CN109742086A - 一种显示面板、制作方法及其显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板、制作方法及其显示装置,显示面板包括:衬底、像素电极以及形成在所述衬底上的第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件,所述第一开关元件控制连接所述像素电极;第二开关元件感光并输出感光电流;第三开关元件的输入端与所述第二开关元件的输出端连接,读出所述第二开关元件的感光电流;其中,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的结构相同,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的有源层皆为相同的感光材料;所述显示面板还包括遮光层,所述遮光层覆盖所述第一开关元件和第三开关元件,并露出所述第二开关元件;可以提高带有感光元件的显示面板生产良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、制作方法及其显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor-LCD,TFT-LCD)近年来得到了飞速地发展和广泛地应用。就主流市场上的TFT-LCD显示面板而言,一般包括阵列基板和彩膜基板,在阵列基板上形成薄膜晶体管,薄膜晶体管控制像素电极的开关,薄膜晶体管打开时,像素电极产生电压,使得液晶分子发生偏转,显示画面。
一部分具有感光元件的显示面板,是通过感光元件的光学原理产生感光电流,由开关元件读出,可实现对显示面板的触控,指纹识别等功能,而感光元件在显示面板中的制程,稳定性等原因,使得感光元件的生产良率较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种显示面板、制作方法及其显示装置,提高生产良率。
本发明公开了一种显示面板,包括:衬底、像素电极、形成在所述衬底上的第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件;所述第一开关元件控制连接所述像素电极;所述第二开关元件感光并输出感光电流;所述第三开关元件的输入端与所述第二开关元件的输出端连接,读取所述第二开关元件的感光电流;其中,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的结构相同,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的有源层皆为相同的感光材料;所述显示面板还包括遮光层,所述遮光层覆盖所述第一开关元件和第三开关元件,并露出所述第二开关元件。
可选的,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件形成在衬底的同一层上。
可选的,感光材料为非晶硅。
可选的,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件包括:栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层;所述第一开关元件的栅极、所述第二开关元件的栅极和所述第三开关元件的栅极形成在同一层;所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极绝缘层形成在同一层;所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的有源层形成在同一层;所述第一开关元件的源极和漏极、第二开关元件的源极和漏极、第三开关元件的源极和漏极形成在同一层;所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的钝化层形成在同一层。
可选的,有源层上还包括欧姆接触层,欧姆接触层的宽度不超出源极和漏极的宽度。
可选的,第一开关元件和第三开关元件在像素电极区域外,第二开关元件在像素电极区域内。
本发明还公开了一种显示面板的制作方法,包括步骤:
衬底上同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极;
同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极绝缘层,有源层、源极和漏极;
同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的钝化层。
在第一开关元件的漏极上的钝化层形成过孔,沉积透明电极层;透明电极层与所述像素电极相连;
形成遮光层,所述遮光层覆盖所述第一开关元件和第三开关元件,并露出所述第二开关元件。
可选的,所述同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极绝缘层,有源层、源极和漏极的步骤中:还包括同步形成欧姆接触层的步骤,所述欧姆接触层形成在有源层和源极、漏极之间,所述欧姆接触层的宽度不超出源极和漏极的宽度。
可选的,在同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的钝化层的步骤之后,还包括:
在第二开关元件的漏极的钝化层打孔,在第三开关元件的源极上的钝化层打孔;
在第二开关元件的漏极和第三开关元件的源极上的过孔沉积第二透明电极,第二透明电极连接第二开关元件的漏极和第三开关元件的源极。
本发明还公开了一种显示装置,包括上述的显示面板。
本发明中,第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的结构一样,材料相同,有源层材料都为感光材料,在生产中只需要同一种曝光显影工艺流程即可生产,与显示面板中薄膜晶体管也就是第一开关元件的加工方式一样,可以提高带有感光元件的显示面板生产良率;其中,第一开关元件控制连接所述像素电极,为显示面板中的显示开关,第二开关元件作为感光元件,对光照敏感,会产生感光电流,由第三开关元件读出;第一开关元件和第三开关元件的有源层也为感光材料,对应非遮光区,使得第一开关元件和第三开关元件不会受到光照的影响而产生感光电流,影响第一开关元件和第三开关元件的开关特性。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解,其构成了说明书的一部分,用于例示本申请的实施方式,并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1是本发明的一实施例的一种感光元件感光的示意图;
图2是本发明的一实施例的第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的示意图;
图3是本发明的一实施例的第一开关元件的示意图;
图4是本发明的一实施例的第二开关元件的示意图;
图5是本发明的一实施例的第三开关元件的示意图;
图6是本发明的一实施例的遮光层的示意图;
图7是本发明的一实施例的像素电极的示意图;
图8是本发明的一实施例的非晶硅的光电特性的示意图;
图9是本发明的一实施例的显示面板的制作方法的步骤示意图;
图10是本发明的一实施例的第二开关元件与第三开关元件的示意图;
图11是本发明的另一实施例的第二开关元件与第三开关元件的示意图;
图12是本发明的另一实施例的显示面板的制作方法的步骤示意图;
图13是本发明的一实施例的通过4-Mask的工艺流程制作得到的开关元件的示意图;
图14是本发明的一实施例的显示装置的示意图。
其中,100、显示面板;110、衬底;120、像素电极;130、第一开关元件;131、栅极;132、栅极绝缘层;133、有源层;134、欧姆接触层;135、源极;136、漏极;137、钝化层;138、沟道;139、透明电极层;140、第二开关元件;141、第二金属层;142、第二透明电极;150、第三开关元件;160、遮光层;170、彩膜基板;180、数据线;190、扫描线;200、显示装置。
具体实施方式
需要理解的是,这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节,仅仅是为了描述具体实施例,是代表性的,但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现,不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示相对重要性,或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,除非另有说明,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征;“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形,意为不排他的包含,可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
另外,“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语,是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的,仅是为了便于描述本申请的简化描述,而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
此外,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面参考附图和可选的实施例对本发明作进一步说明。
如图1至图7所示,本发明实施例公布了一种显示面板,显示面板包括阵列基板和彩膜基板,阵列基板包括:衬底110、像素电极120以及形成在所述衬底110上的第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150,衬底110为阵列基板上的衬底玻璃,阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶分子层;所述第一开关元件130控制连接所述像素电极120;第二开关元件140感光并输出感光电流;第三开关元件150的输入端与所述第二开关元件140的输出端连接,读取所述第二开关元件140的感光电流;其中,所述第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150的结构相同,所述第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150的有源层133皆为相同的感光材料;所述显示面板还包括遮光层160,所述遮光层160覆盖所述第一开关元件130和第三开关元件150,并露出所述第二开关元件140。
本方案中,第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150的结构一样,材料相同,有源层133材料都为感光材料,在生产中只需要同一种曝光显影工艺流程即可生产,与显示面板中薄膜晶体管也就是第一开关元件130的加工方式一样,可以提高带有感光元件的显示面板生产良率;其中,第一开关元件130控制连接所述像素电极120,为显示面板中的显示开关,第二开关元件140作为感光元件,对光照敏感,会产生感光电流,由第三开关元件150读出;第一开关元件130和第三开关元件150的有源层133也为感光材料,对应非遮光区,使得第一开关元件130和第三开关元件150不会受到光照的影响而产生感光电流,影响第一开关元件130和第三开关元件150的开关特性,具体的,遮光层160位于显示面板的彩膜基板170上。
具体的,以第二开关元件140用作指纹识别为例,如图1所示,指纹存在波峰和波谷,在光线照射在波峰和波谷产生的光强不一样,当手指按压在带有第二开光元件的显示面板上时,手指会反射显示面板的背光源发射出来的光线到第二开关元件140上,第三开关元件150的栅极131与显示面板的扫描线190连接,当第三开关元件150的栅极131满足电压条件时,由第三开关元件150读出第二开关元件140的感光电流并发送到系统处理器中处理还原出按压在显示面板上的指纹纹路。
在一实施例中,如图2所示,所述第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150形成在衬底110的同一层上。本方案中,第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150的结构相同,有源层133材料相同,并将第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150形成在衬底110的同一层上,这样的结构设计使得在制成所述的显示面板时,可以通过同一制程同步制成第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150,相对于在第一基板上先后分别形成第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150的方案来说,节省了制成时间,同时节省了成本,且性能更一致,更稳定。
在一实施例中,第二开关元件140和第三开关元件150形成在衬底110的同一层上,通过同一制程同步制程;或者第一开关元件130和第三开关元件150形成在衬底110的同一层上,通过同一制程同步制程;或者第一开关元件130和第二开关元件140形成在衬底110的同一层上,通过同一制程同步制程;本领域的技术人员可以根据实际显示面板的设计需要灵活选择上述方案。
具体的,第一开关元件130的栅极131、第二开关元件140的栅极131和第三开关元件150的栅极131形成在同一层;第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150的栅极绝缘层132形成在同一层;第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150的有源层133形成在同一层;第一开关元件130的源极135和漏极136、第二开关元件140的源极135和漏极136、第三开关元件150的源极135和漏极136形成在同一层;第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150的钝化层137形成在同一层。
具体的,第一开关元件130的栅极131、第二开关元件140的栅极131和第三开关元件150的栅极131形成在衬底110上第一层,依次为栅极131绝缘层和有源层133,在有源层133上形成第一开关元件130的源极135和漏极136、第二开关元件140的源极135和漏极136、第三开关元件150的源极135和漏极136,之后形成钝化层137,最后形成透明电极层139。本方案中,将第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150的各个层对应并在同一层同制程,使得第一开关元件130、第二开关元件140和第三开关元件150的开关特性更好。
在一实施例中,有源层133上还包括欧姆接触层134,欧姆接触层134的宽度不超出源极和漏极的宽度。本方案中,欧姆接触层134过宽,会遮挡有源层133的感光面积,当欧姆接触层134的宽度不超出源极和漏极的宽度,使得有源层133的感光面积更大。
在一实施例中,有源层133材料为非晶硅。图8示出了非晶硅在不同的光照强度下的光电特性:在无光照时,也就是图中处于黑暗(dark)中时,非晶硅材料的有源层133在不同栅极131电压(Vg)下产生的漏电流(Id)曲线最低,当光照为500lux、1250lux、2500lux和5000lux时,在不同栅极131电压(Vg)下产生的漏电流(Id)变化,因此产生的漏电流可以直观反映光照强度,因此,可作为感光器件(如本方案中的第二开关元件140);而对应Vg处于0V至-30V的区间,可以看出不同光照强度与dark时产生的漏电流Id区别明显,如,对应Vg=-6V时,dark对应的Id值最小,且在不同光照强度下的Id区别非常明显,有源层133为非晶硅的开关元件在黑暗中时,在Vg=-6V,产生的漏电流极小,对开关特性产生影响较小,因此可作为第一开关元件130和第三开关元件150。
当然,在一实施例中,有源层133材料为微晶硅和多晶硅。微晶硅和多晶硅经过性能测试后也可以,其中,多晶硅相对于非晶硅,漏电流可以更直观反映光照强度。具体的,非晶硅可以通过快速热退火(rapid thermal annealing RTA)技术到微晶硅或多晶硅:多晶硅可以由非晶硅制得。
在一实施例中,像素电极120与第一开关元件130相连,第一开关元件130和第三开关元件150在像素电极120区域外,第二开关元件140在像素电极120区域内。本方案中,如图7所示,像素电极120与第一开关元件130的漏极136相连,第一开关元件130的栅极131与显示面板的扫描线190相连,第一开关元件130的源极135与显示面板的数据线180相连,第三开关元件150的栅极131与显示面板的扫描线190相连;像素电极120对应显示面板的显示区,对应的材料使用都是透明材料,第一开关元件130和第三开关元件150位于像素电极120区域外,对应非镂空区域,可以使得显示面板的开口率达到最大开口率,而第二开关元件140需要收集手指反射的光线,对应在像素电极120区域内,设置为镂空区;其中,非镂空区使用黑矩阵用来遮光,第一开关元件130和第三开关元件150使用黑矩阵进行遮光,位于像素电极120区域外,可以使得显示面板的开口率达到最大值。
在一实施例中,一个像素电极120区域内,至少有两个第二开关元件140,第三开关元件150在像素电极120区域外,与第二开关元件140一一对应连接。本方案中,像素电极120区域内不止一个第二开关元件140,在像素电极120区域内不止一个第二开关元件140收集手指反射的光线,使得手指单位面积内有更多的第二开关元件140收集光线,使得对手指指纹的解析度提高。
如图2至图8所示,作为本发明的另一实施例,公开了一种显示面板,包括:衬底110、像素电极120、形成在所述衬底110上薄膜晶体管即第一开关元件130、感光传感器即第二开关元件140和读出元件即第三开关元件150,所述薄膜晶体管控制连接所述像素电极120;感光传感器感光并输出感光电流;读出元件的输入端与所述感光元件的输出端连接,读出所述感光传感器的感光电流;其中,薄膜晶体管、感光传感器和读出元件的结构一样,都为TFT结构,材料相同,有源层133材料都为非晶硅材料;所述显示面板还包括遮光层160,所述遮光层160覆盖所述薄膜晶体管和读出元件,并露出所述感光传感器。薄膜晶体管的栅极131、感光传感器的栅极131和读出元件的栅极131形成在衬底110上第一层,依次为栅极131绝缘层和有源层133,在有源层133上形成薄膜晶体管的源极135和漏极136、感光传感器的源极135和漏极136、读出元件的源极135和漏极136,之后形成绝缘层,最后形成透明电极层139。
如图9所示,作为本发明的另一实施例,公开了一种显示面板的制作方法,包括步骤:
S101:衬底上同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极;
S102:同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极绝缘层、有源层、源极和漏极;
S103:同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的钝化层。
S104:在第一开关元件的漏极上的钝化层形成过孔,沉积透明电极层;透明电极层与所述像素电极相连;
S105:形成遮光层,所述遮光层覆盖所述第一开关元件和第三开关元件,并露出所述第二开关元件。
其中,所述S102步骤中:所述有源层材料都为感光材料。
在一实施例中,所述S102步骤中:还包括同步形成欧姆接触层的步骤,所述欧姆接触层形成在有源层和源极、漏极之间。
在一实施例中,在S103步骤之后,还包括:
在第二开关元件的漏极的钝化层打孔,在第三开关元件的源极上的钝化层打孔;
在第二开关元件的漏极和第三开关元件的源极上的过孔沉积第二透明电极,第二透明电极连接第二开关元件的漏极和第三开关元件的源极。
本方案中,如图10所示,第二开关的输出端与第三开关元件的输入端通过透明电极层连接起来。
当然,在S102步骤中,形成源极和漏极时,保留第二开关元件的漏极和第三开关元件的源极之间的金属层也可以。
本方案中,如图11所示,第二开关元件的输出端为漏极,第三开关元件的输入端为源极,第二开关的输出端与第三开关元件的输入端连接,通过在制程中形成第二金属层是,通过曝光显影,保留第二开关元件的漏极和第三开关元件的源极之间的金属层。
如图12所示,作为本发明的另一实施例,公开了一种显示面板的制作方法,包括:
S111:使用第一道掩膜板在衬底上同时形成第一开关元件的栅极,第二开关元件的栅极和第三开关元件的栅极;
S112:连续沉积栅极绝缘层、有源层以及第二金属层,使用半色调掩膜板曝光显影后,形成第一开关元件以及源极、漏极和有源层;
S113:去除第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的沟道内的金属层;形成第一开关元件的源极和漏极、第二开关元件的源极和漏极、第三开关元件的源极和漏极;
S114:去除第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的沟道内的部分有源层,形成所需要的沟道;
S115:使用第三道掩膜板形成钝化层,在第一开关元件的漏极、第二开关元件的源极和第三开关元件的漏极上的钝化层形成过孔;
S116:使用第四道掩膜板沉积透明电极层,形成像素电极与第一开关元件的漏极连接,第二开关元件的源极和第三开关元件的漏极通过第二透明电极连接;
具体的,如图13为四道掩膜板(4-Mask)工艺流程,在衬底上形成栅极,连续沉积栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层,使用半色调掩模板形成凹状的光刻胶,去除沟道外的第二金属层、欧姆接触层和有源层,去除沟道内的第二金属层、欧姆接触层和部分有源层,形成沟道,沉积钝化层,在钝化层上形成过孔,在过孔处沉积透明电极层。本方案中,只需要四道掩膜板可以同时制成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件,节省了工艺流程,节省了制成时间,同时节省了成本。
其中,也可以通过五道掩膜板同时制成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件,在第二道掩膜板时,直接形成栅极绝缘层,有源层和第二金属层,在沉积第二金属层的步骤中,使用另一种掩膜板,不去除第二开关元件的源极与第三开关元件的漏极之间的第二金属层,连接第二开关元件的源极与第三开关元件的漏极。本方案中,第二透明电极(ITO)设置为很薄的一层,在实际生产中,较容易出现断裂的情况,直接通过五道掩膜板(5-mask)工艺,将第二源极与第三漏极通过金属层连接起来,使得第二源极与第三漏极连接具有稳定性。
在一实施例中,在S114步骤完成后,进行光刻胶灰化,去除第三开关元件的沟道内的带尾,使得欧姆接触层的宽度不大于源极和漏极的宽度。具体的,在S114步骤完成后,对金属层上的光刻胶进行灰化,改变光刻胶的宽度,通过干刻去除第三沟道内的带尾。本方案中,由于沟道内的有源层在去除的时候容易形成带尾,带尾会影响第二开关元件的收集手指反射光的面积,通过光刻胶灰化,去除掉沟道内的带尾,提升第二开关元件有源层的感光品质。
如图14所示,本发明还公开了一种显示装置200,包括上述的显示面板100。
需要说明的是,本方案中涉及到的各步骤的限定,在不影响具体方案实施的前提下,并不认定为对步骤先后顺序做出限定,写在前面的步骤可以是在先执行的,也可以是在后执行的,甚至也可以是同时执行的,只要能实施本方案,都应当视为属于本申请的保护范围。
本申请的技术方案可以广泛用于各种显示面板,如扭曲向列型(TwistedNematic,TN)显示面板、平面转换型(In-Plane Switching,IPS)显示面板、垂直配向型(Vertical Alignment,VA)显示面板、多象限垂直配向型(Multi-Domain VerticalAlignment,MVA)显示面板,当然,也可以是其他类型的显示面板,如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板,均可适用上述方案。
以上内容是结合具体的可选的实施方式对本申请所作的进一步详细说明,不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
像素电极;
第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件,形成在所述衬底上;
所述第一开关元件控制连接所述像素电极;
所述第二开关元件感光并输出感光电流;以及
所述第三开关元件的输入端与所述第二开关元件的输出端连接,读取所述第二开关元件的感光电流;
其中,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的结构相同,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的有源层皆为相同的感光材料;
所述显示面板还包括遮光层,所述遮光层覆盖所述第一开关元件和第三开关元件,并露出所述第二开关元件。
2.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件形成在衬底的同一层上。
3.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,感光材料为非晶硅。
4.如权利要求2所述的一种显示面板,其特征在于,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件分别包括:栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层;
所述第一开关元件的栅极、所述第二开关元件的栅极和所述第三开关元件的栅极形成在同一层;
所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极绝缘层形成在同一层;
所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的有源层形成在同一层;
所述第一开关元件的源极和漏极、第二开关元件的源极和漏极、第三开关元件的源极和漏极形成在同一层;
所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的钝化层形成在同一层;
5.如权利要求4所述的一种显示面板,其特征在于,有源层上还包括欧姆接触层,欧姆接触层的宽度不超出源极和漏极的宽度。
6.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,第一开关元件和第三开关元件在像素电极区域外,第二开关元件在像素电极区域内。
7.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
衬底上同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极;
同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极绝缘层、有源层、源极和漏极;
同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的钝化层。
在第一开关元件的漏极上的钝化层形成过孔,沉积透明电极层;透明电极层与所述像素电极相连;以及
形成遮光层,所述遮光层覆盖所述第一开关元件和第三开关元件,并露出所述第二开关元件。
8.如权利要求7所述的一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极绝缘层、有源层、源极和漏极的步骤中:还包括同步形成欧姆接触层的步骤,所述欧姆接触层形成在有源层和源极、漏极之间,所述欧姆接触层的宽度不超出源极和漏极的宽度。
9.如权利要求7所述的一种显示面板的制作方法,其特征在于,在同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的钝化层的步骤之后,还包括:
在第二开关元件的漏极的钝化层打孔,在第三开关元件的源极上的钝化层打孔;
在第二开关元件的漏极和第三开关元件的源极上的过孔沉积第二透明电极,第二透明电极连接第二开关元件的漏极和第三开关元件的源极。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如上述权利要求1至6任意一项所述的显示面板。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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