寿命分布图；
判断模块，用于设定少子寿命阈值，根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置；
分析模块，用于根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置；
切除模块，用于根据所述硅块头部的切割位置和所述硅块尾部的切割位置对所述硅块头尾部进行切除。
9.如权利要求8所述的硅块头尾部去除装置，其特征在于，所述判断模块进一步用于将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块头部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块头部边缘最远的位置作为所述第一预设切割位置；以及将每个所述少子寿命分布图中对应所述硅块尾部的区域内，少子寿命低于所述少子寿命阈值，且距离所述少子寿命分布图对应所述硅块尾部边缘最远的位置作为所述第二预设切割位置。
10.如权利要求8所述的硅块头尾部去除装置，其特征在于，所述少子寿命阈值为1μs-4μs。
Priority Applications (1)
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