CN109714691B - 一种移动终端的音频信号处理方法、移动终端及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种移动终端，包括：编译解码器，编译解码器的音频输出正端分别与第NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管的漏极连接，编译解码器的音频输出负端分别与HAC电感的一端、匹配电阻的一端、及扬声器听筒联合组件的一端分别连接，第一NMOS管的源极与HAC电感的另一端连接，第二NMOS管的源极与匹配电阻的另一端连接，第三NMOS管与扬声器听筒联合组件的另一端连接，第一GPIO接口与第一NMOS管的栅极连接，第二GPIO接口与第二NMOS管的栅极连接，第三GPIO接口与第三NMOS管的栅极连接，音频输出正端与音频输出负端分别与AB类放大器及D类放大器连接。此外，本发明还公开一种移动终端的音频信号处理方法及存储介质。本发明实施例公开的移动终端，能够提高音频性能。

Description

一种移动终端的音频信号处理方法、移动终端及存储介质

技术领域

本发明涉及移动终端控制技术领域，尤其涉及一种移动终端的音频信号处理方法、移动终端及存储介质。

背景技术

目前市场上会针对老年人听力不好或者针对听力障碍的人提供带有助听功能的移动终端。当移动终端支持助听功能时，其听筒需要选取带有助听功能的听筒，而由于结构等限制很多移动终端选择二合一扬声器/听筒，即移动终端多采用扬声器和听筒组合在一起的二合一组件。但是由于扬声器听筒联合组件与助听兼容(Hearing Aid Compliance，HAC)电感之间选择电路路径的匹配度比较低，导致音频性能比较差。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种移动终端的音频信号处理方法、移动终端及存储介质，以解决上述技术问题。

首先，为解决上述问题，本发明提出一种移动终端，包括：

编译解码器，所述编译解码器的音频输出正端分别与第一N型金属氧化物半导体NMOS场效应晶体管的漏极、第二NMOS场效应晶体管的漏极及第三NMOS场效应晶体管的漏极连接，所述编译解码器的音频输出负端分别与助听兼容HAC电感的一端、匹配电阻的一端、及扬声器听筒联合组件的一端分别连接，所述第一NMOS场效应晶体管的源极与所述HAC电感的另一端连接，所述第二NMOS场效应晶体管的源极与所述匹配电阻的另一端连接，所述第三NMOS场效应晶体管与所述扬声器听筒联合组件的另一端连接，所述编译解码器的第一通用输入输出GPIO接口与所述第一NMOS场效应晶体管的栅极连接，所述编译解码器的第二GPIO接口与所述第二NMOS场效应晶体管的栅极连接，所述编译解码器的第三GPIO接口与所述第三NMOS场效应晶体管的栅极连接，所述编译解码器的所述音频输出正端与所述音频输出负端分别与AB类放大器连接，所述编译解码器的所述音频输出正端与所述音频输出负端还分别与D类放大器连接。

可选地，所述匹配电阻的阻值等于所述HAC电感的阻值减去所述扬声器听筒联合组件的阻值。

可选的，所述扬声器听筒联合组件的工作模式包括听筒模式，在所述听筒模式下，通过所述AB类放大器按照与所述听筒模式匹配的第一目标功率输出音频信号。

可选地，所述扬声器听筒联合组件包括HAC模式，在所述HAC模式下，通过所述AB类放大器按照与所述HAC模式匹配的第二目标功率输出音频信号。

可选地，所述扬声器听筒联合组件包括听筒HAC模式，在所述听筒HAC组合模式下，通过所述AB类放大器按照与所述听筒HAC组合模式匹配的第三目标功率输出音频信号。

可选的，所述扬声器听筒联合组件包括喇叭模式，在所述喇叭模式下，通过所述D类放大器按照与所述喇叭模式匹配的第第四目标功率输出音频信号。

可选的，所述第三目标功率由所述扬声器听筒联合组件的阻值、所述HAC电感的阻值、所述第一目标功率及所述第二目标功率。

进一步地，为实现上述目的，本发明还提供一种移动终端的音频信息处理方法，应用于上述的移动终端，所述方法包括：

监测音频输出事件，并判断所述音频输出事件的输出音源的类型；

在所述输出音源的类型为扬声器听筒联合输出音源的情况下，获取所述扬声器听筒联合组件所处的工作模式；

根据所述工作模式，从D类放大器及AB类放大器中确定目标类型放大器，并确定与所述目标类型放大器及所述工作模式匹配的目标功率，并分别确定所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的第一目标电平状态、所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的第二目标电平状态、及所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的第三目标电平状态；

调整所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第一目标电平状态、调整所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第二目标电平状态、及调整所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第三目标电平状态，控制所述目标类型放大器按照所述目标功率输出音频信号。

进一步地，为实现上述目的，本发明还提供一种移动终端，所述移动终端包括存储器、至少一个处理器及存储在所述存储器上并可在所述至少一个处理器执行的至少一个程序，所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行时实现上述移动终端的音频信号处理方法中的步骤。

进一步地，为实现上述目的，本发明还提供一种存储介质，所述存储介质存储有计算机可执行的至少一个程序，所述至少一个程序被所述计算机执行时使所述计算机执行上述移动终端的音频信号处理方法中的步骤。

相较于现有技术，本发明所提出的移动终端，通过控制第一NMOS场效应晶体管、第二NMOS场效应晶体管及第三NMOS场效应晶体管的截止和导通状态，提高扬声器听筒联合组件与HAC电感之间选择电路路径的匹配度，从而提高移动终端的音频性能。

附图说明

图1是实现本发明各个实施例的一种移动终端的硬件结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种通信网络系统架构图；

图3是本发明实施例提供的另一种移动终端的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的另一种移动终端的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的另一种移动终端的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的另一种移动终端的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的另一种移动终端的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的一种移动终端的音频信号处理方法的流程图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或“单元”的后缀仅为了有利于本发明的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”、“部件”或“单元”可以混合地使用。

终端可以以各种形式来实施。例如，本发明中描述的终端可以包括诸如手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、便捷式媒体播放器(Portable Media Player，PMP)、导航装置、可穿戴设备、移动终端、计步器等移动终端，以及诸如数字TV、台式计算机等固定终端。

后续描述中将以移动终端为例进行说明，本领域技术人员将理解的是，除了特别用于移动目的的元件之外，根据本发明的实施方式的构造也能够应用于固定类型的终端。

请参阅图1，其为实现本发明各个实施例的一种移动终端的硬件结构示意图，该移动终端100可以包括：RF(Radio Frequency，射频)单元101、WiFi模块102、音频输出单元103、A/V(音频/视频)输入单元104、传感器105、显示单元106、用户输入单元107、接口单元108、存储器109、处理器110、以及电源111等部件，所述处理器110的个数为至少一个。本领域技术人员可以理解，图1中示出的移动终端结构并不构成对移动终端的限定，移动终端可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

下面结合图1对移动终端的各个部件进行具体的介绍：

射频单元101可用于收发信息或通话过程中，信号的接收和发送，具体的，将基站的下行信息接收后，给处理器110处理；另外，将上行的数据发送给基站。通常，射频单元101包括但不限于天线、至少一个放大器、收发信机、耦合器、低噪声放大器、双工器等。此外，射频单元101还可以通过无线通信与网络和其他设备通信。上述无线通信可以使用任一通信标准或协议，包括但不限于GSM(Global System ofMobile communication，全球移动通讯系统)、GPRS(General Packet Radio Service，通用分组无线服务)、CDMA2000(CodeDivision Multiple Access 2000，码分多址2000)、WCDMA(Wideband Code DivisionMultiple Access,宽带码分多址)、TD-SCDMA(Time Division-Synchronous CodeDivision Multiple Access，时分同步码分多址)、FDD-LTE(Frequency DivisionDuplexing-Long Term Evolution，频分双工长期演进)和TDD-LTE(Time DivisionDuplexing-Long Term Evolution，分时双工长期演进)等。

WiFi属于短距离无线传输技术，移动终端通过WiFi模块102可以帮助用户收发电子邮件、浏览网页和访问流式媒体等，它为用户提供了无线的宽带互联网访问。虽然图1示出了WiFi模块102，但是可以理解的是，其并不属于移动终端的必须构成，完全可以根据需要在不改变发明的本质的范围内而省略。

音频输出单元103可以在移动终端100处于呼叫信号接收模式、通话模式、记录模式、语音识别模式、广播接收模式等等模式下时，将射频单元101或WiFi模块102接收的或者在存储器109中存储的音频数据转换成音频信号并且输出为声音。而且，音频输出单元103还可以提供与移动终端100执行的特定功能相关的音频输出(例如，呼叫信号接收声音、消息接收声音等等)。音频输出单元103可以包括扬声器、蜂鸣器等等。

A/V输入单元104用于接收音频或视频信号。A/V输入单元104可以包括图形处理器(Graphics Processing Unit，GPU)1041和麦克风1042，图形处理器1041对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。处理后的图像帧可以显示在显示单元106上。经图形处理器1041处理后的图像帧可以存储在存储器109(或其它存储介质)中或者经由射频单元101或WiFi模块102进行发送。麦克风1042可以在电话通话模式、记录模式、语音识别模式等等运行模式中经由麦克风1042接收声音(音频数据)，并且能够将这样的声音处理为音频数据。处理后的音频(语音)数据可以在电话通话模式的情况下转换为可经由射频单元101发送到移动通信基站的格式输出。麦克风1042可以实施各种类型的噪声消除(或抑制)算法以消除(或抑制)在接收和发送音频信号的过程中产生的噪声或者干扰。

移动终端100还包括至少一种传感器105，比如光传感器、运动传感器以及其他传感器。具体地，光传感器包括环境光传感器及接近传感器，其中，环境光传感器可根据环境光线的明暗来调节显示面板1061的亮度，接近传感器可在移动终端100移动到耳边时，关闭显示面板1061和/或背光。作为运动传感器的一种，加速计传感器可检测各个方向上(一般为三轴)加速度的大小，静止时可检测出重力的大小及方向，可用于识别手机姿态的应用(比如横竖屏切换、相关游戏、磁力计姿态校准)、振动识别相关功能(比如计步器、敲击)等；至于手机还可配置的指纹传感器、压力传感器、虹膜传感器、分子传感器、陀螺仪、气压计、湿度计、温度计、红外线传感器等其他传感器，在此不再赘述。

显示单元106用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息。显示单元106可包括显示面板1061，可以采用液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)等形式来配置显示面板1061。显示单元106可以包括第一屏幕区域及第二屏幕区域。

用户输入单元107可用于接收输入的数字或字符信息，以及产生与移动终端的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。具体地，用户输入单元107可包括触控面板1071以及其他输入设备1072。触控面板1071，也称为触摸屏，可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触控面板1071上或在触控面板1071附近的操作)，并根据预先设定的程式驱动相应的连接装置。触控面板1071可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中，触摸检测装置检测用户的触摸方位，并检测触摸操作带来的信号，将信号传送给触摸控制器；触摸控制器从触摸检测装置上接收触摸信息，并将它转换成触点坐标，再送给处理器110，并能接收处理器110发来的命令并加以执行。此外，可以采用电阻式、电感式、红外线以及表面声波等多种类型实现触控面板1071。除了触控面板1071，用户输入单元107还可以包括其他输入设备1072。具体地，其他输入设备1072可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆等中的一种或多种，具体此处不做限定。

进一步的，触控面板1071可覆盖显示面板1061，当触控面板1071检测到在其上或附近的触摸操作后，传送给处理器110以确定触摸事件的类型，随后处理器110根据触摸事件的类型在显示面板1061上提供相应的视觉输出。虽然在图1中，触控面板1071与显示面板1061是作为两个独立的部件来实现移动终端的输入和输出功能，但是在某些实施例中，可以将触控面板1071与显示面板1061集成而实现移动终端的输入和输出功能，具体此处不做限定。

接口单元108用作至少一个外部装置与移动终端100连接可以通过的接口。例如，外部装置可以包括有线或无线头戴式耳机端口、外部电源(或电池充电器)端口、有线或无线数据端口、存储卡端口、用于连接具有识别模块的装置的端口、音频输入/输出(I/O)端口、视频I/O端口、耳机端口等等。接口单元108可以用于接收来自外部装置的输入(例如，数据信息、电力等等)并且将接收到的输入传输到移动终端100内的至少一个元件或者可以用于在移动终端100和外部装置之间传输数据。

存储器109可用于存储软件程序以及各种数据。存储器109可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器109可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。

处理器110是移动终端的控制中心，利用各种接口和线路连接整个移动终端的各个部分，通过运行或执行存储在存储器109内的软件程序和/或模块，以及调用存储在存储器109内的数据，执行移动终端的各种功能和处理数据，从而对移动终端进行整体监控。处理器110可包括至少一个处理单元；优选的，处理器110可集成应用处理器和调制解调处理器，其中，应用处理器主要处理操作系统、用户界面和应用程序等，调制解调处理器主要处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调处理器也可以不集成到处理器110中。

移动终端100还可以包括给各个部件供电的电源111(比如电池)，优选的，电源111可以通过电源管理系统与处理器110逻辑相连，从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。

尽管图1未示出，移动终端100还可以包括蓝牙模块等，在此不再赘述。

为了便于理解本发明实施例，下面对本发明的移动终端所基于的通信网络系统进行描述。

请参阅图2，图2为本发明实施例提供的一种通信网络系统架构图，该通信网络系统为通用移动通信技术的LTE系统，该LTE系统包括依次通讯连接的UE(UserEquipment，用户设备)201，E-UTRAN(Evolved UMTS Terrestrial Radio Access Network，演进式UMTS陆地无线接入网)202，EPC(Evolved Packet Core，演进式分组核心网)203和运营商的IP业务204。

具体地，UE201可以是上述移动终端100，此处不再赘述。

E-UTRAN202包括eNodeB2021和其它eNodeB2022等。其中，eNodeB2021可以通过回程(backhaul)(例如X2接口)与其它eNodeB2022连接，eNodeB2021连接到EPC203，eNodeB2021可以提供UE201到EPC203的接入。

EPC203可以包括MME(MobilityManagement Entity，移动性管理实体)2031，HSS(Home Subscriber Server，归属用户服务器)2032，其它MME2033，SGW(Serving Gate Way，服务网关)2034，PGW(PDN Gate Way，分组数据网络网关)2035和PCRF(Policy andCharging Rules Function，政策和资费功能实体)2036等。其中，MME2031是处理UE201和EPC203之间信令的控制节点，提供承载和连接管理。HSS2032用于提供一些寄存器来管理诸如归属位置寄存器(图中未示)之类的功能，并且保存有一些有关服务特征、数据速率等用户专用的信息。所有用户数据都可以通过SGW2034进行发送，PGW2035可以提供UE 201的IP地址分配以及其它功能，PCRF2036是业务数据流和IP承载资源的策略与计费控制策略决策点，它为策略与计费执行功能单元(图中未示)选择及提供可用的策略和计费控制决策。

IP业务204可以包括因特网、内联网、IMS(IPMultimedia Subsystem，IP多媒体子系统)或其它IP业务等。

虽然上述以LTE系统为例进行了介绍，但本领域技术人员应当知晓，本发明不仅仅适用于LTE系统，也可以适用于其他无线通信系统，例如GSM、CDMA2000、WCDMA、TD-SCDMA以及未来新的网络系统等，此处不做限定。

基于上述移动终端100硬件结构以及通信网络系统，提出本发明方法各个实施例。

参阅图3，图3是本发明实施例提供的一种移动终端的结构图。如图3所示，移动终端300包括编译解码器codec，所述编译解码器codec的音频输出正端EAR-P分别与第一N型金属氧化物半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS)场效应晶体Q1A的漏极、第二NMOS场效应晶体管Q1B的漏极及第三NMOS场效应晶体管Q1C的漏极连接，所述编译解码器codec的音频输出负端EAR-N分别与助听兼容HAC电感L的一端、匹配电阻R的一端、及扬声器听筒联合组件RCV/SPK的一端分别连接，所述第一NMOS场效应晶体管Q1A的源极与所述HAC电感L的另一端连接，所述第二NMOS场效应晶体管Q1B的源极与所述匹配电阻R的另一端连接，所述第三NMOS场效应晶体管Q1C与所述扬声器听筒联合组件RCV/SPK的另一端连接，所述编译解码器codec的第一通用输入输出(General Purpose Input Output，GPIO)接口GPIO1A与所述第一NMOS场效应晶体管Q1A的栅极连接，所述编译解码器codec的第二GPIO接口与所述第二NMOS场效应晶体管Q1B的栅极连接，所述编译解码器codec的第三GPIO接口与所述第三NMOS场效应晶体管Q1C的栅极连接，所述编译解码器codec的所述音频输出正端EAR-P与所述音频输出负端EAR-N分别与AB类放大器连接，所述编译解码器codec的所述音频输出正端EAR-P与所述音频输出负端EAR-N还分别与D类放大器连接。

在本实施例中，编译解码器codec可以实现对音频信号的编码解码功能，所示编译解码器codec可以包括数字音频接口、限压器、低压增强、滤波器、均衡器、采样率转换器、自动电平控制ALC等模块。GPIO接口具有低功耗、小封装及低成本的优点。

补充说明的是，所述匹配电阻的阻值等于所述HAC电感的阻值减去所述扬声器听筒联合组件的阻值。扬声器听筒联合组件的工作模式包括听筒模式、HAC模式、听筒HAC模式及喇叭模式中的至少一种模式。所述HAC模式表示助听兼容Hearing Aid Compliance模式，能够与助听器兼容，帮助听力有障碍的人士听到音频信号。听筒HAC模式表示扬声器听筒联合组件的听筒处于工作状态且能兼容助听器进行工作的模式。听筒模式表示扬声器听筒联合组件的听筒处于工作的模式。喇叭模式表示扬声器听筒联合组件的扬声器处于工作的模式。

可选的，所述扬声器听筒联合组件的工作模式包括听筒模式，在所述听筒模式下，通过所述AB类放大器按照与所述听筒模式匹配的第一目标功率输出音频信号。

请参阅图4，图4所示为另一移动终端的结构示意图。如图4所示，移动终端400通过第一GPIO接口GPIO1A输出低电平，将Q1A_EN管脚拉低控制第一NMOS管Q1A截至。通过第二GPIO接口GPIO1B输出低电平，将Q2A_EN管脚拉低控制第二NMOS管Q1B截至。通过第三GPIO接口GPIO1C输出高电平，将Q3C_EN管脚拉高控制第三NMOS管Q3C导通，内部功放切换至AB类放大器class AB，通过AB类放大器class AB按照与所述听筒模式匹配的第一目标功率输出音频信号。

可选的，所述扬声器听筒联合组件包括HAC模式，在所述HAC模式下，通过所述AB类放大器按照与所述HAC模式匹配的第二目标功率输出音频信号。

请参阅图5，图5所示为另一移动终端的结构示意图。如图5所示，移动终端500通过第一GPIO接口GPIO1A输出高电平，将Q1A_EN管脚拉高控制第一NMOS管Q1A导通。通过第二GPIO接口GPIO1B输出低电平，将Q2A_EN管脚拉高控制第二NMOS管Q1B截止。通过第三GPIO接口GPIO1C输出低电平，将Q3C_EN管脚拉低控制第三NMOS管Q3C截止，内部功放切换至AB类放大器class AB，通过AB类放大器class AB按照与所述HAC模式匹配的第二目标功率输出音频信号。

可选的，所述扬声器听筒联合组件包括听筒HAC模式，在所述听筒HAC组合模式下，通过所述AB类放大器按照与所述听筒HAC组合模式匹配的第三目标功率输出音频信号。

请参阅图6，图6所示为另一移动终端的结构示意图。如图6所示，移动终端600通过第一GPIO接口GPIO1A输出高电平，将Q1A_EN管脚拉高控制第一NMOS管Q1A导通。通过第二GPIO接口GPIO1B输出高电平，将Q2A_EN管脚拉高控制第二NMOS管Q1B导通。通过第三GPIO接口GPIO1C输出低电平，将Q3C_EN管脚拉低控制第三NMOS管Q3C截止，内部功放切换至AB类放大器classAB，通过AB类放大器classAB按照与所述HAC模式匹配的第三目标功率输出音频信号。

可选的所述扬声器听筒联合组件包括喇叭模式，在所述喇叭模式下，通过所述D类放大器按照与所述喇叭模式匹配的第第四目标功率输出音频信号。

请参阅图7，图7所示为另一移动终端的结构示意图。如图7所示，移动终端700通过第一GPIO接口GPIO1A输出低电平，将Q1A_EN管脚拉低控制第一NMOS管Q1A截止。通过第二GPIO接口GPIO1B输出低电平，将Q2A_EN管脚拉低控制第二NMOS管Q1B截止。通过第三GPIO接口GPIO1C输出高电平，将Q3C_EN管脚拉高控制第三NMOS管Q3C导通，内部功放切换至D类放大器class D，通过D类放大器class D按照与所述喇叭模式匹配的第四目标功率输出音频信号。

可选的，所述第三目标功率由所述扬声器听筒联合组件的阻值、所述HAC电感的阻值、所述第一目标功率及所述第二目标功率。

补充说明的是，可以根据公式(1)计算第三目标功率：Wth＝Rh/Rt*Wt+Wh，其中，Wth表示第三目标功率，Wt表示第一目标功率，Wh表示第二目标功率，Rt表示所述扬声器听筒联合组件的阻值、Rh表示所述HAC电感的阻值。

本发明所提出的移动终端，通过控制第一NMOS场效应晶体管、第二NMOS场效应晶体管及第三NMOS场效应晶体管的截止和导通状态，提高扬声器听筒联合组件与HAC电感之间选择电路路径的匹配度，从而提高移动终端的音频性能。

请参阅图8，图8所示为本发明实施例一种移动终端的音频信号处理方法的流程图。所述方法应用于图3-图7所示的任一种移动终端。如图8所示，所述方法包括以下步骤：

步骤S801，监测音频输出事件，并判断所述音频输出事件的输出音源的类型。

在本实施例中，所述输出音源包括扬声器听筒联合输出音源及耳机输出音源。当输出音源为耳机输出音源的情况下，直接按照一般音频播放流程输出音频信号即可。

步骤S802，在所述输出音源的类型为扬声器听筒联合输出音源的情况下，获取所述扬声器听筒联合组件所处的工作模式。

在本实施例中，所述扬声器听筒联合组件包括听筒模式、HAC模式、听筒HAC模式及喇叭模式中的至少一种工作模式。所述HAC模式表示助听兼容HearingAid Compliance模式，能够与助听器兼容，帮助听力有障碍的人士听到音频信号。听筒HAC模式表示扬声器听筒联合组件的听筒处于工作状态且能兼容助听器进行工作的模式。听筒模式表示扬声器听筒联合组件的听筒处于工作的模式。喇叭模式表示扬声器听筒联合组件的扬声器处于工作的模式。

步骤S803，根据所述工作模式，从D类放大器及AB类放大器中确定目标类型放大器，并确定与所述目标类型放大器及所述工作模式匹配的目标功率，并分别确定所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的第一目标电平状态、所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的第二目标电平状态、及所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的第三目标电平状态。

在本实施例中，可以分别针对听筒模式、HAC模式、听筒HAC模式及喇叭模式预先设置对应的D类放大器或AB类放大器。分别针对听筒模式、HAC模式、听筒HAC模式及喇叭模式预先设置对应第一目标功率、第二目标功率、第三目标功率计第四目标功率。分别针对听筒模式、HAC模式、听筒HAC模式及喇叭模式预先设置对应NMOS场效应晶体管的栅极的电平状态。这样，可以根据当前的工作模式确定对应的目标功率、目标电平状态，通过目标电平状态控制NMOS场效应晶体管的导通或截止状态，从而可以调整电路结构。

步骤S804，调整所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第一目标电平状态、调整所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第二目标电平状态、及调整所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第三目标电平状态，控制所述目标类型放大器按照所述目标功率输出音频信号。

这样，可以通过控制第一NMOS场效应晶体管、第二NMOS场效应晶体管及第三NMOS场效应晶体管的截止和导通状态，提高扬声器听筒联合组件与HAC电感之间选择电路路径的匹配度，从而提高移动终端的音频性能。

补充说明的是，可选的，所述扬声器听筒联合组件的工作模式包括听筒模式，在所述听筒模式下，通过所述AB类放大器按照与所述听筒模式匹配的第一目标功率输出音频信号。

具体来说，根据所述听筒模式，从D类放大器及AB类放大器中确定目标类型放大器为AB类放大器，并确定与所述AB类放大器及所述听筒模式匹配的第一目标功率，并分别确定所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的第一目标电平状态为低电平状态、所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的第二目标电平状态为低电平状态、及所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的第三目标电平状态为高电平状态。

调整所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的电平至低电平状态、调整所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的电平至低电平状态、及调整所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的电平至高电平状态，控制所述AB类型放大器按照所述第一目标功率输出音频信号。

请参阅图4，图4所示为另一移动终端的结构示意图。如图4所示，移动终端400通过第一GPIO接口GPIO1A输出低电平，将Q1A_EN管脚拉低控制第一NMOS管Q1A截至。通过第二GPIO接口GPIO1B输出低电平，将Q2A_EN管脚拉低控制第二NMOS管Q1B截至。通过第三GPIO接口GPIO1C输出高电平，将Q3C_EN管脚拉高控制第三NMOS管Q3C导通，内部功放切换至AB类放大器class AB，通过AB类放大器class AB按照与所述听筒模式匹配的第一目标功率输出音频信号。

可选的，所述扬声器听筒联合组件包括HAC模式，在所述HAC模式下，通过所述AB类放大器按照与所述HAC模式匹配的第二目标功率输出音频信号。

具体来说，根据所述HAC模式，从D类放大器及AB类放大器中确定目标类型放大器为AB类放大器，并确定与所述AB类放大器及所述HAC模式匹配的第二目标功率，并分别确定所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的第一目标电平状态为高电平状态、所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的第二目标电平状态为低电平状态、及所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的第三目标电平状态为低电平状态。

调整所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的电平至高电平状态、调整所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的电平至低电平状态、及调整所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的电平至低电平状态，控制所述AB类放大器按照所述第二目标功率输出音频信号。

请参阅图5，图5所示为另一移动终端的结构示意图。如图5所示，移动终端500通过第一GPIO接口GPIO1A输出高电平，将Q1A_EN管脚拉高控制第一NMOS管Q1A导通。通过第二GPIO接口GPIO1B输出低电平，将Q2A_EN管脚拉高控制第二NMOS管Q1B截止。通过第三GPIO接口GPIO1C输出低电平，将Q3C_EN管脚拉低控制第三NMOS管Q3C截止，内部功放切换至AB类放大器class AB，通过AB类放大器class AB按照与所述HAC模式匹配的第二目标功率输出音频信号。

可选的，所述扬声器听筒联合组件包括听筒HAC模式，在所述听筒HAC组合模式下，通过所述AB类放大器按照与所述听筒HAC组合模式匹配的第三目标功率输出音频信号。

具体来说，根据所述听筒HAC模式，从D类放大器及AB类放大器中确定目标类型放大器为AB类放大器，并确定与所述AB类放大器及所述HAC模式匹配的第三目标功率，并分别确定所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的第一目标电平状态为高电平状态、所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的第二目标电平状态为高电平状态、及所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的第三目标电平状态为低电平状态。

调整所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的电平至高电平状态、调整所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的电平至高电平状态、及调整所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的电平至低电平状态，控制所述AB类放大器按照所述第三目标功率输出音频信号。

请参阅图6，图6所示为另一移动终端的结构示意图。如图6所示，移动终端600通过第一GPIO接口GPIO1A输出高电平，将Q1A_EN管脚拉高控制第一NMOS管Q1A导通。通过第二GPIO接口GPIO1B输出高电平，将Q2A_EN管脚拉高控制第二NMOS管Q1B导通。通过第三GPIO接口GPIO1C输出低电平，将Q3C_EN管脚拉低控制第三NMOS管Q3C截止，内部功放切换至AB类放大器class AB，通过AB类放大器class AB按照与所述HAC模式匹配的第三目标功率输出音频信号。

可选的所述扬声器听筒联合组件包括喇叭模式，在所述喇叭模式下，通过所述D类放大器按照与所述喇叭模式匹配的第第四目标功率输出音频信号。

具体来说，根据所述喇叭模式，从D类放大器及AB类放大器中确定目标类型放大器为D类放大器，并确定与所述D类放大器及所述喇叭模式匹配的第四目标功率，并分别确定所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的第一目标电平状态为低电平状态、所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的第二目标电平状态为低电平状态、及所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的第三目标电平状态为高电平状态。

调整所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的电平至低电平状态、调整所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的电平至低电平状态、及调整所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的电平至高电平状态，控制所述D类放大器按照所述第四目标功率输出音频信号。

请参阅图7，图7所示为另一移动终端的结构示意图。如图7所示，移动终端700通过第一GPIO接口GPIO1A输出低电平，将Q1A_EN管脚拉低控制第一NMOS管Q1A截止。通过第二GPIO接口GPIO1B输出低电平，将Q2A_EN管脚拉低控制第二NMOS管Q1B截止。通过第三GPIO接口GPIO1C输出高电平，将Q3C_EN管脚拉高控制第三NMOS管Q3C导通，内部功放切换至D类放大器class D，通过D类放大器class D按照与所述喇叭模式匹配的第四目标功率输出音频信号。

补充说明的是，移动终端可以将扬声器听筒联合组件的模式默认设为喇叭模式，即将Q1A_EN管脚拉低控制第一NMOS场效应晶体管Q1A截至，将第一NMOS场效应晶体管Q2B_EN管脚拉低控制MOS管Q2A截至，将Q3C_EN管脚拉高控制第三NMOS场效应晶体管Q3A导通。同时内部放大器选择Class D放大器。

当移动终端开机后，移动终端音频事件的编译解码器的实时监测音频输出事件，当监测到有音频事件输出时，判断音频输出类型，如果为耳机输出音源，则直接正常输出音频信息即可；如果判断为扬声器听筒的输出音源，则获取用户当前选择的扬声器听筒联合组件的工作模式。

如果扬声器听筒联合组件的工作模式为喇叭模式，则保持默认MOS导通状态不改变，即将第一NMOS场效应晶体管的Q1A_EN管脚拉低，控制第一NMOS场效应晶体管Q1A截至，将第二NMOS场效应晶体管Q2A_EN管脚拉低，控制第二NMOS管Q2A截至，将第三NMOS场效应晶体管Q3A_EN管脚拉高，控制第三NMOS管Q3A导通，同时内部放大器选择Class D放大器。其音频信号输出路径如图7所示，同时将扬声器听筒联合组件按照对应的输出功率，输出.

如果选择工作模式为HAC工作模式，则将第三NMOS场效应晶体管Q3A_EN管脚由高电平变为低电平，将第一Q1A_EN管脚由低电平变为高电平，即Q1A_EN管脚为高电平控制MOS管Q1A导通，将Q2A_EN管脚拉低控制MOS管Q2A截至，将Q3A_EN管脚拉低控制MOS管Q3A截至，同时内部放大器选择ClassAB放大器。其音频信号输出路径如图5所示，同时将扬声器听筒联合组件按照匹配的输出功率输出音频信号。

如果选择工作模式为听筒模式，则将第一NMOS场效应晶体管Q1A_EN管脚拉低控制NMOS管Q1A截至，第二NMOS场效应晶体管将Q2A_EN管脚拉低控制NMOS管Q2A截至，将第一NMOS场效应晶体管Q3A_EN管脚拉高控制MOS管Q3A导通，但是内部功放由class D类功放切换至Class AB放大器。其音频信号输出路径如图4所示，扬声器听筒联合组件按照对应的输出功率输出音频信号。

如果选择的工作模式为听筒HAC工作模式，则将第一NMOS场效应晶体管Q1A_EN管脚由高电平变为低电平，将第二NMOS场效应晶体管Q1B_EN管脚由低电平变为高电平，将第三NMOS场效应晶体管Q3C_EN管脚由低电平变为高电平，即Q1A_EN管脚为高电平控制NMOS管Q1A导通，将Q2B_EN管脚拉高控制MOS管Q2A导通，将Q3B_EN管脚拉低控制MOS管Q3B截至，同时内部放大器选择ClassAB放大器。其音频信号输出路径如图6所示，同时将扬声器听筒联合组件按照对应的输出功率输出音频信号。

本发明所提出的移动终端，通过控制第一NMOS场效应晶体管、第二NMOS场效应晶体管及第三NMOS场效应晶体管的截止和导通状态，提高扬声器听筒联合组件与HAC电感之间选择电路路径的匹配度，从而提高移动终端的音频性能。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法的全部或者部分步骤是可以通过至少一个程序指令相关的硬件来完成，所述至少一个程序可以存储于如图1所示的移动终端100的存储器109中，并能够被所述处理器110执行，所述至少一个程序被所述处理器110执行时实现如下步骤：

监测音频输出事件，并判断所述音频输出事件的输出音源的类型；

在所述输出音源的类型为扬声器听筒联合输出音源的情况下，获取所述扬声器听筒联合组件所处的工作模式；

根据所述工作模式，从D类放大器及AB类放大器中确定目标类型放大器，并确定与所述目标类型放大器及所述工作模式匹配的目标功率，并分别确定所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的第一目标电平状态、所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的第二目标电平状态、及所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的第三目标电平状态；

调整所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第一目标电平状态、调整所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第二目标电平状态、及调整所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第三目标电平状态，控制所述目标类型放大器按照所述目标功率输出音频信号。

本发明实施例提供的移动终端100，通过控制第一NMOS场效应晶体管、第二NMOS场效应晶体管及第三NMOS场效应晶体管的截止和导通状态，提高扬声器听筒联合组件与HAC电感之间选择电路路径的匹配度，从而提高移动终端的音频性能。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法的全部或者部分步骤是可以通过至少一个程序指令相关的硬件来完成，所述至少一个程序可以存储于一存储介质中，该至少一个程序在执行时，包括以下步骤：

监测音频输出事件，并判断所述音频输出事件的输出音源的类型；

在所述输出音源的类型为扬声器听筒联合输出音源的情况下，获取所述扬声器听筒联合组件所处的工作模式；

根据所述工作模式，从D类放大器及AB类放大器中确定目标类型放大器，并确定与所述目标类型放大器及所述工作模式匹配的目标功率，并分别确定所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的第一目标电平状态、所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的第二目标电平状态、及所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的第三目标电平状态；

调整所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第一目标电平状态、调整所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第二目标电平状态、及调整所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第三目标电平状态，控制所述目标类型放大器按照所述目标功率输出音频信号。

本发明实施例提供的存储介质，通过控制第一NMOS场效应晶体管、第二NMOS场效应晶体管及第三NMOS场效应晶体管的截止和导通状态，提高扬声器听筒联合组件与HAC电感之间选择电路路径的匹配度，从而提高移动终端的音频性能。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种移动终端，其特征在于，包括：编译解码器，所述编译解码器的音频输出正端分别与第一N型金属氧化物半导体NMOS场效应晶体管的漏极、第二NMOS场效应晶体管的漏极及第三NMOS场效应晶体管的漏极连接，所述编译解码器的音频输出负端分别与助听兼容HAC电感的一端、匹配电阻的一端、及扬声器听筒联合组件的一端分别连接，所述第一NMOS场效应晶体管的源极与所述HAC电感的另一端连接，所述第二NMOS场效应晶体管的源极与所述匹配电阻的另一端连接，所述第三NMOS场效应晶体管与所述扬声器听筒联合组件的另一端连接，所述编译解码器的第一通用输入输出GPIO接口与所述第一NMOS场效应晶体管的栅极连接，所述编译解码器的第二GPIO接口与所述第二NMOS场效应晶体管的栅极连接，所述编译解码器的第三GPIO接口与所述第三NMOS场效应晶体管的栅极连接，所述编译解码器的所述音频输出正端与所述音频输出负端分别与AB类放大器连接，所述编译解码器的所述音频输出正端与所述音频输出负端还分别与D类放大器连接。

2.如权利要求1所述的移动终端，其特征在于，所述匹配电阻的阻值等于所述HAC电感的阻值减去所述扬声器听筒联合组件的阻值。

3.如权利要求2所述的移动终端，其特征在于，所述扬声器听筒联合组件的工作模式包括听筒模式，在所述听筒模式下，通过所述AB类放大器按照与所述听筒模式匹配的第一目标功率输出音频信号。

4.如权利要求3所述的移动终端，其特征在于，所述扬声器听筒联合组件包括HAC模式，在所述HAC模式下，通过所述AB类放大器按照与所述HAC模式匹配的第二目标功率输出音频信号。

5.如权利要求4所述的移动终端，其特征在于，所述扬声器听筒联合组件包括听筒HAC组合模式，在所述听筒HAC组合模式下，通过所述AB类放大器按照与所述听筒HAC组合模式匹配的第三目标功率输出音频信号。

6.如权利要求5所述的移动终端，其特征在于，所述扬声器听筒联合组件包括喇叭模式，在所述喇叭模式下，通过所述D类放大器按照与所述喇叭模式匹配的第四目标功率输出音频信号。

7.如权利要求6所述的移动终端，其特征在于，所述第三目标功率由所述扬声器听筒联合组件的阻值、所述HAC电感的阻值、所述第一目标功率及所述第二目标功率相关联的特定公式计算得到。

8.一种移动终端的音频信号处理方法，应用于如权利要求1至6任一项所述的移动终端，其特征在于，所述方法包括：

监测音频输出事件，并判断所述音频输出事件的输出音源的类型；

在所述输出音源的类型为扬声器听筒联合输出音源的情况下，获取所述扬声器听筒联合组件所处的工作模式；

根据所述工作模式，从D类放大器及AB类放大器中确定目标类型放大器，并确定与所述目标类型放大器及所述工作模式匹配的目标功率，并分别确定所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的第一目标电平状态、所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的第二目标电平状态、及所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的第三目标电平状态；

调整所述第一NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第一目标电平状态、调整所述第二NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第二目标电平状态、及调整所述第三NMOS场效应晶体管的栅极的电平至所述第三目标电平状态，控制所述目标类型放大器按照所述目标功率输出音频信号。

9.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括存储器、至少一个处理器及存储在所述存储器上并可在所述至少一个处理器执行的至少一个程序，所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行时实现上述权利要求8所述的方法中的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行的至少一个程序，其特征在于，所述至少一个程序被所述计算机执行时使所述计算机执行上述权利要求8所述的方法中的步骤。

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